JPH055689Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH055689Y2 JPH055689Y2 JP1985108351U JP10835185U JPH055689Y2 JP H055689 Y2 JPH055689 Y2 JP H055689Y2 JP 1985108351 U JP1985108351 U JP 1985108351U JP 10835185 U JP10835185 U JP 10835185U JP H055689 Y2 JPH055689 Y2 JP H055689Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resonator
- metal pattern
- dielectric
- solder
- dro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この考案は、マイクロ波帯の発振器として使用
される誘電体共振器装荷型発振器に関するもので
ある。
される誘電体共振器装荷型発振器に関するもので
ある。
第３図は、従来の誘電体共振器装荷型発振器
（以下、DROと略記する）の一部を示し、誘電体
共振器（以下、レゾネータと略記する）と発振器
（以下、OSCと略記する）の一部であるプリント
基板（以下、PWBと略記する）上の金属パター
ンとを電気的に結合させる構成を示す斜視図であ
る。この考案を説明するために特に必要のない
OSCの電源回路などの詳細な説明は省略する。
図において、１はPWBであり、マイクロ波帯で
よく使われているテフロンを母材とした基板であ
る。２は発振素子である電界効果型トランジスタ
（以下、FETと略記する）であり、PWB１の上
に構成された金属パターン３ａ〜３ｄにFET２
の各電極５ａ〜５ｃが半田付けされる。４は円筒
形のレゾネータであり、FET２の各電極５ａ〜
５ｃが半田付けされた金属パターン３ａ〜３ｄと
電気的に結合するように固定する。レゾネータ４
の固定方法については、この考案の説明には関係
しないので省略する。
（以下、DROと略記する）の一部を示し、誘電体
共振器（以下、レゾネータと略記する）と発振器
（以下、OSCと略記する）の一部であるプリント
基板（以下、PWBと略記する）上の金属パター
ンとを電気的に結合させる構成を示す斜視図であ
る。この考案を説明するために特に必要のない
OSCの電源回路などの詳細な説明は省略する。
図において、１はPWBであり、マイクロ波帯で
よく使われているテフロンを母材とした基板であ
る。２は発振素子である電界効果型トランジスタ
（以下、FETと略記する）であり、PWB１の上
に構成された金属パターン３ａ〜３ｄにFET２
の各電極５ａ〜５ｃが半田付けされる。４は円筒
形のレゾネータであり、FET２の各電極５ａ〜
５ｃが半田付けされた金属パターン３ａ〜３ｄと
電気的に結合するように固定する。レゾネータ４
の固定方法については、この考案の説明には関係
しないので省略する。
PWB１の金属パターンには通常銅が使用され
ており、銅表面の経年変化を防ぐために半田メツ
キが施されている。
ており、銅表面の経年変化を防ぐために半田メツ
キが施されている。
FET２の電極の構成は、５ａがゲート電極、
５ｂがソース電極、５ｃがドレイン電極である。
ゲート電極５ａは金属パターン３ａと、ソース電
極５ｂは金属パターン３ｂ，３ｃと、ドレイン電
極５ｃは金属パターン３ｄとそれぞれ半田付けさ
れている。レゾネータ４は、金属パターン３ａと
３ｂについて電気的に結合されており、発振素子
であるFET２のゲート電極５ａとソース電極５
ｂに対して結合することになる。
５ｂがソース電極、５ｃがドレイン電極である。
ゲート電極５ａは金属パターン３ａと、ソース電
極５ｂは金属パターン３ｂ，３ｃと、ドレイン電
極５ｃは金属パターン３ｄとそれぞれ半田付けさ
れている。レゾネータ４は、金属パターン３ａと
３ｂについて電気的に結合されており、発振素子
であるFET２のゲート電極５ａとソース電極５
ｂに対して結合することになる。
