JPH0555103A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH0555103A JPH0555103A JP3240256A JP24025691A JPH0555103A JP H0555103 A JPH0555103 A JP H0555103A JP 3240256 A JP3240256 A JP 3240256A JP 24025691 A JP24025691 A JP 24025691A JP H0555103 A JPH0555103 A JP H0555103A
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 多数の動作パラメータに従って動作する半導
体製造装置において、マスク工程やロット工程の切換時
間の短縮を図り、もってスループットの向上を図る。 【構成】 多数の動作パラメータが格納されているファ
イル２４から当該半導体製造装置が動作するために必要
な動作パラメータをロードされるメモリを少なくとも２
つ設定し、かつあるロットを処理するための動作パラメ
ータを第１のメモリ２７にロードし、第１のメモリにロ
ードされた動作パラメータに従って当該装置の製造動作
が実行されている間に次ロットを処理するための動作パ
ラメータを第２のメモリ２８にロードするロード手段を
設ける。
体製造装置において、マスク工程やロット工程の切換時
間の短縮を図り、もってスループットの向上を図る。 【構成】 多数の動作パラメータが格納されているファ
イル２４から当該半導体製造装置が動作するために必要
な動作パラメータをロードされるメモリを少なくとも２
つ設定し、かつあるロットを処理するための動作パラメ
ータを第１のメモリ２７にロードし、第１のメモリにロ
ードされた動作パラメータに従って当該装置の製造動作
が実行されている間に次ロットを処理するための動作パ
ラメータを第２のメモリ２８にロードするロード手段を
設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩやＶＬＳＩ等の
半導体デバイスを製造する装置に関し、特に半導体デバ
イスの製造動作におけるロットの切換え動作を迅速に行
なうことができる半導体製造装置に関する。
半導体デバイスを製造する装置に関し、特に半導体デバ
イスの製造動作におけるロットの切換え動作を迅速に行
なうことができる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造装置は高機能化や高性能化に
伴って、この種の装置を動作させる際のパラメータが増
加してきた。このようなパラメータは例えばステップア
ンドリピート式の本装置においては数十個から時には数
百個にも及ぶ場合がある。
伴って、この種の装置を動作させる際のパラメータが増
加してきた。このようなパラメータは例えばステップア
ンドリピート式の本装置においては数十個から時には数
百個にも及ぶ場合がある。
【０００３】従来、これら数多くのパラメータはマスク
工程やロットを切換える時にファイルからメモリにロー
ドした後、処理している。また次ロット処理で使用する
レチクルもこの時に準備している。
工程やロットを切換える時にファイルからメモリにロー
ドした後、処理している。また次ロット処理で使用する
レチクルもこの時に準備している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例で
はマスク工程やロットを切換える際、次のような欠点が
あった。
はマスク工程やロットを切換える際、次のような欠点が
あった。
【０００５】（１）膨大な動作パラメータをファイルか
らメモリにロードするため次ロットで処理する動作パラ
メータをメモリ上に準備する時間がかかり過ぎる。
らメモリにロードするため次ロットで処理する動作パラ
メータをメモリ上に準備する時間がかかり過ぎる。
【０００６】（２）次ロット処理で使用するレチクルを
露光動作するために必要な位置（レチクルステージ）に
搬入する時間がかかり過ぎる。
露光動作するために必要な位置（レチクルステージ）に
搬入する時間がかかり過ぎる。
【０００７】上記従来例では以上のような欠点により、
たとえロット内でのウエハ処理枚数を多くしロット内で
のスループットを向上したとしても、マスク工程やロッ
トを切換える時に時間がかかってしまっては総合的なス
ループット向上は図れないという問題があった。
たとえロット内でのウエハ処理枚数を多くしロット内で
のスループットを向上したとしても、マスク工程やロッ
トを切換える時に時間がかかってしまっては総合的なス
ループット向上は図れないという問題があった。
【０００８】本発明は、上記従来例における問題点に鑑
みてなされたもので、マスク工程やロットを切換え時の
時間短縮を図り、もって総合的なスループットの向上を
図ることを目的とする。
みてなされたもので、マスク工程やロットを切換え時の
時間短縮を図り、もって総合的なスループットの向上を
図ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の半導体製造装置は、上記動作パラメータが
格納されているファイルから当該半導体製造装置が動作
するために必要な動作パラメータをロードされるメモリ
