JPH0555010A - 電圧非直線性素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 製造容易で，またバリスタ電圧のバラツキが
少ない電圧非直線性素子を製造すること。 【構成】 粒系０．０５〜１μｍのＺｎＯ粉末を加熱焼
成し，その焼結体を粉砕して焼結体粒子１１となし，該
焼結体粒子１１に絶縁性の結合材を添加混合してペイン
ト状となし，電極２，２間に配置し，加熱して，電圧非
直線性素子１とする。上記結合材として，Ｃｏ，Ｍｎ，
Ｂｉ，Ｐｒ，ＳｂおよびＴｉのいずれか１種以上を含有
する低融点ガラス（例えば鉛ガラス）を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は印加電圧によって抵抗値
が変化する電圧非直線性素子に関するもので，電圧安定
化，異常電圧制御，さらにはマトリクス駆動の液晶，Ｅ
Ｌなどの表示デバイスのスイッチング素子などに利用さ
れるものである。

【０００２】

【従来技術】従来の電圧非直線性素子は，酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）に，酸化ビスマス（Ｂｉ₂ Ｏ ₃ ），酸化コバルト
（ＣｏＯ），酸化マンガン（ＭｎＯ₂ ），酸化アンチモ
ン（Ｓｂ₂ Ｏ₃ ）などの酸化物を添加して，１０００〜
１３５０℃で焼結したバリスタなど，種々のものがあ
る。その中で，ＺｎＯバリスタは電圧非直線指数α，サ
ージ耐量が大きいことから，最も一般的に使われている
（特公昭４６−１９４７２号公報参照）。

【０００３】このような従来の電圧非直線性素子は，Ｚ
ｎＯバリスタを始めとして，素子の厚みを薄く（数十μ
ｍ以下）することに限界があるため，バリスタ電圧（バ
リスタに電流１ｍＡを流した時の電圧Ｖ１ｍＡで表され
る）を低くすることに限界があり，低電圧用ＩＣの保護
素子や低電圧における電圧安定化素子としては使えなか
った。また，上述したように，焼結時に，１０００℃以
上の高温プロセスを必要とするため，ガラス基板上ある
いは回路基板上に電圧非直線性素子を直接形成できない
という問題があった。さらに，従来のものは並列静電容
量が大きく，たとえば液晶などのスイッチ素子としては
不適当であるなどの問題点を有していた。

【０００４】この問題点を解決し，たとえば液晶のスイ
ッチング素子として使えるようにするために，半導体化
したＺｎＯ焼結体粒子を主体とし，この粒子の表面に薄
い絶縁性被膜を形成させたものの集合体からなる電圧非
直線性素子が開発された（たとえば特開昭６２−１９０
８０１号公報参照）。この方法は特に低電圧で電圧非直
線性の優れたものが比較的容易に得られること，並列静
電容量が小さいものができるという特徴がある。

【０００５】この方法を更に詳しく説明すると，先ずＺ
ｎＯ粉末，或いはこれに微量の添加物を加えたものを７
００℃以上の高温で焼成する。このようにして得られた
焼結体を平均粒子径１〜２０μｍに粉砕し，焼結体粒子
を得る。この焼結体粒子に，高抵抗層化合物として，た
とえばＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｐｒ，Ｓｂなどの酸化物を添
加して７００℃以上の温度で焼成する。これによって焼
結体粒子の個々の表面がこれらの添加物成分を含む高抵
抗層で覆われた状態になる。そして，上記電圧非直線性
素子は，上記高抵抗層が表面に形成された焼結体粒子
を，無機質あるいは有機質の結合材で固めて電極を付け
たものである。

【０００６】こうして得られる電圧非直線性素子は，そ
の電圧電流特性が，非常に急峻な非直線性を示す。その
微構造をＺｎＯバリスタとの比較で見れば，ＺｎＯバリ
スタは，微結晶粒子が高抵抗層を通じて面接触している
のに対して，この電圧非直線性素子は，微結晶粒子が高
抵抗層を介して点接触している。したがって，該電圧非
直線性素子の持つ並列静電容量は，従来のＺｎＯバリス
タと比較して桁違いに小さい。このことは，本素子を液
晶のマトリックス駆動におけるアクティブ素子として用
いる場合，静電容量によるロスがなくなり，高デューテ
ィー駆動に好適である。

