JPH0548333Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本考案は、鉄及びニツケルを主成分とした磁性
体でなるリード本体の少くとも遊端部上に、ロジ
ウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層が付されている一対のリードを有し、その一対
のリードの少くとも遊端部が、それらを近接対向
させた状態で、容器内に封入されている構成を有
するリードスイツチに関する。

【従来の技術】

上述した構成を有するリードスイツチは、容器
外から磁場が与えられた場合、一対のリードの遊
端部が、一対の接点として、互いに接触して、一
対のリード間でオンの状態が得られ、また、この
状態から磁場が取去られた場合、一対のリードの
遊端部が、互に近接対向している状態に復帰し
て、一対のリード間でオフの状態が得られる、と
いうスイツチ動作を行う。 上述した構成を有するリードスイツチは、第１
図に示すように、遊端部が偏平な一対のリード１
Ａ及び１Ｂを有し、その一対のリード１Ａ及び１
Ｂの遊端部が、それらを近接対向させた状態で、
容器２内に、封入されている構成を有しているの
を普通としている。 従来のこのような構成を有するリードスイツチ
は、一対のリード１Ａ及び１Ｂのそれぞれが、第
２図に示すように、鉄及びニツケルを主成分とし
た磁性体でなるリード本体３の少くとも遊端部上
に、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層４が付されている構成において、鉄及
びニツケルを主成分とした磁性体でなるリード本
体３と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層４との間に介挿された、金または
銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層５を有
している構成であるのを普通としている。 このような構成を有する従来のリードスイツチ
において、ロジウムまたはルテニウムを主成分と
した金属の鍍金層４は、金または銀もしくは銅を
主成分とした金属の鍍金層５に比し、高い硬度を
有するので、一対のリード１Ａ及び１Ｂの遊端部
による一対の接点が、高い耐摩耗性を有してい
る。 また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層４は、金または銀もしくは銅を主
成分とした金属の鍍金層５に比し、高い融点を有
するので、一対のリード１Ａ及び１Ｂの遊端部に
よる一対の接点間で、上述したスイツチ動作が連
続的に繰返し行なわれた場合に、一対の接点に、
比較的高い温度の発熱が生じても、一対の接点の
表面が、熔融するに到らず、このため、一対の接
点の表面を構成している材料が、相互に転移する
に到らないことから、一対の接点の表面が、劣化
するに到らない。 従つて、スイツチ動作の回数に対するスイツチ
動作の累積不良率が十分低いとともに、一対の接
点が互に接触したときの、それら間でみた接触抵
抗が、十分低い、という特徴を有する。 また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層４が、金または銀もしくは銅を主
成分とした金属の鍍金層５に近い、高い導電性を
有するので、一対のリード１Ａ及び１Ｂ間でオン
の状態が得られる場合の、一対のリード１Ａ及び
１Ｂ間でみた抵抗が、十分低い、という特徴を有
する。

【考案が解決しようとする課題】

第１及び第２図に示す従来のリードスイツチの
場合、一対の接点が互に接触することによつて伴
う摩耗により、リードスイツチとしての寿命が低
下するのを回避するために、ロジウムまたはルテ
ニウムを主成分とした金属の鍍金層４の厚さを、
5μｍ以上に厚くすれば（この場合、これに応じ
て、一対のリード１Ａ及び１Ｂの遊端部のリード
本体３の厚さを、一対のリード１Ａ及び１Ｂの遊
端部にもとの厚さを有せしめるため、薄くする）、
そのロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層４に、内部応力によつて、クラツクが
生じ易い。 このため、繰返しのスイツチ動作によつて、一
対のリード１Ａ及び１Ｂの遊端部に、比較的高い
温度の発熱が生じるとき、金または銀もしくは銅
を主成分とした金属の鍍金層５から、それを構成
している金または銀もしくは銅を主成分とした金
属が、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした
金属の鍍金層４を通じて、その表面に析出し、そ
の高い粘着性のために、一対の接点間で、相互に
材料の転移が生じ、一対の接点の表面が、劣化す
るに到る。 また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層４の厚さを厚くするとき、高価な
ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属
を、多量に必要とし、リードスイツチを廉価に提
供することができない、などの欠点を有してい
た。 よつて、本考案は、上述した欠点のない、新規
なリードスイツチを提案せんとするものである。

