JPH0553284B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0553284B2 JPH0553284B2 JP1225535A JP22553589A JPH0553284B2 JP H0553284 B2 JPH0553284 B2 JP H0553284B2 JP 1225535 A JP1225535 A JP 1225535A JP 22553589 A JP22553589 A JP 22553589A JP H0553284 B2 JPH0553284 B2 JP H0553284B2
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- Japan
- Prior art keywords
- resistive film
- resistor
- paste
- heat
- baked
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
（産業上の利用分野）
この発明は半田耐熱性を改善した抵抗体の製造
方法に関する。 （従来の技術） 基板の上に抵抗体を形成する方法としては、た
とえば特開昭57−96589号公報に記載されたもの
がある。この方法によれば、まず基板の上に銅ペ
ーストを所定形状に印刷し、約150℃の温度で約
15分間加熱して硬化させ、銅の配線パターンを形
成する。次にポリマーレンジ抵抗体ペーストを所
定形状、所定厚さに印刷し、約85℃の温度で約15
分間加熱し、抵抗ペースト中の有機溶媒を除去す
るとともに仮硬化させる。さらに仮硬化状態の抵
抗体ペーストをチツ素、アルゴン等の不活性ガス
中で約170〜200℃の温度で約１〜３時間焼成して
硬化させて抵抗体を形成する。そののち保護膜と
なるレジストを印刷し、約150℃の温度で約15分
間加熱硬化させることにより、保護膜を形成す
る。 ここに開示の技術によれば、抵抗ペーストを不
活性雰囲気ガス中で焼成しているため、銅の配線
パターンの酸化膜がほとんど生ぜず、高温で短時
間の処理を行うことができるとしている。 また、卑金属の引出電極からなる抵抗体の製造
方法として、特開昭58−10886号公報に記載され
たものがある。 この公報の方法によれば、表面に下地用アンダ
ーコートを塗布した絶縁基板の上に、カーボン抵
抗などの抵抗体を加熱硬化させて抵抗回路を形成
し、この抵抗回路の一部に導電性の良好な銅導電
ペーストを重ね塗布して加熱硬化させ、さらにこ
の銅導電ペーストの要半田付け箇所に半田付け性
の良好な銅導電ペーストを重ね塗布して加熱硬化
させるというものである。 （発明が解決しようとする技術的課題） しかしながら、前者の方法では、銅の配線パタ
ーンを先に形成するため、抵抗体を形成するとき
に銅の配線パターンの酸化を避ける工夫が必要で
ある。このために、まず抵抗体に含有されている
有機溶剤を除去するために空気中で低温で焼成
し、次いで抵抗体を硬化させるために不活性ガス
雰囲気中で焼成して硬化させるという工程を設け
ており、製造工程が複雑になる。また、このよう
な工程を採用しても、銅の配線パターンの表面に
は酸化膜が形成されることは避けられず、この酸
化膜の厚みが厚くならないように焼付け温度のコ
ントロールを厳密に行わなければならないという
問題を有している。 また、後者の方法では、引出電極を銅で構成す
るものであるが、この銅からなる引出電極の形成
が可能となつたのは、特殊な銅ペーストの使用を
前提としたものであつて、汎用性に乏しく、焼付
けタイプの抵抗体の引出電極には使用できないも
のである。したがつて、焼付けタイプの抵抗体の
引出電極を卑金属で構成するためには他の技術的
解決手段が必要となる。 そこで、発明者等は第１図に示す構造からなる
焼付けタイプの新規な抵抗体を検討した。この第
１図の抵抗体は、たとえばアルミナなどのセラミ
ツクからなる耐熱性を有する絶縁基板１の上に、
たとえばRuO2からなる抵抗ペーストをスクリー
ン印刷し、空気中で焼付けて抵抗膜２を形成し、
さらにこの抵抗膜２の端部の上に一部重なるよう
に卑金属、たとえば銅ペーストをスクリーン印刷
し、窒素雰囲気中で焼付けて電極３，４を形成し
た。 このような抵抗体によれば、先に抵抗膜を焼付
け、そののちにCu系の卑金属からなる引出電極
を焼付けており、この卑金属からなる引出電極は
