JPH0562928A - 化合物半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
化合物半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH0562928A JPH0562928A JP24840191A JP24840191A JPH0562928A JP H0562928 A JPH0562928 A JP H0562928A JP 24840191 A JP24840191 A JP 24840191A JP 24840191 A JP24840191 A JP 24840191A JP H0562928 A JPH0562928 A JP H0562928A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 界面特性の安定化に寄与するゲ−ト金属構成
からなる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する
こと。 【構成】 ショットキ金属として、Ｔｉ（チタン）を選
択し、更に、上層金属層として、Ａｌ／バリアメタル／
Ａｌのゲ−トメタル層を形成する点及び熱処理後のゲ−
ト部の構成として、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１
側より（微量のＴｉを含有するＧａＡｓ基板）／ＧａＡ
ｌＡｓ層５／Ｔｉ層６／Ａｌ層７／バリアメタル層８／
Ａｌ層９の多層金属からなる化合物半導体装置。 【効果】 ＰＲからの脱ガスがＴｉ層に吸着し、その結
果、この脱ガスによるショットキ界面の汚染を防止する
ことができ、ＧａＡｌＡｓ層をショットキ面に形成して
表面安定化を図ることができ、中間層のバリアメタル層
により、ＧａＡｌＡｓ層の形成を適度に抑制することが
できる。そして、特に、高温での長時間寿命試験に耐え
得る、かつ、高信頼性の化合物半導体装置を提供でき
る。
からなる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する
こと。 【構成】 ショットキ金属として、Ｔｉ（チタン）を選
択し、更に、上層金属層として、Ａｌ／バリアメタル／
Ａｌのゲ−トメタル層を形成する点及び熱処理後のゲ−
ト部の構成として、図１に示すように、ＧａＡｓ基板１
側より（微量のＴｉを含有するＧａＡｓ基板）／ＧａＡ
ｌＡｓ層５／Ｔｉ層６／Ａｌ層７／バリアメタル層８／
Ａｌ層９の多層金属からなる化合物半導体装置。 【効果】 ＰＲからの脱ガスがＴｉ層に吸着し、その結
果、この脱ガスによるショットキ界面の汚染を防止する
ことができ、ＧａＡｌＡｓ層をショットキ面に形成して
表面安定化を図ることができ、中間層のバリアメタル層
により、ＧａＡｌＡｓ層の形成を適度に抑制することが
できる。そして、特に、高温での長時間寿命試験に耐え
得る、かつ、高信頼性の化合物半導体装置を提供でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体を基板と
する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のゲ−ト金属構成
に係る化合物半導体装置及びその製造方法に関し、特
に、界面特性の安定化に寄与するゲ−ト金属構成からな
る化合物半導体装置及びその製造方法に関する。
する電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のゲ−ト金属構成
に係る化合物半導体装置及びその製造方法に関し、特
に、界面特性の安定化に寄与するゲ−ト金属構成からな
る化合物半導体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化合物半導体素子としてのＦＥＴの構成
要素であるゲ−ト部は、ＦＥＴの電気的特性を支配する
重要な部位であり、このゲ−ト部について、従来より多
くの金属構成が提案されている。その一例を挙げれば、