【課題を解決するための手段】

本考案によるリードスイツチは、第１図で前述
した従来のリードスイツチの場合と同様に、鉄及
びニツケルを主成分とした磁性体でなるリード本
体の少くとも遊端部上に、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層が付されている
一対のリードを有し、該一対のリードの少くとも
遊端部が、それらを近接対向させた状態で、容器
内に封入されている構成を有する。 しかしながら、本考案によるリードスイツチ
は、このような構成を有するリードスイツチにお
いて、上記一対のリード中の少くとも一方が、上
記鉄及びニツケルを主成分とした磁性体でなるリ
ード本体と、上記ロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層との間に介挿された、パ
ラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層
を有し、そして、そのパラジウムを主成分とした
パラジウム合金の鍍金層が、パラジウムとコバル
トとの合金でなり、また、上記ロジウムまたはル
テニウムを主成分とした金属の鍍金層が、0.1〜
5μｍの厚さを有し、さらに、上記パラジウムを
主成分としたパラジウム合金の鍍金層が、0.01〜
10μｍの厚さを有する。

【作用・効果】

本考案によるリードスイツチの場合、鉄及びニ
ツケルを主成分とした磁性体でなるリード本体
と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層との間に介挿されているパラジウムを
主成分としたパラジウム合金の鍍金層の厚さに応
じた分、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の厚さを薄くすることができるので、ロジ
ウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層の厚さを、クラツクの生じ難い5μｍ以下の厚
さにすることができる。 一方、パラジウムを主成分としたパラジウム合
金の鍍金層は、その厚さが厚くなつても、ロジウ
ムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層
に比し、クラツクが生じ難い。 このため、本考案によるリードスイツチによれ
ば、第２図で上述した従来のリードスイツチの上
述した特徴を有しながら、上述した欠点を有効に
回避させることができる。 そして、このような本考案によるリードスイツ
チの特徴は、ロジウムまたはルテニウムを主成分
とした金属の鍍金層が0.1〜5μｍの厚さを有し、
また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金
の鍍金層が0.01〜10μｍの厚さを有していること
で、確実に得られる。