抵抗膜の焼付け温度より低い温度で焼付けること
ができるため、引出電極を酸化させたり、劣化さ
せたりするという問題がなくなる。また抵抗膜と
卑金属からなる引出電極との間に酸化膜が形成さ
れないため、良好な接触状態が得られることにな
る。 しかしながら、この抵抗体を溶融している半田
槽に浸漬し、電極３，４の上に接続用の半田槽を
形成すると、抵抗値が初期値にくらべて10％も変
化することが確認された。その原因はまだ判明し
ていないが、半田浸漬時に熱の影響によつて抵抗
膜と電極との界面で接触抵抗に変化が生じるもの
と考えられる。 したがつて、この発明は引出電極に卑金属の使
用が可能となる抵抗体の製造方法を提供するとと
もに、半田耐熱性を改善した抵抗体の製造方法を
提供すること目的とする。 （技術的課題を解決するための手段） すなわち、この発明の要旨とするところは、絶
縁基板の上に、抵抗膜を空気中で焼付け、この抵
抗膜の端部の上に一部重ねて銅ペーストを塗布
し、この銅ペーストを抵抗膜の焼付け温度より低
い500〜650℃の温度で窒素雰囲気で焼付けて、抵
抗膜の端部に一部重なる引出電極を形成し、さら
に抵抗膜と引出電極の重なり部分の上に耐熱性樹
脂を被覆したことを特徴とする抵抗体の製造方法
である。 （実施例） 以下、この発明を図示した一実施例に従つて詳
細に説明する。 第２図はこの発明方法により得られる抵抗体の
一例を示したものである。図において、１１はア
ルミナなどの耐熱性の絶縁基板、１２は絶縁基板
の上に焼付けた抵抗膜、１３，１４は抵抗膜１２
の端部の上に一部重なるように焼付けた引出電
極、１５は耐熱性樹脂で、抵抗膜１２と電極１
３，１４の重なり部分を含めて被覆している。 抵抗膜としては、RuO2系、Bi2Ru2O7系などの
材料が用いられる。また引出電極としてはCu系
の電極が用いられる。Cu電極は窒素雰囲気で500
〜650℃の温度で焼付けられる。ここで、Cuの焼
付けを窒素雰囲気で500〜650℃で行なうのは、こ
の温度範囲から外れると、良好な導電性を示す引
出電極が得られないからである。また耐熱性樹脂
としてはフエノール樹脂、エポキシ樹脂などが用
いられ、実際には無機質フイラー、溶剤とともに
混合してペースト状とし、たとえばスクリーン印
刷後硬化する。 次に、具体的な製造方法にしたがつて説明す
る。 抵抗膜の材料としてRuO2ペーストを用い、こ
れをスクリーン印刷して空気中800℃で焼付けて
抵抗膜を作成した。こののちCuペーストを抵抗
膜の端部に一部重なるように塗布し、窒素雰囲気
中600℃で焼付けた。さらに第２図に示すように、
抵抗膜とCuの引出電極とを含めてフエノール樹
脂ペーストをスクリーン印刷し、200℃で硬化し
て耐熱性樹脂を被覆した。 得られた抵抗体をSn60％、Pb40％の比率から
なる230℃の半田槽に５秒間浸漬し、そののち抵
抗値を測定し、初期抵抗値と比較してその変化率
を求めた。なおフラツクスとしてはロジン系のも
のを用いた。 下表は種々の面積抵抗値を有する抵抗体につい
て、抵抗変化率を示したものである。比較例とし
て耐熱性樹脂を被覆していないものの測定結果も
合わせて示した。
方法に関する。 （従来の技術） 基板の上に抵抗体を形成する方法としては、た
とえば特開昭57−96589号公報に記載されたもの
がある。この方法によれば、まず基板の上に銅ペ
ーストを所定形状に印刷し、約150℃の温度で約
15分間加熱して硬化させ、銅の配線パターンを形
成する。次にポリマーレンジ抵抗体ペーストを所
定形状、所定厚さに印刷し、約85℃の温度で約15
分間加熱し、抵抗ペースト中の有機溶媒を除去す
るとともに仮硬化させる。さらに仮硬化状態の抵
抗体ペーストをチツ素、アルゴン等の不活性ガス
中で約170〜200℃の温度で約１〜３時間焼成して
硬化させて抵抗体を形成する。そののち保護膜と
なるレジストを印刷し、約150℃の温度で約15分
間加熱硬化させることにより、保護膜を形成す
る。 ここに開示の技術によれば、抵抗ペーストを不
活性雰囲気ガス中で焼成しているため、銅の配線
パターンの酸化膜がほとんど生ぜず、高温で短時
間の処理を行うことができるとしている。 また、卑金属の引出電極からなる抵抗体の製造
方法として、特開昭58−10886号公報に記載され
たものがある。 この公報の方法によれば、表面に下地用アンダ
ーコートを塗布した絶縁基板の上に、カーボン抵
抗などの抵抗体を加熱硬化させて抵抗回路を形成