を少なくとも２つ設定し、かつあるロットを処理するた
めの動作パラメータを一のメモリにロードし、該一のメ
モリにロードされた動作パラメータに従って当該装置の
製造動作が実行されている間に次ロットを処理するため
の動作パラメータを他のメモリにロードするロード手段
を設けている。
め、本発明の半導体製造装置は、上記動作パラメータが
格納されているファイルから当該半導体製造装置が動作
するために必要な動作パラメータをロードされるメモリ
を少なくとも２つ設定し、かつあるロットを処理するた
めの動作パラメータを一のメモリにロードし、該一のメ
モリにロードされた動作パラメータに従って当該装置の
製造動作が実行されている間に次ロットを処理するため
の動作パラメータを他のメモリにロードするロード手段
を設けている。
【００１０】本発明の１つの態様において、前記製造動
作は露光動作であり、前記２つのメモリはコンソールユ
ニットに設定されており、あるロットを処理するための
動作パラメータのロード指令はホストコンピュータまた
はコンソールユニットのキーボードから受け、各ロット
を処理するための動作パラメータを前記２つのメモリの
いずれにロードするかはコンソールユニットが判断する
ようになっている。
作は露光動作であり、前記２つのメモリはコンソールユ
ニットに設定されており、あるロットを処理するための
動作パラメータのロード指令はホストコンピュータまた
はコンソールユニットのキーボードから受け、各ロット
を処理するための動作パラメータを前記２つのメモリの
いずれにロードするかはコンソールユニットが判断する
ようになっている。
【００１１】また、本発明の他の態様においては、ある
ロットの製造動作中に次ロットを処理するための動作パ
ラメータを前記２つのメモリのいずれかへロードし、該
メモリ内のレチクル情報により次ロットで使用するレチ
クルを決定し、そのレチクルをレチクル待機位置まで搬
入するように構成される。
ロットの製造動作中に次ロットを処理するための動作パ
ラメータを前記２つのメモリのいずれかへロードし、該
メモリ内のレチクル情報により次ロットで使用するレチ
クルを決定し、そのレチクルをレチクル待機位置まで搬
入するように構成される。
【００１２】
【作用】本発明によれば、ロット処理を行なうために必
要な動作パラメータを準備するメモリを２つ設けること
により、次ロット処理に必要なパラメータを前ロットの
露光動作中に準備することができ、マスク工程やロット
の切換えを迅速に行なうことができる。これにより、半
導体製造装置のスループットを向上させることができ
る。
要な動作パラメータを準備するメモリを２つ設けること
により、次ロット処理に必要なパラメータを前ロットの
露光動作中に準備することができ、マスク工程やロット
の切換えを迅速に行なうことができる。これにより、半
導体製造装置のスループットを向上させることができ
る。
【００１３】また、上記した他の態様によれば、次ロッ
ト処理で使用するレチクルについても前ロットの露光動
作中にレチクル待機位置まで準備することができ、マス
ク工程やロットの切換え時、レチクルのレチクルステー
ジへの搬入を迅速に行なうことが可能になり、さらにス
ループットを向上させることができる。
ト処理で使用するレチクルについても前ロットの露光動
作中にレチクル待機位置まで準備することができ、マス
ク工程やロットの切換え時、レチクルのレチクルステー
ジへの搬入を迅速に行なうことが可能になり、さらにス
ループットを向上させることができる。
【００１４】
【実施例】以下、図面に従って本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１５】図２は、本発明を適用したステップアンド
リピート方式の半導体焼付装置の外観を示す斜視図であ
る。同図において、焼付光源１０からの光で照明される
レチクル１は、ＸＹ直角座標面内で移動可能で且つ垂直
軸θの周りに回動可能なレチクルステージ２に保持さ
れ、レチクルパターンを焼付レンズ３を介してウエハス
テージ６上のウエハ４に投影するようになされている。
この投影光学系にはＴＴＬアライメントおよび観察用の
アライメントスコープ５が組合わされ、９はそのための
撮像管である。さらにまたこの投影光学系にはオフアク
シスのＩＴＶプリアライメント系も付設されており、７
はその対物レンズ、８はその撮像管である。１１ａ，１
１ｂはウエハをステージ６へ送給するウエハ供給用キャ
リア、１２ａ，１２ｂはステージ６からウエハを引きと
るウエハ回収用キャリアであり、これらキャリアとステ
ージとの間のウエハの受渡しは、それぞれ定められたス
テージ位置（受渡し位置）でハンド装置１６により行な
われる。１３は前記撮像管７および８によって撮像した
映像を選択的にモニタ表示するＣＲＴ表示装置、１４は
ジョイスティックやスイッチ類を有する操作パネル、１
５はシステムを制御するコンソールである。１７はレチ
クル待機位置である。
リピート方式の半導体焼付装置の外観を示す斜視図であ
る。同図において、焼付光源１０からの光で照明される
レチクル１は、ＸＹ直角座標面内で移動可能で且つ垂直
軸θの周りに回動可能なレチクルステージ２に保持さ
れ、レチクルパターンを焼付レンズ３を介してウエハス