【実施例 １】 次に、第３図を伴つて本考案によるリードスイ
ツチの第１の実施例を述べよう。 本考案によるリードスイツチの第１の実施例
は、見掛上、第１図に示す従来のリードスイツチ
と同様に、遊端部が偏平な一対のリード１Ａ及び
１Ｂを有し、その一対のリード１Ａ及び１Ｂの遊
端部が、それらを近接対向させた状態で、容器２
内に真空封入されている構成を有している。 しかしながら、本考案によるリードスイツチの
第１の実施例は、一対のリード１Ａ及び１Ｂのそ
れぞれが、第２図との対応部分に同一符号が付さ
れている第３図に示すように、第２図で上述した
従来のリードスイツチの一対のリード１Ａ及び１
Ｂのそれぞれにおいて、その鉄及びニツケルを主
成分とした磁性体でなるリード本体３と、ロジウ
ムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金層
４との間に、金または銀もしくは銅を主成分とし
た金属の鍍金層５と、ロジウムまたはルテニウム
を主成分とした金属の鍍金層４との間に介挿され
た態様で、パラジウムを主成分としたパラジウム
合金の鍍金層６が介挿されていることを除いて、
第２図で上述した従来のリードスイツチの一対の
リード１Ａ及び１Ｂのそれぞれと同様の構成を有
する。 この場合、パラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の鍍金層６を構成しているパラジウムを主
成分としたパラジウム合金は、主成分としてのパ
ラジウム（Pd）と、コバルト（Co）との合金で
なり、また、その組成、従つてパラジウム（Pd）
と、コバルト（Co）との割合としては、95.5：
0.5の重量％の割合から、70：30の重量％の割合
の範囲とし得る。 また、パラジウムを主成分としたパラジウム合
金の鍍金層６が、0.01〜10μｍの範囲の厚さを有
し、望ましくは、0.05〜5μｍの範囲の厚さを有す
る。 さらに、ロジウムまたはルテニウムを主成分と
した金属の鍍金層４が、0.1〜5μｍの厚さを有す
る。 以上が、本考案によるリードスイツチの第１の
実施例の構成である。 このような構成を有する本考案によるリードス
イツチは、その一対のリード１Ａ及び１Ｂのそれ
ぞれが、鉄及びニツケルを主成分とした磁性体で
なるリード本体３と、ロジウムまたはルテニウム
を主成分とした金属の鍍金層４との間に、金また
は銀もしくは銅を主成分とした金属の鍍金層５
と、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層４との間に介挿された態様で介挿され
た、パラジウムを主成分としたパラジウム合金の
鍍金層６を有し、そして、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層４が0.1〜5μｍ
の厚さを有し、またパラジウムを主成分としたパ
ラジウム合金の鍍金層６が、0.01〜10μｍの厚さ
を有していることを除いて、第２図で上述した従
来のリードスイツチと同様の構成を有するので、
第２図に示す従来のリードスイツチの場合の、上
述したと同様の特徴を有する。 しかしながら、金または銀もしくは銅を主成分
とした金属の鍍金層５と、ロジウムまたはルテニ
ウムを主成分とした金属の鍍金層４との間に介挿
された、パラジウムを主成分としたパラジウム合
金の鍍金層６の厚さに応じた分、ロジウムまたは
ルテニウムを主成分とした金属の鍍金層４の厚さ
を薄くすることができるので、ロジウムまたはル
テニウムを主成分とした金属の鍍金層４の厚さ
を、クラツクの生じ難い5μｍ以下の厚さにする
ことができる。 一方、パラジウムを主成分としたパラジウム合
金の鍍金層６は、その厚さが厚くなつても、ロジ
ウムまたはルテニウムを主成分とした金属の鍍金
層４に比し、クラツクが生じ難い。 このため、第３図に示す本考案によるリードス
イツチによれば、第２図で上述した従来のリード
スイツチの上述した特徴を有しながら、上述した
欠点を有効に回避させることができる。 そして、このような本考案によるリードスイツ
チの特徴は、ロジウムまたはルテニウムを主成分
とした金属の鍍金層４が0.1〜5μｍの厚さを有し、
また、パラジウムを主成分としたパラジウム合金
の鍍金層６が0.01〜10μｍの厚さを有しているこ
とで、確実に得られる。 ちなみに、第２図で上述した従来のリードスイ
ツチにおいて、そのリード１Ａ及び１Ｂのそれぞ
れにおける、金または銀もしくは銅を主成分とし
た金属の鍍金層５が0.25μｍの厚さを有し、また、
ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金属の
鍍金層４が3μｍの厚さを有する場合において、
前述したスイツチ動作の回数（回）に対するスイ
ツチ動作の累積不良率（％）が、第４図で点線図
示のように得られ、また、スイツチ動作の回数
（回）に対する、一対のリード１Ａ及び１Ｂ間で
オンの状態が得られたときの、それら一対のリー
ド１Ａ及び１Ｂ間でみた抵抗（Ω）が、第５図で
点線図示のように得られたに対し、第３図に示す
本考案によるリードスイツチの第１の実施例にお
いて、そのリード１Ａ及び１Ｂのそれぞれが、前
述した具体例を有している場合、スイツチ動作の
回数に対するスイツチ動作の累積不良率が、第４
図で実線図示のように得られ、また、スイツチ動
作の回数に対する、一対のリード１Ａ及び１Ｂ間
でオンの状態が得られたときの、それら一対のリ
ード１Ａ及び１Ｂ間でみた抵抗が、第５図で実線
図示のように得られた。 また、第３図に示す本考案によるリードスイ
ツチの場合、パラジウムを主成分としたパラジウ
ム合金の鍍金層６が、パラジウムとコバルトとの
合金でなるため、パラジウムを主成分としたパラ
ジウム合金の鍍金層６が、パラジウムとコバルト
との合金でなる以外の、パラジウム（Pd）と、
Cu、Ag、Au、Zn、Cd、In、Su、Pb、Ｖ、As、
Bi、Cr、Mo、Fe、Co、Ni、Ru、Pt、Ir、Os中
から選ばれた１種または複数種でなる異種金属と
の合金でなる場合に比し、リードスイツチとして
の開放値と感動値との比が、パラジウムを主成分
としたパラジウム合金の鍍金層６の厚さにほとん
ど依存することなしに、低い値を有し、このた
め、リードスイツチを、歩留りよく、いわゆるワ
イドデフアレンシヤル型に、容易に製造すること
ができる。

