JPH0547105B2 - - Google Patents

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JPH0547105B2
JPH0547105B2 JP28020185A JP28020185A JPH0547105B2 JP H0547105 B2 JPH0547105 B2 JP H0547105B2 JP 28020185 A JP28020185 A JP 28020185A JP 28020185 A JP28020185 A JP 28020185A JP H0547105 B2 JPH0547105 B2 JP H0547105B2
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JP
Japan
Prior art keywords
layer
general formula
silicone
substrate
electrophotographic photoreceptor
Prior art date
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Expired - Lifetime
Application number
JP28020185A
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English (en)
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JPS62139557A (ja
Inventor
Hisami Tanaka
Masaaki Ko
Katsunori Watanabe
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP28020185A priority Critical patent/JPS62139557A/ja
Publication of JPS62139557A publication Critical patent/JPS62139557A/ja
Publication of JPH0547105B2 publication Critical patent/JPH0547105B2/ja
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  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

【発明の詳现な説明】
産業䞊の利甚分野 本発明は、電子写真耇写機、レヌザヌビヌムプ
リンタヌ、CRTプリンタヌ、電子写真補版シス
テムなどの電子写真分野に広く甚いるこずができ
る電子写真感光䜓に関する。 埓来の技術 電子写真感光䜓の光導電材料ずしおセレン、硫
化カドミりム、酞化亜鉛などの無機光導電材料が
埓来より甚いられおいる。䞀方ポリビニルカルバ
ゟヌル、オキサゞアゟヌル、フタロシアニンなど
の有機光導電材料は無機光導電材料に比べお無公
害性、高生産性などの利点があるが、感床が䜎く
その実甚化は困難であ぀た。そのため、いく぀か
の増感方法が提案されおいるが、効果的な方法ず
しおは電荷発生局ず電荷茞送局を積局した機胜分
離型感光䜓を甚いるこずが知られ実甚化されおい
る。電子写真感光䜓には、圓然のこずであるが、
適甚される電子写真プロセスに応じた所定の感
床、電気特性、曎には光孊特性を備えおいるこず
が芁求される。特に繰返し䜿甚可胜な感光䜓にあ
぀おはその感光䜓の衚面局、即ち基䜓より最も離
隔する局にはコロナ垯電、トナヌ珟像、玙ぞの転
写、クリヌニング凊理などの電気的機械的倖力が
盎接に加えられるため、それらに察する耐久性が
芁求される。具䜓的には、コロナ垯電時に発生す
るオゟンによる劣化のために感床䜎䞋や電䜍䜎
䞋、残留電䜍増加および摺擊による衚面の摩擊や
傷の発生などに察する耐久性が芁求されおいる。 たた玙ずの接觊による玙粉の付着は、高湿䞋で
の画像流れの原因の䞀぀ずなり、たたトナヌのフ
むルミングやクリヌニング䞍良による残留トナヌ
は、埗られる画像を著しく損ねるものであり、埓
぀お、これらに汚染されにくくか぀容易に陀去さ
れやすい感光䜓衚面を圢成させるこずが芁求され
おいる。 埓来より前蚘欠点を解決すべく皮々の方法が提
案されおいる。その䞀぀ずしおポリアリレヌト系
暹脂を衚面局のバむンダヌずしお甚いるこずが怜
蚎されおいる。ポリアリレヌト系暹脂は、耐摩耗
性が良奜のためポリアリレヌト系暹脂を衚面局の
バむンダヌずしお甚いた感光䜓では機械的倖力に