テージ６上のウエハ４に投影するようになされている。
この投影光学系にはＴＴＬアライメントおよび観察用の
アライメントスコープ５が組合わされ、９はそのための
撮像管である。さらにまたこの投影光学系にはオフアク
シスのＩＴＶプリアライメント系も付設されており、７
はその対物レンズ、８はその撮像管である。１１ａ，１
１ｂはウエハをステージ６へ送給するウエハ供給用キャ
リア、１２ａ，１２ｂはステージ６からウエハを引きと
るウエハ回収用キャリアであり、これらキャリアとステ
ージとの間のウエハの受渡しは、それぞれ定められたス
テージ位置（受渡し位置）でハンド装置１６により行な
われる。１３は前記撮像管７および８によって撮像した
映像を選択的にモニタ表示するＣＲＴ表示装置、１４は
ジョイスティックやスイッチ類を有する操作パネル、１
５はシステムを制御するコンソールである。１７はレチ
クル待機位置である。
【００１６】図１は半導体製造装置の制御部ブロック図
である。同図において、１８は装置全体の制御を司る本
体ＣＰＵでマイクロコンピュータの中央演算処理装置で
ある。１９はコンソールユニットで、ロット処理に必要
な動作パラメータや露光指令を本体ＣＰＵ１８に与える
ものである。２０はこの半導体製造装置に対してロット
処理に必要な動作パラメータを指示したり露光処理開始
指示を行なったりするホストコンピュータで、パソコン
またはミニコン等のコンピュータである。２４は動作パ
ラメータやプログラムが格納されているファイルであ
る。２５は装置に指令を与えるコンソールのモニタ受像
機、２６は装置に指令を与えたりパラメータを入力する
キーボードである。２７，２８は動作パラメータをファ
イル２４からロードされて記憶するメモリである。２９
はホストコンピュータ２０またはキーボード２６からの
指令により処理を行なうプログラムをロードし実行する
ためのプログラムメモリである。動作パラメータをロー
ドされて記憶するメモリ２７，２８および前記プログラ
ムメモリはコンソールユニット１９内に設けられてい
る。また、ファイル２４、モニタ受像機２５およびキー
ボード２６はコンソールユニット１９の一部を構成して
いる。
である。同図において、１８は装置全体の制御を司る本
体ＣＰＵでマイクロコンピュータの中央演算処理装置で
ある。１９はコンソールユニットで、ロット処理に必要
な動作パラメータや露光指令を本体ＣＰＵ１８に与える
ものである。２０はこの半導体製造装置に対してロット
処理に必要な動作パラメータを指示したり露光処理開始
指示を行なったりするホストコンピュータで、パソコン
またはミニコン等のコンピュータである。２４は動作パ
ラメータやプログラムが格納されているファイルであ
る。２５は装置に指令を与えるコンソールのモニタ受像
機、２６は装置に指令を与えたりパラメータを入力する
キーボードである。２７，２８は動作パラメータをファ
イル２４からロードされて記憶するメモリである。２９
はホストコンピュータ２０またはキーボード２６からの
指令により処理を行なうプログラムをロードし実行する
ためのプログラムメモリである。動作パラメータをロー
ドされて記憶するメモリ２７，２８および前記プログラ
ムメモリはコンソールユニット１９内に設けられてい
る。また、ファイル２４、モニタ受像機２５およびキー
ボード２６はコンソールユニット１９の一部を構成して
いる。
【００１７】次に、図３を参照しながら図１と図２に示
す装置の動作を説明する。装置の動作はＣＰＵ１８の制
御の下に行われる。
す装置の動作を説明する。装置の動作はＣＰＵ１８の制
御の下に行われる。
【００１８】ステップ１０１でホストコンピュータ２０
から第１ロット用の動作パラメータのロード要求を装置
のコンソールユニット１９が受ける。ステップ１０２で
は指定された動作パラメータをファイル２４から第１メ
モリ２７へロードし、メモリ内のレチクル情報（レチク
ルテーブルパラメータおよびレチクルＩＤパラメータな
ど）により第１ロットで使用するレチクルを決定し、そ
のレチクルをレチクルステージ２へ搬入する。その後、
装置からホストコンピュータ２０に対してロード完了報
告を行なう。次にステップ１０３で第１ロット露光開始
指令を行なうと、ステップ１０４におけるコンソールユ
ニット１９では、第１メモリ２７内の動作パラメータを
本体ＣＰＵ１８へ転送し、露光処理を開始する。露光処
理が開始すると、露光開始報告をホストコンピュータ２
０へ報告し、次ロットの要求を待つ。この状態でステッ
プ１０５ではホストコンピュータ２０から第２ロット用
の動作パラメータのロード要求を装置のコンソールユニ
ット１９へ送る。ステップ１０６では指定された動作パ
ラメータをファイル２４から第２メモリ２８へロード
し、メモリ内のレチクル情報（レチクルテーブルパラメ
ータおよびレチクルＩＤパラメータなど）により、第２
ロットで使用するレチクルを決定する。この場合は第１
ロットの露光動作中であるため、決定したレチクルはレ
チクルステージ２へは搬入せずレチクル待機位置１７に
準備する。
から第１ロット用の動作パラメータのロード要求を装置
のコンソールユニット１９が受ける。ステップ１０２で
は指定された動作パラメータをファイル２４から第１メ
モリ２７へロードし、メモリ内のレチクル情報（レチク
ルテーブルパラメータおよびレチクルＩＤパラメータな