し、この抵抗回路の一部に導電性の良好な銅導電
ペーストを重ね塗布して加熱硬化させ、さらにこ
の銅導電ペーストの要半田付け箇所に半田付け性
の良好な銅導電ペーストを重ね塗布して加熱硬化
させるというものである。 （発明が解決しようとする技術的課題） しかしながら、前者の方法では、銅の配線パタ
ーンを先に形成するため、抵抗体を形成するとき
に銅の配線パターンの酸化を避ける工夫が必要で
ある。このために、まず抵抗体に含有されている
有機溶剤を除去するために空気中で低温で焼成
し、次いで抵抗体を硬化させるために不活性ガス
雰囲気中で焼成して硬化させるという工程を設け
ており、製造工程が複雑になる。また、このよう
な工程を採用しても、銅の配線パターンの表面に
は酸化膜が形成されることは避けられず、この酸
化膜の厚みが厚くならないように焼付け温度のコ
ントロールを厳密に行わなければならないという
問題を有している。 また、後者の方法では、引出電極を銅で構成す
るものであるが、この銅からなる引出電極の形成
が可能となつたのは、特殊な銅ペーストの使用を
前提としたものであつて、汎用性に乏しく、焼付
けタイプの抵抗体の引出電極には使用できないも
のである。したがつて、焼付けタイプの抵抗体の
引出電極を卑金属で構成するためには他の技術的
解決手段が必要となる。 そこで、発明者等は第１図に示す構造からなる
焼付けタイプの新規な抵抗体を検討した。この第
１図の抵抗体は、たとえばアルミナなどのセラミ
ツクからなる耐熱性を有する絶縁基板１の上に、
たとえばRuO2からなる抵抗ペーストをスクリー
ン印刷し、空気中で焼付けて抵抗膜２を形成し、
さらにこの抵抗膜２の端部の上に一部重なるよう
に卑金属、たとえば銅ペーストをスクリーン印刷
し、窒素雰囲気中で焼付けて電極３，４を形成し
た。 このような抵抗体によれば、先に抵抗膜を焼付
け、そののちにCu系の卑金属からなる引出電極
を焼付けており、この卑金属からなる引出電極は
抵抗膜の焼付け温度より低い温度で焼付けること
ができるため、引出電極を酸化させたり、劣化さ
せたりするという問題がなくなる。また抵抗膜と
卑金属からなる引出電極との間に酸化膜が形成さ
れないため、良好な接触状態が得られることにな
る。 しかしながら、この抵抗体を溶融している半田
槽に浸漬し、電極３，４の上に接続用の半田槽を
形成すると、抵抗値が初期値にくらべて10％も変
化することが確認された。その原因はまだ判明し
ていないが、半田浸漬時に熱の影響によつて抵抗
膜と電極との界面で接触抵抗に変化が生じるもの
と考えられる。 したがつて、この発明は引出電極に卑金属の使
用が可能となる抵抗体の製造方法を提供するとと
もに、半田耐熱性を改善した抵抗体の製造方法を
提供すること目的とする。 （技術的課題を解決するための手段） すなわち、この発明の要旨とするところは、絶
縁基板の上に、抵抗膜を空気中で焼付け、この抵
抗膜の端部の上に一部重ねて銅ペーストを塗布
し、この銅ペーストを抵抗膜の焼付け温度より低
い500〜650℃の温度で窒素雰囲気で焼付けて、抵
抗膜の端部に一部重なる引出電極を形成し、さら
に抵抗膜と引出電極の重なり部分の上に耐熱性樹
脂を被覆したことを特徴とする抵抗体の製造方法
である。 （実施例） 以下、この発明を図示した一実施例に従つて詳
細に説明する。 第２図はこの発明方法により得られる抵抗体の
一例を示したものである。図において、１１はア
ルミナなどの耐熱性の絶縁基板、１２は絶縁基板
の上に焼付けた抵抗膜、１３，１４は抵抗膜１２
の端部の上に一部重なるように焼付けた引出電
極、１５は耐熱性樹脂で、抵抗膜１２と電極１
３，１４の重なり部分を含めて被覆している。 抵抗膜としては、RuO2系、Bi2Ru2O7系などの
材料が用いられる。また引出電極としてはCu系
の電極が用いられる。Cu電極は窒素雰囲気で500
〜650℃の温度で焼付けられる。ここで、Cuの焼
付けを窒素雰囲気で500〜650℃で行なうのは、こ
の温度範囲から外れると、良好な導電性を示す引
出電極が得られないからである。また耐熱性樹脂
としてはフエノール樹脂、エポキシ樹脂などが用
いられ、実際には無機質フイラー、溶剤とともに
混合してペースト状とし、たとえばスクリーン印
刷後硬化する。 次に、具体的な製造方法にしたがつて説明す
る。 抵抗膜の材料としてRuO2ペーストを用い、こ
れをスクリーン印刷して空気中800℃で焼付けて