Ａｌ、ＷＳｉはその代表例である。そして、現在実用化
に供されている素子のゲ−ト部の構成の基本型は、上記
の２つであるか又はこれを基本とした変形である。
要素であるゲ−ト部は、ＦＥＴの電気的特性を支配する
重要な部位であり、このゲ−ト部について、従来より多
くの金属構成が提案されている。その一例を挙げれば、
Ａｌ、ＷＳｉはその代表例である。そして、現在実用化
に供されている素子のゲ−ト部の構成の基本型は、上記
の２つであるか又はこれを基本とした変形である。
【０００３】しかしながら、Ａｌ、ＷＳｉのいづれの金
属もショットキ−金属として使用するには長所、短所を
併せ持ち、充分満足できるゲ−ト金属とは言えない。例
えばＡｌの場合、基板にＧａＡｓを用いるときは、熱的
及び電気的に安定であるＧａＡｌＡｓの化合物を形成し
やすいが、一方では、エレクトロマイグレ−ション（Ｅ
Ｍ）を発生しやすく、比較的軽度な場合でもゲ−トピン
チオフが阻害され、ＦＥＴの基本特性が維持されないと
いう重大な欠点を有している。
属もショットキ−金属として使用するには長所、短所を
併せ持ち、充分満足できるゲ−ト金属とは言えない。例
えばＡｌの場合、基板にＧａＡｓを用いるときは、熱的
及び電気的に安定であるＧａＡｌＡｓの化合物を形成し
やすいが、一方では、エレクトロマイグレ−ション（Ｅ
Ｍ）を発生しやすく、比較的軽度な場合でもゲ−トピン
チオフが阻害され、ＦＥＴの基本特性が維持されないと
いう重大な欠点を有している。
【０００４】このための一手法として、Ａｌ−バルク中
にＣｕ、Ｓｉ等の不純物を微量混入させて上記ＥＭ対策
とするのが一般的手法であるが、重金属メタル（Ｃｕ）
の場合、深い準位を形成して電気的特性に変動をもたら
すことになり、また、Ｓｉの場合、闘値電圧の制御に影
響を与えることになるので、好ましくない。
にＣｕ、Ｓｉ等の不純物を微量混入させて上記ＥＭ対策
とするのが一般的手法であるが、重金属メタル（Ｃｕ）
の場合、深い準位を形成して電気的特性に変動をもたら
すことになり、また、Ｓｉの場合、闘値電圧の制御に影
響を与えることになるので、好ましくない。
【０００５】また、ＷＳｉ場合には、Ａｌに比較して高
抵抗であり、低抵抗ゲ−ト金属としては適当でなく、こ
の欠点を回避するため、他の金属を多層に重ねる手法が
一般的であり、これは、その工程が複雑となる問題点を
有している。
抵抗であり、低抵抗ゲ−ト金属としては適当でなく、こ
の欠点を回避するため、他の金属を多層に重ねる手法が
一般的であり、これは、その工程が複雑となる問題点を
有している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明は、
安定なショットキ特性を示し、かつ、簡単な製法により
得られる化合物半導体装置を提供することを目的とする
が、まず、簡単な製法として、従来より一般的に行われ
ている手法としては、ＰＲホトレジストリフトオフの手
法がある。しかしながら、ＰＲリフトオフによりゲ−ト
金属のパタ−ンニング化を考慮したときの最大の問題点
は、(1) ゲ−ト金属蒸着時にＰＲからアウトガス（脱ガ
ス）が発生し、ショットキ界面を汚染する点にある。
安定なショットキ特性を示し、かつ、簡単な製法により
得られる化合物半導体装置を提供することを目的とする
が、まず、簡単な製法として、従来より一般的に行われ
ている手法としては、ＰＲホトレジストリフトオフの手
法がある。しかしながら、ＰＲリフトオフによりゲ−ト
金属のパタ−ンニング化を考慮したときの最大の問題点
は、(1) ゲ−ト金属蒸着時にＰＲからアウトガス（脱ガ
ス）が発生し、ショットキ界面を汚染する点にある。
【０００７】また、更には、(2) ゲ−ト金属と化合物半
導体基板とが熱処理工程毎に反応を繰返し、ショットキ
特性が安定しないという欠点を有する。これは、反応性
の高いゲ−ト金属が配線金属の一部を構成している結
果、配線金属からの反応金属の供給が継続することに原
因がある。
導体基板とが熱処理工程毎に反応を繰返し、ショットキ
