JPH0544617B2 - - Google Patents
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- JPH0544617B2 JPH0544617B2 JP59040867A JP4086784A JPH0544617B2 JP H0544617 B2 JPH0544617 B2 JP H0544617B2 JP 59040867 A JP59040867 A JP 59040867A JP 4086784 A JP4086784 A JP 4086784A JP H0544617 B2 JPH0544617 B2 JP H0544617B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pressure
- chamber
- diaphragm
- differential pressure
- pressure side
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L13/00—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values
- G01L13/02—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements
- G01L13/025—Devices or apparatus for measuring differences of two or more fluid pressure values using elastically-deformable members or pistons as sensing elements using diaphragms
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ピエゾ抵抗素子をシリコン単結晶板
上に拡散法により形成し、このシリコン単結晶板
より作られたいわゆる拡散型ダイアフラムの両側
にそれぞれ高圧および低圧の流体圧を印加してダ
イアフラムから両流体圧力の差圧に対応した電気
信号を発生させるとともに、前記ダイアフラムを
過圧または衝撃圧から保護させるように構成して
いる半導体差圧発信器に関する。
上に拡散法により形成し、このシリコン単結晶板
より作られたいわゆる拡散型ダイアフラムの両側
にそれぞれ高圧および低圧の流体圧を印加してダ
イアフラムから両流体圧力の差圧に対応した電気
信号を発生させるとともに、前記ダイアフラムを
過圧または衝撃圧から保護させるように構成して
いる半導体差圧発信器に関する。
この種の差圧発信器は例えば、特開昭53−
79582号公報に開示されており、検出素子となる
拡散型ダイアフラムは受圧部を構成する部材に接
合されており、さらに2枚の高圧及び低圧の受圧
ダイアフラムと、1枚の中心ダイアフラムとで前
記拡散型ダイアフラムを過負荷から保護する手段
を構成している。すなわち、前記高圧受圧ダイア
フラムによつて被測定高圧流体を導入する高圧流
体量と非圧縮性のシリコンオイル等の流体の充填
された高圧受圧室とを隔離し、被測定高圧流体の
圧力は高圧受圧ダイアフラムを介して高圧受圧室
内のシリコンオイルに伝達される。同様に低圧受
圧ダイアフラムによつて隔離された被測定低圧流
体を導入する低圧流体室とシリコンオイルの充填
された低圧受圧室とが設けられる。さらに前記中
心ダイアフラムによつて隔離されて、高圧隔離室
と低圧隔離室とが設けられ、一方、前記拡散型ダ
イアフラムの両側には高圧測定室と低圧測定室が
設けられる。高圧隔離室と高圧測定室とはそれぞ
れ細い導通路を介して前記高圧受圧室に導通し、
また低圧隔離室と低圧測定室はそれぞれ細い導通
路を介して前記低圧受圧室に導通している。した
がつて、高圧受圧室、高圧隔離室および高圧測定
室は互いに導通し内部にシリコンオイルが充填さ
れ、高圧流体室に導入された高圧流体の高圧はシ
リコンオイルによつて高圧測定室に導かれ拡散型
ダイアフラムの一側に印加され、低圧流体室に導
入された低圧は同様にシリコンオイルによつて低
圧測定室に導かれ拡散型ダイアフラムの他側に印
加される。前記高低圧室および高低圧隔離室は、
高低両流体圧の差圧が異常に高くなつたときのバ
ツフアとして働き拡散型ダイアフラムを過負荷か
ら保護する。
79582号公報に開示されており、検出素子となる
拡散型ダイアフラムは受圧部を構成する部材に接
合されており、さらに2枚の高圧及び低圧の受圧
ダイアフラムと、1枚の中心ダイアフラムとで前
記拡散型ダイアフラムを過負荷から保護する手段
を構成している。すなわち、前記高圧受圧ダイア
フラムによつて被測定高圧流体を導入する高圧流
体量と非圧縮性のシリコンオイル等の流体の充填
された高圧受圧室とを隔離し、被測定高圧流体の
圧力は高圧受圧ダイアフラムを介して高圧受圧室
内のシリコンオイルに伝達される。同様に低圧受
圧ダイアフラムによつて隔離された被測定低圧流
体を導入する低圧流体室とシリコンオイルの充填
された低圧受圧室とが設けられる。さらに前記中
心ダイアフラムによつて隔離されて、高圧隔離室
と低圧隔離室とが設けられ、一方、前記拡散型ダ