ど）により第１ロットで使用するレチクルを決定し、そ
のレチクルをレチクルステージ２へ搬入する。その後、
装置からホストコンピュータ２０に対してロード完了報
告を行なう。次にステップ１０３で第１ロット露光開始
指令を行なうと、ステップ１０４におけるコンソールユ
ニット１９では、第１メモリ２７内の動作パラメータを
本体ＣＰＵ１８へ転送し、露光処理を開始する。露光処
理が開始すると、露光開始報告をホストコンピュータ２
０へ報告し、次ロットの要求を待つ。この状態でステッ
プ１０５ではホストコンピュータ２０から第２ロット用
の動作パラメータのロード要求を装置のコンソールユニ
ット１９へ送る。ステップ１０６では指定された動作パ
ラメータをファイル２４から第２メモリ２８へロード
し、メモリ内のレチクル情報（レチクルテーブルパラメ
ータおよびレチクルＩＤパラメータなど）により、第２
ロットで使用するレチクルを決定する。この場合は第１
ロットの露光動作中であるため、決定したレチクルはレ
チクルステージ２へは搬入せずレチクル待機位置１７に
準備する。
【００１９】ステップ１０７で第１ロットの露光処理が
終了すると、ホストコンピュータ２０に対し露光終了報
告を行なう。これに対してステップ１０８では第２ロッ
トの露光開始指令を装置のコンソールユニット１９へ通
知する。通知されたステップ１０９では第２メモリ２８
内の動作パラメータを本体ＣＰＵ１８に転送しレチクル
待機位置１７に準備されたレチクルをレチクルステージ
２へ搬入した後、第２ロットの露光処理を開始する。露
光処理が開始すると、露光開始報告をホストコンピュー
タ２０へ報告し、次ロットの要求を待つ。この状態でス
テップ１１０ではホストコンピュータ２０から第３ロッ
ト用の動作パラメータのロード要求を装置のコンソール
ユニット１９へ送る。ステップ１１１では指定された動
作パラメータをファイル２４から第１メモリ２７へロー
ドし、メモリ内のレチクル情報（レチクルテーブルパラ
メータ、レチクルＩＤパラメータ）により、第３ロット
で使用するレチクルを決定する。この場合も第２ロット
の露光動作中であるため決定したレチクルはレチクルス
テージ２へ搬入せず、レチクル待機位置１７に準備す
る。
終了すると、ホストコンピュータ２０に対し露光終了報
告を行なう。これに対してステップ１０８では第２ロッ
トの露光開始指令を装置のコンソールユニット１９へ通
知する。通知されたステップ１０９では第２メモリ２８
内の動作パラメータを本体ＣＰＵ１８に転送しレチクル
待機位置１７に準備されたレチクルをレチクルステージ
２へ搬入した後、第２ロットの露光処理を開始する。露
光処理が開始すると、露光開始報告をホストコンピュー
タ２０へ報告し、次ロットの要求を待つ。この状態でス
テップ１１０ではホストコンピュータ２０から第３ロッ
ト用の動作パラメータのロード要求を装置のコンソール
ユニット１９へ送る。ステップ１１１では指定された動
作パラメータをファイル２４から第１メモリ２７へロー
ドし、メモリ内のレチクル情報（レチクルテーブルパラ
メータ、レチクルＩＤパラメータ）により、第３ロット
で使用するレチクルを決定する。この場合も第２ロット
の露光動作中であるため決定したレチクルはレチクルス
テージ２へ搬入せず、レチクル待機位置１７に準備す
る。
【００２０】以上のような、あるロットの露光動作中に
次ロット用の動作パラメータをロードするメモリとして
第１メモリ２７と第２メモリ２８とを切換えながら用
い、かつ使用するレチクルをレチクル待機位置１７に準
備する処理を繰り返し行なう。
次ロット用の動作パラメータをロードするメモリとして
第１メモリ２７と第２メモリ２８とを切換えながら用
い、かつ使用するレチクルをレチクル待機位置１７に準
備する処理を繰り返し行なう。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
コンソールユニットに動作パラメータを記憶するメモリ
を２つ設けることにより露光動作中に次ロット処理に必
要な動作パラメータおよびレチクルを準備することがで
き、マスク工程やロットの切換え時間を大幅に削減する
ことができる。このため、装置が止まることなくロット
処理を行なえ、半導体デバイスの生産性を向上すること
ができる効果がある。
コンソールユニットに動作パラメータを記憶するメモリ
を２つ設けることにより露光動作中に次ロット処理に必
要な動作パラメータおよびレチクルを準備することがで
き、マスク工程やロットの切換え時間を大幅に削減する
ことができる。このため、装置が止まることなくロット
処理を行なえ、半導体デバイスの生産性を向上すること
ができる効果がある。
【図１】 本発明の一実施例に係る半導体製造装置の制
御部ブロック図である。
御部ブロック図である。
【図２】 上記実施例の装置の外観図である。
【図３】 上記実施例の動作を説明するためのフローチ
ャートである。
ャートである。
１８：本体ＣＰＵ、１９：コンソールユニット、２０：
ホストコンピュータ、２４：ファイル、２６：キーボー
ドで、２７，２８：動作パラメータ記憶用のメモリ。
ホストコンピュータ、２４：ファイル、２６：キーボー
ドで、２７，２８：動作パラメータ記憶用のメモリ。
Claims (3)
- 【請求項１】 多数の動作パラメータに従って動作する