特性が安定しないという欠点を有する。これは、反応性
の高いゲ−ト金属が配線金属の一部を構成している結
果、配線金属からの反応金属の供給が継続することに原
因がある。
【０００８】そこで、本発明は、上記(1)及び(2)の二大
欠点を解消する化合物半導体装置及びその製造方法を提
供することを目的とし、特に、前記したとおり、安定な
ショットキ特性を示し、かつ、簡単な製法により得られ
る化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
欠点を解消する化合物半導体装置及びその製造方法を提
供することを目的とし、特に、前記したとおり、安定な
ショットキ特性を示し、かつ、簡単な製法により得られ
る化合物半導体装置及びその製造方法を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
(1)及び(2)の二大欠点を解消するため、ショットキ金属
として、Ｔｉ（チタン）を選択し、更に、上層金属層と
して、Ａｌ／バリアメタル／Ａｌのゲ−トメタル層を形
成する点を特徴とし、そして、熱処理後のゲ−ト部の構
成が、ＧａＡｓ基板側より、（微量のＴｉを含有するＧ
ａＡｓ基板）／ＧａＡｌＡｓ／Ｔｉ又はＴｉを高濃度に
含有するＡｌ／Ａｌ／バリアメタル／Ａｌの多層金属か
らなる化合物半導体装置を特徴とするものである。
(1)及び(2)の二大欠点を解消するため、ショットキ金属
として、Ｔｉ（チタン）を選択し、更に、上層金属層と
して、Ａｌ／バリアメタル／Ａｌのゲ−トメタル層を形
成する点を特徴とし、そして、熱処理後のゲ−ト部の構
成が、ＧａＡｓ基板側より、（微量のＴｉを含有するＧ
ａＡｓ基板）／ＧａＡｌＡｓ／Ｔｉ又はＴｉを高濃度に
含有するＡｌ／Ａｌ／バリアメタル／Ａｌの多層金属か
らなる化合物半導体装置を特徴とするものである。
【００１０】即ち、本発明は、化合物半導体を基板とす
る電界効果トランジスタのゲ−ト部の構成として、基板
側より、Ｔｉ又はＴｉを高濃度に含有するＡｌ、Ａｌ、
バリアメタル、Ａｌの多層金属により構成され、しか
も、化合物半導体基板結晶中に微量のＴｉを含有し、更
に、ＧａＡｓ界面にＧａＡｌＡｓの薄層を有することを
特徴とする化合物半導体装置であり（請求項１及び
２）、そして、この化合物半導体装置を製造する方法と
して、ＧａＡｓ基板側よりＴｉ、Ａｌ、バリアメタル、
Ａｌのゲ−トメタル層を形成し、次に、熱処理すること
を特徴とするものである（請求項４）。
る電界効果トランジスタのゲ−ト部の構成として、基板
側より、Ｔｉ又はＴｉを高濃度に含有するＡｌ、Ａｌ、
バリアメタル、Ａｌの多層金属により構成され、しか
も、化合物半導体基板結晶中に微量のＴｉを含有し、更
に、ＧａＡｓ界面にＧａＡｌＡｓの薄層を有することを
特徴とする化合物半導体装置であり（請求項１及び
２）、そして、この化合物半導体装置を製造する方法と
して、ＧａＡｓ基板側よりＴｉ、Ａｌ、バリアメタル、
Ａｌのゲ−トメタル層を形成し、次に、熱処理すること
を特徴とするものである（請求項４）。
【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、前記下とおり、ショットキ金属として、Ｔｉ（チタ
ン）を選択し、更に、上層金属層として、Ａｌ（下層）
／バリアメタル／Ａｌ（上層）／（Ｔｉ）の構成とす
る。この金属層構成は、蒸着直後の金属構成を示すもの
であり、後工程での熱処理により、ショットキ界面は、
ＧａＡｌＡｓ層によって形成される。これは、下層のＡ
ｌ層のうち一部のＡｌがＴｉと相互拡散を行い、下層の
ＧａＡｓ基板に向かって拡散してＧａＡｌＡｓ層を形成
することによる。
は、前記下とおり、ショットキ金属として、Ｔｉ（チタ
ン）を選択し、更に、上層金属層として、Ａｌ（下層）
／バリアメタル／Ａｌ（上層）／（Ｔｉ）の構成とす
る。この金属層構成は、蒸着直後の金属構成を示すもの
であり、後工程での熱処理により、ショットキ界面は、
ＧａＡｌＡｓ層によって形成される。これは、下層のＡ
