JPH0562126A

JPH0562126A - 浮上型磁気ヘツドの製造方法

Info

Publication number: JPH0562126A
Application number: JP30052191A
Authority: JP
Inventors: Takao Yamano; 孝雄山野; Takashi Ogura; 隆小倉
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 1990-12-14
Filing date: 1991-11-15
Publication date: 1993-03-12
Anticipated expiration: 2013-04-02
Also published as: JP2735967B2

Abstract

(57)【要約】【目的】高精度のトラック幅を高精度に規制出来、然
も加工変質層に起因する性能低下を防止出来る浮上型磁
気ヘッドの製造方法を提供する。【構成】ヘッド部及びスライダー部を具えた浮上型磁
気ヘッドの製造方法において、前記ヘッド部及びスライ
ダー部となるべきヘッド形成部２０及びスライダー形成
部をごういつ平面上に配置して構成されるコアブロック
７を作製した後、該コアブロック７の媒体対向面８にギ
ャップスペーサ４と交差して伸びる複数のトラック幅規
制溝１４，１４をドライエッチングによって加工し、対
向する一対のトラック幅規制溝１４，１４の間に、所定
のトラック幅Twのギャップスペーサからなる磁気ギャッ
プ部Ｇを形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドの製造方法
に関し、より具体的には、トラック幅を規制するための
溝加工をエッチングによって高精度に行う浮上型磁気ヘ
ッドの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディク記録再生装置などに
用いられる浮上型磁気ヘッドにおいては、磁気記録の高
密度化に伴って磁気ヘッド自体の小型化と共に、浮上量
及びトラック幅の微小化と高精度化が要求されている。

【０００３】図７は従来の浮上型磁気ヘッドを示し、該
磁気ヘッドは、ヘッド部Ｈが磁気ギャップ部Ｇを挟んで
両側にセンダスト等の強磁性金属薄膜１９，１９を配置
したＭＩＧ（Metal In Gap）型であって、且つスライダ
ー部Ｓがヘッド部Ｈの主コア部と同一資材で一体に成形
されたモノリシックタイプを採用している。図８乃至図
１３は、図７に示す磁気ヘッドの製造方法を示してい
る。

【０００４】図８及び図９に示すように、厚みの異なる
２枚の鏡面加工されたフェライト等の磁性基板１ａ，１
ｂの表面（接合面）に、それぞれトラック幅規制溝２及
び巻線溝３を形成すると共に、センダスト等の強磁性金
属薄膜１９を形成する。

【０００５】次に図１０に示すように、少なくとも一方
の基板１ａの接合面にSiO₂等の非磁性材料よりなるギャ
ップスペーサ４を被着形成した後、両基板１ａ，１ｂを
ギャップ形成面を対向させて突き合わせ、前記巻線溝３
にガラス棒（図示せず）を挿入して溶融固化することに
より、トラック幅規制溝２内にガラス５を充填し、両基
板１ａ，１ｂを互いに接合固定してブロック６を作製す
る。

【０００６】次に該ブロック６を切断して、図１１に示
すように複数のコアブロック７，７を得る。更に図１２
に示すように、コアブロック７の側面１２に対してギャ
ップスペーサ４からなる磁気ギャップ部Ｇ及びその近傍
を除く領域に溝加工を施した後、該コアブロック７の媒
体対向面８に研摩を施して、所定のデプス長ｄを得ると
共に、媒体対向面８を鏡面に仕上げる。

【０００７】次に図１３に示すように、前記媒体対向面
８にレール溝９を形成した後、該コアブロック７を複数
のコアチップ１０，１０に切断することによって、図７
に示す磁気ヘッド１を完成する。

【０００８】しかし、上述の磁気ヘッド１の製造工程に
おいて、基板１ａ，１ｂの接合時に基板相互間の位置ず
れが発生することが避けられず、この結果、磁気ギャッ
プ部Ｇのトラック幅を精度良く形成することが出来ない
という問題があった。

