JPH0543597Y2 - - Google Patents
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- JPH0543597Y2 JPH0543597Y2 JP1987137078U JP13707887U JPH0543597Y2 JP H0543597 Y2 JPH0543597 Y2 JP H0543597Y2 JP 1987137078 U JP1987137078 U JP 1987137078U JP 13707887 U JP13707887 U JP 13707887U JP H0543597 Y2 JPH0543597 Y2 JP H0543597Y2
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- protective film
- protective
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Landscapes
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
<産業上の利用分野>
本考案は、高分子系の圧電膜の両面に施した高
分子圧電体の保護膜に係り、特に耐食性のある保
護膜の構造に関する。
分子圧電体の保護膜に係り、特に耐食性のある保
護膜の構造に関する。
この保護膜が施された圧電体は、腐蝕性ガスの
雰囲気の中で使用される場合が多く、例えば超音
波距離計などの送受波器の超音波振動子に使用さ
れる。
雰囲気の中で使用される場合が多く、例えば超音
波距離計などの送受波器の超音波振動子に使用さ
れる。
<従来の技術>
高分子の圧電膜を用いた超音波振動子は例えば
本出願人から昭和62年7月27日に実用新案登録願
「名称:超音波距離計の送受波器」として提案さ
れているが、この様な超音波振動子に用いられて
いる高分子の圧電膜はその表面が周囲の腐蝕性ガ
スから保護するために保護膜で覆われる。
本出願人から昭和62年7月27日に実用新案登録願
「名称:超音波距離計の送受波器」として提案さ
れているが、この様な超音波振動子に用いられて
いる高分子の圧電膜はその表面が周囲の腐蝕性ガ
スから保護するために保護膜で覆われる。
第4図にこの様な従来の高分子圧電膜の構成を
示す。第4図イはその上面の保護膜を剥がしたと
きの平面図を、ロはA−A′から見た縦断面図を
それぞれ示す、 10は高分子の圧電膜であり、その上面と下面
は電極膜11と12がメツキ、蒸着、或いはスパ
ツタなどにより固定されている。電極膜11と1
2からはそれぞれリード線13,14が引き出さ
れ、これ等は高分子系の絶縁被覆13a,14a
で覆われている。
示す。第4図イはその上面の保護膜を剥がしたと
きの平面図を、ロはA−A′から見た縦断面図を
それぞれ示す、 10は高分子の圧電膜であり、その上面と下面
は電極膜11と12がメツキ、蒸着、或いはスパ
ツタなどにより固定されている。電極膜11と1
2からはそれぞれリード線13,14が引き出さ
れ、これ等は高分子系の絶縁被覆13a,14a
で覆われている。
15と16は例えば4弗化エチレン樹脂で出来
た保護膜であり、これ等は接着剤で電極膜11,
12などと接着されている。また、保護膜15と
16の周端面17も接着剤で接合されている。
た保護膜であり、これ等は接着剤で電極膜11,
12などと接着されている。また、保護膜15と
16の周端面17も接着剤で接合されている。
<考案が解決しようとする問題点>
しかしながら、このような従来の高分子圧電膜
は、その材料として耐食性を確保するために4弗
化エチレン樹脂を採用しているが保護膜15と1
6の周端面17は接着剤で接合しているので、全
体の耐食性がこの接着剤に依存して低下する。
は、その材料として耐食性を確保するために4弗
化エチレン樹脂を採用しているが保護膜15と1
6の周端面17は接着剤で接合しているので、全
体の耐食性がこの接着剤に依存して低下する。
その上、4弗化エチレン樹脂はもともと接着し
難たい材料であるので、この接着そのものも充分
ではない。さらに、4弗化エチレン樹脂はガス透
過率が他の高分子材料に対して極端に高いので高
分子圧電膜10を充分に保護し得ないという問題
がある。
難たい材料であるので、この接着そのものも充分
ではない。さらに、4弗化エチレン樹脂はガス透
過率が他の高分子材料に対して極端に高いので高
分子圧電膜10を充分に保護し得ないという問題
がある。
<問題点を解決するための手段>
本考案は、以上の問題点を解決するために、高
分子圧電膜の両面に電極膜を設けこれ等の電極膜
の一部からリード線を引き出すと共にこれ等の電
極膜の全体を覆うように保護膜を設けた高分子圧
電体において、前記保護膜として1,2、或いは
3弗化エチレン樹脂を用い、この保護膜の周縁部
を溶融して接合するようにしたものである。
分子圧電膜の両面に電極膜を設けこれ等の電極膜
の一部からリード線を引き出すと共にこれ等の電
極膜の全体を覆うように保護膜を設けた高分子圧
電体において、前記保護膜として1,2、或いは
3弗化エチレン樹脂を用い、この保護膜の周縁部
を溶融して接合するようにしたものである。
<作用>
保護膜としてガス透過率の低い1,2、或いは
