JPH0564134B2 - - Google Patents
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- JPH0564134B2 JPH0564134B2 JP58138148A JP13814883A JPH0564134B2 JP H0564134 B2 JPH0564134 B2 JP H0564134B2 JP 58138148 A JP58138148 A JP 58138148A JP 13814883 A JP13814883 A JP 13814883A JP H0564134 B2 JPH0564134 B2 JP H0564134B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- formula
- optically active
- phase
- synthesized
- Prior art date
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
Description
本発明は新規な液晶物質及び該液晶物質を含有
する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基
を有するカイラル液晶物質及びそれらを含有する
カイラル液晶組成物に関する。 現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted
Nematic)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等)と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも抱らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.,36,899(1980))。この
方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相
(以下SC*S相と略称する)或はカイラルスメク
チツクH粗(以下SH*相と略称する)を利用する
もので、それが室温付近にあるのが望ましい。本
発明者らは、この表示方式に利用されるに適した
液晶物質の開発を主たる目的として、光学活性基
を含む液晶物質を種々探索して本発明に到達し
た。 即ち、本発明は一般式 (但し、上式に於いて、Xは炭素数1〜18のア
ルキル基又は、アルキルオキシ基であり、lは0
を、m及びnは0又は1をそれぞれ示す。又*は
光学活性炭素原子を示す。) で表わされる化合物、及びそれを含有する液晶組
成物である。 ()式の化合物は、あるものは限られた温度
範囲に於いてコレステリツク相及びスメクチツク
相を呈し、又あるものはコレステリツク相を呈さ
ず、スメクチツク相のみを呈する。しかしいずれ
にしても、そのスメクチツク相のなかにSC*相が
あることに主たる特徴を有する。 SC*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合TN表示方式にくらべて3つのすぐ
れた特徴がある。第1の特徴は非常に高速で応答
し、その応答時間は通常のTN表示方式の素子と
比較すると、応答時間は1/100以下である。第2
の特徴はメモリー効果があることであり、上記の
高速応答性とあいまつて、時分割駆動が容易であ
る。第3の特徴は濃淡の階調を容易に得られるこ
とである。TN表示方式で濃淡の階調をとるに
は、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧
の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問
がある。しかしSC*相の光スイツチング効果を応
用する場合には極性の反転時間を調節することに
より、容易に階調を得ることができ、グラフイツ
ク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複屈折型他の
1つの方法は二色性色素を使用するゲストホスト
型である。SC*相は自発分極をもつため、印加電
圧の極性を反転することにより、らせん軸を回転
軸として分子が反転する。SC*相を有する液晶組
成物を液晶分子が電極面に平行にならぶように配
向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分子
のダイレクターと一方の偏光面を平行になるよう
に配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをはさ
み、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する(1℃〜2℃/hr)ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 ()式の化合物は4−ヒドロキシ−4′−置換
ビフエニルに、ピリジンのような塩基性溶媒中で
それぞれ相当する、光学活性なカルボン酸クロラ
イド、あるいはクロルギ酸アルキルを作用させる
ことにより、最も好適に製造される。 原料の一つである4−ヒドロキシ−4′−置換ビ
フエニルのうち4−アルキルオキシ−4′−ヒドロ
キシビフエニル(a)は以下の様な工程により
製造することができる。 (上図においてRは炭素数1〜18のアルキル基
を示す。) 即ち、ヒドロキシビフエニルに無水塩化アルミ
ニウム存在下に2倍モルの塩化アセチルを作用さ
せて、4−アセチルオキシ−4′−アセチルビフエ
ニルが合成される。これに水酸化カリウムの存在
下にアルキルブロマイドを作用させると、4−ア
セチル−4′−アルキルオキシビフエニルが合成さ
れる。 さらにこの化合物にギ酸中、過酸化水素を作用
させることにより、4−アセチルオキシ−4′−ア
ルキルオキシビフエニルが合成される。 これをアルカリで加水分解して、酸を加えるこ
とにより目的の4−アルキルオキシ−4′−ヒドロ
キシビフエニル(a)が合成される。 4−ヒビロキシ−4′−置換ビフエニルのうちの
4−アルキル−4′−ヒドロキシビフエニル(
b)は以下のような工程により合成することがで
きる。 (上図においてRは炭素数1〜17のアルキル基
を示す。) 即ち、ヒドロキシビフエニルに無水塩化アルミ
ニウムの存在下にアルキルカルボン酸クロライド
を作用させて4−アシル−4′−アシルオキシビフ
エニルを合成し、これをウオルフ−キシユナ−還
元し、次いでアルカリ中で加水分解することによ