【０００９】そこで最近では、２枚の基板をギャップス
ペーサを介して接合し、これを切断したコアブロックに
対し、トラック幅を規制するための溝加工を施す製造方
法が採用されている。この製造方法によって作製された
磁気ヘッド１３を図１４に示し、その製造工程を図１５
乃至図２２に示す。

【００１０】まず、図１５及び図１６に示すように、厚
みの異なる２枚の鏡面加工されたフェライト等の磁性材
基板１ａ，１ｂの表面（接合面）に巻線溝３を形成する
と共に、強磁性金属薄膜１９を形成する。

【００１１】次に図１７に示すように、少なくとも一方
の基板１ａの接合面にSiO₂等の非磁性材料よりなるギャ
ップスペーサ４を被着形成した後、両基板１ａ，１ｂを
ギャップ形成面が対向するように突き合わせ、巻線溝３
にガラス棒（図示せず）を挿入し、該ガラス棒を溶融固
化することにより両基板１ａ，１ｂを互いに接合固定し
て、ブロック６を作製する。更に、該ブロック６を切断
して、図１８に示すように複数のコアブロック７，７を
得る。

【００１２】次に、図１９に示すようにコアブロック７
の上面にトラック幅規制溝２を加工した後、図２０に示
すようにコアブロック７の上面に、トラック幅規制溝２
を被うようにガラス１１を溶融固化し、トラック幅規制
溝２内にガラス１１を充填する。その後、図２１に示す
ように前記コアブロック７の側面１２にはみ出したガラ
ス１１を研摩により除去し、該コアブロック７の側面１
２に対し、磁気ギャップ部Ｇ及びその近傍を除く領域に
溝加工を施す。そして、該コアブロック７の媒体対向面
８に研摩を施して、所定のデプス長ｄを得ると共に、媒
体対向面８を鏡面に仕上げる。

【００１３】次に、図２２に示すように媒体対向面８に
レール溝９を形成した後、該コアブロック７を複数のコ
アチップ１０，１０に切断することによって、図１４の
磁気ヘッド１３を完成する。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述の磁気
ヘッドの製造方法においては、トラック幅規制溝２を加
工するために、ダイヤモンド砥粒を付着させた回転砥石
が使用される。回転砥石による機械加工の場合、トラッ
ク幅規制溝２の幅がかなり大きくなり、それによって磁
気ヘッドの機械的強度が低下し、品質も不安定になるば
かりでなく、浮上量にも悪影響を及ぼす。そこで、上述
のようにトラック幅規制溝２にガラス１１を充填する。

【００１５】図１４の磁気ヘッドによれば、その製造工
程において、基板１ａ，１ｂの接合時の位置ずれに起因
して磁気ギャップ部Ｇのトラック幅の精度が低下する問
題は起こらない。しかしながら、図２３に示すように回
転砥石によるトラック幅規制溝２の加工では、溝の側壁
に斜面２ａ，２ａが形成されることは避けられないの
で、媒体対向面の研摩に伴って、トラック幅がトラック
幅規制溝２を形成した直後の幅Tw₁から、研摩量d₁に応
じた幅Tw₂に変化し、その変化量は一定しない。この結
果、トラック幅の精度が低下する問題が生じる。また、
磁気ヘッドには、機械加工によって生じる加工変質層が
残るため、性能の低下が生じる。この性能低下はトラッ
ク幅が小さくなるほど著しくなる。

【００１６】また、図１５乃至図２２に示す磁気ヘッド
の製造方法では、従来のセンダスト合金に比べて飽和磁
束密度、透磁率、保磁力等の磁気特性が優れていると云
われるセンダスト合金に微量の窒素Ｎを添加したＦｅ−
Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金を磁性金属薄膜１９として採用した
場合、図１７に示すガラス接合工程で使用されるガラス
は、図２０のガラス充填工程で使用されるガラスよりも
高い溶融温度を有するものに限定されるから、図１７の
工程における高温の熱処理によってＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−
Ｎ合金からなる強磁性金属薄膜１９の磁気特性が低下
し、性能の高い磁気ヘッドが得られない問題がある。上
述のＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金は、磁気特性が優れてい
る反面、６００℃を越える高温の熱処理によって磁気特
性が逆に劣化することが、本発明の実験過程において明
かとなった。