【０００７】また，この従来方法では，あらかじめ作成
したバリスタ粒子（前記焼結体粒子）を結合材と混ぜて
ペースト化し，これを基板に印刷して，焼付け，硬化し
てバリスタを形成することも可能である。バリスタを液
晶のアクティブマトリックス駆動用素子として使う試み
は，種々検討されてきた。しかし，実用化を阻んでいる
問題は，バリスタ電圧の低いものが出来にくいというこ
とと，特性のバラツキがあげられる。

【０００８】バリスタ電圧は電極間距離に比例するか
ら，低いバリスタ電圧を得ようとすれば，電極間隔を短
くすれば良い。電極間隔が同じであっても，電極間に直
列に並ぶバリスタ粒子の数を制御することによって，バ
リスタ電圧を変えることができる。即ち，バリスタ粒子
の粒径を変えると，バリスタ電圧はそれに伴って変動す
る。例えば，粒径が倍になると，バリスタ電圧は半分に
なる。電極間距離と粒径の制御によって，上記方法で得
られるバリスタ素子は，液晶のアクティブマトリックス
駆動素子として有用である。また，電極間距離１０〜数
１００μｍの範囲でもバリスタ電圧１０Ｖ以上で特性の
優れたものを，自由に得ることができる。

【０００９】

【解決しようとする課題】しかしながら，上記後者の従
来方法（後者の公報）で得られる電圧非直線性素子は，
次の問題点がある。即ち，電圧非直線性素子を液晶のマ
トリックス駆動用素子として使う場合は，駆動する画素
１個に１個ずつのバリスタをＩＴＯ基板上に形成しなけ
ればならない。たとえば，６４０×４８０の画素数であ
れば，それだけの数のバリスタアレイを基板上に形成す
る必要がある。そのため，これだけの数のバリスタを歩
留まり良く，バラツキを抑えて，作ることが要求され
る。

【００１０】そのため，前記焼結体粒子を用いる上記従
来の製造方法は，個々のＺｎＯ焼結体粒子に関して半導
体化した焼結体粒子の表面に，Ｍｎ，Ｃｏ等の高抵抗層
が均一に出来ていることが不可欠である。そのために焼
結体粒子をＭｎ，Ｃｏ等の酸化物でまぶした後，再度焼
成してこれを再度粉砕していた。しかし，この方法では
高抵抗層を形成した焼結体粒子は，粉砕のとき高抵抗層
に沿ってすべてが粉砕されるとは限らず，粉砕方法を注
意しても，最終的にすべての焼結体粒子の表面が高抵抗
層に覆われている保証はない。このことは，最終的なバ
リスタ特性の低下，およびバラツキになって現れる。

【００１１】このように従来の製造方法は，Ｍｎ，Ｃｏ
等の上記高抵抗層化合物を焼結体粒子にまぶし，再焼
成，再粉砕するという煩雑な製造工程を必要とし，また
得られた電圧非直線性素子はバリスタ電圧のバラツキが
大きい。本発明者らは，かかる問題点を解決すべく鋭意
検討を重ね，本発明をなすに至ったのである。本発明
は，製造容易で，かつバリスタ電圧のバラツキが少ない
電圧非直線性素子の製造方法を提供しようとするもので
ある。

【００１２】

【課題の解決手段】本発明は，ＺｎＯ粉末を加熱焼成
し，その焼結体を粉砕して焼結体粒子となし，該焼結体
粒子に絶縁性の結合材を添加混合して，これを複数の電
極の間に配置し，その後熱処理することにより電圧非直
線性素子を製造する方法において，上記結合材は，Ｃ
ｏ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ｐｒ，ＳｂおよびＴｉのいずれか一種
以上の添加元素を含有する低融点ガラスの粉末であるこ
とを特徴とする電圧非直線性素子の製造方法にある。本
発明においても最も注目すべきことは，上記結合材とし
ては，Ｃｏ（コバルト），Ｍｎ（マンガン），Ｂｉ（ビ
スマス），Ｐｒ（プラセオジウム），Ｓｂ（アンチモ
ン），又はＴｉ（チタン）の１種以上の添加元素を含有
する低融点ガラスの粉末を用いることにある。

