JPH0555471A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0555471A JPH0555471A JP21255991A JP21255991A JPH0555471A JP H0555471 A JPH0555471 A JP H0555471A JP 21255991 A JP21255991 A JP 21255991A JP 21255991 A JP21255991 A JP 21255991A JP H0555471 A JPH0555471 A JP H0555471A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
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- diffusion layer
- resistance layer
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- impurity concentration
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板に設けた拡散抵抗層の電圧依存性を
低減させる。 【構成】Ｎ型シリコン基板１と低不純物濃度の抵抗層と
なるＰ型拡散層３との界面に高濃度のＰ+ 拡散層２を介
在させて設けることにより、Ｎ型シリコン基板１から抵
抗層に伸びる空乏層を抑制し、電圧依存性を低減させ
る。
低減させる。 【構成】Ｎ型シリコン基板１と低不純物濃度の抵抗層と
なるＰ型拡散層３との界面に高濃度のＰ+ 拡散層２を介
在させて設けることにより、Ｎ型シリコン基板１から抵
抗層に伸びる空乏層を抑制し、電圧依存性を低減させ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体集積回路用抵抗層に関する。
半導体集積回路用抵抗層に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は、図２に示すように
Ｎ型シリコン基板１の一主面に選択的にＰ型不純物を拡
散して設けた表面濃度が１０14〜１０17ｃｍ-3程度のＰ
型拡散層３を有し、このＰ型拡散層３を抵抗層として用
いていた。
Ｎ型シリコン基板１の一主面に選択的にＰ型不純物を拡
散して設けた表面濃度が１０14〜１０17ｃｍ-3程度のＰ
型拡散層３を有し、このＰ型拡散層３を抵抗層として用
いていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
では、半導体基板と抵抗層は逆バイアスを印加されて、
使用される関係上、不純物濃度が１０14〜１０17ｃｍ-3
というような低濃度の抵抗層においては、空乏層が抵抗
層側に拡がり、従って抵抗層への印加電圧により抵抗値
が変化するという致命的な問題点があった。かといっ
て、抵抗層の不純物濃度を上げることほ、高抵抗の実現
が困難になるという問題点があった。
では、半導体基板と抵抗層は逆バイアスを印加されて、
使用される関係上、不純物濃度が１０14〜１０17ｃｍ-3
というような低濃度の抵抗層においては、空乏層が抵抗
層側に拡がり、従って抵抗層への印加電圧により抵抗値
が変化するという致命的な問題点があった。かといっ
て、抵抗層の不純物濃度を上げることほ、高抵抗の実現
が困難になるという問題点があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
一導電型半導体基板一主面に設けた逆導電型の高不純物
濃度拡散層及び前記高不純物濃度拡散層の内側に設けた
逆導電型の低不純物濃度拡散層からなる２層構造の抵抗
層を備えている。
一導電型半導体基板一主面に設けた逆導電型の高不純物
濃度拡散層及び前記高不純物濃度拡散層の内側に設けた
逆導電型の低不純物濃度拡散層からなる２層構造の抵抗
層を備えている。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について、図面を参照して説明
する。
する。
【０００６】図１は本発明の一実施例を示す半導体チッ
プの断面図である。
プの断面図である。
【０００７】図１に示すように、Ｎ型シリコン基板１の
一主面に選択的にＰ型不純物を拡散して１０16〜１０20
ｃｍ-3の不純物濃度を有するＰ+ 型拡散層２を形成す
る。次に、Ｐ+ 型拡散層２の内側に選択的にＮ型不純物
を拡散して１０14〜１０17ｃｍ-3の不純物濃度を有する
Ｐ型拡散層３を形成してＰ+ 型拡散層２及びＰ型拡散層
３の２層構造の抵抗層を形成する。
一主面に選択的にＰ型不純物を拡散して１０16〜１０20
ｃｍ-3の不純物濃度を有するＰ+ 型拡散層２を形成す
る。次に、Ｐ+ 型拡散層２の内側に選択的にＮ型不純物
を拡散して１０14〜１０17ｃｍ-3の不純物濃度を有する
Ｐ型拡散層３を形成してＰ+ 型拡散層２及びＰ型拡散層
３の２層構造の抵抗層を形成する。
【０００８】ここで、Ｐ+ 型拡散層２を有するため、Ｎ
型シリコン基板１から抵抗層に伸び空乏層が抑制され、
従って抵抗層の電圧依存性は、無視しうる程小さくな
る。
型シリコン基板１から抵抗層に伸び空乏層が抑制され、
従って抵抗層の電圧依存性は、無視しうる程小さくな
る。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は一導電型
半導体基板と逆導電型の低不純物濃度の抵抗層との界面
に、逆導電型の高濃度の抵抗層を介在させることにより
基板から抵抗層側に伸びる空乏層を抑制し、電圧依存性
を無視できる程小さくできるという効果を有する。ま
た、高濃度抵抗体の厚さを十分薄くしておけば高抵抗の
実現も可能である。
半導体基板と逆導電型の低不純物濃度の抵抗層との界面
に、逆導電型の高濃度の抵抗層を介在させることにより
基板から抵抗層側に伸びる空乏層を抑制し、電圧依存性
を無視できる程小さくできるという効果を有する。ま
た、高濃度抵抗体の厚さを十分薄くしておけば高抵抗の
実現も可能である。
【図１】本発明の実施例を示す半導体チップの断面図。
【図２】従来の半導体装置の一例を示す半導体チップの
断面図。
断面図。
１ Ｎ型シリコン基板 ２ Ｐ+ 型拡散層 ３ Ｐ型拡散層
Claims (1)
- 【請求項１】 一導電型半導体基板の一主面に設けた逆
導電型の高不純物濃度拡散層及び前記高不純物濃度拡散
層の内側に設けた逆導電型の低不純物濃度拡散層からな
る２層構造の抵抗層を備えたことを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21255991A JPH0555471A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21255991A JPH0555471A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555471A true JPH0555471A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16624700
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21255991A Pending JPH0555471A (ja) | 1991-08-26 | 1991-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555471A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9570866B2 (en) | 2013-09-11 | 2017-02-14 | Chiun Mai Communication Systems, Inc. | Jack assembly and portable electronic device with same |
-
1991
- 1991-08-26 JP JP21255991A patent/JPH0555471A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9570866B2 (en) | 2013-09-11 | 2017-02-14 | Chiun Mai Communication Systems, Inc. | Jack assembly and portable electronic device with same |
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