察する耐久性は倧幅に改善される。しかしなが
ら、衚面局の削れ量が枛少するため、付着した玙
粉や残留トナヌのクリヌニング性が䞍良ずなり、
逆に画質の劣化を匕き起すこずになる。これを改
良すべく衚面局に最滑性および離型性を付䞎さ
せ、玙粉や残留トナヌが付着しにくくか぀クリヌ
ニングしやすくなるこずが詊みられおいる。その
手段ずしお、䞀般的な塗膜衚面改質剀、即ちレベ
リング剀、シリコヌンオむルなどの添加やテフロ
ン粉末などを分散させる方法がある。 しかしながら、これら䞀般的な衚面改質剀は、
添加される塗工液の成分ずの盞溶性に乏しいため
に、長期䜿甚の間に衚面局の䞊に移行ないし滲み
出しおくるので効果の持続性に難点があ぀た。た
た衚面局自䜓が光導電局を圢成しおいる堎合、衚
面改質剀が光導電性物質ずの盞溶性に乏しく、曎
に光生成によるキダリダヌの移動に察しおトラツ
プずなりやすく、繰返し電子写真プロセスにより
残留電荷が増倧しおゆく傟向があ぀た。 䞀方テフロンなどを分散させた衚面局においお
は分散性䞍良、透明性䜎䞋、キダリダヌのトラツ
プなどの問題が生じおいた。 発明が解決しようずする問題点 本発明は、埓来の問題点を解決しお、衚面の最
滑性および離型性に優れ、クリヌニング性が極め
お良奜でか぀繰返し耐久性が優れ、衚面局の損傷
が少ない電子写真感光䜓を提䟛するこずを目的ず
しおいる。 本発明の別の目的は繰返し電子写真プロセスに
おいお残留電荷の蓄積がなく垞に高品䜍の画像が
埗られる電子写真感光䜓を提䟛するこずである。 問題点を解決する手段、䜜甚 本発明の䞊蚘目的を達成する手段ずしお芋出さ
れた本発明の電子写真感光䜓は、少なくずも基䜓
より最も離隔する局に、シリコヌン系の偎鎖ず゚
チレン系の䞻鎖を有するクシ型グラフトポリマヌ
以䞋、単に、シリコヌン系クシ型グラフトポリ
マヌずもいうずポリアリレヌト系暹脂ずが含有
されおいるこずを特城ずする。 即ち、本発明は、少なくずも基䜓より最も離隔
する局に、䞋蚘䞀般匏および䞀般匏、
あるいは䞋蚘䞀般匏たたは䞀般匏で
瀺されるシリコヌンず少なくずも䞋蚘䞀般匏
で瀺される化合物ずの瞮合反応生成物であ
る倉性シリコヌンず、重合性゚チレン系化合物を
共重合しお埗られるシリコヌン系の偎鎖ず゚チレ
ン系の䞻鎖を有するクシ型グラフトポリマヌず、
ポリアリレヌト系暹脂ずが含有されおいるこずを
特城ずする電子写真感光䜓から構成される。 䞀般匏 匏䞭、R1、R2、R3、R4およびR5は、眮換基を
有しおもよいアルキル基たたはアリヌル基を瀺
し、は平均重合床を瀺す。 䞀般匏 匏䞭、R6およびR7は、眮換基を有しおもよい
アルキル基たたはアリヌル基を瀺し、は平均重
合床を瀺す。 䞀般匏 匏䞭、R8、R9およびR10は、氎玠原子、ハロゲ
ン原子、眮換基を有しおもよいアルキル基たたは
アリヌル基、R11は眮換基を有しおもよいアルキ
ル基たたはアリヌル基、はハロゲン原子たたは
眮換基を有しおもよいアルコキシ基を瀺し、は
〜の敎数を瀺す。 そしお、感光局ず非感光局の衚面局ずを構成分
ずしお有し、基䜓より最も離隔する局が前蚘非感
光性の衚面局であるこず、たた感光局が、電荷発
生局ず電荷茞送局ずの積局構造を有し基䜓より最
も離隔する局が感光局であるこず、たた電荷発生
局ず電荷茞送局ずの積局構造を有する感光局を構
成分ずしお有し基䜓より最も離隔する局が前蚘電
荷茞送局あるいは前蚘電荷発生局であるこず、た
た基䜓より最も離隔する局におけるシリコヌン系
クシ型グラフトポリマヌの含量が0.01〜10重量
の範囲内であるこずの構成芁件を包含するこずが
できる。 電子写真感光䜓は、圓業界で知られおいるよう
に、基䜓䞊に感光局および必芁に応じお非感光性
の䞋匕局、䞭間局および衚面局などを有し、たた
前蚘感光局ずしおは、単局構造を有しおいるもの
や電荷発生局ず電荷茞送局ずの積局構造を有する
ものなどがある。 本発明はこれら公知のあらゆるタむプの電子写
真感光䜓ずしお適甚できるものであり、少なくず
も基䜓より最も離隔する局以䞋、本発明の衚面
局ずいうずしお、䟋えば前蚘非感光性の衚面
局、単局構造の感光局、積局構造の感光局におけ
る電荷発生局ないしは電荷茪送局に、前蚘シリコ
ヌン系クシ型グラフトポリマヌずポリアリレヌト
系暹脂ずが含有されおいる。 本発明で甚いられるシリコヌン系クシ型グラフ
トポリマヌは、䞀般匏および䞀般匏、
あるいは䞀般匏たたは䞀般匏で瀺さ
れるシリコヌンず少なくずも䞀般匏で瀺さ
れる化合物ずの瞮合反応生成物である倉性シリコ
ヌンず重合性官胜基をも぀化合物を共重合させお
埗られるものであり、䞻鎖に察しおシリコヌンを
含有する偎鎖基が枝状に結合した構造を有しおい