イアフラムの両側には高圧測定室と低圧測定室が
設けられる。高圧隔離室と高圧測定室とはそれぞ
れ細い導通路を介して前記高圧受圧室に導通し、
また低圧隔離室と低圧測定室はそれぞれ細い導通
路を介して前記低圧受圧室に導通している。した
がつて、高圧受圧室、高圧隔離室および高圧測定
室は互いに導通し内部にシリコンオイルが充填さ
れ、高圧流体室に導入された高圧流体の高圧はシ
リコンオイルによつて高圧測定室に導かれ拡散型
ダイアフラムの一側に印加され、低圧流体室に導
入された低圧は同様にシリコンオイルによつて低
圧測定室に導かれ拡散型ダイアフラムの他側に印
加される。前記高低圧室および高低圧隔離室は、
高低両流体圧の差圧が異常に高くなつたときのバ
ツフアとして働き拡散型ダイアフラムを過負荷か
ら保護する。
この公知の差圧発信器は多くの分野で望ましい
結果を得ているが、なおいくつかの欠点を有す
る。すなわち前記測定室と受圧室とが直接細い導
通路を介して接続されているため受圧室に衝撃圧
が印加された場合、その衝撃圧が測定室に直接に
伝達され差圧検出素子を損傷または誤動作させる
可能性が高い。また、高低受圧ダイアフラムとし
てベロー型式のものを用いると、その取付けのた
めの大きなペースを必要とするため、差圧検出素
子を受圧部部材の中心に配置することが困難とな
り、かつ差圧検出素子から出力信号を取り出す導
体の配置が複雑となり、また前記受圧室と測定室
とを接続する導通路を受圧部部材に設けることが
困難なため、受圧部部材の外側を迂回して導通開
パイプを設けねばならず構造が複雑となり、その
結果製造コストが高くなり、サイズが大きくなる
等の欠点がある。
結果を得ているが、なおいくつかの欠点を有す
る。すなわち前記測定室と受圧室とが直接細い導
通路を介して接続されているため受圧室に衝撃圧
が印加された場合、その衝撃圧が測定室に直接に
伝達され差圧検出素子を損傷または誤動作させる
可能性が高い。また、高低受圧ダイアフラムとし
てベロー型式のものを用いると、その取付けのた
めの大きなペースを必要とするため、差圧検出素
子を受圧部部材の中心に配置することが困難とな
り、かつ差圧検出素子から出力信号を取り出す導
体の配置が複雑となり、また前記受圧室と測定室
とを接続する導通路を受圧部部材に設けることが
困難なため、受圧部部材の外側を迂回して導通開
パイプを設けねばならず構造が複雑となり、その
結果製造コストが高くなり、サイズが大きくなる
等の欠点がある。
このような欠点を除くため、本発明者等は特開
昭59−203936号公報に開示されているような構成
の半導体差圧発信器を提案した。この半導体差圧
発信器においては、一対の受圧ダイアフラム、中
心ダイアフラム及び差圧検出素子となる拡散型ダ
イアフラムは全て受圧部の中心軸に沿つてこれと
同軸にコンパクトに配置され、また高圧側、低圧
側の何れの側においても受圧室と測定室とを直接
接続せず、隔離室を介して接続するようにしてい
る。これにより受圧室に衝撃波が印加されても隔
離室のバツフア作用により測定室に伝達される圧
力が制限されるため、差圧検出素子の損傷や誤動
作を防ぐことができ、また受圧部部材中に各構成
部材がコンパクトに配置されるため差圧検出素子
から出力信号を取り出す導体の配置も簡単になり
サイズを小さくすることができる。しかしながら
この差圧発信器においても、下記の如き欠点のあ
ることがわかつた。
昭59−203936号公報に開示されているような構成
の半導体差圧発信器を提案した。この半導体差圧
発信器においては、一対の受圧ダイアフラム、中
心ダイアフラム及び差圧検出素子となる拡散型ダ
イアフラムは全て受圧部の中心軸に沿つてこれと
同軸にコンパクトに配置され、また高圧側、低圧
側の何れの側においても受圧室と測定室とを直接
接続せず、隔離室を介して接続するようにしてい
る。これにより受圧室に衝撃波が印加されても隔
離室のバツフア作用により測定室に伝達される圧
力が制限されるため、差圧検出素子の損傷や誤動
作を防ぐことができ、また受圧部部材中に各構成
部材がコンパクトに配置されるため差圧検出素子
から出力信号を取り出す導体の配置も簡単になり
サイズを小さくすることができる。しかしながら
この差圧発信器においても、下記の如き欠点のあ
ることがわかつた。
(1) 受圧部はその一側に凹部の形成された第1部
材とその凹部に嵌合する第2部材とよりなり、
中心ダイアフラムは前記第1部材の凹部内で、
第1部材と第2部材とに挟持されるように取り
つけられ、第1部材と第2部材とは前記凹部の
内周縁部に添つて溶接により結合される。この
ため第1部材と第2部材との結合強度が充分で
ない場合、中心ダイアフラムが安定に保持され
ず差圧測定に誤作を生じる恐れがある。
材とその凹部に嵌合する第2部材とよりなり、
中心ダイアフラムは前記第1部材の凹部内で、
第1部材と第2部材とに挟持されるように取り
つけられ、第1部材と第2部材とは前記凹部の
内周縁部に添つて溶接により結合される。この
ため第1部材と第2部材との結合強度が充分で
ない場合、中心ダイアフラムが安定に保持され
ず差圧測定に誤作を生じる恐れがある。
(2) 拡散型ダイアフラムの取りつけられた差圧セ
ンサ組立体は前記第1部材の凹部に形成された
第2の小さな凹部に嵌合され、第1部材に溶接