抵抗膜を作成した。こののちCuペーストを抵抗
膜の端部に一部重なるように塗布し、窒素雰囲気
中600℃で焼付けた。さらに第２図に示すように、
抵抗膜とCuの引出電極とを含めてフエノール樹
脂ペーストをスクリーン印刷し、200℃で硬化し
て耐熱性樹脂を被覆した。 得られた抵抗体をSn60％、Pb40％の比率から
なる230℃の半田槽に５秒間浸漬し、そののち抵
抗値を測定し、初期抵抗値と比較してその変化率
を求めた。なおフラツクスとしてはロジン系のも
のを用いた。 下表は種々の面積抵抗値を有する抵抗体につい
て、抵抗変化率を示したものである。比較例とし
て耐熱性樹脂を被覆していないものの測定結果も
合わせて示した。
【表】
上表から明らかなようにこの発明方法によれ
ば、抵抗体の半田耐熱性を向上させることができ
るとともに、抵抗値の変化を小さくすることがで
きるという効果が得られている。 上記した実施例では、抵抗膜と引出電極の重な
り部分の上のみならず、抵抗膜の上に耐熱性樹脂
を被覆したが、この発明の目的を達成するために
抵抗膜と引出電極の重なり部分の上にのみ耐熱性
樹脂を被覆しても、十分目的を達成することがで
きる。 （発明の効果） この発明方法によれば、絶縁基板の上に、抵抗
膜を空気中で焼付け、この抵抗膜の端部の上に一
部重ねてCuペーストを塗布し、このCuペースト
を抵抗膜の焼付け温度より低い500〜650℃の温度
で窒素雰囲気で焼付けて、抵抗膜の端部に一部重
なる引出電極を形成し、さらに抵抗膜と引出電極
の重なり部分の上を耐熱性樹脂で被覆することに
より、抵抗体の半田耐熱性を向上させることがで
きるとともに、抵抗値の変化を小さくすることが
できるという効果を有する。
ば、抵抗体の半田耐熱性を向上させることができ
るとともに、抵抗値の変化を小さくすることがで
きるという効果が得られている。 上記した実施例では、抵抗膜と引出電極の重な
り部分の上のみならず、抵抗膜の上に耐熱性樹脂
を被覆したが、この発明の目的を達成するために
抵抗膜と引出電極の重なり部分の上にのみ耐熱性
樹脂を被覆しても、十分目的を達成することがで
きる。 （発明の効果） この発明方法によれば、絶縁基板の上に、抵抗
膜を空気中で焼付け、この抵抗膜の端部の上に一
部重ねてCuペーストを塗布し、このCuペースト
を抵抗膜の焼付け温度より低い500〜650℃の温度
で窒素雰囲気で焼付けて、抵抗膜の端部に一部重
なる引出電極を形成し、さらに抵抗膜と引出電極
の重なり部分の上を耐熱性樹脂で被覆することに
より、抵抗体の半田耐熱性を向上させることがで
きるとともに、抵抗値の変化を小さくすることが
できるという効果を有する。
第１図はこの発明の背景となつた抵抗体の断面
図、第２図はこの発明の製造方法により得られた
抵抗体の一実施例を示す断面図である。 １１……絶縁基板、１２……抵抗膜、１３，１
４……引出電極、１５……耐熱性樹脂。
図、第２図はこの発明の製造方法により得られた
抵抗体の一実施例を示す断面図である。 １１……絶縁基板、１２……抵抗膜、１３，１
４……引出電極、１５……耐熱性樹脂。
Claims (1)
- １ 絶縁基板の上に、抵抗膜を空気中で焼付け、
この抵抗膜の端部の上に一部重ねてCuペースト
を塗布し、このCuペーストを抵抗膜の焼付け温
度より低い500〜650℃の温度で窒素雰囲気で焼付
けて、抵抗膜の端部に一部重なる引出電極を形成
し、さらに抵抗膜と引出電極の重なり部分の上に
耐熱性樹脂を被覆したことを特徴とする抵抗体の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225535A JPH02110903A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1225535A JPH02110903A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 抵抗体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02110903A JPH02110903A (ja) | 1990-04-24 |
| JPH0553284B2 true JPH0553284B2 (ja) | 1993-08-09 |
Family