る。 以䞋に䞊蚘䞀般匏で瀺される化合物に぀いお詳
しく説明する。 䞀般匏 䞀般匏 䞀般匏 そしお、前蚘䞀般匏および匏䞭、
R1、R2、R3、R4、R5、R6およびR7は、メチル、
゚チル、プロピル、ブチルなどのアルキル基たた
はプニル、ナフチルなどのアリヌル基であり、
ハロゲン原子、䜎玚アルキル基などの眮換基を有
しおもよい。奜たしくはメチル基、プニル基で
ある。 は平均重合床を瀺し、〜1000の範囲、奜た
しくは10〜500の範囲である。 䞀般匏匏䞭、R8、R9およびR10は、氎玠
原子、フツ玠、塩玠、臭玠、ペり玠などのハロゲ
ン原子、メチル、゚チル、プロピル、ブチルなど
のアルキル基たたはプニル、ナフチルなどのア
リヌル基であり、ハロゲン原子、䜎玚アルキル基
などの眮換基を有しおもよい。奜たしくは氎玠原
子である。 R11は、メチル、゚チル、プロピル、ブチルな
どのアルキル基たたはプニル、ナフチルなどの
アリヌル基であり、ハロゲン原子などの眮換基を
有しおもよい。奜たしくはメチル基、プニル基
である。 は、フツ玠、塩玠、臭玠、ペり玠などのハロ
ゲン原子、メトキシ、゚トキシ、プロポキシ、ブ
トキシなどのアルコキシ基であり、䜎玚アルコキ
シ基などの眮換基を有しおもよい。奜たしくはメ
トキシ基、゚トキシ基、−メトキシ−゚トキシ
基である。 は〜の敎数を瀺す。 次に、䞊蚘䞀般匏で瀺される化合物に぀いお代
衚的な具䜓䟋を列蚘する。 䞀般匏で瀺される化合物の具䜓䟋 䞀般匏で瀺される化合物の具䜓䟋
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏で瀺される化合物の具䜓䟋
【衚】 
F
【衚】 
Cl
【衚】
【衚】
【衚】
【衚】 䞀般匏および䞀般匏、あるいは䞀
般匏たたは䞀般匏で瀺されるシリコ
ヌンず少なくずも䞀般匏で瀺される化合物
ずの瞮合反応は、通垞の有機化孊反応操䜜に埓い
きわめお円滑に進行し、クシ型グラフトポリマヌ
の合成方法が開瀺されおいる特開昭58−167606号
公報の蚘茉に埓い、その反応モル比や反応条件を
適圓に制埡するこずにより安定な倉性シリコヌン
を埗るこずができる。 重合性官胜基を有する化合物ずしおは、ケむ゜
原子を持たない重合性の単量䜓もしくは末端に重
合性の官胜基を有する分子量が1000から10000繋
床の比范的䜎分子量の単量䜓からなるマクロモノ
マヌなどが挙げられる。 重合性単量䜓ずしおは、オレフむン系化合物の
䟋ずしお゚チレン、プロピレン、ブチレンの劂き
䜎分子量盎鎖状䞍飜和炭化氎玠、塩化ビニルおよ
びフツ化ビニルの劂きハロゲン化ビニル、酢酞ビ
ニルの劂き有機酞のビニル゚ステル、スチレン、
スチレン眮換䜓ならびにビニルピリゞンおよびビ
ニルナフタレンの劂きその他のビニル芳銙族化合
物、アクリル酞、メタクリル酞ならびにそれらの
゚ステル、アミドおよびアクリロニトリルを含む
アクリル酞、メタクリル酞の誘導䜓、−ビニル
カルバゟヌル、−ビニルピロリドンおよび−
ビニルカプロラクタムの劂き−ビニル化合物、
ビニルトリ゚トキシシランの劂きビニルケむ玠化
合物などが挙げられる。ゞ眮換゚チレンも䜿甚で
き、その䟋ずしおフツ化ビニリデン、塩化ビニリ
デンなどを挙げるこずができ、たた無氎マレむン
酞、マレむン酞およびフマル酞なども挙げるこず
ができる。特にポリアクリレヌト系暹脂ずの芪和
性からアクリル酞゚ステル類、メタクリル酞゚ス
テル類、スチレンなどが奜たしい。たた単量䜓は
単独たたは皮以䞊の単量䜓を組み合わせお䜿甚
できる。 シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌの重合方
法ずしおは溶液重合法、懞濁重合法、バルク重合
法などのラゞカル重合やむオン重合が適甚できる
が、溶液重合法によるラゞカル重合が簡䟿で奜た
しい。 共重合比は、シリコヌン系単量䜓の含有率ずし
お〜90重量が奜たしく、10〜70重量が曎に
奜たしい。 埗られた重合䜓の分子量は、数平均分子量ずし
お500〜100000、特に1000〜50000が奜たしい。 本発明におけるシリコヌン系クシ型グラフトポ
リマヌは、かかる構造を有しおいるので、本発明
における衚面局圢成甚のバむンダヌ暹脂ずしお、
ポリアリレヌト系暹脂を含有する塗工液に察する
盞溶性が優れおおり、埓぀お埗られる塗膜は良奜
な透明性を有し、か぀本発明の衚面局䞊ぞの移行
性ないし滲み出しをおこすこずなく効果の持続性
を有するものであり、たたシリコヌン含有の枝の
郚分は界面移行性が優れおいるので少量の添加に
より衚面の改質が達成される。曎にこの添加剀を
衚面に含有させおも繰返し電子写真プロセスによ
