JPH0557355B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0557355B2 JPH0557355B2 JP28144884A JP28144884A JPH0557355B2 JP H0557355 B2 JPH0557355 B2 JP H0557355B2 JP 28144884 A JP28144884 A JP 28144884A JP 28144884 A JP28144884 A JP 28144884A JP H0557355 B2 JPH0557355 B2 JP H0557355B2
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- JP
- Japan
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- frequency coil
- gas
- pressure
- induction heating
- reactor
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
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- Metallurgy (AREA)
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- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高周波誘導加熱によるたて型気相反
応装置に関する。
応装置に関する。
気相反応装置において、高周波コイルを用いた
高周波誘導加熱が広く用いられている。例えば、
エピタキシー装置においてこのような高周波誘導
加熱が広く採用されている。
高周波誘導加熱が広く用いられている。例えば、
エピタキシー装置においてこのような高周波誘導
加熱が広く採用されている。
ところがたて型で高周波誘導加熱により気相反
応させる場合に、減圧式にすると、異常放電の問
題が生じる。
応させる場合に、減圧式にすると、異常放電の問
題が生じる。
例えば、たて型気相反応装置の１種であるパン
ケーキ型たて型装置は、第３図に示す如く高周波
コイル２′が、ベルジヤ１１′（通例石英製）によ
り画成される反応炉１′の内部に位置するため、
炉内圧力を減圧化すると、高周波コイル２′も減
圧下に置かれることになり、従つて異常放電を招
くことになる。異常放電が起こると負荷インピー
ダンスが大きく変化し、放電が不安定となり、発
振機が破損することもある。（第１図中、３′はカ
ーボン支持台、４′はウエハ、５′は石英カバー、
矢印はガスの流れである。） 実際上、炉内圧力を100〜200Torr程度の圧力
にした場合には、放電なしで1100℃以上に加熱す
ることは困難であり、放電の問題は避けられな
い。それ程減圧せず、200Torr以上の圧力の高い
範囲では、放電の問題はあまりないが、減圧式に
するためにはやはり放電の問題を解決する必要が
ある。
ケーキ型たて型装置は、第３図に示す如く高周波
コイル２′が、ベルジヤ１１′（通例石英製）によ
り画成される反応炉１′の内部に位置するため、
炉内圧力を減圧化すると、高周波コイル２′も減
圧下に置かれることになり、従つて異常放電を招
くことになる。異常放電が起こると負荷インピー
ダンスが大きく変化し、放電が不安定となり、発
振機が破損することもある。（第１図中、３′はカ
ーボン支持台、４′はウエハ、５′は石英カバー、
矢印はガスの流れである。） 実際上、炉内圧力を100〜200Torr程度の圧力
にした場合には、放電なしで1100℃以上に加熱す
ることは困難であり、放電の問題は避けられな
い。それ程減圧せず、200Torr以上の圧力の高い
範囲では、放電の問題はあまりないが、減圧式に
するためにはやはり放電の問題を解決する必要が
ある。
結局、従来の高周波誘導加熱による気相反応装
置では、真空度が高くなると（例えばＰ
100Torrになると）、放電が起こりやすくなるた
め、実際にはＰ100Torrでの気相成長は困難
で、事実上出来なかつたものである。
置では、真空度が高くなると（例えばＰ
100Torrになると）、放電が起こりやすくなるた
め、実際にはＰ100Torrでの気相成長は困難
で、事実上出来なかつたものである。
本発明は、減圧下での高周波誘導加熱が可能な
たて型気相反応装置を提供することを目的とす
る。
たて型気相反応装置を提供することを目的とす
る。
本発明の高周波誘導加熱によるたて型気相反応
装置は、気相反応が行われる部分と高周波コイル
が位置する部分とを分けることにより、両部分が