【実施例 ２】 次に、本考案によるリードスイツチの第２の実
施例を述べよう。 本考案によるリードスイツチの第２の実施例
は、第３図で上述した本考案によるリードスイツ
チの第１の実施例の場合と同様に、見掛上、第１
図で上述したと同様の構成を有する。 しかしながら、本考案によるリードスイツチの
第２の実施例は、一対のリード１Ａ及び１Ｂのそ
れぞれが、第３図との対応部分に同一符号が付さ
れている第６図を伴なつて次に述べる構成を有す
る。 すなわち、一対のリード１Ａ及び１Ｂのそれぞ
れが、金または銀もしくは銅を主成分とした金属
の鍍金層５が省略されていることを除いて、第３
図で上述した本考案によるリードスイツチの第１
の実施例の一対のリード１Ａ及び１Ｂと同様の構
成を有する。 以上が、本考案によるリードスイツチの第２の
実施例の構成である。 このような構成を有する本考案によるリードス
イツチにおいて、そのリード１Ａ及び１Ｂのそれ
ぞれの具体例は、次のとおりである。 パラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍
金層６が、上述したようにして得られた鉄及びニ
ツケルを主成分とした磁性体でなるリード本体３
上に、パラジウム（Pd）と、コバルト（Co）と
が、第１表の例１〜10に示す割合（重量％）を有
するパラジウムを主成分としたパラジウム合金
を、同表の例１〜10に示す厚さ（μｍ）に鍍金し
て得られたものである。 また、ロジウムまたはルテニウムを主成分とし
た金属の鍍金層４が、上述したように得られたパ
ラジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層
６上に、ロジウム（Rh）の鍍金層を、第１表の
例１〜４、７及び８に示す厚さに、またルテニウ
ム（Ru）を、第１表の５、６、９及び10に示す
厚さにそれぞれ鍍金して得られたものである。