で固定されているが、差圧センサ組立体の両側
に印加される両流体圧の不平衡分が、差圧セン
サ組立体を前記第2の小さな凹部内で中心軸方
向に移動させるように作用し、差圧測定に影響
を与える。
ンサ組立体は前記第1部材の凹部に形成された
第2の小さな凹部に嵌合され、第1部材に溶接
で固定されているが、差圧センサ組立体の両側
に印加される両流体圧の不平衡分が、差圧セン
サ組立体を前記第2の小さな凹部内で中心軸方
向に移動させるように作用し、差圧測定に影響
を与える。
本発明の目的は上述の如き欠点を除いて改良さ
れた半導体差圧発信器を提供することにある。す
なわち一対の受圧ダイアフラム、中心ダイアフラ
ムおよび拡散型ダイアフラムは全て特開昭59−
203936号公報記載と同様に受圧部の中心軸に沿つ
てこれと同軸に配置し、高圧側と低圧側は共に受
圧室と測定室とが隔離室を介して接続される構成
の半導体差圧発振器において、受圧部を構成する
第1部材と第2部材と結合強度を高めて中心ダイ
アフラムがその間に安定して保持された半導体差
圧発信器を提供することを目的としている。
れた半導体差圧発信器を提供することにある。す
なわち一対の受圧ダイアフラム、中心ダイアフラ
ムおよび拡散型ダイアフラムは全て特開昭59−
203936号公報記載と同様に受圧部の中心軸に沿つ
てこれと同軸に配置し、高圧側と低圧側は共に受
圧室と測定室とが隔離室を介して接続される構成
の半導体差圧発振器において、受圧部を構成する
第1部材と第2部材と結合強度を高めて中心ダイ
アフラムがその間に安定して保持された半導体差
圧発信器を提供することを目的としている。
さらに、本発明の好ましい実施例においては、
差圧センサ組立体の両側に印加される両流体圧の
不平衡分による差圧センサ組立体の中心軸方向移
動を阻止するような構成を付加することを目的と
している。
差圧センサ組立体の両側に印加される両流体圧の
不平衡分による差圧センサ組立体の中心軸方向移
動を阻止するような構成を付加することを目的と
している。
上述の目的を達成するため、本発明による半導
体差圧発信器は次の如く構成したことを特徴とし
ている。すなわち、受圧部を形成する第1部材と
第2部材とはそれぞれ受圧部の中心軸方向に互に
対向する側面を有し、両側面の周縁部は相補的な
形状につくられ、両側面を接合し、その間に中心
ダイアフラムを挟持するよう第1部材と第2部材
を組合して受圧部を形成したとき、その合せ面が
受圧部の外周面に表われるようにし、その合せ面
に沿つて両部材を溶接する。
体差圧発信器は次の如く構成したことを特徴とし
ている。すなわち、受圧部を形成する第1部材と
第2部材とはそれぞれ受圧部の中心軸方向に互に
対向する側面を有し、両側面の周縁部は相補的な
形状につくられ、両側面を接合し、その間に中心
ダイアフラムを挟持するよう第1部材と第2部材
を組合して受圧部を形成したとき、その合せ面が
受圧部の外周面に表われるようにし、その合せ面
に沿つて両部材を溶接する。
また、本発明の好ましい実施例においては、差
圧検出素子を取りつけた差圧センサ組立体を前記
第1部材の前記第2部材に対向する側面に設けら
れた凹部に挿入し、該凹部に嵌合し、第1部材に
溶着された金属製のプレートでもつて差圧センサ
組立体を保持するに当り、該プレートを差圧セン
サ組立体に溶着すると共に、差圧センサ組立体に
前記プレートと係合する係合部を設けて差圧セン
サ組立体の両側面に印加された流体圧力の不平衡
分による該差圧センサ組立体の移動を防ぐように
している。
圧検出素子を取りつけた差圧センサ組立体を前記
第1部材の前記第2部材に対向する側面に設けら
れた凹部に挿入し、該凹部に嵌合し、第1部材に
溶着された金属製のプレートでもつて差圧センサ
組立体を保持するに当り、該プレートを差圧セン
サ組立体に溶着すると共に、差圧センサ組立体に
前記プレートと係合する係合部を設けて差圧セン
サ組立体の両側面に印加された流体圧力の不平衡
分による該差圧センサ組立体の移動を防ぐように
している。
第1図は本発明による半導体差圧発信器の一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
同図に示された差圧発信器の受圧部は主として
第1部材10と第2部材11とから構成されてい
る。受圧部の該第1部材10と第2部材11の外
側には可撓性に富んだ高圧側受圧ダイヤフラム
(高圧側受圧ダイアフラム)12と低圧側受圧ダ
イヤフラム(低圧側受圧ダイアフラム13が設け
られ、前記受圧部の第1部材10と第2部材11
の面には前記各受圧ダイヤフラム12,13と同
形状の波形面が形成されており、それぞれの受圧
ダイヤフラム12と13を前記第1部材10と第
2部材11にそれらの外周で溶接接合することに
より、受圧部材と受圧ダイヤフラム間に2つの受
圧室、すなわち高圧側受圧室14、および低圧側
受圧室15が形成される。受圧部の第1部材10
の他方の合せ面に接続する面には、対向する第2
部材11に形成された凸面部に嵌合される凹面部
が形成され、その凹面部に中心ダイアフラム16
が収納されて外周が溶接接合され、第2部材11
の凸面部との間に挟持される。なお第2部材11
の凸面部の中心ダイアフラム16との接触面に第
2の凸面部を設け、この第2の凸面部で中心ダイ