ｌ層のうち一部のＡｌがＴｉと相互拡散を行い、下層の
ＧａＡｓ基板に向かって拡散してＧａＡｌＡｓ層を形成
することによる。
【００１２】従って、熱処理後のゲート金属構成は、
（ＧａＡｓ）／ＧａＡｌＡｓ／Ｔｉ／Ａｌ／バリアメタ
ル／Ａｌ／（Ｔｉ）となる。なお、最上層のＴｉについ
ては、あってもなくてもよい。また、長時間熱処理を行
い、下層のＴｉ層の一部をその上のＡｌ中に、また、他
の一部を下層の化合物半導体基板（一例としてＧａＡ
ｓ）中に拡散させた結果、見かけ上のゲ−ト金属の層構
成は、（ＧａＡｓ）／ＧａＡｌＡｓ／Ａｌ／バリアメタ
ル／Ａｌ／（Ｔｉ）となる。
（ＧａＡｓ）／ＧａＡｌＡｓ／Ｔｉ／Ａｌ／バリアメタ
ル／Ａｌ／（Ｔｉ）となる。なお、最上層のＴｉについ
ては、あってもなくてもよい。また、長時間熱処理を行
い、下層のＴｉ層の一部をその上のＡｌ中に、また、他
の一部を下層の化合物半導体基板（一例としてＧａＡ
ｓ）中に拡散させた結果、見かけ上のゲ−ト金属の層構
成は、（ＧａＡｓ）／ＧａＡｌＡｓ／Ａｌ／バリアメタ
ル／Ａｌ／（Ｔｉ）となる。
【００１３】
【作用】本発明において、ゲ−ト金属の構成時にＴｉを
最下層に蒸着することにより、ゲ−ト金属時に成長する
ＰＲからの脱ガスは、Ｔｉ層に吸着される作用が生ず
る。そして、その後の熱処理により、脱ガスを吸着した
Ｔｉ層は、ＧａＡｓ基板と反応し（ＴｉはとりわけＧａ
Ａｓ層と反応しやすい。）、脱ガス吸着層の効果を減衰
せしめる。また、下層のＡｌ層の一部は、Ｔｉ層との相
互拡散の結果、ＧａＡｓ基板の界面にＧａＡｌＡｓ層を
形成する。このＧａＡｌＡｓ層は、熱的に安定な物質と
して形成され、良好なショットキ特性を示す。
最下層に蒸着することにより、ゲ−ト金属時に成長する
ＰＲからの脱ガスは、Ｔｉ層に吸着される作用が生ず
る。そして、その後の熱処理により、脱ガスを吸着した
Ｔｉ層は、ＧａＡｓ基板と反応し（ＴｉはとりわけＧａ
Ａｓ層と反応しやすい。）、脱ガス吸着層の効果を減衰
せしめる。また、下層のＡｌ層の一部は、Ｔｉ層との相
互拡散の結果、ＧａＡｓ基板の界面にＧａＡｌＡｓ層を
形成する。このＧａＡｌＡｓ層は、熱的に安定な物質と
して形成され、良好なショットキ特性を示す。
【００１４】更に、中間層のバリアメタル層は、ＧａＡ
ｌＡｓ中のＡｌの新たな供給を断ち、必要以上にＧａＡ
ｌＡｓの層が形成されるのを防止する作用が生ずる。こ
のバリアメタルとしては、ＴｉＮが効果的であるが、他
の金属一例としてＭｏを使用することもできる。
ｌＡｓ中のＡｌの新たな供給を断ち、必要以上にＧａＡ
ｌＡｓの層が形成されるのを防止する作用が生ずる。こ
のバリアメタルとしては、ＴｉＮが効果的であるが、他
の金属一例としてＭｏを使用することもできる。
【００１５】
【実施例】次に、本発明について図１及び図２を参照し
て詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例を示すゲ−
ト部の拡大断面図であって、これは、ＧａＡｓ基板１中
に活性層２をもってドレイン３及びソ−ス４が形成され
ている。そして、熱処理後のゲ−ト金属層の層構成は、
図１に示すように、ＧａＡｌＡｓ層５、Ａｌを不純物と
して含有する下層のＴｉ層６、一部にＴｉを拡散不純物
として含有する下層のＡｌ層７、バリアメタル層８、上
層のＡｌ層９、上層のＴｉ層１０によって構成される。
なお、１１は、表面保護膜を示す。この時、ＧａＡｌＡ
ｓ層５の膜厚は、数オングストロム〜数拾オングストロ
ム程度となるように熱処理条件を設定する。
て詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明の第１の実施例を示すゲ−
ト部の拡大断面図であって、これは、ＧａＡｓ基板１中
に活性層２をもってドレイン３及びソ−ス４が形成され
ている。そして、熱処理後のゲ−ト金属層の層構成は、
図１に示すように、ＧａＡｌＡｓ層５、Ａｌを不純物と
して含有する下層のＴｉ層６、一部にＴｉを拡散不純物
として含有する下層のＡｌ層７、バリアメタル層８、上