異なる圧力になることを可能ならしめた構成とす
る。
装置は、気相反応が行われる部分と高周波コイル
が位置する部分とを分けることにより、両部分が
異なる圧力になることを可能ならしめた構成とす
る。
上記構成の結果、気相反応が行われる反応炉
と、異常放電の原因となる高周波コイル部とを分
けたため、炉内を減圧しても、高周波コイル部分
は任意の圧力、即ち炉内圧より高い圧力（例えば
常圧とか、低圧）にできるため、高周波コイルの
位置する部分が減圧化されることで発生していた
異常放電を防止できる。このため、減圧下での高
周波誘導加熱による気相反応が可能となる。
と、異常放電の原因となる高周波コイル部とを分
けたため、炉内を減圧しても、高周波コイル部分
は任意の圧力、即ち炉内圧より高い圧力（例えば
常圧とか、低圧）にできるため、高周波コイルの
位置する部分が減圧化されることで発生していた
異常放電を防止できる。このため、減圧下での高
周波誘導加熱による気相反応が可能となる。
合わせて、上記両部分の分離により、炉そのも
のの容量を小さくすることも可能となり、このた
め一般に石英から造られるベルジヤを小さくでき
る。かつ、炉内パージが短くできる。また、高周
波コイルから汚染物質たる金属が炉内に入ること
が抑制でき、ウエハなどが金属によつて汚染され
ることを防止できる。かつ、高周波コイル部のパ
ージガスを、安い窒素にすることもできるように
なる。
のの容量を小さくすることも可能となり、このた
め一般に石英から造られるベルジヤを小さくでき
る。かつ、炉内パージが短くできる。また、高周
波コイルから汚染物質たる金属が炉内に入ること
が抑制でき、ウエハなどが金属によつて汚染され
ることを防止できる。かつ、高周波コイル部のパ
ージガスを、安い窒素にすることもできるように
なる。
以下、本発明の一実施例について、図面を参照
して説明する。
して説明する。
第１図に示すのは、本発明をいわゆるパンケー
キ型たて型炉に適用した例である。
キ型たて型炉に適用した例である。
本例においては、反応炉１の外側に高周波コイ
ル２を設置することにより、気相反応が行われる
反応炉１と、高周波コイル２が位置する部分とを
分ける。
ル２を設置することにより、気相反応が行われる
反応炉１と、高周波コイル２が位置する部分とを
分ける。
加熱すべきウエハ等を載置するグラフアイト・
サセプタ３は、ワークコイルである高周波コイル
２に近接するように、炉内に設置する。
サセプタ３は、ワークコイルである高周波コイル
２に近接するように、炉内に設置する。
本例ではステンレスベルジヤ１１ａ（水冷式）
と、石英製インナーベルジヤ１１とにより反応炉
１が構成されており、石英ノズル４から反応ガス
（水素やシラン系ガス）が炉内に送られる構成に
なつている。
と、石英製インナーベルジヤ１１とにより反応炉
１が構成されており、石英ノズル４から反応ガス
（水素やシラン系ガス）が炉内に送られる構成に
なつている。
上記のように、高周波コイル２を反応炉１の外
側に設置することにより両者を分離したので、減
圧下で気相反応を行わせることができ、しかもそ
の場合でも高周波コイル２はその減圧の影響を受
けないので、放電などの問題は生じない。従つ
て、反応を100Torr以下の減圧条件で行つても、
高周波コイル２は常圧（乃至は低圧）下に置くこ
とができ、減圧下での気相反応が可能となる。
側に設置することにより両者を分離したので、減
圧下で気相反応を行わせることができ、しかもそ
の場合でも高周波コイル２はその減圧の影響を受
けないので、放電などの問題は生じない。従つ
て、反応を100Torr以下の減圧条件で行つても、
高周波コイル２は常圧（乃至は低圧）下に置くこ
とができ、減圧下での気相反応が可能となる。
本例の構成にあつては、高周波コイル２から汚
染物質たる金属が炉内に入ることも抑制できウエ
ハなどが金属によつて汚染されることを防止でき
る。高周波コイル部のパージガスを、安い窒素に
することもできる。また、高周波コイル２を外に
出した分、たて方向（第１図の上下方向）の長さ
を小さくしてもよいので、炉そのものの容量を小
さくすることも可能である。このためベルジヤ
（特に石英製ベルジヤ１１）を小さくできて有利
である。かつ、炉内パージが短くできる。
染物質たる金属が炉内に入ることも抑制できウエ
ハなどが金属によつて汚染されることを防止でき
る。高周波コイル部のパージガスを、安い窒素に
することもできる。また、高周波コイル２を外に
出した分、たて方向（第１図の上下方向）の長さ
を小さくしてもよいので、炉そのものの容量を小
さくすることも可能である。このためベルジヤ
（特に石英製ベルジヤ１１）を小さくできて有利
である。かつ、炉内パージが短くできる。