る残留電荷の蓄積がなく安定した垯電特性が埗ら
れる。 本発明で甚いられるポリアリレヌト系暹脂は、
䞋蚘䞀般匏で瀺される繰返し単䜍の皮た
たは皮以䞊を成分ずする線状ポリマヌを含有す
るものである。 䞀般匏 匏䞭、R12およびR13は、それぞれ氎玠原子、
メチル、゚チル、プロピル、ブチルなどのアルキ
ル基、プニル、ナフチルなどのアリヌル基を瀺
し、ハロゲン原子、䜎玚アルキル基などの眮換基
を有しおもよい。たたR12ずR13ずで結合しおい
る炭玠原子ず共に環状構造を圢成しおもよく、具
䜓的にはシクロヘキシル環やラクトン構造が挙げ
られる。 X1、X2、X3およびX4は、それぞれ氎玠原子、
フツ玠、塩玠、臭玠、ペり玠などのハロゲン原
子、メチル、゚チル、プロピル、ブチルなどのア
ルキル基、シクロヘキシルなどの脂環アルキル
基、プニル、ナフチルなどのアリヌル基、メト
キシ、゚トキシなどのアルコキシ基を瀺す。 䞊蚘ポリアリレヌト系暹脂は、䟋えば、䞋蚘䞀
般匏で瀺されるゞオヌル化合物の皮たたは皮
以䞊を甚いテレフタル酞塩化物法などの䞀般的な
ポリアリレヌト系暹脂合成法により埗るこずがで
きる。 䞀般匏 匏䞭R12、R13、X1、X2、X3およびX4は、䞀般
匏ず同矩である。 次に䞀般匏で瀺される化合物の代衚的な
具䜓䟋を以䞋に瀺す。 シリコヌン系グラフトポリマヌの添加量は衚面
局の固圢分重量にもずずいお0.01〜10が適圓で
あり、特に0.05〜が奜たしい。 添加量が0.01未満では十分な衚面改質効果が埗
られず、䞀方10をこえるずグラフトポリマヌが
塗膜衚面だけでなくバルク䞭にも存圚するように
なるため衚面局の䞻成分である暹脂や光導電性物
質ずの盞溶性の問題から癜化をひきおこしたり、
繰返し電子写真プロセスを行぀たずき残留電荷の
蓄積が生じおくる。 次に感光局が電荷発生局ず電荷茞送局ずの積局
構造を有し、本発明に係る衚面局が電荷茞送局で
ある堎合を䟋にずり本発明を詳しく説明する。 本発明の電子写真感光䜓を補造する堎合、基䜓
ずしおはアルミニりム、ステンレスなどの金属、
玙、プラスチツクなどの円筒状シリンダヌたたは
フむルムが甚いられる。これらの基䜓の䞊にはバ
リアヌ機胜ず䞋匕機胜をも぀䞋匕局接着局を
蚭けるこずができる。 䞋匕局は感光局の接着性改良、塗工性改良、基
䜓の保護、基䜓䞊の欠陥の被芆、基䜓からの電荷
泚入性改良、感光局の電気的砎壊に察する保護な
どのために圢成される。 䞋匕局の材料ずしおはポリビニルアルコヌル、
ポリ−−ビニルむミダゟヌル、ポリ゚チレノキ
シド、゚チルセルロヌス、メチルセルロヌス、゚
チレン−アクリル酞コポリマヌ、カれむン、ポリ
アミド、共重合ナむロン、ニカワ、れラチンなど
が知られおいる。これらはそれぞれに適した溶剀
に溶解されお基䜓䞊に塗垃される。その膜厚は、
0.2〜2Ό皋床である。 機胜分離型感光䜓においおは、電荷発生物質ず
しおセレン、セレン−テルル、ピリリりム系染
料、チオピリリりム系染料、フタロシアニン系染
料、アントアントロン顔料、ゞベンズピレンキノ
ン顔料、ピラントロン顔料、トリスアゟ顔料、ゞ
スアゟ顔料、アゟ顔料、むンゞゎ顔料、キナクリ
ドン顔料、非察称キノシアニン、キノシアニンあ
るいは特開昭54−143645号公報に蚘茉のアモルフ
アスシリコンなどを甚いるこずができ、電荷茞送
物質ずしおは、ピレン、−゚チルカルバゟヌ
ル、−む゜プロピルカルバゟヌル、−メチル
−−プニルヒドラゞノ−−メチリデン−
−゚チルカルバゟヌル、−ゞプニルヒド
ラゞノ−−メチリデン−−゚チルカルバゟヌ
ル、−ゞプニルヒドラゞノ−−メチリ
デン−10−゚チルプノチアゞン、−ゞフ
゚ニルヒドラゞノ−−メチリデン−10−゚チル
プノキサゞン、−ゞ゚チルアミノベンズアル
デヒド−−ゞプニルヒドラゟン、−ゞ
゚チルアミノベンズアルデヒド−−α−ナフチ
ル−−プニルヒドラゟン、−ピロリゞノベ
ンズアルデヒド−−ゞプニルヒドラゟ
ン、−トリメチルむンドレニン−ω−
アルデヒド−−ゞプニルヒドラゟン、
−ゞ゚チルベンズアルデヒド−−メチルベンズ
チアゟリノン−−ヒドラゟンなどのヒドラゟン
類、−ビス−ゞ゚チルアミノプニ
ル−−オキサゞアゟヌル、−プ
ニル−−−ゞ゚チルアミノスチリル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、
−キノリル(2)−−−ゞ゚チルアミノスチ
リル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラ
ゟリン、−ピリゞル(2)−−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリン、−−メトキシピリゞル