次に動作について説明する。第３図に示した
PWB１上に構成されたOSCは、３端子素子であ
るFET２を発振素子として、FET２のゲート電
極５ａとソース電極５ｂが半田付けされたPWB
１上の金属パターン３ａ，３ｂ上に円筒型のレゾ
ネータ４を取り付け、FET２のゲート側に負性
抵抗を発生させることによりFET２およびレゾ
ネータ４の電気定数によつて決まる一定の周波数
において発振させることができる。発振出力は金
属パターン３ｄに接続される出力回路から取り出
すことができる。出力回路についての説明は省略
する。
PWB１上に構成されたOSCは、３端子素子であ
るFET２を発振素子として、FET２のゲート電
極５ａとソース電極５ｂが半田付けされたPWB
１上の金属パターン３ａ，３ｂ上に円筒型のレゾ
ネータ４を取り付け、FET２のゲート側に負性
抵抗を発生させることによりFET２およびレゾ
ネータ４の電気定数によつて決まる一定の周波数
において発振させることができる。発振出力は金
属パターン３ｄに接続される出力回路から取り出
すことができる。出力回路についての説明は省略
する。
第４図にレゾネータ４とPWB１上の金属パタ
ーン３ａ，３ｂとの接触の様子を示す。レゾネー
タ４は金属パターン３ａと３ｂとに均等に接触し
て電気的に結合し、FET２の持つ電気定数とレ
ゾネータ４の電気定数とによりあらかじめ予想さ
れる周波数で安定に発振する。
ーン３ａ，３ｂとの接触の様子を示す。レゾネー
タ４は金属パターン３ａと３ｂとに均等に接触し
て電気的に結合し、FET２の持つ電気定数とレ
ゾネータ４の電気定数とによりあらかじめ予想さ
れる周波数で安定に発振する。
従来のDROは以上のように構成されているの
で、安定に発振出力を得るためには、第４図に示
すように、レゾネータ４が金属パターン３ａおよ
び３ｂに均等に接触することが必要であり、第５
図に示すように、金属パターン３ａまたは３ｂの
厚さに差が生じてレゾネータ４が金属パターン３
ａおよび３ｂに均等に接触しなければ、電気的な
結合に不均衡を生じ所要の発振周波数で発振させ
ることができなくなり、回路設計の際に予想され
ない不要な周波数で発振するなどの問題点があつ
た。
で、安定に発振出力を得るためには、第４図に示
すように、レゾネータ４が金属パターン３ａおよ
び３ｂに均等に接触することが必要であり、第５
図に示すように、金属パターン３ａまたは３ｂの
厚さに差が生じてレゾネータ４が金属パターン３
ａおよび３ｂに均等に接触しなければ、電気的な
結合に不均衡を生じ所要の発振周波数で発振させ
ることができなくなり、回路設計の際に予想され
ない不要な周波数で発振するなどの問題点があつ
た。
ところが、金属パターン３ａ，３ｂは前述の通
り、半田メツキされているため、ゲート電極５ａ
およびソース電極５ｂを半田付けする際にレゾネ
ータ４を取り付けるところまで半田が流れて金属
パターン３ａまたは３ｂの表面に凹凸を生じた
り、PWB１を製造する際の半田メツキの表面仕
上がりが悪く半田の表面に凹凸を残している場
合、第５図に示すようになり、不要な周波数で発
振するため、DROとして完全な動作をするもの
でなかつた。
り、半田メツキされているため、ゲート電極５ａ
およびソース電極５ｂを半田付けする際にレゾネ
ータ４を取り付けるところまで半田が流れて金属
パターン３ａまたは３ｂの表面に凹凸を生じた
り、PWB１を製造する際の半田メツキの表面仕
上がりが悪く半田の表面に凹凸を残している場
合、第５図に示すようになり、不要な周波数で発
振するため、DROとして完全な動作をするもの
でなかつた。
そのために、PWB１にFET２を半田付けした
あとで、レゾネータ４が取り付く金属パターン３
ａおよび３ｂの不要な半田を取り除き、第４図に
示す接触状態が確保できるように、手直し作業を
実施しなければならないなどの問題点があつた。
あとで、レゾネータ４が取り付く金属パターン３
ａおよび３ｂの不要な半田を取り除き、第４図に
示す接触状態が確保できるように、手直し作業を
実施しなければならないなどの問題点があつた。
