JPH0562802A - 厚膜抵抗ペースト及びそれを用いた厚膜抵抗器 - Google Patents

厚膜抵抗ペースト及びそれを用いた厚膜抵抗器

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JPH0562802A
JPH0562802A JP3250212A JP25021291A JPH0562802A JP H0562802 A JPH0562802 A JP H0562802A JP 3250212 A JP3250212 A JP 3250212A JP 25021291 A JP25021291 A JP 25021291A JP H0562802 A JPH0562802 A JP H0562802A
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JP
Japan
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oxide
weight
thick film
resistance
glass
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Pending
Application number
JP3250212A
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English (en)
Inventor
Kazuaki Onoe
和明 尾上
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明の目的は特に高抵抗領域を安定して実
現でき、しかも優れた性能を有する厚膜抵抗被膜を形成
するためのペースト組成物と、それを用いた厚膜抵抗器
を提供することにある。 【構成】 ペースト固形分中に酸化ルテニウム及び/又
はパイロクロア型ルテニウム酸塩15〜50重量%と硼
硅酸鉛系ガラス85〜50重量%とを含有する厚膜抵抗
ペーストにおいて、該ガラス中に酸化錫及び/又は酸化
チタンを0.5〜5重量%含有する点に特徴がある。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は特に高抵抗領域を安定し
て実現でき、しかも優れた性能を有する厚膜抵抗被膜を
形成するためのペースト組成物と、それを用いた厚膜抵
抗器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】厚膜抵抗ペーストは、基本的には導電粉
末とガラス粉末を有機質ビヒクルに分散混合せしめた組
成物であり、耐火性の基体上に塗布し、所定の温度で焼
成すれば該基体上に抵抗被膜が形成され、該抵抗被膜に
電極を接続すれば抵抗器となる。
【0003】この抵抗ペーストの導電粉末としては、幅
広い抵抗値を実現でき、しかも抵抗温度係数の小さいも
のが得られることから、酸化ルテニウムやPb2 Ru2
6 7 に代表されるパイロクロア型ルテニウム酸塩を
用いることが多い。
【0004】また、所望の抵抗値を得るため、面積抵抗
値を例えば1kΩ/□,10kΩ/□,100kΩ/□
のように10倍毎に調整した基準値の抵抗ペーストを用
意し、それらを適宜ブレンドして用いるのが一般的であ
るが、このブレンドにより抵抗値および抵抗温度係数が
概ね中間の値になることが必要で、これを保証するのが
シリーズ化された抵抗ペーストである。
【0005】シリーズで重要なことは使用するガラスを
特定することである。ガラスは導電粉末を基体に結合す
る役目をもち、軟化点、熱膨張係数を適度のものに選定
する必要があるが、抵抗値、抵抗温度係数、ノイズ、耐
電圧等の特性も左右するので、どのようなガラス組成と
するかによってシリーズの特徴が決まる。
【0006】このようなガラスとして、酸化鉛45〜7
5、酸化硅素25〜50、酸化硼素0.1〜5各重量%
を主成分とする硼硅酸鉛系のガラスが一般に用いられ、
これに必要により種々の成分が更に付加される。
【0007】抵抗値は当然導電粉末の配合割合で変り、
ペースト固形分中で導電粉末含有量は通常15〜50重
量%、ガラス粉末含有量は85〜50重量%としてい
る。導電粉末含有量を15重量%以上とするのは、これ
以下では抵抗値の調整が難かしくなる上、ノイズ、耐電
圧等の特性が悪化するからである。
【0008】ところが、導電粉末量を15重量%以上と
