JPS61188892A

JPS61188892A - 誘電体膜の形成方法

Info

Publication number: JPS61188892A
Application number: JP60029151A
Authority: JP
Inventors: 純桑田; 雅博西川; 洋介藤田; 任田　隆夫; 富造松岡; 阿部　惇
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1985-02-16
Filing date: 1985-02-16
Publication date: 1986-08-22

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、誘電体膜の形成方法、特に、透明導電膜から
なる複数の電極が形成されている基板の上に、誘電体膜
をスパッタリングで形成する誘電体膜の形成方法に関す
るものである。

（従来の技術）第２図は、薄膜電界発光表示素子の構成を示すもので、
１は透明導電膜をガラス基板２の上にストライプ状に形
成した複数の電極で、これ等の電極１によって第１の電
極群が構成される。３は、電極１の端子部１ａ以外の部
分を被うようにして、ガラス基板２の上に形成した第１
の誘電体膜、４は第１の誘電体膜３の上に形成した電界
発光層（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｌｎｅｓｃｅｎｃｅ層
、以下ＥＬ層という）。

５は、ＥＬ層４を被うようにして、第１の誘電体膜３の
上に形成した第２の誘電体膜、６は、それぞれが複数の
電極１と直交するようにして、第２の誘電体膜５の上に
ストライプ状に配設した複数の背面電極で、これ等の背
面電極６によって第２の電極群が構成される。

このように構成された薄膜電界発光表示素子において、
第１の誘電体膜３は、電極１が形成されたガラス基板２
の上に、高周波マグネトロン・スパッタリング法によっ
て形成されるが、その際。

ガラス基板２の両端縁部には、各電極１の端部に端子部
１ａを形成するためマスク（図示しない）が取り付けら
れる。

ところが、マスクがステンレス等の導電体であると、電
極１とアノード電極とが電気的に短絡されて、電子が自
由に出入りできるようになるので。

電極ｌの一部が還元されて、黒化し、電極１が透明でな
くなる問題があった。

そこで、特願昭５８−１７５１８８号では、電極１の端
部をガラス等の絶縁体のマスク７で被って、電極１とア
ノード電極との間を絶縁することにより、電子の出入り
を阻止した状態で、スパッタリングを行って、ガラス基
板２の上に第１の誘電体膜３を形成する（第３図参照）
。

（発明が解決しようとする問題点）ところが、細かいストライプ状の電極１が形成されてい
るガラス基板２の両端部にマスク７を取り付けた状態で
、高周波マグネトロン・スパッタリングすると、電極１
の上の部分の第１の誘電体膜３がマスク７の近傍におい
て泡状に剥離する問題があった。

本発明の目的は、複数の電極が形成されている基板の上
に、第１の誘電体膜をスパッタリングで形成するときに
、電極の上の部分の誘電体膜が剥離しない誘電体膜の形
成方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段）本発明は、透明導電膜からなる複数の電極を形成した基
板の上に、スパッタリングによって誘電体膜を形成する
ときに、複数の電極において、スパッタリング装置のカ
ソードと７ノードとに対して絶縁されたマスクによって
被われる部分を互いに短絡した状態で、基板の上に誘電
体材料をスパッタリングするものである。

（作用）一本発明は、複数の電極において、マスクによって被われ
た部分を電気的に短絡すると、スパッタリング中に、電
荷が電極の一部に集中しなくなるので、電離作用或いは
電食作用による電極の剥離がなくなる。