層のＡｌ層９、上層のＴｉ層１０によって構成される。
なお、１１は、表面保護膜を示す。この時、ＧａＡｌＡ
ｓ層５の膜厚は、数オングストロム〜数拾オングストロ
ム程度となるように熱処理条件を設定する。
【００１６】また、バリアメタル層８としては、ＴｉＮ
又はＭｏ等により数百〜2,000オングストロムの膜厚と
なる。また、下層のＡｌ層７の膜厚は、熱処理によって
ＧａＡｌＡｓ層５を形成するに充分な値である必要があ
る。また、上層のＡｌ層９の膜厚は、ト−タルのゲ−ト
膜厚が所望のゲ−ト抵抗値になるよう調整する。
又はＭｏ等により数百〜2,000オングストロムの膜厚と
なる。また、下層のＡｌ層７の膜厚は、熱処理によって
ＧａＡｌＡｓ層５を形成するに充分な値である必要があ
る。また、上層のＡｌ層９の膜厚は、ト−タルのゲ−ト
膜厚が所望のゲ−ト抵抗値になるよう調整する。
【００１７】（実施例２）図２は、本発明の第２の実施
例を示すゲ−ト部の拡大断面図であって、これは、上記
実施例１と比較して、ゲ−トメタル層形成後に400℃近
傍の温度で熱処理を比較的長時間、一例として１〜２時
間行い、これによって、下層のＡｌ層７の下部におい
て、Ｔｉを高濃度に含有したＡｌ層６’を形成したもの
である。この時、実施例１の下層のＴｉ層６は、実施例
２では、Ｔｉ層としては残留しないが、ＧａＡｓ基板１
との界面にはＧａＡｌＡｓ層５が明確に存在する。な
お、実施例１、２は、ともにリセス構造のＦＥＴについ
て説明したが、本発明は、これに限定されるものではな
く、プレ−ナ型のＦＥＴ構造にも同様に適用される。
例を示すゲ−ト部の拡大断面図であって、これは、上記
実施例１と比較して、ゲ−トメタル層形成後に400℃近
傍の温度で熱処理を比較的長時間、一例として１〜２時
間行い、これによって、下層のＡｌ層７の下部におい
て、Ｔｉを高濃度に含有したＡｌ層６’を形成したもの
である。この時、実施例１の下層のＴｉ層６は、実施例
２では、Ｔｉ層としては残留しないが、ＧａＡｓ基板１
との界面にはＧａＡｌＡｓ層５が明確に存在する。な
お、実施例１、２は、ともにリセス構造のＦＥＴについ
て説明したが、本発明は、これに限定されるものではな
く、プレ−ナ型のＦＥＴ構造にも同様に適用される。
【００１８】
【発明の効果】本発明は、以上詳記したように、ショッ
トキ金属として、Ｔｉ（チタン）を選択し、更に、上層
金属層として、Ａｌ／バリアメタル／Ａｌの構成とする
ものであり、これによって、(1) ＰＲからの脱ガスがＴ
ｉ層に吸着し、その結果、この脱ガスによるショットキ
界面の汚染を防止することができ、(2) ＧａＡｌＡｓ層
をショットキ面に形成して表面安定化を図ることがで
き、(3) 中間層のバリアメタル層により、ＧａＡｌＡｓ
層の形成を適度に抑制することができる効果が生ずる。
そして、特に、高温での長時間寿命試験に耐え得る、か
つ、高信頼性の化合物半導体装置を提供できる効果が生
ずる。
トキ金属として、Ｔｉ（チタン）を選択し、更に、上層
金属層として、Ａｌ／バリアメタル／Ａｌの構成とする
ものであり、これによって、(1) ＰＲからの脱ガスがＴ
ｉ層に吸着し、その結果、この脱ガスによるショットキ
界面の汚染を防止することができ、(2) ＧａＡｌＡｓ層
をショットキ面に形成して表面安定化を図ることがで
き、(3) 中間層のバリアメタル層により、ＧａＡｌＡｓ
層の形成を適度に抑制することができる効果が生ずる。
そして、特に、高温での長時間寿命試験に耐え得る、か
つ、高信頼性の化合物半導体装置を提供できる効果が生
ずる。
【図１】本発明の第１の実施例であるゲ−ト部の拡大断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の第２の実施例であるゲ−ト部の拡大断
面図である。
面図である。
１ ＧａＡｓ基板 ２ 活性層 ３ ドレイン ４ ソ−ス ５ ＧａＡｌＡｓ層 ６ 下層のＴｉ層 ７ 下層のＡｌ層 ８ バリアメタル層 ９ 上層のＡｌ層 １０ 上層のＴｉ層 １１ 表面保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/812
Claims (4)
- 【請求項１】 化合物半導体を基板とする電界効果トラ
ンジスタのゲ−ト部の構成として、ＧａＡｓ基板側より
Ｔｉ、Ａｌ、バリアメタル、Ａｌの多層金属よりなり、
しかも、ＧａＡｓ基板結晶中に微量のＴｉを含有し、更
に、ＧａＡｓ界面にＧａＡｌＡｓの薄層を有することを
特徴とする化合物半導体装置。 - 【請求項２】 化合物半導体を基板とする電界効果トラ
ンジスタのゲ−ト部の構成として、ＧａＡｓ基板側より
Ｔｉを高濃度に含有するＡｌ、Ａｌ、バリアメタル、Ａ
ｌの多層金属よりなり、しかも、ＧａＡｓ基板結晶中に
微量のＴｉを含有し、更に、ＧａＡｓ界面にＧａＡｌＡ
ｓの薄層を有することを特徴とする化合物半導体装置。 - 【請求項３】 バリアメタルがＴｉＮ又はＭｏである請
求項１又は請求項２に記載の化合物半導体装置。 - 【請求項４】 化合物半導体を基板とする電界効果トラ
ンジスタのゲ−ト部の製造方法において、ＧａＡｓ基板
側よりＴｉ、Ａｌ、バリアメタル、Ａｌのゲ−トメタル
層を形成し、次に、熱処理し、この熱処理後の化合物半
導体装置として、ＧａＡｓ基板側よりＴｉ又はＴｉを高
濃度に含有するＡｌ、Ａｌ、バリアメタル、Ａｌの多層
金属により構成され、しかも、ＧａＡｓ基板結晶中に微
量のＴｉを含有し、更に、ＧａＡｓ界面にＧａＡｌＡｓ
の薄層を有することを特徴とする化合物半導体装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24840191A JPH0562928A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24840191A JPH0562928A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0562928A true JPH0562928A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17177563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24840191A Pending JPH0562928A (ja) | 1991-09-03 | 1991-09-03 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0562928A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455875B2 (en) | 1992-10-09 | 2002-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having enhanced field mobility |
| JP2016162975A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-09-03 JP JP24840191A patent/JPH0562928A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6455875B2 (en) | 1992-10-09 | 2002-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having enhanced field mobility |
| US6790749B2 (en) | 1992-10-09 | 2004-09-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| JP2016162975A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
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