【００１７】本発明の目的は、高精度のトラック幅を高
精度に規制出来、しかも加工変質層に起因する性能低下
を防止出来る浮上型磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とである。更には、ドライエッチングによるトラック幅
規制溝の加工を可能とした浮上型磁気ヘッドの製造方法
を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】ヘッド部及びスライダー
部となるヘッド形成部及びスライダー形成部を同一平面
上に配置して構成され、前記ヘッド形成部は、ギャップ
スペーサを挟んで両側に一対の磁性体を配置してなるコ
アブロックを作製する工程と、前記コアブロックのギャ
ップスペーサが終端する媒体対向面に、ギャップギャッ
プスペーサと交差して伸びる複数のトラック幅規制溝を
ドライエッチング法によって加工し、隣接する一対のト
ラック幅規制溝の間に所定のトラック幅のギャップスペ
ーサからなる磁気ギャップ部を形成する工程により、浮
上型磁気ヘッドを作製する構成とする。

【００１９】また、上述のコアブロック作製工程におい
て、少なくとも一方の磁性体に形成すべき強磁性金属薄
膜を被着形成すると共に、該強磁性金属薄膜はアルミニ
ウムＡｌ：４.０wt％乃至７.０wt％、珪素Ｓｉ：８.０w
t％乃至１２.０wt％、窒素Ｎ：０.５wt％乃至５.０wt
％、残部は実質的に鉄ＦｅのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金
であって、一対の磁性体を互いに接合固定する際、溶融
ガラスを接合剤として用い、接合時の熱処理温度は略５
００℃乃至６００℃に抑制する構成とする。

【００２０】

【作用】上述の製造方法によれば、トラック幅規制溝が
ドライエッチングによって加工されるので、従来の回転
砥石による溝加工に比べて加工精度が遥かに高く、トラ
ック幅規制溝の幅及び深さは必要最小限の大きさに高精
度に形成できる。

【００２１】また、ドライエッチングによってトラック
幅規制溝の加工を行うことにより、図１７に示すガラス
接合工程に使用するガラスとして、溶融温度が５００℃
野乃至６００℃の範囲内の低融点ガラスを用いることが
可能となる。

【００２２】

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明をＭＩＧ型
モノリシック磁気ヘッドに実施した例について具体的に
説明する。尚、図面において、前述した従来例と同一部
分については同一符号を付してその説明を省略する。

【００２３】まず、図１５乃至図１８に示す工程と概ね
同一工程を経てコアブロックを作製する。但し、図１５
及び図１６に示す強磁性金属薄膜１９の資材としては、
後述するように従来と異なる組成の合金を使用し、且
つ、図１７に示すガラス接合工程に使用するガラスの溶
融温度、即ち熱処理温度を５００℃乃至６００℃の範囲
内に設定する。

【００２４】コアブロック７を作製した後、図３に示す
ように前記コアブロック７の側面１２に対し、磁気ギャ
ップ部及びその近傍を除く領域に対して溝加工を施し、
ヘッド形成部２０，２０を形成した後、該コアブロック
７の媒体対向面８に研摩を施して、所定のデプス長ｄを
得ると共に媒体対向面８を鏡面に仕上げる。次に、図４
に示すように前記コアブロック７のヘッド形成部２０，
２０の上面に、後述のエッチング加工工程を経てトラッ
ク幅規制溝１４を形成し、所定のトラック幅Twを得る。
次に、図１５に示すように媒体対向面８にレール９を形
成した後、該コアブロック７を複数のコアチップ１０に
切断して、図６に示す浮上型磁気ヘッド１５を完成す
る。