【００１３】上記添加元素は，低融点ガラス中において
は，酸化物の状態で加えられている。また，添加元素
は，各該当酸化物に換算して低融点ガラス中に０．１〜
３０モル％含有されていることが好ましい。ここに，該
当酸化物とは，ＣｏはＣｏＯ，ＭｎはＭｎＯ₂ ，Ｂｉは
Ｂｉ₂ Ｏ₃ ，ＰｒはＰｒ₆ Ｏ₁₁ ，ＳｂはＳｂ₂ Ｏ₃，
ＴｉはＴｉＯ₂ をいう。上記０．１モル％未満では，電
圧非直線性素子の特性向上が認められず，一方３０モル
％を越えると低温でＺｎＯ粒子を結合しにくくなるとい
う問題を生ずるおそれがある。

【００１４】また，上記添加元素を添加する際のベース
となる低融点ガラスとしては，ＰｂＯ−ＳｉＯ₂ −Ｂ₂
Ｏ₃ 系の鉛ガラス，ＺｎＯ−Ｂ₂ Ｏ₃ −ＳｉＯ₂ 系の亜
鉛ガラスなどがある。本発明においては，これら低融点
ガラス中に上記添加元素を含有させてなる結合材を用い
るのである。また，低融点ガラスとして，ＰｂＯが４０
〜９５モル％，ＳｉＯ₂ が０〜１０モル％，Ｂ₂ Ｏ₃が
１〜５０モル％と，上記添加元素が上記該当酸化物換算
で０．１〜３０モル％とよりなる鉛ガラスを用いること
もできる。この場合は，特に低温でのＺｎＯ粒子の結合
性に関して優れている。

【００１５】また，本発明において焼結体粒子は，次の
ようにして得られる。即ち，まず従来と同様に，ＺｎＯ
粉末（酸化亜鉛粉末）の集合体を１０００〜１３５０℃
において加熱焼成し，粒子を大きくすると共にこれを半
導体化させる。上記ＺｎＯ粉末としては，例えば粒径１
μｍ以下の微細粉末を用いる。次いで，上記加熱焼成に
より得られた焼結体を粉砕する。これによりＺｎＯの焼
結体粒子が得られる。また，上記焼結体粒子は，ＺｎＯ
のみならず，その粒子の表面にＢｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｐ
ｒ，Ｓｂのいずれかを含む高抵抗層用化合物の１種類以
上からなる高抵抗層を有するものを用いることもでき
る。かかる高抵抗層の形成は，一旦前記のごとく焼結体
粒子を作り，該焼結体粒子に上記高抵抗層用化合物を添
加して，再焼成し，その再焼結体をほぐすことにより行
う。そして，このように高抵抗層を形成した焼結体粒子
に，本発明にかかる結合材を加えて結合する。

【００１６】上記高抵抗層用化合物としては，Ｂｉ₂ Ｏ
₃ ，ＣｏＯ，ＭｎＯ₂ ，Ｐｒ₆ Ｏ₁₁，Ｓｂ₂ Ｏ₃ などが
ある。また，これらに，添加副成分として，Ａｌ（アル
ミニウム），Ｔｉ（チタン），Ｓｒ（ストロンチウ
ム），Ｍｇ（マグネシウム），Ｎｉ（ニッケル），Ｃｒ
（クロム），Ｓｉ（ケイ素）等の元素の金属酸化物，ま
たはこれらの金属の有機化合物を用いることもできる。

【００１７】また，上記焼結体粒子には，本発明にかか
る上記絶縁性の結合材を添加混合してペイント材とな
し，該ペイント材を絶縁基板上に設けた複数の電極間に
塗布し，その後熱処理して，電圧非直線性素子を得る。
この熱処理は，通常３００〜５５０℃で行う。また，上
記結合材は，上記低融点ガラス粉末にエチルセルロース
等の有機バインダーを混合して，上記焼結体粒子との混
合時にペースト状にし易くする。上記有機バインダー
は，上記熱処理時に焼失する。また，上記結合材は，Ｚ
ｎＯ粉末に対して１０〜１００重量％添加することが好
ましい。１０％未満では結合が不充分で，１００％を越
えると電圧非直線性素子の機能が低下するおそれがあ
る。

【００１８】

【作用及び効果】本発明においては，上記焼結体粒子
を，上記Ｃｏ，Ｍｎ，Ｐｒ等の添加元素を含有する低融
点ガラスで結合している。そして，これらを電極間に配
置し，熱処理して電圧非直線性素子を製造する。そのた
め，この，熱処理時において，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｐｒ等の添
加元素が焼結体粒子の表面に作用してバリスタ特性を生
ずるようになる。

