JPH0770369B2 - 厚膜抵抗体組成物 - Google Patents

厚膜抵抗体組成物

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JPH0770369B2
JPH0770369B2 JP1128964A JP12896489A JPH0770369B2 JP H0770369 B2 JPH0770369 B2 JP H0770369B2 JP 1128964 A JP1128964 A JP 1128964A JP 12896489 A JP12896489 A JP 12896489A JP H0770369 B2 JPH0770369 B2 JP H0770369B2
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thick film
film resistor
tcr
resistor composition
present
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富士雄 幕田
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Sumitomo Metal Mining Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は抵抗値の温度依存性の小さい厚膜抵抗体組成物
に関する。
[従来の技術] 通常の厚膜抵抗体組成物はRuO2等の導電性微粉末とガラ
ス粉末を有機ビヒクルと混練したペーストで、スクリー
ン印刷等によってセラミック基体に塗布し、所要の温度
で焼成することによりセラミック基体に抵抗体被膜を形
成できるようになっている。
ところで、厚膜抵抗体の重要な特性の一つとして使用温
度範囲で抵抗値の変化が小さいこと即ちTCRが0に近い
ことが上げられる。この目的を達成すべく、従来より種
々の無機化合物の抵抗体組成物への添加が試みられてき
ている。例えば、Nb2O5、TiO2、MnO2、Sb2O2などのいわ
ゆる負のTCRドライバーの添加であり、CuOなどの正のTC
Rドライバーの添加である。
[発明が解決しようとする課題] しかし、このような添加剤の添加はTCRを調整すること
が可能となるものの抵抗体の抵抗値自体を変化させてし
まうことが多く、さらに抵抗値のばらつき、ノイズ等、
他の特性を悪化させるとされている。
本発明の目的は特に中・高抵抗領域において、無機化合
物の添加を要さないTCRの小さい厚膜抵抗体組成物の提
供にある。
[課題を解決するための手段] 本発明者は、本発明の厚膜抵抗体組成物の適用範囲であ
る中・高抵抗領域では、酸化ルテニウム−ガラス系抵抗
体のTCRは負であり、ルテニウム酸鉛−ガラス系抵抗体
のTCRは正であり、酸化ルテニウムとルテニウム酸鉛と
を適切な割合で混合して用いることによりTCRの値を小
さくすることが可能であることを見出し本発明に至っ
た。
即ち、本発明の厚膜抵抗体組成物は酸化ルテニウム1〜
9重量%、ルテニウム酸鉛11〜17重量%、非導電性ガラ
ス45〜60重量%と残分の有機ビヒクルとからなるもので
ある。
[作用] 本発明の厚膜抵抗体組成物は酸化ルテニウムとルテニウ
ム酸鉛と非導電性ガラスと有機ビヒクルとからなり、な
んら無機化合物を添加しないために抵抗値の変動をきた
すことも他の特性を悪化させることもないものである。
本発明に用いる非導電性ガラスとしてはPbO−SiO2−B2O
3−Al2O3系ガラスが最適である。本発明において、酸化
ルテニウムの割合が小さすぎるとTCRが正に大きくな
る。また、大きすぎると負に大きくなる。またルテニウ
ム酸鉛の割合が小さすぎるとTCRが負に大きくなり、大
きすぎると正に大となる。また非導電性ガラスの割合が
小さすぎると抵抗値が小さくなるばかりか、ルテニウム
酸鉛を添加しなくてもTCRは正に大となる。また非導電
性ガラスの割合が大きすぎると抵抗が大きくなりすぎ
る。さらに、ビヒクルの割合は小さすぎるとペ−ストに
するのが困難となり、大きすぎる適切な印刷性を付与で
きなったり、所望の膜厚が得られなかったりする。この
ため、各成分の割合をTCRが0に近くなるような割合、
即ち、酸化ルテニウムを1〜9重量%、ルテニウム酸鉛
を11〜17重量%、非導電性ガラスを45〜60重量%とし、
残分をビヒクルとすることが必要である。この範囲を外
れる場合には、上記した理由により抵抗値の温度依存性
は非常に大きくなる。
本発明に用いる酸化ルテニウムとルテニウム酸鉛は、1
μm以下のものであれば通常の抵抗ペースト用でよく、
好ましくは0.2μm以下のものが望ましい。また、非導
電性ガラスは10μm以下の通常の抵抗ペースト用でよ
く、好ましくは5μm以下のものが望ましい。また、有
機ビヒクルはエチルセルロースをターピネオールやブチ
ルカルビトールに溶解したもの等で良い。
[実施例] 酸化ルテニウムとルテニウム酸鉛とPbO−SiO2−B203−A
l203系ガラスと有機ビヒクルとの割合を第1表の様に調
整し、スリーロールミルで混練することによりペースト
化して厚膜抵抗体組成物を得た、これを96%アルミナ基
板にスクリーン印刷し、ピーク850℃×10分、トータル5
0分のベルト炉で焼成し1mm×1mm、厚さ10〜15μmの厚
膜抵抗体を作成し、シート抵抗値、および−55〜25℃
(COLD)と25〜125℃(HOT)との各TCRを測定した。そ
の結果を第1表に合せて示した。
[比較例] 酸化ルテニウムとルテニウム酸鉛とPbO−SiO2−B203−A
l203系ガラスと有機ビヒクルとの割合を第2表の様に調
整し、実施例と同様に処理し、1mm×1mm、厚さ10〜15μ
mの厚膜抵抗体を作成し、実施例と同様にしてシート抵
抗値、および−55〜25℃と25〜125℃との各TCRを測定し
た。その結果を第2表に合せて示した。
[発明の効果] 本発明の厚膜抵抗体組成物を用いれば中・高抵抗領域で
TCRの極めて小さい厚膜抵抗体が得られる。さらに、本
発明の厚膜抵抗体組成物はTCR調整剤としてなんら無機
化合物を添加しないために抵抗値のばらつきやその他の
特性を悪化させることもない。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】酸化ルテニウム1〜9重量%、ルテニウム
    酸鉛11〜17重量%、非導電性ガラス45〜60重量%と残分
    のビヒクルとからなる厚膜抵抗体組成物。
JP1128964A 1989-05-24 1989-05-24 厚膜抵抗体組成物 Expired - Lifetime JPH0770369B2 (ja)

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JPH02308502A JPH02308502A (ja) 1990-12-21
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS52151894A (en) * 1976-06-11 1977-12-16 Hitachi Ltd Resistance paste composite

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JPH02308502A (ja) 1990-12-21

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