【００２５】ここで、本発明の特徴であるトラック幅規
制溝１４の形成方法について図１及び図２をを参照しな
がら説明する。トラック幅規制溝１４は基本的には図１
に示すドライエッチング工程によって加工される。即
ち、図１(ａ)に示すように、コアブロック７の媒体対向
面８上に、トラック幅規制溝の形状に応じたホトレジス
トパターン２５を形成した後、図１(ｂ)のように該ホト
レジストパターン２５をマスクとしてコアブロック７の
媒体対向面８に反応性スパッタエッチング或るいは、反
応性イオンビームエッチングを施して、トラック幅規制
溝１４を形成し、最後に図１(ｃ)に示すように前記ホト
レジストパターン２５を除去する。この結果、所定のト
ラック幅Twに一致する幅の凸条部が形成されることにな
る。

【００２６】この場合、トラック幅規制溝の深さは所定
のギャップデプス長よりも大きく、例えば、５μm以上
に形成することが望ましいため、図１(ａ)に示すホトレ
ジストパターン２５は、エッチングの進行過程で部分的
な消滅を生じないように精度良くパターニングする必要
がある。そこで、本発明においては、エッチングに対し
て充分な耐食性を有するマスクによって、精度の高い溝
加工が可能なエッチング法を開発し、トラック幅規制溝
１４の加工に採用した。

【００２７】該エッチング方法について図１(ｄ)及び図
２により説明する。尚、図２(ａ)乃乃至(ｅ)は、図１
(ｄ)中のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。図１(ｄ)及び図
２(ａ)に示すように、コアブロック７の媒体対向面８上
に厚み２０μmのキノンジアザイド系ホトレジスト膜
（第１の膜）１６を形成する。このレジスト膜１６は、
後の工程途中で反応を起こさないように、塗布後加熱処
理（ベーク）と露光を充分に行って、感光反応を起こさ
せておかなければならない。また、スパッタエッチング
終了後、有機溶剤で除去するためにベーク温度は１００
℃以下に抑えなければならない。

【００２８】次に、真空蒸着等の方法により、厚み０.
５μmの銅膜（第２の膜）１７を形成する。該銅膜１７
の成膜時の基板温度は、先に作成したキノンジアザイド
系ホトレジスト膜１６の変質を防ぐために１００℃以下
に抑えなければならない。更に、厚み１μmのキノンジ
アザイド系ホトレジストの膜（第３の膜）１８を形成
し、図２(ａ)及び図１(ｄ)に示すように、通常のホトエ
ッチング技術により該レジスト膜をトラック幅規制溝の
形状に応じてパターン化する。但し、ベーク温度は前記
第１の膜（キノンジアザイド系ホトレジスト膜）１６の
変質を防ぐために１００℃以下に抑えなければならな
い。このようにして、図２(ａ)及び図１(ｃ)に示すよう
なホトレジスト膜１６、銅膜１７、ホトレジスト膜１８
の積層膜が形成される。

【００２９】次に、下記条件のアルゴンイオンビームを
前記積層膜に照射することにより、図２(ｂ)に示すよう
に、キノンジアザイド系ホトレジスト１８に被われてい
ない部分の銅膜１７を除去する。アルゴンイオンビーム
の条件は、加速電圧：７００Volt、照射角度：２０度、
イオン電流：１５分に設定する。次に、下記条件のプラ
ズマエッチングにより、図１(ｄ)に示すように銅膜１７
に被われていない部分のキノンジャザイド系ホトレジス
ト１６を除去する。プラズマエッチングの条件は、雰囲
気：酸素４０mTorr、投入パワー密度：２５０mW/cm²、
陰極降下電圧０.７kV、エッチング時間：３時間に設定
する。

【００３０】次に、下記条件のアルゴンイオンビームを
コアブロック７の表面へ向けて照射することにより、図
２(ｄ)に示すようにキノンジアザイド系ホトレジスト１
６に被われていない部分のコアブロック７を加工する。
アルゴンイオンビームの条件は、加速電圧：７００Vol
t、照射角度：２０度、イオン電流：０.８mA/cm²、照射
時間：５時間に設定する。最後に、アセトンによる洗浄
を施して、残存キノンジアザイド系ホトレジスト１６を
除去する。この結果、図２(ｅ)に示すようにコアブロッ
ク７には、トラック幅規制溝１４，１４が形成されて、
所定のトラック幅Twに一致する幅の凸条部が形成され
る。

