JPH0468028B2 - - Google Patents
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- JPH0468028B2 JPH0468028B2 JP61223334A JP22333486A JPH0468028B2 JP H0468028 B2 JPH0468028 B2 JP H0468028B2 JP 61223334 A JP61223334 A JP 61223334A JP 22333486 A JP22333486 A JP 22333486A JP H0468028 B2 JPH0468028 B2 JP H0468028B2
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- exhaust
- zone
- cup
- drain
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0422—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H10P72/0424—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0448—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/70—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping
- H10P72/76—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches
- H10P72/7604—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H10P72/7626—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for supporting or gripping using mechanical means, e.g. clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体基板、ガラス、セラミツクなど
の基板を回転させながら、その表面に例えばフオ
トレジスト液、現像液、エツチング液または、液
体ドーパント材などを基板の上方に設けたノズル
から供給することにより、基板の表面処理を行う
回転式表面処理装置に関するものである。
の基板を回転させながら、その表面に例えばフオ
トレジスト液、現像液、エツチング液または、液
体ドーパント材などを基板の上方に設けたノズル
から供給することにより、基板の表面処理を行う
回転式表面処理装置に関するものである。
この種の回転式表面処理装置としては、従来よ
り例えば第3図に示すものが本出願人により提案
されている(特開昭59−90928号公報)。
り例えば第3図に示すものが本出願人により提案
されている(特開昭59−90928号公報)。
それは、基板101を略水平に保持して回転す
るスピンチヤツク102と、スピンチヤツク10
2の上方に設けられ回転する基板101に上記処
理液等を供給するノズル103と、回転する基板
101を囲うように設けられ処理液の回収及び処
理液飛沫の飛散を防止する飛散防止カツプ104
と、飛散防止カツプ104内を排気する排気手段
(図示せず)とを備えて成り、基板101の表面
及び裏面に霧状になつた処理液の飛沫が付着する
のを防止するとともに、飛散防止カツプ104の
上部開口105aから流入して基板101の上面
に沿つて放射方向に流れて基板101の周縁より
流下する気流を円形整流部材107で整流するよ
うにしたものである。
るスピンチヤツク102と、スピンチヤツク10
2の上方に設けられ回転する基板101に上記処
理液等を供給するノズル103と、回転する基板
101を囲うように設けられ処理液の回収及び処
理液飛沫の飛散を防止する飛散防止カツプ104
と、飛散防止カツプ104内を排気する排気手段
(図示せず)とを備えて成り、基板101の表面
及び裏面に霧状になつた処理液の飛沫が付着する
のを防止するとともに、飛散防止カツプ104の
上部開口105aから流入して基板101の上面
に沿つて放射方向に流れて基板101の周縁より
流下する気流を円形整流部材107で整流するよ
うにしたものである。
即ち、円形整流部材107を排気ダクト117
側(図の右側)へ偏心させることにより整流部材
107の周縁と飛散防止カツプ104の内周面と