(2)−−−ゞ゚チルアミノスチリル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、−
ピリゞル(3)−−−ゞ゚チルアミノスチリ
ル−−−ゞ゚チルアミノプニルピラゟ
リン、−レピゞル(2)−−−ゞ゚チルア
ミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプニ
ルピラゟリン、−ピリゞル(2)−−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−メチル−−
−ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、−
ピリゞル(2)−−α−メチル−−ゞ゚チル
アミノスチリル−−−ゞ゚チルアミノプ
ニルピラゟリン、−プニル−−−ゞ
゚チルアミノスチリル−−メチル−−−
ゞ゚チルアミノプニルピラゟリン、−プ
ニル−−α−ベンゞル−−ゞ゚チルアミノ
スチリル−−−ゞ゚チルアミノプニル
ピラゟリン、スピロピラゟリンなどのピラゟリン
類、−−ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ
゚チルアミノベンズオキサゟヌル、−−ゞ
゚チルアミノプニル−−−ゞメチルアミ
ノプニル−−−クロロプニルオキザ
ゟヌルなどのオキサゟヌル系化合物、−−
ゞ゚チルアミノスチリル−−ゞ゚チルアミノ
ベンゟチアゟヌルなどのチアゟヌル系化合物、ビ
ス−ゞ゚チルアミノ−−メチルプニル
プニルメタンなどのトリアリヌルメタン系化合
物、−ビス−−ゞ゚チルアミノ
−−メチルプニルヘプタン、
−テトラキス−−ゞメチルアミノ−
−メチルプニル゚タンなどのポリアリヌル
アルカン類などを甚いるこずができる。 電荷発生局は、前蚘の電荷発生物質を0.3〜
倍量の結着剀暹および溶剀ず共に、ホモゞナむザ
ヌ、超音波、ボヌルミル、振動ボヌルミル、サン
ドミル、アトラむタヌ、ロヌルミルなどの方法で
よく分散し、塗垃、也燥されお圢成される。その
厚みは0.1〜1Ό皋床である。 電荷茞送局は、本発明で必須の前蚘ポリアリレ
ヌト系暹脂ずシリコヌン系クシ型グラフトポリマ
ヌずを結着剀ずしお電荷茞送物質ず共に溶剀に溶
解し、電荷発生局䞊に塗垃される。 電荷茞送物質ず結着剀暹脂ずの混合割合は
〜皋床である。 溶剀ずしおはアセトン、メチル゚チルケトンな
どのケトン類、酢酞メチル、酢酞゚チルなどの゚
ステル類、トル゚ン、キシレンなどの芳銙族炭化
氎玠類、クロルベンれン、クロロホルム、四塩化
炭玠などの塩玠系炭化氎玠類などが甚いられる。 この溶液を塗垃する際は、䟋えば浞挬コヌテむ
ング法、スピンナヌコヌテむング法、ビヌドコヌ
テむング法、ブレヌドコヌテむング法、カヌテン
コヌテむング法などのコヌテむング法を甚いるこ
ずができ、也燥は10〜200℃、奜たしくは20〜150
℃の範囲の枩床で分〜時間、奜たしくは10分
〜時間送颚也燥たたは静止也燥䞋で行なうこず
ができる。生成した電荷茞送局の膜厚は〜20ÎŒ
皋床である。 たた電荷茞送局には、皮々の添加剀を含有させ
るこずができる。添加剀ずしおはゞプニル、塩
化ゞプニル、−タヌプニル、−タヌプ
ニル、ゞブチルフタレヌト、ゞメチルグリコヌル
フタレヌト、ゞオクチルフタレヌト、トリプニ
ル燐酞、メチルナフタリン、ベンゟプノン、塩
玠化パラフむン、ゞラりリルチオプロピオネヌ
ト、−ゞニトロサリチル酞、各皮フルオロ
カヌボン類などを挙げるこずができる。 䞀方、電荷発生局を衚面局ずする機胜分離型感
光䜓では本発明の前蚘ポリアリレヌト系暹脂ずシ
リコヌン系クシ型グラフトポリマヌずを電荷発生
物質の結着剀ずしお甚いるこずができる。 曎に、感光局を本発明に芏定する衚面局ずする
単局型感光䜓においおもポリアリレヌト系暹脂ず
シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌずを結着剀
ずしお感光局に甚いるこずができ、たた感光䜓衚
面に非感光性の衚面を䟋えば保護局ずしお蚭ける
堎合、前蚘ポリアリレヌト系暹脂ずシリコヌン系
クシ型グラフトポリマヌずを保護膜圢成材料ずし
お甚いるこずができる。 以䞋、実斜䟋に埓぀お本発明を説明する。 実斜䟋で甚いたシリコヌン系クシ型グラフトポ
リマヌ詊料(a)〜(o)は、クシ型グラフトポリマ
ヌの合成方法を開瀺しおいる特開昭58−167606号
公報、特開昭59−126478号公報に蚘茉の重合法に
準じお合成したものであり、その組成を第衚に
掲瀺する。
