JPS63143883A - 高分子圧電素子 - Google Patents
高分子圧電素子Info
- Publication number
- JPS63143883A JPS63143883A JP61292796A JP29279686A JPS63143883A JP S63143883 A JPS63143883 A JP S63143883A JP 61292796 A JP61292796 A JP 61292796A JP 29279686 A JP29279686 A JP 29279686A JP S63143883 A JPS63143883 A JP S63143883A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- film
- nickel
- laminated
- gold
- Prior art date
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- Pending
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- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は高分子圧電素子における電極層の改良に関す
る。
る。
［従来の技術１
従来の高分子圧電素子はポリ弗化ビリニデン、ポリシア
ン化ビニリデン等の圧力−電気変換特性を有する高分子
フィルムの両面にニッケル、アルミニウム等の金属薄膜
を形成して電極部とした構成のものが殆どであった。
ン化ビニリデン等の圧力−電気変換特性を有する高分子
フィルムの両面にニッケル、アルミニウム等の金属薄膜
を形成して電極部とした構成のものが殆どであった。
［発明が解決しようとする問題点］
この様な上記高分子圧電素子においては、電極部として
ニッケルを採用した場合は圧電フィルム自体は極めて可
撓性に富むが前記電極部を構成するニッケル薄膜は、こ
れに比べτ可撓性が極めて小さいので、当該電極部分が
高分子圧電フィルムの伸縮動作に追従できず、金属薄膜
にクラック等が発生し、電極部の抵抗値が高くなったり
、断線等の原因となり易く、一方アルミニウム薄膜を採
用した場合は、ニッケルに比べると可撓性を有し延展性
に富み圧電フィルムの伸縮動作により追従可能であるが
、耐蝕性が小さいため経時変化による表面抵抗の増大が
し又、高分子フィルムとの密着性に問題を有している。
ニッケルを採用した場合は圧電フィルム自体は極めて可
撓性に富むが前記電極部を構成するニッケル薄膜は、こ
れに比べτ可撓性が極めて小さいので、当該電極部分が
高分子圧電フィルムの伸縮動作に追従できず、金属薄膜
にクラック等が発生し、電極部の抵抗値が高くなったり
、断線等の原因となり易く、一方アルミニウム薄膜を採
用した場合は、ニッケルに比べると可撓性を有し延展性
に富み圧電フィルムの伸縮動作により追従可能であるが
、耐蝕性が小さいため経時変化による表面抵抗の増大が
し又、高分子フィルムとの密着性に問題を有している。
［問題を解決するための手段］
この発明は高分子圧電フィルムと当該圧電フィルムの表
面に積層した電極層より構成される高分子圧電素子にお
いて、前記電極層が前記圧電フィルムに積層されたチタ
ン、ニッケル若しくは金を主成分とする第１層と当該第
１層に積層されたアルミニウム、スズ若しくは鉛を主成
分とする第２層と、当該第２層に積層されたチタン、ニ
ッケル若しくは金を主成分とする第３層よりなる高分子
圧電素子である。
面に積層した電極層より構成される高分子圧電素子にお
いて、前記電極層が前記圧電フィルムに積層されたチタ
ン、ニッケル若しくは金を主成分とする第１層と当該第
１層に積層されたアルミニウム、スズ若しくは鉛を主成
分とする第２層と、当該第２層に積層されたチタン、ニ
ッケル若しくは金を主成分とする第３層よりなる高分子
圧電素子である。
［作用］
耐蝕性及びフィルムとの密着性の良好な第１層及び第３
層を伸びの大ぎい第２層を介して積層することにより、
耐蝕性の良好な第３層のクラックを防止する。
層を伸びの大ぎい第２層を介して積層することにより、
耐蝕性の良好な第３層のクラックを防止する。
［実施例１
ポリ弗化ビリニデンフィルム１の両面にそれぞれニッケ
ル薄膜を形成して第１層２ａとし、当該第１層２ａにア
ルミニウム薄膜を形成して第２層２ｂとし、更に当該第
２層にニッケル薄膜を形成して第３層２ｃとし、前記第
１層２ａ、第２層２［発明の効果］ 以上に説明のこの発明によれば耐蝕性の良好で、且つフ
ィルムとの密着性が良好なニッケル薄膜等を伸びの大き
いアルミニウム薄膜層を中間にして積層することにより
、電極部と高分子フィルムとの密着性を改良するととも
に電極部の伸縮追従性を増大せしめ耐蝕性の良好なニッ
ケル薄膜等のクラックが抑制できた。又、アルミニウム
に代えて鉛及びスズを、ニッケルに代えてチタン又は金
を採用だ場合でも同様の効果が得られた。
ル薄膜を形成して第１層２ａとし、当該第１層２ａにア
ルミニウム薄膜を形成して第２層２ｂとし、更に当該第
２層にニッケル薄膜を形成して第３層２ｃとし、前記第
１層２ａ、第２層２［発明の効果］ 以上に説明のこの発明によれば耐蝕性の良好で、且つフ
ィルムとの密着性が良好なニッケル薄膜等を伸びの大き
いアルミニウム薄膜層を中間にして積層することにより
、電極部と高分子フィルムとの密着性を改良するととも
に電極部の伸縮追従性を増大せしめ耐蝕性の良好なニッ
ケル薄膜等のクラックが抑制できた。又、アルミニウム
に代えて鉛及びスズを、ニッケルに代えてチタン又は金
を採用だ場合でも同様の効果が得られた。
図面はこの発明実施例の圧電変換素子の断面図である。
１は高分子圧電フィルム、２ａは第１層、２ｂは第２層
、２は電極部である。
、２は電極部である。
Claims (1)
- 高分子圧電フィルム（１）と当該圧電フィルムの表面
に積層した電極層（２）より構成される高分子圧電素子
において、前記電極層（２）が前記圧電フィルム（１）
に積層されたチタン、ニッケル若しくは金を主成分とす
る第１層（２ａ）と当該第１層に積層されたアルミニウ
ム、スズ若しくは鉛を主成分とする第２層（２ｂ）と、
当該第２層（２ｂ）に積層されたチタン、ニッケル若し
くは金を主成分とする第３層（２ｃ）よりなることを特
徴とする高分子圧電素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292796A JPS63143883A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 高分子圧電素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61292796A JPS63143883A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 高分子圧電素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143883A true JPS63143883A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17786451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61292796A Pending JPS63143883A (ja) | 1986-12-08 | 1986-12-08 | 高分子圧電素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63143883A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342935U (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-23 | ||
| US6541898B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-04-01 | Fujitsu Limited | Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method |
-
1986
- 1986-12-08 JP JP61292796A patent/JPS63143883A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0342935U (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-23 | ||
| US6541898B2 (en) * | 2000-11-02 | 2003-04-01 | Fujitsu Limited | Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method |
| US6744183B2 (en) | 2000-11-02 | 2004-06-01 | Fujitsu Limited | Method of bonding piezoelectric element and electrode, and piezoelectric microactuator using the bonding method |
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