で形成される隙間を排気ダクト117側で狭くす
ることにより通風抵抗を増やし、前記した基板上
面での放射方向に流れる気流ができるだけ均一に
なるようにしたものであり、これにより、例えば
フオトレジスト液の膜厚のムラをなくするように
したものである。なお、符号114は排液ドレン
である。
側(図の右側)へ偏心させることにより整流部材
107の周縁と飛散防止カツプ104の内周面と
で形成される隙間を排気ダクト117側で狭くす
ることにより通風抵抗を増やし、前記した基板上
面での放射方向に流れる気流ができるだけ均一に
なるようにしたものであり、これにより、例えば
フオトレジスト液の膜厚のムラをなくするように
したものである。なお、符号114は排液ドレン
である。
しかしながら、上記従来例のものは円形整流部
材を排気ダクト側へ偏心させることにより、整流
部材の周縁と飛散防止カツプの内周面とで形成さ
れる隙間を調整するものであるため、実施する上
で、この隙間の調整は容易でなく、殊に飛散防止
カツプや整流部材の加工精度が良くないと基板の
周縁方向に気流を均一化することは容易でない。
材を排気ダクト側へ偏心させることにより、整流
部材の周縁と飛散防止カツプの内周面とで形成さ
れる隙間を調整するものであるため、実施する上
で、この隙間の調整は容易でなく、殊に飛散防止
カツプや整流部材の加工精度が良くないと基板の
周縁方向に気流を均一化することは容易でない。
本発明は、従来技術のこのような問題点を解決
することにより基板の品質をより一層向上させる
ことを目的とする。
することにより基板の品質をより一層向上させる
ことを目的とする。
本発明は、上記問題点を解決するため前記従来
例の回転塗布装置において、飛散防止カツプを次
のように改良したものである。
例の回転塗布装置において、飛散防止カツプを次
のように改良したものである。
即ち、基板を略水平に支持して回転するスピン
チヤツクと、スピンチヤツクの上方に設けられ、
回転する基板に処理液を供給するノズルと、回転
する基板を囲うようにして設けられ、基板より上
方に外気取入口を有し、基板より下方に排気ダク
ト及び排液ドレンを有し、処理液飛沫の飛散を防
止し処理液を回収する飛散防止カツプとを備えて
成り、 前記飛散防止カツプ内において、前記排気ダク
トを前記排液ドレンよりも、基板回転の半径方向
内側に配置し、 前記飛散防止カツプ内において、基板より下方
の位置に、基板回転の半径方向外側へ向けて下広
がりに傾斜する傾斜整流面を有し、その傾斜整流
面の下縁が前記排気ダクトよりも基板回転の半径
方向外側に及ぶ円形整流部材を配置し、 前記飛散防止カツプと上記円形整流部材との間
の間隔をスリツト状に狭めた絞り開口を、基板回
転の半径方向の位置が前記排気ダクトより外側で
前記排液ドレンより内側に位置するようにリング
状に形成することによつて、 前記飛散防止カツプの内側下部を、絞り開口よ
り内側の排気ゾーンと、絞り開口より外側の廃液
ゾーンとに区画形成するとともに、排気ゾーンと
排液ゾーンとの間を上記リング状の絞り開口でス
リツト状に連通したことを特徴とするものであ
る。
チヤツクと、スピンチヤツクの上方に設けられ、
回転する基板に処理液を供給するノズルと、回転
する基板を囲うようにして設けられ、基板より上
方に外気取入口を有し、基板より下方に排気ダク
ト及び排液ドレンを有し、処理液飛沫の飛散を防
止し処理液を回収する飛散防止カツプとを備えて
成り、 前記飛散防止カツプ内において、前記排気ダク
トを前記排液ドレンよりも、基板回転の半径方向
内側に配置し、 前記飛散防止カツプ内において、基板より下方
の位置に、基板回転の半径方向外側へ向けて下広
がりに傾斜する傾斜整流面を有し、その傾斜整流
面の下縁が前記排気ダクトよりも基板回転の半径
方向外側に及ぶ円形整流部材を配置し、 前記飛散防止カツプと上記円形整流部材との間
の間隔をスリツト状に狭めた絞り開口を、基板回
転の半径方向の位置が前記排気ダクトより外側で
前記排液ドレンより内側に位置するようにリング
状に形成することによつて、 前記飛散防止カツプの内側下部を、絞り開口よ
り内側の排気ゾーンと、絞り開口より外側の廃液
ゾーンとに区画形成するとともに、排気ゾーンと
排液ゾーンとの間を上記リング状の絞り開口でス
リツト状に連通したことを特徴とするものであ
る。
上記構成によれば、飛散防止カツプ内の排気の
流れは、次のように整流される。
流れは、次のように整流される。
上記排液ゾーンと排気ゾーンとを区画するリン
グ状の絞り開口は、排液ゾーンから排気ゾーンに
向かう排気流に対して抵抗として作用する。この
ため、リング状の絞り開口を通過して排気ゾーン