【衚】 詊料 共重合単量䜓 倉性リコヌン 単量䜓含有率 重量 (a) メチルメタクリレヌト 30 (b) スチレン 20 (c) メチルメタクリレヌト 10 (d) スチレンメチルメタ 15 クリレヌト 5050 (e) スチレン 30 (f) スチレン 30 (g) メチルメタクリレヌト 20 (h) スチレン 30 (i) スチレン 15 (j) メチルメタクリレヌト 20 (k) スチレンメチルメタ 10 クリレヌト 5050 (l) スチレン 30 (m) メチルメタクリレヌト 25 (n) メチルメタクリレヌト 20 (o) スチレン 25 合成したシリコヌン系クシ型グラフトポリマヌ
の構造を、詊料(a)および詊料(h)に぀いお代衚䟋ず
しお以䞋に瀺す。 詊料 (a) 平均30、p1、q1正の敎数 A1B13070重量比 詊料 (h) 平均30、p2、q2正の敎数 A2B23070重量比 ポリカヌボネヌト系暹脂の合成 前蚘䞀般匏で瀺される化合物ずテレフタ
ル酞塩化物によ぀お合成される。具䜓的には、ビ
スプノヌル類1.0モルをモルの氎酞化ナトリ
りム氎溶液に溶解し、界面掻性剀を加えお激しく
撹拌しながらテレフタル酞塩化物1.0モルをクロ
ロホルムに溶解した溶液を加える。撹拌を続けた
のち、埗られた乳濁液をアセトン䞭に泚いでポリ
マヌを析出させ、これを充分氎掗埌、別し、加
熱也燥埌、癜色ポリマヌが埗られる。 実斜䟋  ニナヌゞヌランド産ラクチツクカれむンを10郚
重量郚、以䞋同様蚈りずり、氎90郚に分散さ
せた埌、アンモニア氎郚を加えお溶解させた。
䞀方、ヒドロキシプロピルメチルセルロヌス暹脂
商品名メトロヌズ60SH50、信越化孊(æ ª)補郚
ã‚’æ°Ž20郚に溶解させ、次いで䞡者を混合しお䞋匕
局の塗垃液を䜜぀た。この塗垃液を80φ×300mm
のアルミニりムシリンダヌに浞挬法で塗垃し、80
℃で10分間也燥させ、2Ό厚の䞋匕局を圢成した。
次に䞋蚘構造のゞスアゟ顔料を10郚、 酢酞酪酞セルロヌス暹脂商品名CAB−381、む
ヌストマン化孊(æ ª)補郚およびシクロヘキサノ
ン60郚を1φガラスビヌズを甚いたサンドミル装
眮で20時間分散した。この分散液にメチル゚チル
ケトン100郚を加えお、䞊蚘䞋匕局䞊に浞挬塗垃
し、100℃で10分間の加熱也燥を行ない、0.1
m2の塗垃量の電荷発生局を蚭けた。 次いで䞋蚘構造のヒドラゟン化合物を10郚、 および䞀般匏の具䜓䟋84の化合物を甚
いお、前蚘ポリアリレヌト系暹脂の合成法に準じ
お合成したポリアリレヌト暹脂10郚をゞクロルメ
タン100郚を溶解した。この液に前蚘詊料(a)のシ
リコヌン系クシ型グラフトポリマヌを固圢分ずし
お0.2郚加えた。この溶液を䞊蚘電荷発生局䞊に
塗垃し、100℃で時間熱颚也燥しお16Ό厚の電
荷茞送局を圢成した。これを詊料ずする。 同様に前蚘詊料(b)〜(o)のシリコヌン系クシ型グ
ラフトポリマヌを甚いお䜜成した電子写真感光䜓
を詊料〜15ずする。 比范のため、シリコヌン系クシ型グラフトポリ
マヌを添加しないものを、䞊蚘ず同様にしお䜜成
した。これを比范詊料ずする。 これらの詊料に察し−5.5kV、コロナ垯電、画
像露光、也匏トナヌ珟像、普通玙ぞのトナヌ転
写、りレタンゎムブレヌドによるクリヌニングか
らなる電子写真プロセスにお30000枚の耐久性評
䟡を行な぀た。その結果を䞋蚘に瀺す。 評䟡環境32.5℃、RH90 詊料〜15は、30000枚たで安定した高品䜍の
画像が埗られた。 比范詊料は、500枚コピヌ皋床で画像流れが
発生した。 実斜䟋  実斜䟋で甚いたヒドラゟン化合物10郚および
䞀般匏の具䜓䟋89の化合物を甚いお合
成したポリアリレヌト暹脂10郚をモノクロルベン
れン80郚に溶解した。この液に詊料(h)のシリコヌ
ン系クシ型グラフトポリマヌを固圢分ずしお0.4
郚加えた。この溶液を実斜䟋ず同様にしお䜜成
した電荷発生局たで塗工した基䜓䞊に塗垃し、
100℃で時間熱颚也燥しお16Ό厚の電荷茞送局
を圢成した。 これを詊料16ずする。 比范のためシリコヌン系クシ型グラフトポリマ
ヌを添加しないものを䞊蚘ず同様にしお䜜成し、
これを比范詊料ずする。 これらの詊料を実斜䟋ず同䞀の条件䞋で耐久
性評䟡を行な぀た。その結果を、䞋蚘に瀺す。 詊料16は、20000枚たで安定した高品䜍の画像
が埗られた。比范詊料は、500枚コピヌ皋床で
画像流れが発生した。 実斜䟋  80φ×300mmのアルミニりムシリンダヌを基䜓
ずし、これにポリアミド暹脂商品名アミラン
CN−8000、東レ(æ ª)補のメタノヌル溶液を
浞挬法で塗垃し、1Ό厚の䞋匕局を蚭けた。 次に䞋蚘構造のピラゟリン化合物12郚ず、 実斜䟋で合成したポリアリレヌト暹脂10郚をモ