半導体製造装置であって、 該半導体製造装置が所定の製造動作を実行するために必
要な動作パラメータをそれぞれ記憶可能な少なくとも２
つのメモリと、 前記多数の動作パラメータの複数ロット分が格納されて
いるファイルから、あるロットを処理するための動作パ
ラメータを一のメモリにロードし、該一のメモリにロー
ドされた動作パラメータに従って前記製造動作が実行さ
れている間に次ロットを処理するための動作パラメータ
を他のメモリにロードするロード手段とを具備すること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 前記製造動作が露光動作であり、前記２
つのメモリがコンソールユニットに設定されており、あ
るロットを処理するための動作パラメータのロード指令
はホストコンピュータまたはコンソールユニットのキー
ボードから受け、各ロットを処理するための動作パラメ
ータを前記２つのメモリのいずれにロードするかはコン
ソールユニットが判断する請求項１記載の半導体製造装
置。 - 【請求項３】 あるロットの製造動作中に次ロットを処
理するための動作パラメータが前記２つのメモリのいず
れかへロードされた後、該メモリ内のレチクル情報によ
り次ロットで使用するレチクルを決定し、そのレチクル
をレチクル待機位置まで搬入するレチクル搬入手段をさ
らに有する請求項１または２に記載の半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240256A JP2869826B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 半導体製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3240256A JP2869826B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555103A true JPH0555103A (ja) | 1993-03-05 |
| JP2869826B2 JP2869826B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=17056787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3240256A Expired - Fee Related JP2869826B2 (ja) | 1991-08-28 | 1991-08-28 | 半導体製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869826B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5673128A (en) * | 1995-01-31 | 1997-09-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Back light device of liquid crystal device |
| US5703667A (en) * | 1996-05-31 | 1997-12-30 | Shimada Precision, Co., Ltd. | Light guide plates and light guide plate assembly utilizing diffraction grating |
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| US6445441B1 (en) | 1999-05-10 | 2002-09-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method |
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| KR100628618B1 (ko) * | 1997-05-06 | 2007-01-31 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 제어장치,제어방법및반도체제조장치 |
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Citations (2)
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| JPS60182727A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Hitachi Ltd | 自動ウエハ処理装置 |
| JPS62277725A (ja) * | 1986-05-26 | 1987-12-02 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
-
1991
- 1991-08-28 JP JP3240256A patent/JP2869826B2/ja not_active Expired - Fee Related
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