アフラム16を圧着する構成にしてもよい。この
中心ダイヤフラム16を溶接した後に第2部材1
1を第1部材10へその外周部において溶接され
ている。これにより受圧部材11と中心ダイヤフ
ラム16の一方の面の間に高圧側隔離室17が形
成される。この高圧側隔離室17と前記高圧側受
圧室14は、第2部材11のほぼ中央に設けられ
た第1高圧側導圧路19により連通されている。
一方、中心ダイヤフラム16の他の面側には、半
導体差圧センサアセンブリ100を挿入するため
の凹形状部が第1部材10に形成され、これに半
導体差圧センサアセンブリ100が嵌合し、かつ
溶接接合されている。前記半導体差圧センサアセ
ンブリ100は、半導体差圧センサ21、支持台
22、シール金具23、セラミツク基板24およ
びハーメチツクシールピン25で構成され、前記
半導体差圧センサ21は支持台22を介してシー
ル金具23に溶接されている。このシール金具2
3には半導体差圧センサ21の電気信号を取出す
ためのセラミツク基板24およびハーメチツクシ
ールピン25が固設されている。半導体差圧セン
サ21とセラミツク基板24の電気接続は、図示
しないワイヤボンデイング等によりなされてい
る。
第1部材10と第2部材11とから構成されてい
る。受圧部の該第1部材10と第2部材11の外
側には可撓性に富んだ高圧側受圧ダイヤフラム
(高圧側受圧ダイアフラム)12と低圧側受圧ダ
イヤフラム(低圧側受圧ダイアフラム13が設け
られ、前記受圧部の第1部材10と第2部材11
の面には前記各受圧ダイヤフラム12,13と同
形状の波形面が形成されており、それぞれの受圧
ダイヤフラム12と13を前記第1部材10と第
2部材11にそれらの外周で溶接接合することに
より、受圧部材と受圧ダイヤフラム間に2つの受
圧室、すなわち高圧側受圧室14、および低圧側
受圧室15が形成される。受圧部の第1部材10
の他方の合せ面に接続する面には、対向する第2
部材11に形成された凸面部に嵌合される凹面部
が形成され、その凹面部に中心ダイアフラム16
が収納されて外周が溶接接合され、第2部材11
の凸面部との間に挟持される。なお第2部材11
の凸面部の中心ダイアフラム16との接触面に第
2の凸面部を設け、この第2の凸面部で中心ダイ
アフラム16を圧着する構成にしてもよい。この
中心ダイヤフラム16を溶接した後に第2部材1
1を第1部材10へその外周部において溶接され
ている。これにより受圧部材11と中心ダイヤフ
ラム16の一方の面の間に高圧側隔離室17が形
成される。この高圧側隔離室17と前記高圧側受
圧室14は、第2部材11のほぼ中央に設けられ
た第1高圧側導圧路19により連通されている。
一方、中心ダイヤフラム16の他の面側には、半
導体差圧センサアセンブリ100を挿入するため
の凹形状部が第1部材10に形成され、これに半
導体差圧センサアセンブリ100が嵌合し、かつ
溶接接合されている。前記半導体差圧センサアセ
ンブリ100は、半導体差圧センサ21、支持台
22、シール金具23、セラミツク基板24およ
びハーメチツクシールピン25で構成され、前記
半導体差圧センサ21は支持台22を介してシー
ル金具23に溶接されている。このシール金具2
3には半導体差圧センサ21の電気信号を取出す
ためのセラミツク基板24およびハーメチツクシ
ールピン25が固設されている。半導体差圧セン
サ21とセラミツク基板24の電気接続は、図示
しないワイヤボンデイング等によりなされてい
る。
前記半導体差圧センサアセンブリ100を第1
部材10に溶接接合することにより形成される第
1部材10との間の高圧側測定室26は、第1部
材に設けられている高圧側導圧路28を介して、
前記中心ダイヤフラム16と第2部材11で形成
される前記高圧側隔離室17と連通されている。
他方、半導体差圧センサ21のもう一方の面で
は、まず半導体差圧センサ21のダイヤフラムの
凹部面と前記支持台22間において低圧側測定室
27を形成し、この低圧側測定室27は支持台2
2の貫通孔、すなわち第2の低圧側導圧路29を
介して中心ダイヤフラム16の一方の面に連絡す
るようになつている。さらに、この中心ダイヤフ
ラム16と第1部材10間においてプレート30
の外周面を第1部材10の内周面に溶接し、かつ
前記プレート30の内周面をシール金具23の外
周面と溶接接合されている。これにより中心ダイ
ヤフラム16と第一部材10およびプレート30
間に低圧側隔離室18が形成されている。この低
圧側隔離室18は前記第2の低圧側導圧路29を
介して半導体差圧センサ21の前記低圧側測定室
27に連通される。さらに低圧側受圧室15と前
記低圧側隔離室18とは、第1部材10内に設け
られている第1の低圧側導圧路20を介して連通
されている。なお前述の第2高圧側導圧路28と
第1の低圧側導圧路20は受圧部材10内で交錯
しないように形成されている。
部材10に溶接接合することにより形成される第
1部材10との間の高圧側測定室26は、第1部
材に設けられている高圧側導圧路28を介して、
前記中心ダイヤフラム16と第2部材11で形成
される前記高圧側隔離室17と連通されている。
他方、半導体差圧センサ21のもう一方の面で
は、まず半導体差圧センサ21のダイヤフラムの