内へ流入する気流は、そのリング状の絞り開口の
全周にわたり均一になる。これに伴い、上記円形
整流部材の傾斜整流面に沿つて流下する気流は、
円形整流部材の円周に沿う全周方向においてほぼ
均一になる。従つて、飛散防止カツプの外気取入
口から流入した気流は、基板の上面に沿つて放射
方向へ均一に流れ、基板の周縁より均一に流下す
る。これにより、基板に塗布処理されるフオトレ
ジスト液等の処理液の膜厚が均一になる。
グ状の絞り開口は、排液ゾーンから排気ゾーンに
向かう排気流に対して抵抗として作用する。この
ため、リング状の絞り開口を通過して排気ゾーン
内へ流入する気流は、そのリング状の絞り開口の
全周にわたり均一になる。これに伴い、上記円形
整流部材の傾斜整流面に沿つて流下する気流は、
円形整流部材の円周に沿う全周方向においてほぼ
均一になる。従つて、飛散防止カツプの外気取入
口から流入した気流は、基板の上面に沿つて放射
方向へ均一に流れ、基板の周縁より均一に流下す
る。これにより、基板に塗布処理されるフオトレ
ジスト液等の処理液の膜厚が均一になる。
また、絞り開口を円形整流部材の傾斜整流面の
下縁よりも高く位置させた場合には、排気流は、
飛散防止カツプ内を円形整流部材の傾斜整流面に
沿つて、傾斜整流面の下縁まで一旦流下した後、
傾斜整流面の下縁より高い位置にある絞り開口ま
で迂回して上向きに流れることを強いられるの
で、排気流中に含まれている処理液飛沫は、その
迂回する間に落下し、絞り開口まで到達しにくく
なる。これにより、処理液飛沫が排気ダクト内に
付着・堆積して排気流路を狭めることがない。
下縁よりも高く位置させた場合には、排気流は、
飛散防止カツプ内を円形整流部材の傾斜整流面に
沿つて、傾斜整流面の下縁まで一旦流下した後、
傾斜整流面の下縁より高い位置にある絞り開口ま
で迂回して上向きに流れることを強いられるの
で、排気流中に含まれている処理液飛沫は、その
迂回する間に落下し、絞り開口まで到達しにくく
なる。これにより、処理液飛沫が排気ダクト内に
付着・堆積して排気流路を狭めることがない。
〔実施例〕
以下、本発明に係る回転式表面処理装置の実施
例について図面に基づいて説明する。
例について図面に基づいて説明する。
第1図は回転式表面処理装置の縦断面図、第2
図は第1図の上カツプ5を取外した状態の平面図
である。
図は第1図の上カツプ5を取外した状態の平面図
である。
この回転式表面処理装置は基板1を略水平に吸
着保持して回転するスピンチヤツク2と、スピン
チヤツク2の上方に設けられ回転する基板1に、
フオトレジスト液等を供給するノズル3と、回転
する基板1を囲うようにして設けられ処理液の回
収及び処理液飛沫の飛散を防止する飛散防止カツ
プ4とを備えてなり、飛散防止カツプ4内を排気
する排気ダクト17は外部装置の排気手段20に
接続配管されている。
着保持して回転するスピンチヤツク2と、スピン
チヤツク2の上方に設けられ回転する基板1に、
フオトレジスト液等を供給するノズル3と、回転
する基板1を囲うようにして設けられ処理液の回
収及び処理液飛沫の飛散を防止する飛散防止カツ
プ4とを備えてなり、飛散防止カツプ4内を排気
する排気ダクト17は外部装置の排気手段20に
接続配管されている。
以下本発明の特徴となる構成について説明す
る。
る。
飛散防止カツプ4は、上カツプ5と下カツプ1
0とから成り、この飛散防止カツプ4内に円形整
流部材7が配置されている。
0とから成り、この飛散防止カツプ4内に円形整
流部材7が配置されている。
上カツプ5は上部に外気取入口5aと、基板1
の回転による処理液の飛沫を下方へ案内する傾斜
面6(上カツプ5の傾斜部の内面)とを有し、下
カツプ外周壁11の上端部段落面に着座させて設
けされている。
の回転による処理液の飛沫を下方へ案内する傾斜
面6(上カツプ5の傾斜部の内面)とを有し、下
カツプ外周壁11の上端部段落面に着座させて設
けされている。
円形整流部材7はスピンチヤツク2の下方に位
置するように下カツプ内周壁12の上端部に着座
させて設けられ、外気取入口5aから流入して基
板1の周縁に沿つて流下する気流Aを下カツプ1
0に整流して案内するとともに、上カツプ5の傾
斜面6によつて下方に案内された処理液の飛沫を
この気流Aに乗せて下カツプ10に案内する傾斜
整流面8(円形整流部材7の傾斜部の上面)を有
する。この傾斜整流面8は、基板1の回転半径方
向の外側へ向けて下広がりに傾斜し、その傾斜整
流面8の下縁8bは下カツプ10の排気ダクト1
7の開口よりも基板1の回転半径方向の外側に及
ぶように形成されている。
置するように下カツプ内周壁12の上端部に着座
