JPH054817B2 - - Google Patents
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- JPH054817B2 JPH054817B2 JP27116486A JP27116486A JPH054817B2 JP H054817 B2 JPH054817 B2 JP H054817B2 JP 27116486 A JP27116486 A JP 27116486A JP 27116486 A JP27116486 A JP 27116486A JP H054817 B2 JPH054817 B2 JP H054817B2
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- Japan
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- metal foil
- jig
- crimping
- semiconductor device
- lead terminal
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特にバ
ンプ方式ボンデイングの際に使用するバンプ付き
リードの形成方法に関する。
ンプ方式ボンデイングの際に使用するバンプ付き
リードの形成方法に関する。
従来この種のバンプ形成法としては、
(1) 半導体素子ペレツト上の電極パツト上に、金
等のバンプをメツキにて盛り上げ、形成する。
等のバンプをメツキにて盛り上げ、形成する。
(2) エツチング時間に差を付け、内部リード端子
側の先端に、外部側リード太さより太い部分を
形成する。
側の先端に、外部側リード太さより太い部分を
形成する。
(3) 基板上に形成された金属薄膜を必要部分のみ
残し、蝕刻して除去し、残留部分に内部リード
を位置合せし、圧着転写する。
残し、蝕刻して除去し、残留部分に内部リード
を位置合せし、圧着転写する。
前述した従来のバンプ形成方法は、いずれも写
真蝕刻工程やメツキ装置等の半導体装置の組立工
程から離れた多大の別工程や別装置等を必要と
し、特に前記(2)法においてはバンプ形状の制御即
ち太さの制御が難しく、また前記(3)法においては
精密な位置制御に於ける位置合せ等の非容易性が
原価を上げ、品質の安定性を疎外して来た。
真蝕刻工程やメツキ装置等の半導体装置の組立工
程から離れた多大の別工程や別装置等を必要と
し、特に前記(2)法においてはバンプ形状の制御即
ち太さの制御が難しく、また前記(3)法においては
精密な位置制御に於ける位置合せ等の非容易性が
原価を上げ、品質の安定性を疎外して来た。
本発明の目的は、前記問題点を解決し、形状制
御がし易く、廉価で高品質に製造できるようにし
た半導体装置の製造方法を提供することにある。
御がし易く、廉価で高品質に製造できるようにし
た半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明の構成は、内部リード端子の所定部分に
金属箔を形成する半導体装置の製造方法におい
て、前記内部リード端子を有する絶縁基体と前記
金属箔を有するシートとを重ね合せ、治具により
前記内部リード端子の所定部分と前記金属箔とを
圧着すると同時又はその直後に、前記所定部分以
外の前記金属箔を有するシートを機械的に除去す
ることを特徴とする。
金属箔を形成する半導体装置の製造方法におい
て、前記内部リード端子を有する絶縁基体と前記
金属箔を有するシートとを重ね合せ、治具により
前記内部リード端子の所定部分と前記金属箔とを
圧着すると同時又はその直後に、前記所定部分以
外の前記金属箔を有するシートを機械的に除去す
ることを特徴とする。
次に本発明について図面を参照して詳細に説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例の半導体装置の製造
方法を工程順に示す断面図である。第１図ａにお
いて、圧着、切断治具３は、EPC基体１と金属
箔２とを圧着せしめるための治具であり、FPC
基体１の上には、予め内部リード端子４（幅
200μｍ程度を有し、その間隙は200μｍ程度を有
する。）が、形成されている。金属箔２は、厚さ
10μｍ乃至50μｍ程度、幅は半導体素子ペレツト
の大きさ程度の金や銅、等の金属箔である。治具
３は、上治具５と下治具６とからなり、バンプ形
成が必要な方向に相対する治具表面（本実施例で
は下治具６の両端）に、内部リード端子に相当し
た切断パターンを有する刃状構造が形成されてい
る。また、この治具３は、熱源によつて300℃程
度以上370℃以上の温度に、加熱されていること
が望ましい。
方法を工程順に示す断面図である。第１図ａにお
いて、圧着、切断治具３は、EPC基体１と金属
箔２とを圧着せしめるための治具であり、FPC
基体１の上には、予め内部リード端子４（幅
200μｍ程度を有し、その間隙は200μｍ程度を有
する。）が、形成されている。金属箔２は、厚さ
10μｍ乃至50μｍ程度、幅は半導体素子ペレツト
の大きさ程度の金や銅、等の金属箔である。治具
３は、上治具５と下治具６とからなり、バンプ形
成が必要な方向に相対する治具表面（本実施例で
は下治具６の両端）に、内部リード端子に相当し
た切断パターンを有する刃状構造が形成されてい
る。また、この治具３は、熱源によつて300℃程
度以上370℃以上の温度に、加熱されていること
が望ましい。
今、第１図ａは圧着前の状態、ｂは圧着中の状
態、ｃは圧着完了後の状態を示す断面図である。
態、ｃは圧着完了後の状態を示す断面図である。
まず、第１図ａにおいて、上治具５が下がり、
下治具６が上がり次に第１図ｂにおいて、下治具
６の中央部の凸部が金属箔２を切断すると共に、
両端が金属箔２を切断して、この金属箔２の部分
を内部リード端子４に圧着する。次に、第１図ｃ
に示すように、上治具５が上がり、下治具６が下
がり、FPC基体１が自由に取り出せる状態とな
る。
下治具６が上がり次に第１図ｂにおいて、下治具
６の中央部の凸部が金属箔２を切断すると共に、
両端が金属箔２を切断して、この金属箔２の部分
を内部リード端子４に圧着する。次に、第１図ｃ
に示すように、上治具５が上がり、下治具６が下
がり、FPC基体１が自由に取り出せる状態とな
る。