3弗化エチレン樹脂を用い、この保護膜の周縁部
を接着剤を用いることなしに溶融して接合する。
3弗化エチレン樹脂を用い、この保護膜の周縁部
を接着剤を用いることなしに溶融して接合する。
このようにして、腐蝕性のガス雰囲気の中でも
充分に超音波を送受波できる圧電膜として作用す
る。
充分に超音波を送受波できる圧電膜として作用す
る。
<実施例>
以下、本考案の実施例について図面に基づき説
明する。なお、従来と同じ機能を持つ部分には同
一の符号を付して適宜にその説明を省略する。
明する。なお、従来と同じ機能を持つ部分には同
一の符号を付して適宜にその説明を省略する。
第1図は本考案の1実施例を示す構成図であ
る。第1図イは平面図、第1図ロはA−A′から
見た縦断面図である。
る。第1図イは平面図、第1図ロはA−A′から
見た縦断面図である。
高分子圧電膜10の上下面にはそれぞれ電極膜
11,12が接合されており、これ等の電極膜1
1,12からは例えば2弗化エチレン樹脂の絶縁
被覆18,19で覆われたリード線20,21が
引き出されている。これ等の表面は2弗化エチレ
ン樹脂の保護膜22,23で覆われ、その周縁部
24は例えば超音波溶接で保護膜22と23が一
体に溶融して接合されている。
11,12が接合されており、これ等の電極膜1
1,12からは例えば2弗化エチレン樹脂の絶縁
被覆18,19で覆われたリード線20,21が
引き出されている。これ等の表面は2弗化エチレ
ン樹脂の保護膜22,23で覆われ、その周縁部
24は例えば超音波溶接で保護膜22と23が一
体に溶融して接合されている。
保護膜22,23の材質は耐食性に優れ、かつ
ガス、水蒸気の透過率の低い3弗化、2弗化、或
いは1弗化エチレン樹脂、すなわちポリクロロト
リフルオロエチレン(PCTFE)、ポリビニリデ
ンフルオライド(PVdF)、ポリビニルフルオラ
イド(PVF)が適している。これ等は、4弗化
エチレン樹脂と同じ弗素系エチレン樹脂である
が、4弗化エチレン樹脂に比べてガス透過率が極
端に低い材料である。
ガス、水蒸気の透過率の低い3弗化、2弗化、或
いは1弗化エチレン樹脂、すなわちポリクロロト
リフルオロエチレン(PCTFE)、ポリビニリデ
ンフルオライド(PVdF)、ポリビニルフルオラ
イド(PVF)が適している。これ等は、4弗化
エチレン樹脂と同じ弗素系エチレン樹脂である
が、4弗化エチレン樹脂に比べてガス透過率が極
端に低い材料である。
特に、PVDFは機械的強度にも優れているの
で、耐食性、ガス、水蒸気の透過率、機械的強度
などのあらゆる面から総合的に評価した場合に保
護膜として最適の材質である。
で、耐食性、ガス、水蒸気の透過率、機械的強度
などのあらゆる面から総合的に評価した場合に保
護膜として最適の材質である。
また、保護膜22,23が保護膜としての機能
を果たすには25μm程度以上の厚さが必要である
が、この保護膜22,23は高分子圧電膜10に
対しては負荷となるので、この負荷に打ち勝つた
めには高分子圧電膜10は保護膜22,23の2
倍以上の厚さが必要であることが実験の結果によ
り判明している。
を果たすには25μm程度以上の厚さが必要である
が、この保護膜22,23は高分子圧電膜10に
対しては負荷となるので、この負荷に打ち勝つた
めには高分子圧電膜10は保護膜22,23の2
倍以上の厚さが必要であることが実験の結果によ
り判明している。
第2図は本考案の第1の変形実施例を示す構成
図である。
図である。
保護膜22と23の厚さが薄い(例えば25μm
程度)場合には、十分な溶接強度が得られない
が、このようなときはこれ等の周縁部25に保護
膜22と23と同材質の適当な厚さのフイルム2
6を挿入し全体の厚さを増すと溶接強度が増加す
る。
程度)場合には、十分な溶接強度が得られない
が、このようなときはこれ等の周縁部25に保護
膜22と23と同材質の適当な厚さのフイルム2
6を挿入し全体の厚さを増すと溶接強度が増加す
る。
実験によると、全体の厚さが90μm〜100μmの
ときの溶接強度が最も強いことが判明している。
ときの溶接強度が最も強いことが判明している。
第3図は本考案の第2の変形実施例を示す構成
図である。
図である。
高分子圧電膜の材質はPVdF系の弗素樹脂であ
ることが多い。この場合には、高分子圧電膜27
の寸法を大きく取つて保護膜の端面まで延長し、
この高分子圧電膜27自体を介して高分子圧電膜
27と同じ弗素系の保護膜28,29をその周縁
部30で超音波溶接する。このようにすると、周
縁部30で保護膜28と29が溶融するので、十
分なシールが確保できる。
ることが多い。この場合には、高分子圧電膜27
の寸法を大きく取つて保護膜の端面まで延長し、
この高分子圧電膜27自体を介して高分子圧電膜
27と同じ弗素系の保護膜28,29をその周縁
部30で超音波溶接する。このようにすると、周
縁部30で保護膜28と29が溶融するので、十
分なシールが確保できる。
また、リード線20と21の被覆として保護膜
28,29と同じ弗素系の絶縁被覆31,32を
用いると超音波溶接によつてリード線20と21
とを一体化することができるので、シール性能が
より完全となる。
28,29と同じ弗素系の絶縁被覆31,32を
用いると超音波溶接によつてリード線20と21
とを一体化することができるので、シール性能が
