JPH0547681A - 気相成長方法 - Google Patents
気相成長方法Info
- Publication number
- JPH0547681A JPH0547681A JP22864691A JP22864691A JPH0547681A JP H0547681 A JPH0547681 A JP H0547681A JP 22864691 A JP22864691 A JP 22864691A JP 22864691 A JP22864691 A JP 22864691A JP H0547681 A JPH0547681 A JP H0547681A
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- JP
- Japan
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- reaction tube
- reaction
- vapor phase
- temperature
- phase growth
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- Pending
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 気相成長装置の反応管を成長時の温度を超え
る温度以上に昇温し、所定時間保持した後、降温して該
反応管内に付着した反応析出物を気化し、除去するベ−
キング工程を２回以上行う。 【効果】 気相成長において反応管内壁から剥離した反
応析出物に起因するエピタキシャル薄膜の表面欠陥を低
減することができる。
る温度以上に昇温し、所定時間保持した後、降温して該
反応管内に付着した反応析出物を気化し、除去するベ−
キング工程を２回以上行う。 【効果】 気相成長において反応管内壁から剥離した反
応析出物に起因するエピタキシャル薄膜の表面欠陥を低
減することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、気相成長においてエピ
タキシャル薄膜を成長させる前に気相成長装置の反応管
をベーキングする方法に関するものである。
タキシャル薄膜を成長させる前に気相成長装置の反応管
をベーキングする方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ）など
の気相成長法によって基板上にエピタキシャル薄膜を成
長させると、基板のみならず反応管内および基板を支持
するサセプタ上に反応物が析出する。
の気相成長法によって基板上にエピタキシャル薄膜を成
長させると、基板のみならず反応管内および基板を支持
するサセプタ上に反応物が析出する。
【０００３】従来は、エピタキシャル薄膜を成長させた
基板を取り出した後、気相成長装置の反応管を成長時の
温度を超える温度以上に昇温し、所定時間保持した後、
降温して該反応管内に付着した反応析出物を気化し、除
去するベーキング工程を１回行い、次に成長させる基板
をサセプタに設置して次の気相成長を行っていた。
基板を取り出した後、気相成長装置の反応管を成長時の
温度を超える温度以上に昇温し、所定時間保持した後、
降温して該反応管内に付着した反応析出物を気化し、除
去するベーキング工程を１回行い、次に成長させる基板
をサセプタに設置して次の気相成長を行っていた。
【０００４】従来の方法ではベーキング工程を１回しか
行っていないため、いったんベ−キングしても熱膨張係
数の違いにより、反応管内に付着した反応析出物が降温
時に内壁から剥離し、次に気相成長する際、剥離した反
応析出物が反応管内に浮遊してエピタキシャル薄膜の表
面欠陥密度を増大させるという問題点があった。
行っていないため、いったんベ−キングしても熱膨張係
数の違いにより、反応管内に付着した反応析出物が降温
時に内壁から剥離し、次に気相成長する際、剥離した反
応析出物が反応管内に浮遊してエピタキシャル薄膜の表
面欠陥密度を増大させるという問題点があった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決したもので、本発明の目的は、降温時に剥離した
反応析出物を、再度加熱することにより除去することに
ある。
を解決したもので、本発明の目的は、降温時に剥離した
反応析出物を、再度加熱することにより除去することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段及び作用】ベーキングは、
反応管内に付着した反応析出物を加熱により気化して除
去する方法である。一般的に、加熱されて高温になるの
は、反応管内のある領域に限られており、それ以外の領
域に付着した析出物は加熱を受け変形はするが、気化に
は至らず、降温時に熱膨張係数の差により該析出物が反
応管内壁より剥離してしまう。
反応管内に付着した反応析出物を加熱により気化して除
去する方法である。一般的に、加熱されて高温になるの
は、反応管内のある領域に限られており、それ以外の領
域に付着した析出物は加熱を受け変形はするが、気化に
は至らず、降温時に熱膨張係数の差により該析出物が反
応管内壁より剥離してしまう。
【０００７】本発明者らは、降温時に反応管内壁より剥
離した析出物が高温加熱領域に落下すれば、再度加熱す
ることにより、これらの剥離した析出物を気化、除去で
きると考え本発明を成した。
離した析出物が高温加熱領域に落下すれば、再度加熱す
ることにより、これらの剥離した析出物を気化、除去で
きると考え本発明を成した。
【０００８】すなわち本発明は、気相成長装置の反応管
を成長時の温度を超える温度以上に昇温し、所定時間保
持した後、降温して該反応管内に付着した反応析出物を
気化し、除去するベーキング工程を２回以上行うことを
特徴とする気相成長方法を提供するものである。
を成長時の温度を超える温度以上に昇温し、所定時間保
持した後、降温して該反応管内に付着した反応析出物を
気化し、除去するベーキング工程を２回以上行うことを
特徴とする気相成長方法を提供するものである。
【０００９】ベ−キング工程を繰り返すと、その際、新
たな剥離現象も生じるが、その数は漸減していき、各気
相成長の条件にあわせて適宜繰返し回数を決定すれば良
い。
たな剥離現象も生じるが、その数は漸減していき、各気
相成長の条件にあわせて適宜繰返し回数を決定すれば良
い。
【００１０】
【実施例】水冷横型石英反応管内のカーボンサセプタを
高周波（ＲＦ）で加熱するタイプの気相成長装置を用い
て、直径２インチのＩｎＰ基板上にＩｎＰエピタキシャ
ル薄膜を成長する実験を行った。
高周波（ＲＦ）で加熱するタイプの気相成長装置を用い
て、直径２インチのＩｎＰ基板上にＩｎＰエピタキシャ
ル薄膜を成長する実験を行った。
【００１１】ベ−キング工程は、反応管内を５０Ｔｏｒ
ｒに減圧した水素雰囲気中で１０００℃に昇温して１時
間保持した後、降温して室温・大気圧とする条件で行っ
た。
ｒに減圧した水素雰囲気中で１０００℃に昇温して１時
間保持した後、降温して室温・大気圧とする条件で行っ
た。
【００１２】ベーキング工程を１回しか行わない場合と
３回行った場合とについて、反応管内を洗浄した後の気