ID=16830818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1225535A Granted JPH02110903A (ja) | 1989-08-31 | 1989-08-31 | 抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02110903A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5355112A (en) * | 1992-02-07 | 1994-10-11 | Murata Mfg., Co., Ltd. | Fixed resistor |
| JPH11204301A (ja) * | 1998-01-20 | 1999-07-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗器 |
| KR100365692B1 (ko) | 2000-02-24 | 2002-12-26 | 삼성전자 주식회사 | 토너 화상 정착을 위한 직접 가열 롤러 및 그 제조 방법 |
| JP3840921B2 (ja) | 2001-06-13 | 2006-11-01 | 株式会社デンソー | プリント基板のおよびその製造方法 |
| KR20040053097A (ko) * | 2001-11-28 | 2004-06-23 | 로무 가부시키가이샤 | 칩 저항기와 그 제조방법 |
| KR20160032255A (ko) | 2009-09-04 | 2016-03-23 | 비쉐이 데일 일렉트로닉스, 인코포레이티드 | 저항 온도 계수 보상을 갖춘 저항기 |
| US10083781B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-09-25 | Vishay Dale Electronics, Llc | Surface mount resistors and methods of manufacturing same |
| US10438729B2 (en) | 2017-11-10 | 2019-10-08 | Vishay Dale Electronics, Llc | Resistor with upper surface heat dissipation |
| CN116420197B (zh) | 2020-08-20 | 2024-07-30 | 韦沙戴尔电子有限公司 | 电阻器、电流感测电阻器、电池分流器、分流电阻器及制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5132553B2 (ja) * | 1973-05-19 | 1976-09-13 | ||
| JPS5615761Y2 (ja) * | 1976-11-12 | 1981-04-14 | ||
| JPS5595302A (en) * | 1979-01-12 | 1980-07-19 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Chip resistor and method of fabricating same |
| JPS57145358A (en) * | 1981-03-03 | 1982-09-08 | Nec Corp | Preparation of thin-film resistor |
| JPS57191001U (ja) * | 1981-05-29 | 1982-12-03 | ||
| JPS57197802A (en) * | 1981-05-29 | 1982-12-04 | Rohm Kk | Chip-shaped electronic part |
| JPS5810886A (ja) * | 1981-07-11 | 1983-01-21 | 株式会社アサヒ化学研究所 | 絶縁基板に導体回路を作成する方法 |
-
1989
- 1989-08-31 JP JP1225535A patent/JPH02110903A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02110903A (ja) | 1990-04-24 |
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