させて設けられ、外気取入口5aから流入して基
板1の周縁に沿つて流下する気流Aを下カツプ1
0に整流して案内するとともに、上カツプ5の傾
斜面6によつて下方に案内された処理液の飛沫を
この気流Aに乗せて下カツプ10に案内する傾斜
整流面8(円形整流部材7の傾斜部の上面)を有
する。この傾斜整流面8は、基板1の回転半径方
向の外側へ向けて下広がりに傾斜し、その傾斜整
流面8の下縁8bは下カツプ10の排気ダクト1
7の開口よりも基板1の回転半径方向の外側に及
ぶように形成されている。
下カツプ10は、外周壁11の下部に内接する
排液ゾーン13と、この排液ゾーン13の内側に
区画形成したリング状の排気ゾーン15とを有し
ている。即ち、排気ゾーン15は円形整流部材7
の下側にリング形状をなすように設けられ、排液
ゾーン13から排気ゾーン15へは排気ゾーン1
5の周囲にスリツト状に形成した絞り開口16で
連通し、排気ゾーン15内に設けた排気ダクト1
7より排気するように構成されている。
排液ゾーン13と、この排液ゾーン13の内側に
区画形成したリング状の排気ゾーン15とを有し
ている。即ち、排気ゾーン15は円形整流部材7
の下側にリング形状をなすように設けられ、排液
ゾーン13から排気ゾーン15へは排気ゾーン1
5の周囲にスリツト状に形成した絞り開口16で
連通し、排気ゾーン15内に設けた排気ダクト1
7より排気するように構成されている。
この絞り開口16は、円形整流部材7の傾斜整
流面8の下縁8bよりも高く位置させ、処理液の
飛沫が排気ゾーン15内へ浸入するのを防ぐよう
にするのが望ましい。本実施例では下カツプ10
の区画壁18の上端と円形整流部材7の下面との
隙間がこの絞り開口16を形成するようになつて
いる。飛散防止カツプ4内では、排液ゾーン13
に排液ドレン14を臨ませて開口するとともに、
排気ゾーン15に排気ダクト17を臨ませて開口
してあり、絞り開口16の位置は、第1図及び第
2図で示すように、基板回転の半径方向に見て前
記排気ダクト17より外側で前記排液ドレン14
より内側に位置するように形成されている。
流面8の下縁8bよりも高く位置させ、処理液の
飛沫が排気ゾーン15内へ浸入するのを防ぐよう
にするのが望ましい。本実施例では下カツプ10
の区画壁18の上端と円形整流部材7の下面との
隙間がこの絞り開口16を形成するようになつて
いる。飛散防止カツプ4内では、排液ゾーン13
に排液ドレン14を臨ませて開口するとともに、
排気ゾーン15に排気ダクト17を臨ませて開口
してあり、絞り開口16の位置は、第1図及び第
2図で示すように、基板回転の半径方向に見て前
記排気ダクト17より外側で前記排液ドレン14
より内側に位置するように形成されている。
また、円形整流部材7の傾斜整流面8の上縁8
aは基板1の裏面に接近させ、この上縁8aと基
板1との隙間より不活性ガス等の気流を外へ向け
て流出させ、基板1の裏面へ処理液飛沫が付着す
るのを防止するようになつている。
aは基板1の裏面に接近させ、この上縁8aと基
板1との隙間より不活性ガス等の気流を外へ向け
て流出させ、基板1の裏面へ処理液飛沫が付着す
るのを防止するようになつている。
次にこの装置における動作について説明する。
先ず、スピンチヤツク2に基板1を中心合わせ
して吸着保持させ、排気ダクト17から強制排気
する。
して吸着保持させ、排気ダクト17から強制排気
する。
次いで基板1の表面の中央部にノズル3より例
えばフオトレジスト液を吐出させた後、すぐに基
板1を回転させる。すると、基板1の回転に伴つ
てその表面にフオトレジスト液の塗布膜が形成さ
れ、余剰の液は基板1の周縁から飛沫となつて飛
散する。この飛沫は上カツプ5の傾斜面6に衝突
し、外向き斜め下方に案内され、一部はさらに円
形整流部材7の傾斜整流面8に衝突し下カツプ1
0へ案内される。
えばフオトレジスト液を吐出させた後、すぐに基
板1を回転させる。すると、基板1の回転に伴つ
てその表面にフオトレジスト液の塗布膜が形成さ
れ、余剰の液は基板1の周縁から飛沫となつて飛
散する。この飛沫は上カツプ5の傾斜面6に衝突
し、外向き斜め下方に案内され、一部はさらに円
形整流部材7の傾斜整流面8に衝突し下カツプ1
0へ案内される。
一方、排気手段20によつて排気ダクト17か
ら強制排気がなされていることから、外気取入口
5aから飛散防止カツプ4内に流入する外気は基
板1の上面に沿つて放射方向に流れ、基板1の周
縁と外気取入口5aの内周下端縁との隙間を通つ
て流下する。この気流Aは円形整流部材7の傾斜
整流面に沿つて流下し、下カツプ10の排液ゾー
ン13を経由し、絞り開口16によつて通風抵抗