【００１９】また，本発明により得られる電圧非直線性
素子は，低電流領域で電圧非直線指数αが大きく特性の
バラツキの小さいものである。そのため，消費電流の小
さい液晶，ＥＬなどのデバイスのスイッチング素子とし
て最適な素子である。また，バリスタ電圧の低いものが
得られ，上記電圧非直線指数αが大きいことと相まっ
て，従来のＺｎＯバリスタでは対応することが出来なか
った低電圧用ＩＣの保護素子や低電圧における電圧安定
化素子として使用することができる。

【００２０】また，本発明においては，従来のごとく，
ＺｎＯ粉末にＭｎ，Ｃｏ等をまぶして，再焼結，再粉砕
するという煩雑な工程が不要となり，製造容易である。
さらに，低融点ガラスを用いた結合材により固結して素
子形成を行うために，素子製造過程において高温プロセ
スを必要としない。そのため，回路基板やガラス基板上
に素子を直接形成することができる。上記のごとく，本
発明によれば，製造容易で，かつバリスタ電圧のバラツ
キが少ない電圧非直線性素子の製造方法を提供すること
ができる。

【００２１】

【実施例】

実施例１ 本発明の実施例にかかる電圧非直線性素子の製造方法に
つき説明する。まず，初めに，本発明により得ようとす
る電圧非直線性素子につき，図１〜図３につき説明す
る。まず，図１に示す電圧非直線性素子１は，絶縁体と
してのガラス基板３，３の間に，ＩＴＯ（インジウム−
錫酸化物）電極２，２を介して素子本体１０を形成した
ものである。該素子本体１０は，ＺｎＯの焼結体粒子１
１と，Ｍｎ，Ｐｒ等の添加元素を含有する低融点ガラス
１２との混合物からなる。また，図２は，上記図１に示
した電圧非直線性素子１における，素子本体周囲の全体
を示す側面図である。また，図３は，他の構造の電圧非
直線性素子４を示している。該電圧非直線性素子４は，
１枚のガラス基板３の上に電極２１，２１を設け，該電
極２１，２１の間に上記と同様の素子本体１０を形成し
たものである。

【００２２】次に，上記図１に示した電圧非直線性素子
１を製造するに当たっては，まずＺｎＯ粉末を加熱焼成
し，得られた焼結体を粉砕してＺｎＯの焼結体粒子１１
とする。その後，該焼結体粒子１１に粉末状の低融点ガ
ラス１２と有機バインダーとからなる結合材を添加混合
し，ペイント状とする。次いで，該ペイントを，図１に
示すごとく，ガラス基板３上に形成したＩＴＯ電極２の
上に，スクリーン印刷等により塗布する。そして，該ペ
イント層の上に，同様に別途ガラス基板３上に形成して
あるＩＴＯ電極２を載置する。

【００２３】その後，これらを例えば３００〜５００
℃，１０〜３０分間，大気中で熱処理し，結合材中の有
機バインダーを焼失させる。また，これにより，結合材
中の低融点ガラス１２を溶融させ，焼結体粒子１１を固
結すると共に，これらをＩＴＯ電極２に結合させる。な
お，上記焼結体粒子１１に，別途，高抵抗層形成用のＭ
ｎＯ₂ 粉末を添加し，再焼成し，その焼結体を粒状にほ
ぐした場合には，焼結体粒子１１の表面にＭｎＯ₂ の高
抵抗層被膜が数１０〜数１００オングストロームの厚み
で被覆されている。そして，この場合には，高抵抗層被
膜を有する焼結体粒子を，上記と同様に結合材と混合
し，ペイントとなす。

【００２４】実施例２ 表１に示す種々の組成を有する低融点ガラスを準備し，
これにより焼結体粒子を結合させた電圧非直線性素子を
作製した。そして，各電圧非直線性素子について，その
非直線性指数α，絶縁性，耐久性を測定した。その結果
を表２に示す。即ち，粒径０．０５〜１μｍのＺｎＯ粉
末を，約１０００℃で加熱焼成して，焼結体を得た。次
いで，該焼結体を，粉砕機を用いて粉砕し，平均粒径１
〜２０μｍの焼結体粒子となした。次に，この焼結体粒
子５５ｗｔ％に，上記表１に示した鉛ガラス系の低融点
ガラスを含む結合材を４５ｗｔ％添加混合し，ペイント
状にした。なお，この結合材は，上記低融点ガラス粉末
３０ｗｔ％と，有機バインダーとしてのエチルセルロー
ス８ｗｔ％とからなるものである。次に，上記ペイント
を実施例１に示したごとく，ガラス基板に接合した電極
上にスクリーン印刷塗布し，同様にガラス基板上に設け
た電極を重ね，４４０℃で６０分間，大気中で熱処理
し，電圧非直線性素子を得た。