する場合、高抵抗を実現するために抵抗値増大に効果の
ある酸化チタン、酸化タンタル、酸化ニオブ、チタン酸
塩、タンタル酸塩、ニオブ酸塩等を添加する必要がある
が、これらの材料の添加は抵抗温度係数を負に増大する
ことになる。この抵抗温度係数を一定範囲にする必要か
ら前記抵抗値増大剤の添加に制約があり、5MΩ/□以
上を安定して実現するのは困難であった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、導電
粉末量が15重量%以上で高抵抗領域を安定して実現で
き、しかも性能の優れた厚膜抵抗体を形成し得るペース
ト組成物と、それを用いた厚膜抵抗器を提供することに
ある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の組成物は、ペースト固形分中に酸化ルテニウム
及び/又はパイロクロア型ルテニウム酸塩を15〜50
重量%と、酸化鉛45〜75、酸化硅素25〜50、酸
化硼素0.1〜5各重量%を主成分とする硼硅酸鉛ガラ
スを85〜50重量%とを含有する厚膜抵抗ペーストに
おいて、該ガラス中に酸化錫及び/又は酸化チタンを
0.5〜5重量%含有する点に特徴がある。
【0011】又、本発明の厚膜抵抗器は上記組成物を耐
火性基体に適用し、該基体上に抵抗被膜を形成したもの
であり、酸化ルテニウム及び/又はパイロクロア型ルテ
ニウム酸塩を15〜50重量%と、酸化鉛45〜75、
酸化硅素25〜50、酸化硼素0.1〜5各重量%を主
成分とし、更に酸化錫及び/又は酸化チタンを0.5〜
5重量%含有する硼硅酸鉛系ガラスを85〜50重量%
とを含有する抵抗被膜が、耐火性基体上に形成されてい
る点に特徴がある。
【0012】
【作用】本発明において用いるガラスの主成分及び含有
量は従来と変らず、酸化鉛45〜75、酸化硅素25〜
50、酸化硼素0.1〜5各重量%である。本発明にお
いてはこの主成分に加え、酸化錫及び/又は酸化チタン
を0.5〜5重量%含有せしめる。ガラス成分中に酸化
錫、酸化チタンの含有量が少な過ぎると効果がなく、又
多過ぎると焼成して得られる抵抗被膜の熱膨張係数が大
きくなり、基体との密着強度が低下するので好ましくな
い。このため酸化錫及び/又は酸化チタンの含有量は
0.5〜5重量%とする必要がある。
【0013】酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化スト
ロンチウム等のアルカリ土類金属酸化物は、抵抗温度係
数を正に大きくする効果があり、ガラス中に0.1〜5
重量%含有せしめると良い。アルカリ土類金属酸化物の
含有量が5重量%を超えると抵抗被膜の熱膨張係数が大
きくなり過ぎるので、5重量%を上限とするのが良い。
【0014】又、酸化亜鉛は抵抗被膜の形状効果、即ち
被膜の幅に対する長さの比が小さくなると面積抵抗値が
小さくなる現象を、抑制する働きがあり、ガラス中に
0.1〜5重量%の範囲で含有させることができる。
【0015】その他ガラス化成分として知られる他の酸
化物を、ガラスの軟化点、熱膨張係数の調整のために
0.1〜5重量%の範囲で含有せしめることができる。
【0016】このようなガラスの粉末は、ペースト固形
分中で、酸化ルテニウム及び/又はパイロクロア型ルテ
ニウム酸塩からなる導電粉末15〜50重量%に対し、
85〜50重量%含有せしめる。
【0017】導電粉末とガラス粉末は、適当な有機質ビ
ヒクルと混練してスクリーン印刷に適する性状のペース
ト状とする。この混練の際に酸化チタン、酸化タンタ
ル、酸化ニオブ、チタン酸塩、タンタル酸塩、ニオブ酸
塩等を適量添加して抵抗値を増大せしめることができ
る。これら抵抗値増大剤の添加量は、ペースト固形分中
で0.1〜5重量%とするのが適当である。添加量が多
過ぎると抵抗温度係数が負に増大し過ぎるので、5重量
%を上限とするのが良い。
【0018】
【実施例】実験に当り、表1に示す組成のガラスA,B
及びCを調製した。ガラスAは従来型の組成であり、ガ
ラスB及びCは本発明に係る組成物である。
【0019】
【表1】
【0020】このガラス粉末85重量%とPb2 Ru2
6,5 粉末15重量%を混合し、この固形分70重量部
に対し、有機質ビヒクル30重量部を添加混練し、表2
に示す実験No.1,8及び13のペーストを得た。
【0021】これらのペーストを分取して、抵抗値増大
剤としてTa2 5 又はTiO2 をペースト基準で0.