【００３１】上述のエッチング工程において、コアブロ
ック７のエッチングの際にマスクとなるキノンジアザイ
ド系ホトレジスト膜１６を、従来のような露光処理によ
らずドライエッチングによってパターニングするから、
その膜厚を極めて厚く出来、且つ精度の良いパターン化
が可能である。従って、この極めて厚い樹脂膜をマスク
として使用することにより、長時間のスパッタエッチン
グを経てもマスクとしての機能が維持され、精度の高い
パターンを保ちながらコアブロック７の表面を所定の深
さにエッチング加工することができる。

【００３２】上述の実施例では、コアブロック７のフェ
ライト部を８μm程度の深さまでエッチング出来、この
値は浮上型磁気ヘッドのデプス長が５μmであることか
ら、充分な値と云える。また、スパッタエッチングによ
ってトラック幅規制溝１４を形成するので、加工変質層
が生じる懸念がなく、従って変質層による性能低下のな
い磁気ヘッドを得ることができる。また、デプス長が大
きく更に深いエッチングを必要とする磁気ヘッドにおい
ても、樹脂製の第１の膜１６を厚く形成することによっ
て、本発明の製造方法を採用することができる。

【００３３】ところで、上述の実施例では、トラック幅
規制溝にガラスを充填していない。これは、トラック幅
規制溝の形成をスパッタエッチングで行っているため、
トラック幅規制溝の幅及び深さを必要最小限に抑えるこ
とが出来、これによって磁気ヘッドとしての機械的強度
が保持され、浮上量にも悪影響を及ぼさないためであ
る。

【００３４】本発明の実施例では、マスク材としてホト
レジスト・銅・ホトレジストの積層膜を用いたが、マス
ク材料はこれに限られるものではない。マスク材料の条
件としては、下記の通りである。第１の樹脂膜１６とし
ては、酸素プラズマエッチングが可能であり、且つ有機
溶剤に溶解するものであればよい。最終的にはこの第１
の樹脂膜を除去した面は、記録媒体との情報交換を担う
重要な部分であり、僅かの変質も許容されない。このた
め、樹脂膜の除去に腐食性のエッチャントは採用でき
ず、腐食性のない有機溶剤で除去しなければならない。

【００３５】第２の膜１７に用いる金属或るいは酸化物
としては、酸素のプラズマエッチングによるエッチング
レートが極めて小さいこと、前述の第１の樹脂膜１６を
破損しないことが重要な条件である。従って、コアブロ
ック７が蒸着源からの輻射熱によって過熱しないように
低パワー成膜が可能であること、樹脂膜に過大な残留応
力が生じないように、変形しやすい柔らかい物質である
こと、樹脂膜との反応が生じないように極めて早い成膜
速度を有することが必要である。これらの条件を満たす
材料としては、銅以外にアルミニウム、二酸化ケイ素等
が挙げられる。

【００３６】第３の樹脂膜１８としては、感光性を有
し、第１の膜１６を破損することなくパターン化が可能
であり、且つ下層の第２の膜１７をパターン化するため
のマスクとしての機能を充分に具えていることが要求さ
れる。最後に、図３に示す強磁性金属薄膜１９の組成及
び成膜方法について説明する。強磁性金属薄膜１９の資
材としては、アルミニウムＡｌが４.０wt％から７.０wt
％、珪素Ｓｉが８.０wt％から１２.０wt％、窒素Ｎが
０.５wt％から５.０wt％、残部が実質的に鉄ＦｅのＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金を用いた。

【００３７】ところで、従来よりＭＩＧ型磁気ヘッドの
強磁性金属薄膜の材料として、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ
合金）、センダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）等が知ら
れているが、記録再生性能の向上のためには、これらの
磁性材料よりも更に飽和磁束密度が高く、且つ透磁率が
大きい磁性材料が必要とされていた。そこで、本発明に
おいては、従来のセンダスト合金に微量の窒素を添加し
た新たな磁性材料を開発し、これを上記実施例の強磁性
金属１９に用いた。また、成膜に際しては、アルゴンガ
スに窒素ガスを混入した雰囲気中でセンダスト薄膜を成
膜する所謂反応性スパッタリング方法を用いた。