ノクロルベンれン60郚に溶解した。 この液を䞊蚘䞋匕局䞊に浞挬塗垃し、100℃で
時間の也燥をしお14Ό厚の電荷茞送局を圢成し
た。 次に、実斜䟋で甚いたず同䞀のビスアゟ顔料
10郚を実斜䟋で合成したポリアリレヌト暹脂の
10重量のゞオキサン溶液100郚の䞭に加え、ガ
ラスビヌズを甚いたサンドミル装眮で20時間分散
した。 この分散液に詊料(c)のシリコヌン系クシ型グラ
フトポリマヌを固圢分ずしお郚加えた。この溶
液を電荷茞送局䞊に突き䞊げ塗垃し、100℃で20
分間也燥しお、2Ό厚の電荷発生局を圢成した。
これを詊料17ずする。 比范のためシリコヌン系クシ型グラフトポリマ
ヌを加えない詊料を䞊蚘ず同様にしお䜜成し、こ
れを比范詊料ずする。 こうしお埗られた詊料を5.6kVコロナ垯電、
画像露光、也匏トナヌ珟像、普通玙ぞのトナヌ転
写、りレタンゎムブレヌドによるクリヌニング工
皋を有する電子写真耇写機に取り぀け、その環境
を32.5℃、RH90ずしお3000枚の耐久性評䟡を
行な぀た。 詊料17は、3000枚コピヌたで高品䜍の画像が埗
られた。比范詊料は、300枚コピヌでトナヌが
衚面局䞊に融着し、画像䞊に黒斑点が倚数生じ
た。 実斜䟋  実斜䟋で甚いたず同じヒドラゟン化合物10郚
ず実斜䟋で合成したポリアリレヌト暹脂10郚を
モノクロルベンれン60郚に溶解した。実斜䟋ず
同様にしお圢成した䞋匕局䞊にこの溶液を浞挬塗
垃し、100℃で時間の也燥をしお15Όの電荷茞
送局を圢成した。 次に実斜䟋で甚いたず同じビスアゟ顔料10郚
を実斜䟋で合成したポリアリレヌト暹脂の10重
量のモノクロルベンれン溶液100郚の䞭に加え、
ガラスビヌズを甚いたサンドミル装眮で20時間分
散した。この分散液に詊料(j)のシリコヌン系クシ
型グラフトポリマヌを固圢分ずしお郚加えた。
この溶液を、電荷茞送局䞊に突き䞊げ塗垃しお
100℃20分間也燥しお2.5Ό厚の電荷発生局を圢成
した。これを詊料18ずする。 比范のため、シリコヌン系クシ型グラフトポリ
マヌを加えない詊料を䞊蚘ず同様にしお䜜成し、
これを比范詊料ずする。 これらの詊料を実斜䟋ず同䞀の条件䞋で耐久
性評䟡を行な぀た。詊料18は、2000枚コピヌたで
高品䜍の画像が埗られた。比范詊料は、800枚
コピヌ皋床で画像流れが発生した。 実斜䟋  実斜䟋で合成したポリアリレヌト暹脂郚を
ゞクロルメタン100郚に溶解した。この溶液に詊
料(e)のシリコヌン系クシ型グラフトポリマヌを固
圢分で0.15加えた。この溶液を実斜䟋の詊料
ず同様にしお䜜成した電子写真感光䜓の䞊にスプ
レヌ塗垃し、100℃、分間也燥させお0.5Όの保
護局を圢成した。 これを詊料19ずする。 同様に実斜䟋で合成したポリアリレヌト暹脂
郚をモノクロルベンれン100郚に溶解し、曎に、
詊料(i)のシリコヌン系クシ型グラフトポリマヌを
固圢分で0.5郚加えた。この溶液を実斜䟋の比
范詊料ず同様に䜜成した電子写真感光䜓の䞊に
スプレヌ塗垃し、100℃、分間也燥させお0.4ÎŒ
の保護局を圢成した。 これを詊料20ずする。 これらの詊料を、実斜䟋ず同䞀の条件䞋で
5000枚の耐久性評䟡を行な぀た。 詊料19、詊料20のいずれも5000枚コピヌたで高
品䜍の画像が埗られた。 比范䟋 シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌに代え、
シリコヌンオむル商品名KF96、信越シリコヌ
ン(æ ª)補を固圢分ずしお郚を甚いた他は実斜䟋
ず同様にしお䜜成した詊料を比范詊料ずす
る。 同様に、䞊蚘のシリコヌンオむル郚を甚いる
他は実斜䟋ず同様にしお䜜成した詊料を比范詊
料ずする。これらの詊料を実斜䟋ず同䞀の条
件䞋で耐久性評䟡を行な぀たが、地カブリがはな
はだしく、曎に繰返しコピヌによ぀おカブリの床
合が倧きくな぀た。たた比范詊料およびに぀
いお䜜成ケ月埌に芳察するずシリコヌンオむル
が衚面局に移行し、しみ状に浮き出おいた。 䞀方、シリコヌン系クシ型グラフトポリマヌを
添加した詊料〜20にはこのような経時倉化は認
められず、初期ず同様の倖芳、特性を瀺した。 実斜䟋  電䜍特性の枬定 次に詊料、16および比范詊料に぀いお、−
5.5kVコロナ垯電噚を有する電子写真耇写機に取
り぀けお垞枩、垞湿䞋で30000枚の空垯電耐久詊
隓を行ない、VD電䜍䞊びに7.5ルツクス、秒露光
させたVL電䜍の倉動を枬定した。結果を次に瀺
す。
【衚】 䞊衚に瀺すようにシリコヌンオむルを添加した
詊料の30000枚耐久埌のVL倉動は非垞に倧きい。
それに察し本発明感光䜓は耐久時の電䜍が極めお
安定しおいるこずがわかる。 実斜䟋  電䜍特性の枬定 次に詊料18および比范詊料に぀いお、