このように、本実施例では、半導体素子ペレツ
ト上に形成された電極パツドと、半導体装置外部
リードとを接続する方法のうちいわゆるバンプ方
式に於て、そのバンプを予め成形された鉄ニツケ
ル合金、銅合金等の内部リード端子に、銅、金箔
等の金属箔を圧着せしめ、圧着と同時或はその後
に、バンプとして必要以外の部分を刃状形状を有
する治具で機械的に除去し、形成することを特徴
とする。
ト上に形成された電極パツドと、半導体装置外部
リードとを接続する方法のうちいわゆるバンプ方
式に於て、そのバンプを予め成形された鉄ニツケ
ル合金、銅合金等の内部リード端子に、銅、金箔
等の金属箔を圧着せしめ、圧着と同時或はその後
に、バンプとして必要以外の部分を刃状形状を有
する治具で機械的に除去し、形成することを特徴
とする。
第２図ａ、第２図ｂは本発明の他の実施例の半
導体装置を示す断面図であり第２図ａにおいて、
下治具７に刃状構造を有しない圧着専用治具を用
いた場合で、３者の圧着後箔２の不要部分を除去
する為、金属箔２の不要部分を除去する切断専用
治具８（第２図ｂ）が別に必要となるが、圧着が
より確実となり、圧着強度のばらつきが少ない利
点がある。
導体装置を示す断面図であり第２図ａにおいて、
下治具７に刃状構造を有しない圧着専用治具を用
いた場合で、３者の圧着後箔２の不要部分を除去
する為、金属箔２の不要部分を除去する切断専用
治具８（第２図ｂ）が別に必要となるが、圧着が
より確実となり、圧着強度のばらつきが少ない利
点がある。
今、第２図ａは圧着中の断面図、同図で矢印は
FPC基体４の搬送される方向で次の第２図ｂの
ステージへと連続して送られる。第２図ｂは不要
箔部を除去する刃状構造を有する治具８が箔２を
上から押し切りしている処の断面図であり、箔２
の除去は空気吹出し口９から矢印で示される空気
流により、効率的に行なわれる。これは、図示さ
れていないが第１図ｃに於ても適用され、かつ第
１図ｂ第２図ａに於ても適用され得る。
FPC基体４の搬送される方向で次の第２図ｂの
ステージへと連続して送られる。第２図ｂは不要
箔部を除去する刃状構造を有する治具８が箔２を
上から押し切りしている処の断面図であり、箔２
の除去は空気吹出し口９から矢印で示される空気
流により、効率的に行なわれる。これは、図示さ
れていないが第１図ｃに於ても適用され、かつ第
１図ｂ第２図ａに於ても適用され得る。
尚、前記FPC基体１は、FPC（フレキシブル・
プリント・サーキツト）フイルム又はリードフレ
ームからなる。
プリント・サーキツト）フイルム又はリードフレ
ームからなる。
以上説明したように、本発明は、特にFPC基
体に何の特別の手法も施さずに形成された内部リ
ードと、何の特別の手法も施さず形成された半導
体素子ペレツト上の電極とを、その間に単なる金
属箔を介在させて圧着することにより、従来、種
種の困難な方法を用いて形成されていたバンプ
を、前記リードと電極との接続工程中あるいはそ
の工程に近接して、形成可能で、安価かつ安定し
た品質のものが得られる効果がある。
体に何の特別の手法も施さずに形成された内部リ
ードと、何の特別の手法も施さず形成された半導
体素子ペレツト上の電極とを、その間に単なる金
属箔を介在させて圧着することにより、従来、種
種の困難な方法を用いて形成されていたバンプ
を、前記リードと電極との接続工程中あるいはそ
の工程に近接して、形成可能で、安価かつ安定し
た品質のものが得られる効果がある。
第１図ａ乃至第１図ｃは本発明の一実施例の半
導体装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２
図ａ、第２図ｂは本発明の他の実施例の半導体装
置の製造方法を工程順に示す断面図である。 １……FPC（フレキシブルプリントサーキツ
ト）基体、２……金属箔、３……圧着、切断治
具、４……内部リード端子、５……圧着切断治具
の上治具、６……下治具、７，７′……圧着専用
治具、８……切断専用治具、９……空気吹出し
口。
導体装置の製造方法を工程順に示す断面図、第２
図ａ、第２図ｂは本発明の他の実施例の半導体装
置の製造方法を工程順に示す断面図である。 １……FPC（フレキシブルプリントサーキツ
ト）基体、２……金属箔、３……圧着、切断治
具、４……内部リード端子、５……圧着切断治具
の上治具、６……下治具、７，７′……圧着専用
治具、８……切断専用治具、９……空気吹出し
口。
Claims (1)
- １ 内部リード端子の所定部分に金属箔を形成す
る半導体装置の製造方法において、前記内部リー
ド端子を有する絶縁基体と前記金属箔を有するシ
ートとを重ね合せ、治具により前記内部リード端
子の所定部分と前記金属箔とを圧着すると同時又
はその直後に、前記所定部分以外の前記金属箔を
有するシートを機械的に除去することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27116486A JPS63124541A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27116486A JPS63124541A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63124541A JPS63124541A (ja) | 1988-05-28 |
| JPH054817B2 true JPH054817B2 (ja) | 1993-01-20 |
Family
ID=17496230
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27116486A Granted JPS63124541A (ja) | 1986-11-14 | 1986-11-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63124541A (ja) |
-
1986
- 1986-11-14 JP JP27116486A patent/JPS63124541A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63124541A (ja) | 1988-05-28 |
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