【００３８】また、スパッタリング装置としては、主と
してＤＣ対向型マグネトロンスパッタリング装置を用い
た。該装置は、図２４にその概要を示すように、対向し
て配置された２枚のターゲット２２，２３間に強磁界を
発生させ、この領域に高密度プラズマ領域を形成して、
側方に配置した基板２４の表面にスパッタ粒子を入射さ
せるものである。

【００３９】ここで、窒素ガスの分圧を種々に変えて上
記反応性スパッタリングを行うことにより、強磁性金属
薄膜中の窒素の含有率が異なる複数の試料を作製し、各
試料について磁気特性（飽和磁束密度Ｂｓ、透磁率μ、
及び保持率Ｈｃ）を測定したところ、図２５に示す結果
が得られた。尚、各試料の他の組成は、前述の通りであ
る。図２５から、窒素の含有量が０.５wt％から５.０wt
％の範囲、望ましくは０.５wt％から３.０wt％の範囲の
試料が、窒素を全く含まない試料（即ち従来のセンダス
ト）よりも、磁気特性の点で優れていることが分かる。

【００４０】また、図２６は、ＲＦ２極マグネトロンス
パッタリング装置を用いて形成した強磁性金属薄膜につ
いての磁気特性と窒素含有率の関係を示している。尚、
飽和磁束密度についてはず２５の結果と略同一であるの
で、図示省略する。この場合も、窒素を０.５wt％から
５.０wt％含むことによって磁気特性が改善されること
が明らかである。

【００４１】以上の結果から、図３に示す強磁性金属薄
膜１９は、その資材として窒素Ｎを０.５wt％から５.０
wt％含むＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金を用い、反応性スパ
ッタリングによって成膜を施せば、ＭＩＧ型磁気ヘッド
の記録再生性能を更に向上させることが出来る。但し、
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金は図２７の曲線Ｓ₁に示すよ
うに、熱処理温度が６００℃を越えると、磁気特性、例
えば透磁率を下回ることが判明している。

【００４２】しかしながら、本発明に係わる磁気ヘッド
の製造方法においては、前述のようにドライエッチング
による溝加工によって、トラック幅規制溝の幅及び深さ
を必要最小限に抑えることが出来、トラック幅規制溝の
内部にガラスを充填する必要がないから、図１７に示す
ガラス接合工程に使用するガラスとして、溶融温度が５
００℃乃至６００℃の範囲内の低融点ガラスを用いるこ
とが可能となる。この結果、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金
からなる強磁性金属薄膜１９の磁気特性を損なうことな
く、従来のセンダスト製の強磁性金属薄膜を有する磁気
ヘッドに比べて、磁気特性の良好な磁気ヘッドが得られ
る。

【００４３】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或るいはその範囲を減縮するように解すべきではな
い。また、本発明の各部の構成は、上記実施例に限ら
ず、特許請求の範囲に記載された本発明の精神から逸脱
市内範囲で、当該技術分野の専門家であれば、種々の変
形が可能である。例えば、強磁性金属薄膜の資材である
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金には、耐食性の改善のために
Ｃｒ、Ｔｉ等を微量添加することも可能である。また、
上述の実施例では、ギャップスペーサを挟んで両側に強
磁性金属薄膜を配置したＮＩＧ型磁気ヘッドについて説
明したが、片側のみに強磁性金属薄膜を配置した浮上型
磁気ヘッドに対しても、本発明が有効であることは云う
までもない。

【００４４】

【発明の効果】上述のように本発明の構成により、トラ
ック幅規制溝にガラスを充填する必要がなく、その結
果、所定のギャップデプスを得るための媒体対向面の研
摩は、トラック幅規制溝を加工する前に行うことが可能
となり、磁気ギャップ部のトラック幅の精度が前記研摩
によって低下する問題は起こらない。また、機械加工に
起因する加工変質層も生じないので磁気特性に悪影響を
与えない。