この考案は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、不要な手直し作業を省くとと
もに、安定な発振出力が得られるDROを得るこ
とを目的とする。
になされたもので、不要な手直し作業を省くとと
もに、安定な発振出力が得られるDROを得るこ
とを目的とする。
この考案に係るDROは、レゾネータと金属パ
ターンとが接触するPWBの表面に塗布時液状で
塗布後固化し半田の溶融温度に耐え得る誘電体膜
を塗布し、金属パターンのレゾネータに接触する
部分は半田メツキを施さず、誘電体膜により銅表
面の経年変化を防ぎ、他のPWBの表面金属パタ
ーンは半田メツキとしたものである。
ターンとが接触するPWBの表面に塗布時液状で
塗布後固化し半田の溶融温度に耐え得る誘電体膜
を塗布し、金属パターンのレゾネータに接触する
部分は半田メツキを施さず、誘電体膜により銅表
面の経年変化を防ぎ、他のPWBの表面金属パタ
ーンは半田メツキとしたものである。
この考案におけるDROは、レゾネータと接触
する金属パターンの表面に誘電体膜を塗布しるこ
とにより、レゾネータと金属パターンとの間に半
田が流入することなくこれらの間の接触が均等に
なり、安定な発振出力を得ることができるもので
ある。
する金属パターンの表面に誘電体膜を塗布しるこ
とにより、レゾネータと金属パターンとの間に半
田が流入することなくこれらの間の接触が均等に
なり、安定な発振出力を得ることができるもので
ある。
以下、この考案の一実施例を図について説明す
る。第１図において、６はソルダレジストであ
り、レゾネータ４が接触する金属パターン３ａ，
３ｂの表面に一様に塗布されている。ソルダレジ
スト６は、第２図に示すように、金属パターン３
ａ，３ｂの表面を覆い、誘電体膜であるソルダレ
ジスト６を介して、レゾネータ４と金属パターン
３ａ，３ｂとが電気的に結合する。
る。第１図において、６はソルダレジストであ
り、レゾネータ４が接触する金属パターン３ａ，
３ｂの表面に一様に塗布されている。ソルダレジ
スト６は、第２図に示すように、金属パターン３
ａ，３ｂの表面を覆い、誘電体膜であるソルダレ
ジスト６を介して、レゾネータ４と金属パターン
３ａ，３ｂとが電気的に結合する。
ソルダレジスト６は、電気的には誘電体として
取り扱うことができ、厚さが充分に薄い場合は
DROの電気特性に与える影響は実用上問題ない。
誘電体膜であるソルダレジスト６は、PWB１の
製作時に広く使用されているものでよく、また、
ソルダレジスト６は熱硬化樹脂で硬化前は液体で
あり、流動性が高く一様に塗布することができ
る。
取り扱うことができ、厚さが充分に薄い場合は
DROの電気特性に与える影響は実用上問題ない。
誘電体膜であるソルダレジスト６は、PWB１の
製作時に広く使用されているものでよく、また、
ソルダレジスト６は熱硬化樹脂で硬化前は液体で
あり、流動性が高く一様に塗布することができ
る。
第１図に示すDROにおいては、PWB１上の金
属パターン３ａおよび３ｂのソルダレジスト６が
塗布された部分の表面は銅であり、半田がないた
め表面の凹凸は半田メツキされた場合に比べて小
さくなつている。さらに、ソルダレジスト６は前
述の通り熱硬化する前は流動性の高い液体であ
り、第２図に示すように、PWB１の表面に一様
に広がつており、表面の凹凸はソルダレジスト６
を塗布する前の状態とほぼ同じである。ソルダレ
ジスト６の厚みは20〜30μｍにすることができ
る。
属パターン３ａおよび３ｂのソルダレジスト６が
塗布された部分の表面は銅であり、半田がないた
め表面の凹凸は半田メツキされた場合に比べて小
さくなつている。さらに、ソルダレジスト６は前
述の通り熱硬化する前は流動性の高い液体であ
り、第２図に示すように、PWB１の表面に一様
に広がつており、表面の凹凸はソルダレジスト６
を塗布する前の状態とほぼ同じである。ソルダレ
ジスト６の厚みは20〜30μｍにすることができ
る。
ソルダレジスト６を塗布したPWB１の上に、
第３図の場合と同様にしてレゾネータ４を取り付
けると、PWB１の表面の凹凸が小さいこと、か
つPWB１にFET２の各電極を半田付けする際に