凹部面と前記支持台22間において低圧側測定室
27を形成し、この低圧側測定室27は支持台2
2の貫通孔、すなわち第2の低圧側導圧路29を
介して中心ダイヤフラム16の一方の面に連絡す
るようになつている。さらに、この中心ダイヤフ
ラム16と第1部材10間においてプレート30
の外周面を第1部材10の内周面に溶接し、かつ
前記プレート30の内周面をシール金具23の外
周面と溶接接合されている。これにより中心ダイ
ヤフラム16と第一部材10およびプレート30
間に低圧側隔離室18が形成されている。この低
圧側隔離室18は前記第2の低圧側導圧路29を
介して半導体差圧センサ21の前記低圧側測定室
27に連通される。さらに低圧側受圧室15と前
記低圧側隔離室18とは、第1部材10内に設け
られている第1の低圧側導圧路20を介して連通
されている。なお前述の第2高圧側導圧路28と
第1の低圧側導圧路20は受圧部材10内で交錯
しないように形成されている。
前記半導体差圧センサ21の電気信号は前述の
如く、ハーメチツクシールピン25から取出すこ
とができるようになつている。さらにこの電気信
号は第1部材10の半導体圧力センサ21の中心
線と直角方向に設けたリード路33および前記プ
レート30の切欠部を通つて、接続プリント板3
4等により容易に外部に引き出されている。リー
ド路33と高圧側測定室26および低圧側隔離室
18間のシーリングは前述の如く、第1部材10
とシール金具23との溶接接合ならびに、第1部
材10とシール金具23とプレート30との溶接
接合により完全に達成されている。
如く、ハーメチツクシールピン25から取出すこ
とができるようになつている。さらにこの電気信
号は第1部材10の半導体圧力センサ21の中心
線と直角方向に設けたリード路33および前記プ
レート30の切欠部を通つて、接続プリント板3
4等により容易に外部に引き出されている。リー
ド路33と高圧側測定室26および低圧側隔離室
18間のシーリングは前述の如く、第1部材10
とシール金具23との溶接接合ならびに、第1部
材10とシール金具23とプレート30との溶接
接合により完全に達成されている。
かかる構成において形成される各室および各通
路のすべてが、非圧縮性の流体例えばシリコン油
によつて満たされる。この油は前記第1の低圧側
導圧路20、および第2の高圧側導圧路28と分
岐している導圧路から注入されるようになつてお
り、その後密封ピン31,32により閉塞した後
溶接接合し、外気と密封されている。
路のすべてが、非圧縮性の流体例えばシリコン油
によつて満たされる。この油は前記第1の低圧側
導圧路20、および第2の高圧側導圧路28と分
岐している導圧路から注入されるようになつてお
り、その後密封ピン31,32により閉塞した後
溶接接合し、外気と密封されている。
このように構成された差圧発信器において、い
ずれか一方の受圧ダイヤフラム12か13面に衝
撃的な圧力が印加された場合、まず第1に衝撃圧
は受圧室14(15)に伝搬し、受圧室14(1
5)から隔離室17(18)に伝搬し、その後第
2導圧路28(29)を介して測定室26(2
7)に伝搬する経路をとる。すなわち、必ず中心
ダイヤフラム16で形成される隔離室17(1
8)から二次的に測定室26(27)に伝搬され
る構成をとつているので衝撃圧から半導体差圧セ
ンサ21の誤動体、影響を十分回避できる。
ずれか一方の受圧ダイヤフラム12か13面に衝
撃的な圧力が印加された場合、まず第1に衝撃圧
は受圧室14(15)に伝搬し、受圧室14(1
5)から隔離室17(18)に伝搬し、その後第
2導圧路28(29)を介して測定室26(2
7)に伝搬する経路をとる。すなわち、必ず中心
ダイヤフラム16で形成される隔離室17(1
8)から二次的に測定室26(27)に伝搬され
る構成をとつているので衝撃圧から半導体差圧セ
ンサ21の誤動体、影響を十分回避できる。
次に、過大差圧が受圧ダイヤフラム12および
13の両面で発生した場合、高圧側受圧ダイヤフ
ラム12、あるいは低圧側受圧ダイヤフラム13
のどちらか一方が受圧部材の側面に形成されてい
る面に着座する。一方、中心ダイヤフラム16は
受圧室の体積除去を吸収しても依然として隔離室
17あるいは18の側面に着座しないように、所
定の剛性を有していることになる。この関係によ
り半導体差圧センサ21のいずれか一方の面に過
大な流体圧力が封入液を介して伝達されるのが阻
止されるため、半導体差圧センサ21は破壊する
ことはない。
13の両面で発生した場合、高圧側受圧ダイヤフ
ラム12、あるいは低圧側受圧ダイヤフラム13
のどちらか一方が受圧部材の側面に形成されてい
る面に着座する。一方、中心ダイヤフラム16は
受圧室の体積除去を吸収しても依然として隔離室
17あるいは18の側面に着座しないように、所
定の剛性を有していることになる。この関係によ
り半導体差圧センサ21のいずれか一方の面に過
大な流体圧力が封入液を介して伝達されるのが阻
止されるため、半導体差圧センサ21は破壊する
ことはない。
また前述の如く、封入油が満たされている空間
および通路には一切の有機物が介存させることな
く、過負荷機能および、衝撃圧回避機能を具備さ
せることができ、高温でも有機材料から融出する
可塑材などの含有物や、水分などで半導体差圧セ