【００４５】また、ドライエッチングによってトラック
幅規制溝の加工を行うので、従来のように回転砥石によ
る加工に比べて遥かに狭く形成できるから、該溝によっ
て磁気ヘッドの機械的強度が低下することなく、また、
浮上量にも悪影響はない。更には、トラック幅規制溝の
内部にガラスを充填する必要がなく、一対のフェライト
基板接合工程に使用するガラスとして、溶融温度が５０
０℃乃至６００℃の範囲ないの低融点ガラスを用いるの
で、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金からなる強磁性金属薄膜
の磁気特性を損なうことなく、性能の高い磁気ヘッドが
得られる。上述のように、本発明の磁気ヘッドの製造方
法は、工数削減、及びガラスとの化学反応による性能低
下を防ぐ効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気ヘッドの製造方法におけるエッチ
ング工程図及びその積層膜の形成状態を示す部分斜視図
である。

【図２】本発明の磁気ヘッドの製造方法における他のエ
ッチング工程を示す図である。

【図３】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図で
ある。

【図４】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図で
ある。

【図５】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図で
ある。

【図６】本発明の磁気ヘッドの外観斜視図である。

【図７】従来例の磁気ヘッドの外観斜視図である。

【図８】従来例の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図で
ある。

【図９】従来例の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図で
ある。

【図１０】従来例の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。

【図１１】従来例の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。

【図１２】従来例の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。

【図１３】従来例の磁気ヘッドの製造方法を示す工程図
である。

【図１４】従来例の他の磁気ヘッドの外観斜視図であ
る。

【図１５】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図１６】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図１７】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図１８】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図１９】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図２０】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図２１】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図２２】従来例の他の磁気ヘッドの製造方法を示す工
程図である。

【図２３】従来例の他の磁気ヘッドの製造工程における
トラック幅規制溝の断面図である。

【図２４】ＤＣ対向ターゲットマグネトロンスパッタリ
ング装置の概略構成図である。

【図２５】ＤＣ対向マグネトロンスパッタリング装置に
よって形成した強磁性金属薄膜の磁気特性と窒素含有率
の関係を示す図である。

【図２６】ＲＦ２極マグネトロンスパッタリング装置に
よって形成した強磁性金属薄膜の磁気特性と窒素含有率
の関係を示す図である。

【図２７】熱処理温度と透磁率の関係を示す図である。

【符号の説明】

４ギャップスペーサ７コアブロック８媒体対向面９レール溝１４トラック幅規制溝１５浮上型磁気ヘッド１６ホトレジスト膜（第１の膜）１７銅膜（第２の膜）１８ホトレジスト膜（第３の膜）１９強磁性金属薄膜２０ヘッド形成部２５ホトレジストパターン

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成４年１月２４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２１】また、ドライエッチングによってトラック
幅規制溝の加工を行うことにより、図１７に示すガラス
接合工程に使用するガラスとして、溶融温度が５００℃
乃至６００℃の範囲内の低融点ガラスを用いることが可
能になる。

【手続補正２】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００２９

【補正方法】変更

【補正内容】

【００２９】次に、下記条件のアルゴンイオンビームを
前記積層膜に照射することにより、図２(ｂ)に示すよう
に、キノンジアザイド系ホトレジスト１８に被われてい
ない部分の銅膜１７を除去する。アルゴンイオンビーム
の条件は、加速電圧：７００Volt、照射角度：２０°、
イオン電流：０.８mA／cm²、照射時間：１５分に設定す
る。次に、下記条件のプラズマエッチングにより、図１
(ｄ)に示すように銅膜１７に被われていない部分のキノ
ンジャザイド系ホトレジスト１６を除去する。プラズマ
エッチングの条件は、雰囲気：酸素４０mTorr、投入パ
ワー密度：２５０mW/cm²、陰極降下電圧０.７kV、エッ
チング時間：３時間に設定する。