も半田が流れることがないため、金属パターン３
ａまたは３ｂの表面に凹凸を生じることがなく、
レゾネータ４は金属パターン３ａおよび３ｂに対
して誘電体であるソルダレジスト６を介して電気
的に均等に結合することになり、DROとして安
定に動作し得る。
第３図の場合と同様にしてレゾネータ４を取り付
けると、PWB１の表面の凹凸が小さいこと、か
つPWB１にFET２の各電極を半田付けする際に
も半田が流れることがないため、金属パターン３
ａまたは３ｂの表面に凹凸を生じることがなく、
レゾネータ４は金属パターン３ａおよび３ｂに対
して誘電体であるソルダレジスト６を介して電気
的に均等に結合することになり、DROとして安
定に動作し得る。
ソルダレジスト６はマイクロ波帯で使用する以
外のPWB１については広く使用されており、こ
の製造工程においてはソルダレジスト６の塗布は
標準的な作業であつて、ソルダレジスト６を塗布
することにより大幅なコスト上昇を招くことはな
く、また、第３図によるDROについてFET２を
半田付けした後に実施するPWB１表面の手直し
作業に比べて大幅に時間の短い作業であり、
DRO全体としての組立時間が短縮されることな
り、製造コストが改善される。
外のPWB１については広く使用されており、こ
の製造工程においてはソルダレジスト６の塗布は
標準的な作業であつて、ソルダレジスト６を塗布
することにより大幅なコスト上昇を招くことはな
く、また、第３図によるDROについてFET２を
半田付けした後に実施するPWB１表面の手直し
作業に比べて大幅に時間の短い作業であり、
DRO全体としての組立時間が短縮されることな
り、製造コストが改善される。
なお、上記実施例ではFET２のゲート電極５
ａとソース電極５ｂとにレゾネータ４を結合させ
たDROを示したが、DROとしてはドレイン電極
５ｃとソース電極５ｂとにレゾネータ４を結合さ
せるものであつてもよく、PWB１上に構成され
たOSCであり、金属パターン３ａ〜３ｄのいず
れかとレゾネータ４とを結合させたDROであれ
ば、上記実施例と同様の効果を奏する。
ａとソース電極５ｂとにレゾネータ４を結合させ
たDROを示したが、DROとしてはドレイン電極
５ｃとソース電極５ｂとにレゾネータ４を結合さ
せるものであつてもよく、PWB１上に構成され
たOSCであり、金属パターン３ａ〜３ｄのいず
れかとレゾネータ４とを結合させたDROであれ
ば、上記実施例と同様の効果を奏する。
また、金属パターン３ａ，３ｂの表面に塗布さ
れる樹脂はソルダレジスト６だけに限らず、塗布
時液状で塗布後固化し半田の溶融温度に耐え、か
つ金属パターン３ａおよび３ｂの表面を一様に覆
い、レゾネータ４と金属パターン３ａ，３ｂとが
均等に接触できるようになるものであれば、他の
誘電体損失の少ない誘電体膜であつてもよく、上
記実施例と同様の効果が得られる。
れる樹脂はソルダレジスト６だけに限らず、塗布
時液状で塗布後固化し半田の溶融温度に耐え、か
つ金属パターン３ａおよび３ｂの表面を一様に覆
い、レゾネータ４と金属パターン３ａ，３ｂとが
均等に接触できるようになるものであれば、他の
誘電体損失の少ない誘電体膜であつてもよく、上
記実施例と同様の効果が得られる。
以上のように、この考案によれば、レゾネータ
と金属パターンとの接触状態が改善され電気的な
結合が安定になるので、DROとして安定な発振
出力が得られ、かつ、PWB表面の手直し作業が
不要になるので、組立時間が短縮できるものが得
られる効果がある。
と金属パターンとの接触状態が改善され電気的な
結合が安定になるので、DROとして安定な発振
出力が得られ、かつ、PWB表面の手直し作業が
不要になるので、組立時間が短縮できるものが得
られる効果がある。
第１図はこの考案の一実施例による誘電体共振
器装荷型発振器の一部を示す斜視図、第２図は第
１図に示した誘電体共振器装荷型発振器の要部断
面図、第３図は従来の誘電体共振器装荷型発振器
の一部を示す斜視図、第４図は第３図に示した誘
電体共振器装荷型発振器の要部断面図、第５図は
第３図に示した誘電体共振器装荷型発振器におけ
る不都合な状態を示す要部断面図である。 １はプリント基板PWB、２は電界効果型トラ