を受けながら、排気ゾーン15内へ流入し、排気
ダクト17より排気される。
ら強制排気がなされていることから、外気取入口
5aから飛散防止カツプ4内に流入する外気は基
板1の上面に沿つて放射方向に流れ、基板1の周
縁と外気取入口5aの内周下端縁との隙間を通つ
て流下する。この気流Aは円形整流部材7の傾斜
整流面に沿つて流下し、下カツプ10の排液ゾー
ン13を経由し、絞り開口16によつて通風抵抗
を受けながら、排気ゾーン15内へ流入し、排気
ダクト17より排気される。
この場合、排気ゾーン15内へその周囲の絞り
開口16から排気流が流入するようになつている
ので、上記基板上の気流も全方向に均一な流れと
なり、塗膜のムラを生じさせない。
開口16から排気流が流入するようになつている
ので、上記基板上の気流も全方向に均一な流れと
なり、塗膜のムラを生じさせない。
以上の説明で明らかなように、本発明によれ
ば、以下の効果を奏する。
ば、以下の効果を奏する。
イ 飛散防止カツプ内の下部を、リンク状の絞り
開口により、排気ゾーンとその外側の排液ゾー
ンとに区画するとともに、排気ゾーンと排液ゾ
ーンとの間をスリツト状に狭めた上記リング状
の絞り開口で連通し、基板の周縁より排気流が
均一に流下するようにしたので、飛散防止カツ
プの外気取入口から流入した気流は、基板の上
面に沿つて放射方向へ均一に流れ、フオトレジ
スト液等の塗布膜の膜厚は均一になる。これに
より、塗布膜の膜厚精度をより一層向上させる
ことができるとともに、従来例のような整流板
の調整は不要となる。
開口により、排気ゾーンとその外側の排液ゾー
ンとに区画するとともに、排気ゾーンと排液ゾ
ーンとの間をスリツト状に狭めた上記リング状
の絞り開口で連通し、基板の周縁より排気流が
均一に流下するようにしたので、飛散防止カツ
プの外気取入口から流入した気流は、基板の上
面に沿つて放射方向へ均一に流れ、フオトレジ
スト液等の塗布膜の膜厚は均一になる。これに
より、塗布膜の膜厚精度をより一層向上させる
ことができるとともに、従来例のような整流板
の調整は不要となる。
ロ また、絞り開口を円形整流部材の傾斜整流面
の下縁よりも高く位置させた場合には、排気流
は飛散防止カツプ内を円形整流部材の傾斜整流
面に沿つて、傾斜整流面の下縁まで一旦流下し
た後、傾斜整流面の下縁より高い位置にある絞
り開口まで迂回して上向きに流れることを強い
られるので、排気流中に含まれている処理液飛
沫は、その迂回する間に落下し、絞り開口まで
到達しにくくなり、排気ゾーン内まで到達しに
くくなる。これにより、処理液飛沫が排気ダク
ト内に付着・堆積して排気流路を狭めることが
ない。従つて、排気流路が狭まつて基板の表面
に沿つて流れる気流量が少なくなることを防止
し、これにより回転式表面処理に悪影響が現れ
ることを防止できる。
の下縁よりも高く位置させた場合には、排気流
は飛散防止カツプ内を円形整流部材の傾斜整流
面に沿つて、傾斜整流面の下縁まで一旦流下し
た後、傾斜整流面の下縁より高い位置にある絞
り開口まで迂回して上向きに流れることを強い
られるので、排気流中に含まれている処理液飛
沫は、その迂回する間に落下し、絞り開口まで
到達しにくくなり、排気ゾーン内まで到達しに
くくなる。これにより、処理液飛沫が排気ダク
ト内に付着・堆積して排気流路を狭めることが
ない。従つて、排気流路が狭まつて基板の表面
に沿つて流れる気流量が少なくなることを防止
し、これにより回転式表面処理に悪影響が現れ
ることを防止できる。
これにより基板の品質をより一層向上させるこ
とができる。
とができる。
第1図は本発明に係る回転式表面処理装置の縦
断面図、第2図は第1図の上カツプを取り外した
状態の平面図、第3図は従来例に係る回転式表面
処理装置の縦断面図である。 1……基板、2……スピンチヤツク、3……ノ
ズル、4……飛散防止カツプ、5a……外気取入
口、7……円形整流部材、8……傾斜整流面、8
b……傾斜整流面の下縁、13……排液ゾーン、
14……排液ドレン、15……排気ゾーン、16
……絞り開口、17……排気ダクト。
断面図、第2図は第1図の上カツプを取り外した
状態の平面図、第3図は従来例に係る回転式表面
処理装置の縦断面図である。 1……基板、2……スピンチヤツク、3……ノ
ズル、4……飛散防止カツプ、5a……外気取入
口、7……円形整流部材、8……傾斜整流面、8
b……傾斜整流面の下縁、13……排液ゾーン、
14……排液ドレン、15……排気ゾーン、16
……絞り開口、17……排気ダクト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 基板1を略水平に支持して回転するスピンチ