【手続補正３】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４１

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４１】以上の結果から、図３に示す強磁性金属薄
膜１９は、その資材として窒素Ｎを０.５wt％から５.０
wt％含むＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金を用い、反応性スパ
ッタリングによって成膜を施せば、ＭＩＧ型磁気ヘッド
の記録再生性能を更に向上させることが出来る。但し、
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金は図２７の曲線Ｓ₁に示すよ
うに、熱処理温度が６００℃を越えると、磁気特性、例
えば透磁率の低下が甚だしく、略７００℃では曲線Ｓ₂
で示すセンダスト（Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ合金）の透磁率を
下回ることが判明している。

【手続補正４】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】００４３

【補正方法】変更

【補正内容】

【００４３】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或るいはその範囲を減縮するように解すべきではな
い。また、本発明の各部の構成は、上記実施例に限ら
ず、特許請求の範囲に記載された本発明の精神から逸脱
しない範囲で、当該技術分野の専門家であれば種々の変
形が可能である。例えば、強磁性金属薄膜の資材である
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金には、耐食性の改善のために
Ｃｒ、Ｔｉ等を微量添加することも可能である。また、
上述の実施例では、ギャップスペーサを挟んで両側に強
磁性金属薄膜を配置したＭＩＧ型磁気ヘッドについて説
明したが、片側のみに強磁性金属薄膜を配置した浮上型
磁気ヘッドに対しても、本発明が有効であることは云う
までもない。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ヘッド部及びスライダー部を具えた浮上
型磁気ヘッドの製造方法であって、前記ヘッド部及びスライダー部となるべきヘッド形成部
及びスライダー形成部が同一平面上に配置して構成さ
れ、前記ヘッド形成部はギャップスペーサを挟んで両側
に一対の磁性体を配置してなるコアブロックを作製する
工程と、前記コアブロックのギャップスペーサが終端する媒体対
向面に、ギャップスペーサと交差して伸びる複数のトラ
ック幅規制溝をドライエッチングによって加工し、対向
する一対のトラック幅規制溝の間に所定トラック幅のギ
ャップスペーサからなる磁気ギャップ部を形成する工程
を有することを特徴とする浮上型磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項２】前記コアブロック作製工程において、前
記磁性体には、ギャップスペーサとの対向面に強磁性金
属薄膜を形成することを特徴とする請求項１の浮上型磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項３】前記コアブロック作製工程において、前
記スライダー形成部は、前記ヘッド形成部の磁性体と同
一資材で一方の磁性体に一体成形することを特徴とする
請求項２の浮上型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】前記コアブロック作製工程において、前
記磁性体に形成される強磁性金属薄膜は、アルミニウム
Ａｌ：４.０wt％乃至７.０wt％、珪素Ｓｉ：８.０wt％
乃至１２.０wt％、窒素Ｎ：０.５wt％乃至５.０wt％、
残部は実質的に鉄ＦｅのＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎ合金であ
って、一対の磁性体を互いに接合固定する際、ガラスを
接合剤として用い、接合時の熱処理温度は略５００℃乃
至６００℃に抑制することを特徴とする請求項３の浮上
型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】前記磁気ギャップ部形成工程の溝加工に
おいて、被加工面に有機溶剤に溶解する樹脂製の第１の
膜と、酸素プラズマに対して耐食性を有する金属あるい
は酸化物の第２の膜と、感光性を有する樹脂からなる第
３の膜とを順次成膜し、前記第３の膜をホトエッチング
法によってトラック幅規制溝の形状に応じてパターン化
した後、該第３の膜をマスクとするスパッタエッチング
法によって前記第２の膜をパターン化し、更に第２の膜
をマスクとする雰囲気ガスの主成分が酸素であるプラズ
マエッチング法によって前記第１の膜をパターン化し、
その後、該第１の膜をマスクとするスパッタエッチング
法によって前記磁性体の被加工面に溝加工を施すことを
特徴とする請求項１の浮上型磁気ヘッドの製造方法。
【請求項６】前記第１の膜は１０μm以上の厚さを有
するキノンジアザイド系ホトレジストであり、前記第２
の膜は銅膜であり、前記第３の膜はキノンジアザイド系
ホトレジストであることを特徴とする請求項５の浮上型
磁気ヘッドの製造方法。