（実施例）第１図は、本発明の誘電体膜の形成方法を示すもので、
先ず、酸化インジウムすず（ＩＴＯ）の透明導電膜から
なる幅０．１５ｍｎ＋、長さ２００ｍｍ、厚さ０．２５
μｍの複数の電極１が、ストライプ状に形成された縦２
２０ｍｍ、横２２０＋＋ｕｏ、厚さ２ＩＩＩＩ＋の透明
なガラス基板２の端縁部にアルミニウムを蒸着させて、
厚さ０．１５μｍの一連の導体膜８を形成することによ
り、各電極１を短絡する。次に、各電極１の端子部１ａ
及び導体膜８を被うようにして、ガラスからなる厚さ２
ＩＩＩｍのマスク７をガラス基板２の上に取り付けて、
アルゴンと酸素との混合ガスの中で高周波マグネトロン
・スパッタリングすると、チタン酸ストロンチウムを主
成分とする透明な第１の誘電体膜３が、マスク７で被わ
れていないガラス基板２の上に形成されるが、このとき
、各電極１は導体膜８によって電気的に短絡されている
ので、電荷が電極１の一部に集中しなくなって、電離作
用或いは電食作用による電極１の剥離がなくなる。そし
て、導体膜８は、リン酸、酢酸、硝酸の混液によってエ
ツチングすれば、ガラス基板２から除去できる。又、こ
の際、導体膜８の抵抗値は数倍から十倍程度上がるが、
真空中熱処理を行えば、再び元の抵抗値まで下げること
ができる。

更に、第１の誘電体膜３の上に５００ｎｍのマンガン付
活硫化亜鉛からなるＥＬ層、２００ｎｍの酸化イツトリ
ウムからなる第２の誘電体層５．アルミニウムからなる
幅０．１５ｍｍ、長さ２２０ｍｍ、厚さ１５０ｎＩｆｉ
の複数の背面電極６をそれぞれ複数の電極１と直交する
ように配設して、薄膜電界発光表示素子を作製したとこ
ろ、高輝度、高安定性を示し、表示素子の透明電極とし
て問題なく機能することが確認された。

尚、導体膜８は、アルミニウム以外に、ニッケル、金等
の電気伝導度の高い金属の蒸着膜、ニッケルとクロムと
の積層膜等であってもよい。

（発明の効果）以上説明したように１本発明によれば、極めて簡易な真
空蒸着法により導体膜を電極の一部に付着させて、スパ
ッタリングすることにより、電極を剥離させたり、黒化
させることなく、誘電体膜をガラス基板の上に形成でき
る利点があり、例えば、薄膜電界発光表示素子の製造に
極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の誘電体膜の形成方法によって第１の誘
電体膜を形成したときの薄膜電界発光表示素子の断面図
、第２図は薄膜電界発光表示素子の断面図、第３図は従
来の誘電体膜の形成方法によって第１の誘電体膜を形成
したときの薄膜電界発光表示素子の断面図である。１　・・・電極、　２・・・ガラス基板、　３・・・第
１の誘電体膜、　４・・・電界発光層。５・・・第２の誘電体膜、　６・・・背面電極。７・・・マスク、　８　・・・導体膜。特許出願人　　松下電器産業株式会社第１図ど第３図

Claims

【特許請求の範囲】

　（１）透明導電膜からなる複数の電極を形成した基板
の上に、スパッタリングによって誘電体膜を形成する誘
電体膜の形成方法において、前記複数の電極の、スパッ
タリング装置のカソードとアノードとに対して絶縁され
たマスクによって被われる部分を互いに短絡した状態で
、前記基板の上に誘電体材料をスパッタリングすること
を特徴とする誘電体膜の形成方法。
　（２）前記複数の電極は、電界発光層の一方の面を被
う誘電体膜の表面に帯状に配列した複数の電極からなる
電極群と、電界発光層の他方の面を被う誘電体膜の表面
に帯状に配列した複数の電極からなる電極群とが互いに
直交するように設けられた薄膜電界発光素子の前記２つ
の電極群の一方であることを特徴とする特許請求の範囲
第（１）項記載の誘電体膜の形成方法。
　（３）前記複数の電極は、それぞれ、酸化インジウム
すず膜からなることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の誘電体膜の形成方法。
　（４）前記複数の電極は、前記基板の上に形成された
導体膜によって互いに短絡されることを特徴とする特許
請求の範囲第（１）項記載の誘電体膜の形成方法。