ヤツク2と、スピンチヤツク2の上方に設けら
れ、回転する基板1に処理液を供給するノズル3
と、回転する基板1を囲うようにして設けられ、
基板1より上方に外気取入口5aを有し、基板1
より下方に排気ダクト17及び排液ドレン14を
有し、処理液飛沫の飛散を防止し処理液を回収す
る飛散防止カツプ4とを備えて成り、 前記飛散防止カツプ4内において、前記排気ダ
クト17を前記排液ドレン14よりも、基板回転
の半径方向内側に配置し、 前記飛散防止カツプ4内において、基板1より
下方の位置に、基板回転の半径方向外側へ向けて
下広がりに傾斜する傾斜整流面8を有し、その傾
斜整流面8の下縁8bが前記排気ダクト17より
も基板回転の半径方向外側に及ぶ円形整流部材7
を配置し、 前記飛散防止カツプ4と上記円形整流部材7と
の間の間隔をスリツト状に狭めた絞り開口16
を、基板回転の半径方向の位置が前記排気ダクト
17より外側で前記排液ドレン14より内側に位
置するようにリング状に形成することによつて、 前記飛散防止カツプ4の内側下部を、絞り開口
16より内側の排気ゾーン15と、絞り開口16
より外側の排液ゾーン13とに区画形成するとと
もに、排気ゾーン15と排液ゾーン13との間を
上記リング状の絞り開口16でスリツト状に連通
したことを特徴とする基板の回転式表面処理装
置。 2 絞り開口16を円形整流部材7の傾斜整流面
8の下縁8bよりも高く位置させた特許請求の範
囲第1項に記載した基板の回転式表面処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223334A JPS6377569A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 基板の回転式表面処理装置 |
| KR1019870010128A KR920000674B1 (ko) | 1986-09-19 | 1987-09-12 | 기판의 회전식 표면처리장치 |
| US07/098,476 US4838979A (en) | 1986-09-19 | 1987-09-18 | Apparatus for processing substrate surface |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61223334A JPS6377569A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 基板の回転式表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377569A JPS6377569A (ja) | 1988-04-07 |
| JPH0468028B2 true JPH0468028B2 (ja) | 1992-10-30 |
Family
ID=16796528
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61223334A Granted JPS6377569A (ja) | 1986-09-19 | 1986-09-19 | 基板の回転式表面処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4838979A (ja) |
| JP (1) | JPS6377569A (ja) |
| KR (1) | KR920000674B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1986
- 1986-09-19 JP JP61223334A patent/JPS6377569A/ja active Granted
-
1987
- 1987-09-12 KR KR1019870010128A patent/KR920000674B1/ko not_active Expired
- 1987-09-18 US US07/098,476 patent/US4838979A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4838979A (en) | 1989-06-13 |
| KR880004554A (ko) | 1988-06-04 |
| JPS6377569A (ja) | 1988-04-07 |
| KR920000674B1 (ko) | 1992-01-20 |
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