ンサ21が劣化したり、封入液の誘電率が変化す
ることがないため、動作が安定である。
および通路には一切の有機物が介存させることな
く、過負荷機能および、衝撃圧回避機能を具備さ
せることができ、高温でも有機材料から融出する
可塑材などの含有物や、水分などで半導体差圧セ
ンサ21が劣化したり、封入液の誘電率が変化す
ることがないため、動作が安定である。
次いでこの半導体差圧発信器を組み立てる工程
を説明すると、まず第1に半導体センサアセンブ
リ100を受圧部材10に溶接接合し、次いでプ
レート30を半導体センサアセンブリ100のシ
ール金具23と、第1部材10に溶接接合し、次
いで中心ダイヤフラム16を第1部材10に溶接
接合し、次いで第2部材11を第1部材10に溶
接接合し、最後に受圧ダイヤフラム12および1
3を受圧部に溶接接合する。すなわち、発信器の
各構成部材を単に、一方向から順次同軸上に溶接
接合して行くだけで簡単に作成できる。
を説明すると、まず第1に半導体センサアセンブ
リ100を受圧部材10に溶接接合し、次いでプ
レート30を半導体センサアセンブリ100のシ
ール金具23と、第1部材10に溶接接合し、次
いで中心ダイヤフラム16を第1部材10に溶接
接合し、次いで第2部材11を第1部材10に溶
接接合し、最後に受圧ダイヤフラム12および1
3を受圧部に溶接接合する。すなわち、発信器の
各構成部材を単に、一方向から順次同軸上に溶接
接合して行くだけで簡単に作成できる。
次に本実施例の動作を説明する。
(a) 受圧部を構成する第1部材10と第2部材1
1の接合面は受圧部の中心軸方向に対向して、
両者の合せ面は受圧部の外周面に露呈するよう
になつている。この合せ面に沿つて両部材が溶
接されるので溶接後に生じる溶接歪みは両部材
を中心軸方向に互いに引張り合う方向となるた
め、中心ダイアフラム16の挟持を強めるよう
に作用する。
1の接合面は受圧部の中心軸方向に対向して、
両者の合せ面は受圧部の外周面に露呈するよう
になつている。この合せ面に沿つて両部材が溶
接されるので溶接後に生じる溶接歪みは両部材
を中心軸方向に互いに引張り合う方向となるた
め、中心ダイアフラム16の挟持を強めるよう
に作用する。
中心ダイアフラム16の周縁部は第1部材1
0の凹面部に溶接されるとともに第2部材11
に設けられた凸面部または第2の凸面部によつ
て第1部材10に強く圧着されいる。第1部材
10と第2部材11との接合合せ面は受圧部の
外周面に露呈し、その部分で溶着される。この
溶接の溶接歪により第1部材10と第2部材1
1とは中心軸方向に互いに引張り合う左右方向
の力が発生するため中心ダイアフラム16は強
固に両部材間に挟持され、また高圧隔離室17
および低圧隔離室18の容積も安定して保持さ
れるので差圧測定の信頼性が高くなる。つまり
中心ダイアフラム16の運動支点を明確にで
き、かつ中心ダイアフラム16の外周以外の箇
所で溶接しているので耐久性がよい。
0の凹面部に溶接されるとともに第2部材11
に設けられた凸面部または第2の凸面部によつ
て第1部材10に強く圧着されいる。第1部材
10と第2部材11との接合合せ面は受圧部の
外周面に露呈し、その部分で溶着される。この
溶接の溶接歪により第1部材10と第2部材1
1とは中心軸方向に互いに引張り合う左右方向
の力が発生するため中心ダイアフラム16は強
固に両部材間に挟持され、また高圧隔離室17
および低圧隔離室18の容積も安定して保持さ
れるので差圧測定の信頼性が高くなる。つまり
中心ダイアフラム16の運動支点を明確にで
き、かつ中心ダイアフラム16の外周以外の箇
所で溶接しているので耐久性がよい。
(b) 差圧センサ組立体(半導体センサアセンブ
リ)100は第1部材10に設けられた凹部に
挿入され、プレート30で封止されている。第
2図に示すようにプレート30は第1部材10
の凹部の周縁に溶接され、半導体センサ組立体
100はプレート30に溶接されている。図で
プレート30及び半導体センサ組立体100の
左側側面は低圧隔離室となつているので低圧側
流体圧、例えば99〜100Kg/cm2の圧力が印加さ
れ、半導体センサ組立体100の右側側面は高
圧側測定室となつているため高圧側流体圧例え
ば100Kg/cm2の圧力が印加される。今差圧0と
して高低圧側とも圧力PKg/cm2が印加されてい
るとすると、半導体センサ組立体100の右側
側面に印加される全圧力F2は F2=d2 2π/4P で与えられ、半導体センサ組立体100の左側
側面に印加される全圧力は F2=d1 2π/4P で与えられる。またプレート30と半導体セン
サ組立体100は組立体の段部53において互
いに係合しているのでプレート30の左側側面
に印加される全圧力F3が段部53を介して半
導体センサ組立体100にも与えられる。
リ)100は第1部材10に設けられた凹部に
挿入され、プレート30で封止されている。第
2図に示すようにプレート30は第1部材10
の凹部の周縁に溶接され、半導体センサ組立体
100はプレート30に溶接されている。図で
プレート30及び半導体センサ組立体100の
左側側面は低圧隔離室となつているので低圧側
流体圧、例えば99〜100Kg/cm2の圧力が印加さ
れ、半導体センサ組立体100の右側側面は高