【００２５】この電圧非直線性素子につき，表２に示す
ごとく，バリスタ電圧のバラツキ，後述する非直線性指
数α，絶縁性及び耐久性を測定した。同表において，バ
リスタ電圧のバラツキについては，同バラツキが１０％
未満の場合は○を，１０〜２０％の場合を△で示した。
また，絶縁性とは電圧を１０Ｖ印加した時に流れる電流
量の大きさを表し，同表中○はその電流量が１０^-11 Ａ
よりも小さい場合を，△は１０^-11 Ａ付近の場合を，×
は１０^-11 Ａより大きい場合を示している。また，耐久
性は，電圧−電流特性の測定法により測定した。ここに
耐久性とは，初回と１０回目の測定結果から求め，同表
中○は特性が劣化しない場合を，△は特性が劣化する場
合を示す。

【００２６】表２より知られるごとく，本発明にかかる
試料Ｎｏ．１〜７は，バリスタ電圧のバラツキが低い。
また，これらは，いずれも本発明の低融点ガラス結合材
を用いない比較試料Ｎｏ．Ｃ１に比して高い非直線性指
数αを有している。その中，特に試料Ｎｏ．２，４，７
は優れた非直線性指数αを示している。なお，比較試料
Ｎｏ．Ｃ２は結合材として樹脂を用いたもので，その非
直線性指数αは低い。また，絶縁性及び耐久性に関して
は，本発明の素子は，比較試料Ｃ１，Ｃ２に比して同一
又はそれより優れている。

【００２７】

【表１】

【００２８】

【表２】

【００２９】実施例３ 実施例２に示した焼結体粒子に高抵抗層用化合物として
のＭｎＯ₂ 及びＣｏＯを添加混合して再焼成し，電圧非
直線性素子を作製した。即ち，実施例２と同様にして得
た焼結粒子１００モル％に，高抵抗層用化合物としての
ＭｎＯ₂ 及びＣｏＯをそれぞれ０．５モル％づつ添加
し，これらを１２００℃で６０分間再焼成した。その
後，得られた焼結体をほぐし，表面に，ＭｎＯ₂ 及びＣ
ｏＯからなる高抵抗層を有する再焼結体粒子を得た。更
に，該再焼結体粒子に対して，実施例１と同様に，表１
に示した低融点ガラスを含む結合材を加え，電圧非直線
素子を作製した。その結果を実施例２と同様にして表３
に示した。

【００３０】表３より知られるごとく，本発明にかかる
試料Ｎｏ．１１〜１７の素子は，バリスタ電圧のバラツ
キが低く，また比較試料Ｃ１１，Ｃ１２に比して高い非
直線性指数αを示している。また，絶縁性，耐久性に関
しても，比較例と同様か又はそれより優れた結果が得ら
れる。

【００３１】

【表３】

【００３２】実施例４ 次に，電圧非直線性素子の電圧−電流特性について，図
４を用いて説明する。同図において，特性Ａ及びＢは，
本発明の電圧非直線性素子（試料Ｎｏ．２及びＮｏ．１
２）の，特性Ｄは従来のＺｎＯバリスタ（比較例Ｎｏ．
Ｃ３）の，特性Ｃは従来の電圧非直線性素子（比較例Ｎ
ｏ．Ｃ１）の特性を示している。この電圧非直線性素子
は，素子面積１ｍｍ² ，電極間距離３０μｍである。

【００３３】上記比較例Ｎｏ．Ｃ３（従来のＺｎＯバリ
スタ）は，次の条件で作成したものである。即ち，Ｚｎ
Ｏ粉末９８．５モル％とＢｉ₂ Ｏ₃ ，ＣｏＯ，ＭｎＯ₂
の各粉末０．５モル％とを混合，成形し，１２５０℃で
焼成した。