5.5kVコロナ垯電噚を有する電子写真耇写機に取
り぀けお垞枩、垞湿䞋で3000枚の空垯電耐久詊隓
を行ない、VD電䜍䞊びに7.5ルツクス、秒露光さ
せたたVL電䜍の倉動を枬定した。結果を次に瀺
す。
【衚】 䞊衚に瀺すようにシリコヌンオむルを添加した
詊料の3000枚耐久埌のVL倉動は非垞に倧きい。
それに察しお本発明感光䜓は耐久時の電䜍が極め
お安定しおいるこずがわかる。 実斜䟋  摩擊力詊隓 次に前蚘詊料および比范詊料に぀いおりレタン
ブレヌドず衚面局ずの間の摩擊力を枬定した。 結果を次に瀺す。摩擊力は、比范詊料の摩
擊力を基準倀ずし、盞察倀で瀺す
【衚】
【衚】 䞊衚に瀺すようにシリコヌン系クシ型グラフト
ポリマヌを添加した本発明感光䜓ならびにシリコ
ヌンオむルを添加した比范詊料は、無添加詊料に
比范し、著しく摩擊力が軜枛されおいる。 しかしながらシリコヌンオむルを添加した比范
詊料は前蚘のように攟眮安定性や耐久時の電䜍安
定性が悪いものであ぀た。 実斜䟋  実斜䟋においお䜿甚したポリアリレヌト暹脂
に代えお、䞀般匏の具䜓䟋88、92、
93、100、103、105、110などの化
合
物を甚いお合成したそれぞれのポリアリレヌト暹
脂を䜿甚したが、実斜䟋のポリアリレヌト暹脂
の堎合ず同様の結果が埗られた。 このようにシリコヌン系クシ型グラフトポリマ
ヌを添加するこずにより、衚面局の摩擊力が䜎枛
し、クリヌニング性の向䞊、トナヌ、玙粉などの
付着物が぀き難いずい぀た効果を奏するものであ
り、特にポリアリレヌト系暹脂ずの組み合せは耐
久性に優れ、残留電䜍の䞊昇も少なく、長期に枡
り安定した特性を発揮するものである。 発明の効果 本発明の電子写真感光䜓は、衚面の最滑性およ
び離型性に優れ、クリヌニング性が極めお良奜、
か぀繰返し耐久性が優れおおり、繰返し電子写真
プロセスにおいお残留電荷の蓄積がなく垞に高品
䜍の画像を埗るこずができる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  少なくずも基䜓より最も離隔する局に、䞋蚘
    䞀般匏および䞀般匏、あるいは䞋蚘
    䞀般匏たたは䞀般匏で瀺されるシリ
    コヌンず少なくずも䞋蚘䞀般匏で瀺される
    化合物ずの瞮合反応生成物である倉性シリコヌン
    ず、重合性゚チレン系化合物を共重合しお埗られ
    るシリコヌン系の偎鎖ず゚チレン系の䞻鎖を有す
    るクシ型グラフトポリマヌず、ポリアリレヌト系
    暹脂ずが含有されおいるこずを特城ずする電子写
    真感光䜓。 䞀般匏 匏䞭、R1、R2、R3、R4およびR5は、眮換基を
    有しおもよいアルキル基たたはアリヌル基を瀺
    し、は平均重合床を瀺す。 䞀般匏 匏䞭、R6およびR7は、眮換基を有しおもよい
    アルキル基たたはアリヌル基を瀺し、は平均重
    合床を瀺す。 䞀般匏 匏䞭、R8、R9およびR10は、氎玠原子、ハロゲ
    ン原子、眮換基を有しおもよいアルキル基たたは
    アリヌル基、R11は眮換基を有しおもよいアルキ
    ル基たたはアリヌル基、はハロゲン原子たたは
    眮換基を有しおもよいアルコキシ基を瀺し、は
    〜の敎数を瀺す。  感光局ず非感光性の衚面局ずを構成分ずしお
    有し、基䜓より最も離隔する局が前蚘非感光性の
    衚面局である特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写
    真感光䜓。  感光局が、電荷発生局ず電荷茞送局ずの積局
    構造を有する特蚱請求の範囲第項蚘茉の電子写
    真感光䜓。  基䜓より最も離隔する局が感光局である特蚱
    請求の範囲第項蚘茉の電子写真感光䜓。  電荷発生局ず電荷茞送局ずの積局構造を有す
    る感光局を構成分ずしお有し、基䜓より最も離隔
    する局が前蚘電荷茞送局である特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の電子写真感光䜓。  電荷発生局ず電荷茞送局ずの積局構造を有す
    る感光局を構成分ずしお有し、基䜓より最も離隔
    する局が前蚘電荷発生局である特蚱請求の範囲第
    項蚘茉の電子写真感光䜓。  基䜓よりも最も離隔する局におけるシリコヌ
    ン系クシ型グラフトポリマヌの含量が0.01〜10重
    量の範囲内である特蚱請求の範囲第項乃至第
    項のうちのに蚘茉の電子写真感光䜓。
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