圧側測定室となつているため高圧側流体圧例え
ば100Kg/cm2の圧力が印加される。今差圧0と
して高低圧側とも圧力PKg/cm2が印加されてい
るとすると、半導体センサ組立体100の右側
側面に印加される全圧力F2は F2=d2 2π/4P で与えられ、半導体センサ組立体100の左側
側面に印加される全圧力は F2=d1 2π/4P で与えられる。またプレート30と半導体セン
サ組立体100は組立体の段部53において互
いに係合しているのでプレート30の左側側面
に印加される全圧力F3が段部53を介して半
導体センサ組立体100にも与えられる。
F3=(d3 2−d1 2)π/4P
したがつて半導体センサ組立体100に右方
向に印加される全圧力は、 F1+F3=d3 2π/4P 明らかにプレート30が大径であつてd3>d2
なので、F1+F3>F2となり半導体センサ組立
体100には全体として右向きの力が印加され
るが、半導体センサ組立体100の右側側面は
第1部材10の凹部の底面によつて支持されて
いるので上記右向きの力による組立体の移動は
阻止されている。
向に印加される全圧力は、 F1+F3=d3 2π/4P 明らかにプレート30が大径であつてd3>d2
なので、F1+F3>F2となり半導体センサ組立
体100には全体として右向きの力が印加され
るが、半導体センサ組立体100の右側側面は
第1部材10の凹部の底面によつて支持されて
いるので上記右向きの力による組立体の移動は
阻止されている。
以上の如く、本発明による半導体差圧発信器
は、中心ダイアフラム及び差圧センサ組立体が安
定して保持される構造となつているので、特開昭
59−203936号公報に示されるような従来装置の利
点を損ずることなく、同従来装置の欠点を除去す
る効果を有するものである。
は、中心ダイアフラム及び差圧センサ組立体が安
定して保持される構造となつているので、特開昭
59−203936号公報に示されるような従来装置の利
点を損ずることなく、同従来装置の欠点を除去す
る効果を有するものである。
以上詳細に説明したように本発明による半導体
差圧発信器によれば、中心ダイアフラムの外周を
第1部材の凹面部に溶接するとともに第2部材の
凸面部で圧着し、第1部材と第2部材の外周を溶
接接合したため、高圧側隔離室及び低圧側隔離室
の容積が安定して保持され、また差圧センサ組立
体をプレートを介して第1部材に溶接したため、
差圧センサ組立体の位置が安定して保持され、差
圧測定の信頼性が向上する効果がある。
差圧発信器によれば、中心ダイアフラムの外周を
第1部材の凹面部に溶接するとともに第2部材の
凸面部で圧着し、第1部材と第2部材の外周を溶
接接合したため、高圧側隔離室及び低圧側隔離室
の容積が安定して保持され、また差圧センサ組立
体をプレートを介して第1部材に溶接したため、
差圧センサ組立体の位置が安定して保持され、差
圧測定の信頼性が向上する効果がある。
第1図は本発明による半導体差圧発信器の一実
施例を示す断面図、第2図は本発明の効果を示す
説明図である。 10,11……受圧部部材、12,13……高
圧側および低圧側受圧ダイアフラム、14,15
……高圧側および低圧側受圧室、16……中心ダ
イアフラム、17,18……高圧側および低圧側
隔離室、19,20……第1の高圧および低圧側
導圧路、28,29……第2の高圧および低圧側
導圧路、30……プレート、31,32……密封
ピン、21……半導体差圧センサ、22……支持
台、23……シール金具、24……厚膜基板、2
5……ハーメチツクシールピン、100……半導
体センサアセンブリ、33……リード路、34…
…接続プリント板、35……中継コネクター、3
6……ジヨイントカナグ、37,38……フラン
ジ、39……ボルト、40……ナツト、41,4
2……ガスケツト。
施例を示す断面図、第2図は本発明の効果を示す
説明図である。 10,11……受圧部部材、12,13……高
圧側および低圧側受圧ダイアフラム、14,15
……高圧側および低圧側受圧室、16……中心ダ
イアフラム、17,18……高圧側および低圧側
隔離室、19,20……第1の高圧および低圧側
導圧路、28,29……第2の高圧および低圧側
導圧路、30……プレート、31,32……密封
ピン、21……半導体差圧センサ、22……支持
台、23……シール金具、24……厚膜基板、2
5……ハーメチツクシールピン、100……半導
体センサアセンブリ、33……リード路、34…
…接続プリント板、35……中継コネクター、3
6……ジヨイントカナグ、37,38……フラン
ジ、39……ボルト、40……ナツト、41,4
2……ガスケツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 第1部材及び第2部材のそれぞれの合せ面を
介して合体される受圧部に、該受圧部の中心軸と
ほぼ直交する前記第1部材の側面に外周を固定さ
れ該側面との間に低圧側受圧室を形成する低圧側
受圧ダイアフラムと、前記第2部材の側面に外周
を固定された該側面との間に高圧側受圧室を形成
する高圧側受圧ダイアフラムと、前記第1部材及
び第2部材の合せ面に外周を固定され前記第1部
材の合せ面の接続面との間に前記低圧側受圧室と