ンジスタFET、３ａ〜３ｄは金属パターン、４
は誘電体共振器（レゾネータ）、５ａ〜５ｃは電
極、６は誘電体膜（ソルダレジスト）。なお、図
中、同一符号は同一または相当部分を示す。
器装荷型発振器の一部を示す斜視図、第２図は第
１図に示した誘電体共振器装荷型発振器の要部断
面図、第３図は従来の誘電体共振器装荷型発振器
の一部を示す斜視図、第４図は第３図に示した誘
電体共振器装荷型発振器の要部断面図、第５図は
第３図に示した誘電体共振器装荷型発振器におけ
る不都合な状態を示す要部断面図である。 １はプリント基板PWB、２は電界効果型トラ
ンジスタFET、３ａ〜３ｄは金属パターン、４
は誘電体共振器（レゾネータ）、５ａ〜５ｃは電
極、６は誘電体膜（ソルダレジスト）。なお、図
中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- プリント基板上に構成された金属パターンと、
この金属パターン上に電極が半田付けされたトラ
ンジスタとを備え、上記プリント基板上に上記金
属パターンと電気的に結合するように誘電体共振
器を装荷した誘電体共振器装荷型発振器におい
て、上記誘電体共振器と上記金属パターンとを、
この金属パターンの一部の上に塗布された、塗布
時液状で塗布後固化し半田の溶融温度に耐え得る
誘電体膜を介して電気的に結合させたことを特徴
とする誘電体共振器装荷型発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985108351U JPH055689Y2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1985108351U JPH055689Y2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217204U JPS6217204U (ja) | 1987-02-02 |
| JPH055689Y2 true JPH055689Y2 (ja) | 1993-02-15 |
Family
ID=30985466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1985108351U Expired - Lifetime JPH055689Y2 (ja) | 1985-07-15 | 1985-07-15 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055689Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3840828A (en) * | 1973-11-08 | 1974-10-08 | Bell Telephone Labor Inc | Temperature-stable dielectric resonator filters for stripline |
| JPS5384446A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Fujitsu Ltd | Stabilizing oscillator of dielectric resonator |
| US4079341A (en) * | 1977-03-01 | 1978-03-14 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Microwave oscillator having feedback coupled through a dielectric resonator |
-
1985
- 1985-07-15 JP JP1985108351U patent/JPH055689Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6217204U (ja) | 1987-02-02 |
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