より完全となる。
今までの説明では、高分子圧電膜に電極膜を接
合する構成として説明したが、これに限らず、各
保護膜の内側に電極膜を形成するようにして、こ
の後にこれ等を高分子圧電膜に接合するようにし
ても良い また、今までの説明では保護膜の周縁部の溶接
は超音波溶接をすることにより実現したが、これ
に限らず例えばレーザ溶接などで行つても良い。
合する構成として説明したが、これに限らず、各
保護膜の内側に電極膜を形成するようにして、こ
の後にこれ等を高分子圧電膜に接合するようにし
ても良い また、今までの説明では保護膜の周縁部の溶接
は超音波溶接をすることにより実現したが、これ
に限らず例えばレーザ溶接などで行つても良い。
さらに、弗素系以外の材料を用いて保護膜を形
成する場合は、例えば耐食性、ガス、水蒸気の透
過率が小さい材料としてポリエーテルケトン
(PEEK)がある。
成する場合は、例えば耐食性、ガス、水蒸気の透
過率が小さい材料としてポリエーテルケトン
(PEEK)がある。
<考案の効果>
以上、実施例と共に具体的に説明したように本
考案によれば、高分子圧電膜の両面を保護膜で覆
いその周縁部を自己融着して接合するようにした
ので、腐蝕性ガスの雰囲気でも充分なシール性能
を確保することができる。
考案によれば、高分子圧電膜の両面を保護膜で覆
いその周縁部を自己融着して接合するようにした
ので、腐蝕性ガスの雰囲気でも充分なシール性能
を確保することができる。
第1図は本考案の1実施例の構成を示す構成
図、第2図は第1図に示す実施例の変形実施例を
示す構成図、第3図は第1図に示す実施例の第2
の変形実施例を示す構成図、第4図は従来の圧電
体の構成を示す構成図である。 10,27……高分子圧電膜、11,12……
電極膜、15,16,22,23,28,29…
…保護膜、17……周端面、18,19……絶縁
被覆、26……フイルム、24,30……周縁
部。
図、第2図は第1図に示す実施例の変形実施例を
示す構成図、第3図は第1図に示す実施例の第2
の変形実施例を示す構成図、第4図は従来の圧電
体の構成を示す構成図である。 10,27……高分子圧電膜、11,12……
電極膜、15,16,22,23,28,29…
…保護膜、17……周端面、18,19……絶縁
被覆、26……フイルム、24,30……周縁
部。
Claims (1)
- 高分子圧電膜の両面に電極膜を設けこれ等の電
極膜の一部からリード線を引き出すと共にこれ等
の電極膜の全体を覆うように保護膜を設けた高分
子圧電体において、前記保護膜として1,2、或
いは3弗化エチレン樹脂を用い、この保護膜の周
縁部を溶融して接合したことを特徴とする高分子
圧電体。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987137078U JPH0543597Y2 (ja) | 1987-09-08 | 1987-09-08 | |
| US07/171,963 US4825116A (en) | 1987-05-07 | 1988-03-23 | Transmitter-receiver of ultrasonic distance measuring device |
| DE3815359A DE3815359A1 (de) | 1987-05-07 | 1988-05-05 | Sender/empfaenger eines ultraschall-entfernungsmessgeraetes |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987137078U JPH0543597Y2 (ja) | 1987-09-08 | 1987-09-08 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6442699U JPS6442699U (ja) | 1989-03-14 |
| JPH0543597Y2 true JPH0543597Y2 (ja) | 1993-11-02 |
Family
ID=31398180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987137078U Expired - Lifetime JPH0543597Y2 (ja) | 1987-05-07 | 1987-09-08 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0543597Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3861705B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2006-12-20 | 松下電工株式会社 | 電歪アクチュエータ |
-
1987
- 1987-09-08 JP JP1987137078U patent/JPH0543597Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6442699U (ja) | 1989-03-14 |
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