連通する低圧側隔離室と前記第2部材の合せ面の
接続面との間に前記高圧側受圧室と連通する高圧
側隔離室とを形成する中心ダイアフラムと、前記
第1部材の前記中心軸方向に設けられた凹部に内
蔵され前記高圧側隔離室と連通する高圧側測定室
と低圧側隔離室と連通する低圧側測定室とを形成
する差圧センサ組立体とを備えた半導体差圧発信
器において、前記第1部材の合せ面に接続する凹
面部と前記第2部材の合せ面に接続し該凹面部と
互いに相補して嵌合される凸面部とが形成され、
前記中心ダイアフラムが前記凹面部に挿着されて
該凹面部に外周を溶接されるとともに前記凸面部
に圧着され、それぞれの合せ面の外周が溶接接合
されてなることを特徴とする半導体差圧発信器。 2 特許請求の範囲第1項記載の半導体差圧発信
器において、差圧センサ組立体は、第1部材の凹
部の底面に外周の少なくとも一部が当接され、前
記第1部材の凹面部の接続面で大径のプレートと
係合されるとともに、該プレートを介して前記凹
部の内周と溶接されてなることを特徴とする半導
体差圧発信器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086784A JPS60185130A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体差圧発信器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4086784A JPS60185130A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体差圧発信器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60185130A JPS60185130A (ja) | 1985-09-20 |
| JPH0544617B2 true JPH0544617B2 (ja) | 1993-07-06 |
Family
ID=12592471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4086784A Granted JPS60185130A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | 半導体差圧発信器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60185130A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05296867A (ja) * | 1992-04-23 | 1993-11-12 | Hitachi Ltd | 差圧伝送器 |
| US5621175A (en) * | 1992-10-22 | 1997-04-15 | Hitachi, Ltd. | Differential pressure transmitter having symmetrical construction |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2712846A1 (de) * | 1976-03-24 | 1977-11-24 | Ict Instr Inc | Messumformer zum messen von druckunterschieden |
| JPS5892643U (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-23 | 株式会社日立製作所 | 差圧電送器用の固定ダンパ |
| JPS58142238A (ja) * | 1982-02-18 | 1983-08-24 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 差圧測定装置 |
| JPS58160327A (ja) * | 1982-03-17 | 1983-09-22 | Jiyuuzen Kagaku Kk | 水性樹脂エマルジヨンの安定剤およびこれを用いたエマルジヨンの安定化法 |
| JPS58160327U (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-25 | 株式会社東芝 | 差圧検出装置 |
| JPS5999230A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-07 | Toshiba Corp | 差圧伝送器 |
| JPS58175434U (ja) * | 1983-03-24 | 1983-11-24 | 株式会社東芝 | 差圧検出装置 |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP4086784A patent/JPS60185130A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60185130A (ja) | 1985-09-20 |
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