【００３４】さて，電圧非直線性素子の電圧−電流特性
は，良く知られているように，近似的に，〔Ｉ−ＫＶ
α〕なる計算式で示されている。ここで，Ｉは素子に流
れる電流，Ｖは素子の電極間の電圧，Ｋは固有抵抗の抵
抗値に相当する定数，αは上述した電圧非直線性特性の
指数を示している。また，この電圧非直線指数αが大き
い程，電圧非直線性が優れていることになる。また，通
常，ＺｎＯバリスタではバリスタ特性を表すのに，例え
ば素子に１ｍＡの電流を流した時の電極間に現れる電圧
をバリスタ電圧Ｖ（ｌｍＡ）と呼び，このバリスタ電圧
Ｖ（ｌｍＡ）と上記電圧非直線指数αとを使用してい
る。

【００３５】そして，図４の特性に示されるように，ま
ず特性Ｄで示される従来のＺｎＯバリスタ（比較例Ｎ
ｏ．Ｃ３）は，低電圧域において，電圧非直線指数αが
小さく，１０^-4Ａ以下の電流では，良好な電圧非直線性
素子としての機能を発揮しえない。一方，上記従来の電
圧非直線性素子（比較例Ｎｏ．Ｃ１）は，特性Ｃで示さ
れるように，低電流域においても電圧非直線指数αが大
きく，１０^-10 Ａ程度の電流域でも十分に電圧非直線性
素子としての機能を発揮することができることを示して
いる。次に，本発明における電圧非直線性素子の電圧−
電流特性は，特性Ａ（試料Ｎｏ．２）及びＢ（試料Ｎ
ｏ．１２）で示すごとく，低融点ガラスに本発明に関す
る添加元素を含有していない上記比較例Ｎｏ．Ｃ１に比
して，更に低電流領域における特性が向上していること
が分かる。それ故，バリスタ電圧Ｖ（１ｍＡ）も更に低
くすることができることが分かる。

【００３６】なお，図４の特性は，上述したように電極
間距離を３０μｍとした素子についてのものであるが，
これはＺｎＯ粉末の平均粒径が５〜１０μｍという比較
的大きな粒径のためにこれ以上狭くすることが出来ない
からである。電極間距離を狭くすれば，バリスタ電圧を
低くすることができる。即ち，もしも，ＺｎＯ粉末とし
て平均粒径が０．３〜３μｍのものを使えば，電極間距
離が１０μｍ程度もしくは以下の素子を作成することが
でき，図４と同じような良好な特性が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の電圧非直線性素子の拡大断面図。

【図２】実施例１の電圧非直線性素子の側面図。

【図３】実施例１の他の電圧非直線性素子を示す側面
図。

【図４】実施例４における，本発明の電圧非直線性素子
及び比較例Ｃ１，Ｃ３の，電圧−電流特性線図。

【符号の説明】

１．．．電圧非直線性素子， １１．．．焼結体粒子， ２．．．ＩＴＯ電極，

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 増山 勇 大阪府高槻市日吉台２番地３番３号 有限 会社増山新技術研究所内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＺｎＯ粉末を加熱焼成し，その焼結体を
   粉砕して焼結体粒子となし，該焼結体粒子に絶縁性の結
   合材を添加混合して，これを複数の電極の間に配置し，
   その後熱処理することにより電圧非直線性素子を製造す
   る方法において， 上記結合材は，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ｐｒ，ＳｂおよびＴ
   ｉのいずれか一種以上の添加元素を含有する低融点ガラ
   スの粉末であることを特徴とする電圧非直線性素子の製
   造方法。
2. 【請求項２】 請求項１において，上記添加元素は，各
   該当酸化物に換算して，低融点ガラス中に０．１〜３０
   モル％含有されていることを特徴とする電圧非直線性素
   子の製造方法。
3. 【請求項３】 請求項１において，上記低融点ガラス
   は，ＰｂＯが４０〜９５モル％，ＳｉＯ₂ が０〜１０モ
   ル％，Ｂ₂ Ｏ₃ が１〜５０モル％と，上記添加元素が各
   該当酸化物換算で０．１〜３０モル％とよりなる鉛低融
   点ガラスであることを特徴とする電圧非直線性素子の製
   造方法。
4. 【請求項４】 請求項１において，上記焼結体粒子は，
   その表面に，Ｂｉ，Ｃｏ，Ｍｎ，Ｐｒ，Ｓｂのいずれか
   を含む高抵抗層用化合物の１種類以上からなる高抵抗層
   を有することを特徴とする電圧非直線性素子の製造方
   法。