【表】 以上で、本考案によるリードスイツチの第２の
実施例の構成が明らかとなつた。 第６図に示す本考案によるリードスイツチは、
第３図で上述した本考案によるリードスイツチに
おいて、その一対のリード１Ａ及び１Ｂのそれぞ
れにおける、金または銀もしくは銅を主成分とし
た金属の鍍金層５と、パラジウムを主成分とした
パラジウム合金の鍍金層６とが、パラジウムを主
成分としたパラジウム合金の鍍金層６で置換され
た構成を有しているので、詳細説明は省略する
が、第３図で上述した本考案によるリードスイツ
チの場合と同様の優れた特徴を有する。 ちなみに、第２図で上述した従来のリードスイ
ツチにおいて、そのリード１Ａ及び１Ｂのそれぞ
れにおける、金または銀もしくは銅を主成分とし
た金属の鍍金層５が、0.25μｍの厚さを有し、ま
た、ロジウムまたはルテニウムを主成分とした金
属の鍍金層４が3μｍの厚さを有する場合におい
て、前述したスイツチ動作の回数（回）に対する
スイツチ動作の累積不良率（％）が、第７図で点
線イで示すように得られ、また、第２図で上述し
た従来のリードスイツチにおいて、そのリード１
Ａ及び１Ｂのそれぞれにおける、金または銀もし
くは銅を主成分とした金属の鍍金層５が、0.25μ
ｍの厚さを有し、またロジウムまたはルテニウム
を主成分とした金属の鍍金層４が5μｍの厚さを
有する場合において、前述したスイツチ動作の回
数（回）に対するスイツチ動作の累積不良率
（％）が、第７図で点線ロで示すように得られ、
また、スイツチ動作の回数（回）に対する、一対
のリード１Ａ及び１Ｂ間でオンの状態が得られた
ときの、それら一対のリード１Ａ及び１Ｂ間でみ
た抵抗（Ω）が、第８図で点線図示のように得ら
れたに対し、第６図に示す本考案によるリードス
イツチの第２の実施例において、そのリード１Ａ
及び１Ｂのそれぞれが、上述した第１表に示す具
体例１、２、５〜７、９及び10を有している場
合、スイツチ動作の回数に対するスイツチ動作の
累積不良率が、第７図で実線図示のように得ら
れ、また、上述した第１表に示す具体例２、５及
び10の場合、スイツチ動作の回数に対する、一対
のリード１Ａ及び１Ｂ間でオンの状態が得られた
ときの、それらの一対のリード１Ａ及び１Ｂ間で
みた抵抗が、第８図で実線図示のように得られ
た。 このようことからでも、第６図に示す本考案に
よるリードスイツチが、第２図で上述した従来の
リードスイツチに比し格段的に優れていることが
明らかであろう。 なお、上述においては、本考案の僅かな実施例
を示したに留まり、本考案の精神を脱することな
しに、種々の変型、変更をなし得るであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のリードスイツチを示す略線的
断面図である。第２図は、従来のリードスイツチ
における、一対のリードの遊端部を示す略線的断
面図である。第３図は、本考案によるリードスイ
ツチの第１の実施例における一対のリードの遊端
部を示す略線的断面図である。第４図は、第３図
に示す本考案によるリードスイツチの第１の実施
例の、スイツチ動作の回数（回）に対する、スイ
ツチ動作の累積不良率（％）の関係を示す線図で
ある。第５図は、第３図に示す本考案によるリー
ドスイツチの第１の実施例の、スイツチ動作の回
数（回）に対する、一対のリード間がオンの状態
になつたときの、それら一対のリード間でみた、
抵抗（Ω）の関係を示す線図である。第６図は、
本考案によるリードスイツチの第２の実施例にお
ける一対のリードの遊端部を示す略線的断面図で
ある。第７図は、第６図に示す本考案によるリー
ドスイツチの第２の実施例の、スイツチ動作の回
数（回）に対する、スイツチ動作の累積不良率
（％）の関係を示す線図である。第８図は、第６
図に示す本考案によるリードスイツチの第２の実
施例の、スイツチ動作の回数（回）に対する、一
対のリード間がオンの状態になつたときの、それ
ら一対のリード間でみた、抵抗（Ω）の関係を示
す線図である。 １Ａ，１Ｂ……リード、２……容器、３……リ
ード本体、４……ロジウムまたはルテニウムを主
成分とした金属の鍍金層、５……金または銀もし
くは銅を主成分とした金属の鍍金層、６……パラ
ジウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 鉄及びニツケルを主成分とした磁性体でなるリ
   ード本体の少くとも遊端部上に、ロジウムまたは
   ルテニウムを主成分とした金属の鍍金層が付され
   ている一対のリードを有し、該一対のリードの少
   くとも遊端部が、それらを近接対向させた状態
   で、容器内に封入されている構成を有するリード
   スイツチにおいて、 上記一対のリード中の少くとも一方が、上記鉄
   及びニツケルを主成分とした磁性体でなるリード
   本体と、上記ロジウムまたはルテニウムを主成分
   とした金属の鍍金層との間に介挿された、パラジ
   ウムを主成分としたパラジウム合金の鍍金層を有
   し、 上記パラジウムを主成分としたパラジウム合金
   の鍍金層が、パラジウムとコバルトとの合金でな
   り、 上記ロジウムまたはルテニウムを主成分とした
   金属の鍍金層が、0.1〜5μｍの厚さを有し、 上記パラジウムを主成分としたパラジウム合金
   の鍍金層が、0.01〜10μｍの厚さを有することを
   特徴とするリードスイツチ。