第２図に示すのは、本発明の別の実施例であ
る。この例は、ベルジヤ１１，１１ａで画成され
る空間内に、特に高周波コイル２の収納部２１を
形成し、この収納部２１を気相反応が行われる反
応部分１ａとを気密に隔絶して、双方の圧力が異
なることを可能としたものである。
る。この例は、ベルジヤ１１，１１ａで画成され
る空間内に、特に高周波コイル２の収納部２１を
形成し、この収納部２１を気相反応が行われる反
応部分１ａとを気密に隔絶して、双方の圧力が異
なることを可能としたものである。
本例も、前記例と同様の作用効果を示す。かつ
本例では、高周波コイル２の部分の圧力の制御が
一層確実にできる。第２図中、前記例と同様の構
成部分については、同じ符号を付した。
本例では、高周波コイル２の部分の圧力の制御が
一層確実にできる。第２図中、前記例と同様の構
成部分については、同じ符号を付した。
なお当然のことではあるが、本発明は図示した
例にのみ限定されるものではない。
例にのみ限定されるものではない。
上述の如く、本発明のたて型気相反応装置は、
高周波コイルの放電の問題を解決して、減圧下で
の高周波誘導加熱による気相反応が可能となつた
ものである。
高周波コイルの放電の問題を解決して、減圧下で
の高周波誘導加熱による気相反応が可能となつた
ものである。
第１図及び第２図は、各々本発明の一実施例を
示す断面図である。第３図は従来例を示す。 １，１ａ……反応炉（気相反応部）、２……高
周波コイル、２１……高周波コイル収納部。
示す断面図である。第３図は従来例を示す。 １，１ａ……反応炉（気相反応部）、２……高
周波コイル、２１……高周波コイル収納部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高周波誘導加熱によるたて型気相反応装置に
おいて、気相反応が行われる部分と高周波コイル
が位置する部分とを分けることにより、両部分が
異なる圧力になることを可能ならしめた高周波誘
導加熱気相反応装置。 ２ 気相反応が行われる反応炉内を減圧し、かつ
高周波コイルを常圧下または炉内圧より高い圧力
下とした特許請求の範囲第１項記載の高周波誘導
加熱気相反応装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28144884A JPS61159574A (ja) | 1984-12-31 | 1984-12-31 | 高周波誘導加熱気相反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28144884A JPS61159574A (ja) | 1984-12-31 | 1984-12-31 | 高周波誘導加熱気相反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159574A JPS61159574A (ja) | 1986-07-19 |
| JPH0557355B2 true JPH0557355B2 (ja) | 1993-08-23 |
Family
ID=17639313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28144884A Granted JPS61159574A (ja) | 1984-12-31 | 1984-12-31 | 高周波誘導加熱気相反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159574A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| IT1271233B (it) * | 1994-09-30 | 1997-05-27 | Lpe | Reattore epitassiale munito di suscettore discoidale piano ed avente flusso di gas parallelo ai substrati |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| CN102277603A (zh) * | 2011-08-03 | 2011-12-14 | 深圳大学 | 一种感应热/电沉积制备涂层或薄膜的装置及方法 |
-
1984
- 1984-12-31 JP JP28144884A patent/JPS61159574A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61159574A (ja) | 1986-07-19 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |