JPH056319B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH056319B2 JPH056319B2 JP58175188A JP17518883A JPH056319B2 JP H056319 B2 JPH056319 B2 JP H056319B2 JP 58175188 A JP58175188 A JP 58175188A JP 17518883 A JP17518883 A JP 17518883A JP H056319 B2 JPH056319 B2 JP H056319B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- electrodes
- transparent conductive
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、絶縁膜の形成方法に関し、特に透明
導電膜が形成された基板上に、透明導電膜を被う
ようにスパツタリングで絶縁膜を形成する方法に
関するものである。
導電膜が形成された基板上に、透明導電膜を被う
ようにスパツタリングで絶縁膜を形成する方法に
関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
例えば薄膜EL表示素子は、ストライプ状の透
明電極群が形成されたガラス板上に第１の絶縁膜
を介してEL（Electro Luminescence）発光層を
形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形成し、
その上に上記透明電極群と直交するようにストラ
イプ状の背面電極群を設けた構成になつている。
すなわち透明電極群はすくなくとも端部の電極取
出し部を除いて絶縁膜で被われている。
明電極群が形成されたガラス板上に第１の絶縁膜
を介してEL（Electro Luminescence）発光層を
形成し、さらにその上に第２の絶縁膜を形成し、
その上に上記透明電極群と直交するようにストラ
イプ状の背面電極群を設けた構成になつている。
すなわち透明電極群はすくなくとも端部の電極取
出し部を除いて絶縁膜で被われている。
上記絶縁膜は従来から高周波スパツタリング法
で作製される。第１図に示すようにベルジヤー１
内に対向させて設置されたカソード電極２及びア
ノード電極３を有するスパツタリング装置が用い
られる。絶縁膜が被着される基板４はアノード電
極３上に、被着面をカソード電極２に向けて搭載
され、両電極２，３間に所定の高周波電源を印加
しカソード電極２上に搭載された絶縁物からなる
ターゲツト５から、アルゴンイオン等によつて絶
縁物分子がたたき出され、基板４に付着して絶縁
膜が形成される。基板４を、第２図を用いてさら
に詳しく説明すると、たとえばガラス基板６上に
透明電極７が形成されており、電極取出しのため
に透明電極７の端部をメタルマスク８で被い、そ
の上にスパツタリングにより絶縁膜９が形成され
る。
で作製される。第１図に示すようにベルジヤー１
内に対向させて設置されたカソード電極２及びア
ノード電極３を有するスパツタリング装置が用い
られる。絶縁膜が被着される基板４はアノード電
極３上に、被着面をカソード電極２に向けて搭載
され、両電極２，３間に所定の高周波電源を印加
しカソード電極２上に搭載された絶縁物からなる
ターゲツト５から、アルゴンイオン等によつて絶
縁物分子がたたき出され、基板４に付着して絶縁
膜が形成される。基板４を、第２図を用いてさら
に詳しく説明すると、たとえばガラス基板６上に
透明電極７が形成されており、電極取出しのため
に透明電極７の端部をメタルマスク８で被い、そ
の上にスパツタリングにより絶縁膜９が形成され
る。
ところで第１図のような構造のスパツタリング
装置で、第２図のようにメタルマスクを用いて絶
縁物のスパツタリングを行ない、透明電極を被う
ように絶縁膜を形成すると、スパツタリング工程
中に透明電極の還元現象がしばしば発生する。た
とえば透明電極として酸化インジウムすず（以下
I.T.Oと略す）膜が厚さ1000Åで形成されている
ものに、ステンレスのメタルマスクを用いて次の
ような条件で二酸化ケイ素をスパツタリングする
とI.T.O膜が金属インジウムに還元され、このた
め本来透明であるはずのI.T.O膜が黒く着色した
ように見える。
装置で、第２図のようにメタルマスクを用いて絶
縁物のスパツタリングを行ない、透明電極を被う
ように絶縁膜を形成すると、スパツタリング工程
中に透明電極の還元現象がしばしば発生する。た
とえば透明電極として酸化インジウムすず（以下
I.T.Oと略す）膜が厚さ1000Åで形成されている
ものに、ステンレスのメタルマスクを用いて次の
ような条件で二酸化ケイ素をスパツタリングする
とI.T.O膜が金属インジウムに還元され、このた
め本来透明であるはずのI.T.O膜が黒く着色した
ように見える。
スパツタリング条件
アルゴン分圧 ５×10-3Torr
投入パワー 4.5W／cm2
ターゲツト 二酸化ケイ素
スパツタモード RFマグネトロン方式
スパツタレート 800Å／min
スパツタ時間 7min
このようなI.T.O膜の還元反応が発生する原因
としては次のようなことが考えられている。すな
わち、スパツタリング工程中にアルゴン陽イオン
などの陽イオン種によりチヤージアツプされたガ
ラス基板の表面と通常アース電位のアノード電極
との間で放電が起り、瞬間的に電子流入が発生す
るからである。これによつて透明電極は部分的に
黒化して透明度を失い、表示素子の透明電極とし
ての機能を果たさなくなる。
としては次のようなことが考えられている。すな
わち、スパツタリング工程中にアルゴン陽イオン
などの陽イオン種によりチヤージアツプされたガ
ラス基板の表面と通常アース電位のアノード電極
との間で放電が起り、瞬間的に電子流入が発生す
るからである。これによつて透明電極は部分的に
黒化して透明度を失い、表示素子の透明電極とし
ての機能を果たさなくなる。
（発明の目的）
本発明は、上記従来のスパツタリングによる絶
縁膜の形成方法の欠点を除去し、透明導電膜の黒
化を防止した絶縁膜の形成法を提供するものであ
る。
縁膜の形成方法の欠点を除去し、透明導電膜の黒
化を防止した絶縁膜の形成法を提供するものであ
る。
（発明の構成）
本発明は、上記の目的を達成するために、以下
のような方法で絶縁膜を形成することを特徴とす
る。透明導電膜からなる複数の電極上に、それら
の電極どうしが電気的に短絡しないようにマスク
をしてスパツタリングにより絶縁膜を形成する。
のような方法で絶縁膜を形成することを特徴とす
る。透明導電膜からなる複数の電極上に、それら
の電極どうしが電気的に短絡しないようにマスク
をしてスパツタリングにより絶縁膜を形成する。
このような条件に適合するマスクキング法とし
ては種々考えられるが、最も容易で安価な方法は
マスク自身の材料として絶縁性材料を用い、絶縁
物のマスクを使用することが考えられる。あるい
は金属などの導電性材料のマスクを用いる場合は
基板とマスクとの間に絶縁物を介在させ、電気的
に絶縁するなどが考えられる。
ては種々考えられるが、最も容易で安価な方法は
マスク自身の材料として絶縁性材料を用い、絶縁
物のマスクを使用することが考えられる。あるい
は金属などの導電性材料のマスクを用いる場合は
基板とマスクとの間に絶縁物を介在させ、電気的
に絶縁するなどが考えられる。
本発明の主旨を損なわない範囲であればマスク
の形状や材料などは特に制限されるものではな
い。上記のような方法で透明導電膜上にスパツタ
リングによつて絶縁膜を形成すると、そのメカニ
ズムについてはよく分かつていないが、従来問題
があつたように透明導電膜の黒化は全く発生しな
い。
の形状や材料などは特に制限されるものではな
い。上記のような方法で透明導電膜上にスパツタ
リングによつて絶縁膜を形成すると、そのメカニ
ズムについてはよく分かつていないが、従来問題
があつたように透明導電膜の黒化は全く発生しな
い。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
（実施例の説明）
第３図は、本発明にかかる絶縁膜の形成法の一
実施例により製造された薄膜EL素子を示したも
のである。１１は縦220mm、横220mm、厚さ１mmの
透明なガラス基板、１２は絶縁層であり、膜厚
5000Åの二酸化ケイ素からなつている。１３は
ITO膜よりなる幅0.15mm、長さ200mm、厚さ2500
Åの透明平行電極、１４は膜厚5000Åのマンガン
付活硫化亜鉛からなるEL発光層、１５は膜厚
5000Åの酸化イツトリウムからなる発光制御用の
絶縁層、１６は幅0.15mm、長さ220mm、厚さ1000
Åのアルミよりなる背面平行電極であり、透明平
行電極１３とは直交するような配置となつてい
る。透明平行電極１３は電極取出しのため端部が
長さ５mmだけ露出されている。
実施例により製造された薄膜EL素子を示したも
のである。１１は縦220mm、横220mm、厚さ１mmの
透明なガラス基板、１２は絶縁層であり、膜厚
5000Åの二酸化ケイ素からなつている。１３は
ITO膜よりなる幅0.15mm、長さ200mm、厚さ2500
Åの透明平行電極、１４は膜厚5000Åのマンガン
付活硫化亜鉛からなるEL発光層、１５は膜厚
5000Åの酸化イツトリウムからなる発光制御用の
絶縁層、１６は幅0.15mm、長さ220mm、厚さ1000
Åのアルミよりなる背面平行電極であり、透明平
行電極１３とは直交するような配置となつてい
る。透明平行電極１３は電極取出しのため端部が
長さ５mmだけ露出されている。
このような薄膜EL素子は以下の手順で製造さ
れる。まず透明なガラス基板１１上にITO膜を電
子ビーム蒸着で被着し、写真蝕刻法を用いて透明
平行電極１３を選択的に形成する。その上に幅10
mm、長さ200mm、厚さ１mmのガラス板を透明平行
電極１３の端部が５mmだけ被われるように設置
し、その上に前述の条件にて高周波スパツタリン
グを用いてSiO2からなる絶縁層１２を形成する。
しかる後に、マンガン付活硫化亜鉛からなるEL
発光層１４、酸化イツトリウムからなる発光制御
用の絶縁層１５を順次電子ビーム蒸着にて積層し
て形成し、その上に写真蝕刻法を用いてアルミニ
ウムからなる背面平行電極１６を形成してなるも
のである。このときITO膜からなる透明平行電極
１３は全く黒化が発生しておらず、表示素子の透
明電極として問題なく機能することが確認され
た。
れる。まず透明なガラス基板１１上にITO膜を電
子ビーム蒸着で被着し、写真蝕刻法を用いて透明
平行電極１３を選択的に形成する。その上に幅10
mm、長さ200mm、厚さ１mmのガラス板を透明平行
電極１３の端部が５mmだけ被われるように設置
し、その上に前述の条件にて高周波スパツタリン
グを用いてSiO2からなる絶縁層１２を形成する。
しかる後に、マンガン付活硫化亜鉛からなるEL
発光層１４、酸化イツトリウムからなる発光制御
用の絶縁層１５を順次電子ビーム蒸着にて積層し
て形成し、その上に写真蝕刻法を用いてアルミニ
ウムからなる背面平行電極１６を形成してなるも
のである。このときITO膜からなる透明平行電極
１３は全く黒化が発生しておらず、表示素子の透
明電極として問題なく機能することが確認され
た。
（発明の効果）
以上のように本発明によれば、同一基板上に搭
載された透明導電膜からなる複数の電極を、電極
どうしが相互に電気的に短絡しないようにマスク
をしてその上にスパツタリングで絶縁膜を形成す
ることにより、簡単な方法で透明導電膜が全く黒
化することなく効果的に絶縁膜を形成することが
できる。
載された透明導電膜からなる複数の電極を、電極
どうしが相互に電気的に短絡しないようにマスク
をしてその上にスパツタリングで絶縁膜を形成す
ることにより、簡単な方法で透明導電膜が全く黒
化することなく効果的に絶縁膜を形成することが
できる。
第１図は、従来のスパツタリング装置の概略
図、第２図ａは、従来例の構成による絶縁膜の形
成方法を示す平面図、第２図ｂは、そのＡ−Ａ断
面図、第３図ａは、本発明にかかる絶縁膜の形成
方法の一実施例により製造された薄膜EL素子の
平面図、第３図ｂは、そのＢ−Ｂ断面図である。 １１……ガラス基板、１２……絶縁層、１３…
…透明平行電極、１４……EL発光層、１５……
絶縁層、１６……背面平行電極。
図、第２図ａは、従来例の構成による絶縁膜の形
成方法を示す平面図、第２図ｂは、そのＡ−Ａ断
面図、第３図ａは、本発明にかかる絶縁膜の形成
方法の一実施例により製造された薄膜EL素子の
平面図、第３図ｂは、そのＢ−Ｂ断面図である。 １１……ガラス基板、１２……絶縁層、１３…
…透明平行電極、１４……EL発光層、１５……
絶縁層、１６……背面平行電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明導電膜からなる複数の電極を形成した基
板上で、前記複数の電極の上に絶縁膜をスパツタ
リングによつて形成する方法において、前記絶縁
膜の形成領域を決めるマスクとして、絶縁性のマ
スクを使用するか、若しくは導電性のマスクを使
用する場合は前記複数の電極が相互に電気的に短
絡しないように電極とマスクとの間を絶縁して、
絶縁膜材料をスパツタリングすることを特徴とす
る透明導電膜上への絶縁膜の形成方法。 ２ 透明導電膜が、互いに直交する方向にそれぞ
れ複数本配列された２組の帯状電極群で構成され
るマトリツクス電極間に絶縁膜を介して層設され
たEL発光層を基板上に搭載して成る薄膜EL素子
の、前記２組のうちの一方の帯状電極群であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の透明
導電膜上への絶縁膜の形成方法。 ３ 透明導電膜が、酸化インジウムすず膜からな
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
透明導電膜上への絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175188A JPS6068590A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58175188A JPS6068590A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6068590A JPS6068590A (ja) | 1985-04-19 |
| JPH056319B2 true JPH056319B2 (ja) | 1993-01-26 |
Family
ID=15991819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58175188A Granted JPS6068590A (ja) | 1983-09-24 | 1983-09-24 | 透明導電膜上への絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6068590A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320461A (ja) * | 1986-07-14 | 1988-01-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 薄膜形成装置 |
| JP2773773B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1998-07-09 | 関西日本電気株式会社 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
| GB0409521D0 (en) * | 2004-04-29 | 2004-06-02 | Fosroc International Ltd | Sacrificial anode assembly |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5821795B2 (ja) * | 1978-05-23 | 1983-05-04 | シャープ株式会社 | 薄膜ｅｌ素子の構造 |
-
1983
- 1983-09-24 JP JP58175188A patent/JPS6068590A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6068590A (ja) | 1985-04-19 |
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