相成長回数が５回目と１０回目におけるエピタキシャル
薄膜の表面欠陥密度を比較した。
３回行った場合とについて、反応管内を洗浄した後の気
相成長回数が５回目と１０回目におけるエピタキシャル
薄膜の表面欠陥密度を比較した。
【００１３】その結果、気相成長回数が５回目と１０回
目におけるエピタキシャル薄膜の表面欠陥密度（反応管
内壁から剥離した反応析出物に起因する長さ２５μｍ以
上の表面欠陥のウェハ１枚当りの数）は、ベーキング工
程を１回しか行わない場合にはそれぞれ５個と２０個で
あり、ベーキング工程を３回行った場合にはそれぞれ０
個と１個であった。
目におけるエピタキシャル薄膜の表面欠陥密度（反応管
内壁から剥離した反応析出物に起因する長さ２５μｍ以
上の表面欠陥のウェハ１枚当りの数）は、ベーキング工
程を１回しか行わない場合にはそれぞれ５個と２０個で
あり、ベーキング工程を３回行った場合にはそれぞれ０
個と１個であった。
【００１４】以上の結果より、ベーキング工程を１回し
か行わない従来の方法では、成長回数が多くなるに従っ
て反応管内壁から剥離した反応析出物に起因する表面欠
陥の数が急激に増加している。一方、本実施例では、反
応管内壁から剥離した反応析出物に起因する表面欠陥が
ほとんどなくなり、成長回数が多くなってもほとんど増
えない。
か行わない従来の方法では、成長回数が多くなるに従っ
て反応管内壁から剥離した反応析出物に起因する表面欠
陥の数が急激に増加している。一方、本実施例では、反
応管内壁から剥離した反応析出物に起因する表面欠陥が
ほとんどなくなり、成長回数が多くなってもほとんど増
えない。
【００１５】なお、上記実施例ではベ−キング温度を１
０００℃とし、成長時の温度である６５０〜７００℃よ
り３００〜３５０℃高くしているが、反応析出物を速く
十分に気化させるには高い程良いが、装置の冷却能力等
により適宜選択される。
０００℃とし、成長時の温度である６５０〜７００℃よ
り３００〜３５０℃高くしているが、反応析出物を速く
十分に気化させるには高い程良いが、装置の冷却能力等
により適宜選択される。
【００１６】また、ベ−キング時間についても実施例で
は１時間としたが、反応析出物を十分に気化させるには
長い程良いが、効果との見合いにより適宜選択される。
は１時間としたが、反応析出物を十分に気化させるには
長い程良いが、効果との見合いにより適宜選択される。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明により、気
相成長において反応管内壁から剥離した反応析出物に起
因する表面欠陥を著しく減少できる効果がある。
相成長において反応管内壁から剥離した反応析出物に起
因する表面欠陥を著しく減少できる効果がある。
Claims (1)
- 【請求項１】 気相成長装置の反応管を成長時の温度を
超える温度以上に昇温し、所定時間保持した後、降温し
て該反応管内に付着した反応析出物を気化し、除去する
ベーキング工程を２回以上行うことを特徴とする気相成
長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22864691A JPH0547681A (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | 気相成長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22864691A JPH0547681A (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | 気相成長方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0547681A true JPH0547681A (ja) | 1993-02-26 |
Family
ID=16879602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22864691A Pending JPH0547681A (ja) | 1991-08-14 | 1991-08-14 | 気相成長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0547681A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005029566A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JP2018506184A (ja) * | 2015-01-22 | 2018-03-01 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | エピタキシャルウェーハの成長のためのリアクターの再稼動準備方法 |
-
1991
- 1991-08-14 JP JP22864691A patent/JPH0547681A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005029566A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| JPWO2005029566A1 (ja) * | 2003-09-19 | 2007-11-15 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法および基板処理装置 |
| US7955991B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-06-07 | Hitachi Kokussai Electric Inc. | Producing method of a semiconductor device using CVD processing |
| US8231731B2 (en) | 2003-09-19 | 2012-07-31 | Hitachi Kokusai Electric, Inc. | Substrate processing apparatus |
| US8636882B2 (en) | 2003-09-19 | 2014-01-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Producing method of semiconductor device and substrate processing apparatus |
| TWI449104B (zh) * | 2003-09-19 | 2014-08-11 | 日立國際電氣股份有限公司 | 半導體裝置之製造方法、基板處理裝置及基板處理方法 |
| JP2018506184A (ja) * | 2015-01-22 | 2018-03-01 | エスケー シルトロン カンパニー リミテッド | エピタキシャルウェーハの成長のためのリアクターの再稼動準備方法 |
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