5,1又は2重量%を添加混合し、表2に示す実験N
o.2〜7,9〜12及び14〜19のペーストを得
た。
【0022】得られた抵抗ペーストを、予め電極を形成
してあるアルミナ基板に所定のパターンで印刷し、乾
燥、焼成して抵抗被膜を形成し、−55℃,25℃,1
25℃での抵抗値の測定から面積抵抗値と抵抗温度係数
(TCR)を算出した。低温側TCR(CTCR)は−
55℃と25℃の間の抵抗温度係数であり、高温側TC
R(HTCR)は25℃と125℃の間のものである。
結果を表2にまとめて示す。
【0023】
【表2】
【0024】表2よりガラス中に酸化錫又は酸化チタン
を含有せしめた場合、抵抗温度係数を負に過大にするこ
となく抵抗値の増大が可能なことが判る。
【0025】
【発明の効果】本発明により、導電粉末量が15重量%
以上で5MΩ/□以上の高抵抗領域を安定して実現でき
ることとなった。これによりノイズ、耐電圧等の性能を
損うことがなく、優れた抵抗器を製造することができる
ようになった。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ペースト固形分中に酸化ルテニウム及び
    /又はパイロクロア型ルテニウム酸塩を15〜50重量
    %と、酸化鉛45〜75、酸化硅素25〜50、酸化硼
    素0.1〜5各重量%を主成分とする硼硅酸鉛系ガラス
    を85〜50重量%とを含有する厚膜抵抗ペーストにお
    いて、該ガラス中に酸化錫及び/又は酸化チタンを0.
    5〜5重量%含有することを特徴とする厚膜抵抗ペース
    ト。
  2. 【請求項2】 ペースト固形分中に酸化チタン、酸化タ
    ンタル、酸化ニオブ、チタン酸塩、タンタル酸塩及びニ
    オブ酸塩の少くとも1種を0.1〜5重量%含有する請
    求項1記載の厚膜抵抗ペースト。
  3. 【請求項3】 前記ガラス中に酸化カルシウム、酸化バ
    リウム及び酸化ストロンチウムの少くとも1種を0.1
    〜5重量%含有する請求項1又は2記載の厚膜抵抗ペー
    スト。
  4. 【請求項4】 前記ガラス中に酸化亜鉛を0.1〜5重
    量%含有する請求項1,2又は3記載の厚膜抵抗ペース
    ト。
  5. 【請求項5】 酸化ルテニウム及び/又はパイロクロア
    型ルテニウム酸塩を15〜50重量%と、酸化鉛45〜
    75、酸化硅素25〜50、酸化硼素0.1〜5各重量
    %を主成分とし、更に酸化錫及び/又は酸化チタンを
    0.5〜5重量%含有する硼硅酸鉛系ガラスを85〜5
    0重量%とを含有する抵抗被膜が、耐火性基体上に形成
    されている厚膜抵抗器。
  6. 【請求項6】 前記抵抗被膜中に酸化チタン、酸化タン
    タル、酸化ニオブ、チタン酸塩、タンタル酸塩及びニオ
    ブ酸塩の少くとも1種を0.1〜5重量%含有する請求
    項5記載の厚膜抵抗器。
  7. 【請求項7】 前記ガラス中に酸化カルシウム、酸化バ
    リウム及び酸化ストロンチウムの少くとも1種を0.1
    〜5重量%含有する請求項5又は6記載の厚膜抵抗器。
  8. 【請求項8】 前記ガラス中に酸化亜鉛を0.1〜5重
    量%含有する請求項5,6又は7記載の厚膜抵抗器。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013251535A (ja) * 2012-05-02 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd トリミング抵抗、基準電圧生成回路及び基準電流生成回路

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013251535A (ja) * 2012-05-02 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd トリミング抵抗、基準電圧生成回路及び基準電流生成回路

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