り4−アルキル−4′−ヒドロキシビフエニル(
b)が合成される。 また、もう一方の原料である、光学活性なカル
ボン酸クロライド、あるいは光学活性なクロルギ
酸アルキルには以下のようなものがある。
する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活性基
を有するカイラル液晶物質及びそれらを含有する
カイラル液晶組成物に関する。 現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted
Nematic)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等)と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも抱らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark
ら;Applied Phys.lett.,36,899(1980))。この
方式は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相
(以下SC*S相と略称する)或はカイラルスメク
チツクH粗(以下SH*相と略称する)を利用する
もので、それが室温付近にあるのが望ましい。本
発明者らは、この表示方式に利用されるに適した
液晶物質の開発を主たる目的として、光学活性基
を含む液晶物質を種々探索して本発明に到達し
た。 即ち、本発明は一般式 (但し、上式に於いて、Xは炭素数1〜18のア
ルキル基又は、アルキルオキシ基であり、lは0
を、m及びnは0又は1をそれぞれ示す。又*は
光学活性炭素原子を示す。) で表わされる化合物、及びそれを含有する液晶組
成物である。 ()式の化合物は、あるものは限られた温度
範囲に於いてコレステリツク相及びスメクチツク
相を呈し、又あるものはコレステリツク相を呈さ
ず、スメクチツク相のみを呈する。しかしいずれ
にしても、そのスメクチツク相のなかにSC*相が
あることに主たる特徴を有する。 SC*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合TN表示方式にくらべて3つのすぐ
れた特徴がある。第1の特徴は非常に高速で応答
し、その応答時間は通常のTN表示方式の素子と
比較すると、応答時間は1/100以下である。第2
の特徴はメモリー効果があることであり、上記の
高速応答性とあいまつて、時分割駆動が容易であ
る。第3の特徴は濃淡の階調を容易に得られるこ
とである。TN表示方式で濃淡の階調をとるに
は、印加電圧を調節して行なうが、しきい値電圧
の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの難問
がある。しかしSC*相の光スイツチング効果を応
用する場合には極性の反転時間を調節することに
より、容易に階調を得ることができ、グラフイツ
ク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複屈折型他の
1つの方法は二色性色素を使用するゲストホスト
型である。SC*相は自発分極をもつため、印加電
圧の極性を反転することにより、らせん軸を回転
軸として分子が反転する。SC*相を有する液晶組
成物を液晶分子が電極面に平行にならぶように配
向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分子
のダイレクターと一方の偏光面を平行になるよう
に配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをはさ
み、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと冷却する(1℃〜2℃/hr)ことにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 ()式の化合物は4−ヒドロキシ−4′−置換
ビフエニルに、ピリジンのような塩基性溶媒中で
それぞれ相当する、光学活性なカルボン酸クロラ
イド、あるいはクロルギ酸アルキルを作用させる
ことにより、最も好適に製造される。 原料の一つである4−ヒドロキシ−4′−置換ビ
フエニルのうち4−アルキルオキシ−4′−ヒドロ
キシビフエニル(a)は以下の様な工程により
製造することができる。 (上図においてRは炭素数1〜18のアルキル基
を示す。) 即ち、ヒドロキシビフエニルに無水塩化アルミ
ニウム存在下に2倍モルの塩化アセチルを作用さ
せて、4−アセチルオキシ−4′−アセチルビフエ
ニルが合成される。これに水酸化カリウムの存在
下にアルキルブロマイドを作用させると、4−ア
セチル−4′−アルキルオキシビフエニルが合成さ
れる。 さらにこの化合物にギ酸中、過酸化水素を作用
させることにより、4−アセチルオキシ−4′−ア
ルキルオキシビフエニルが合成される。 これをアルカリで加水分解して、酸を加えるこ
とにより目的の4−アルキルオキシ−4′−ヒドロ
キシビフエニル(a)が合成される。 4−ヒビロキシ−4′−置換ビフエニルのうちの
4−アルキル−4′−ヒドロキシビフエニル(
b)は以下のような工程により合成することがで
きる。 (上図においてRは炭素数1〜17のアルキル基
を示す。) 即ち、ヒドロキシビフエニルに無水塩化アルミ
ニウムの存在下にアルキルカルボン酸クロライド
を作用させて4−アシル−4′−アシルオキシビフ
エニルを合成し、これをウオルフ−キシユナ−還
元し、次いでアルカリ中で加水分解することによ
り4−アルキル−4′−ヒドロキシビフエニル(
b)が合成される。 また、もう一方の原料である、光学活性なカル
ボン酸クロライド、あるいは光学活性なクロルギ
酸アルキルには以下のようなものがある。
【式】(α−メチルブタノイル
クロライド)
(a)
【式】(β−メチルペンタ
ノイルクロライド)
(b)
【式】(クロルギ酸1−メチ
ルプロピル)
(g)
【式】(クロルギ酸2−メ
チルブチル)
(h)
(上図において*は光学活性炭素をあらわす、
以下同様) 上記の光学活性α−メチルブタノイルクロライ
ド(a)は、次のような工程で合成される。 即ち、光学活性2−メチルブチルアルコールを
過マンガン酸カリウムで酸化して光学活性2−メ
チルブタン酸とし、これに塩化チオニルを作用さ
せて、光学活性−α−メチルブタノイルクロライ
ド(a)が合成される。 又、光学活性−β−メチルペンタノイルコロラ
イド(b)は次のような工程で合成される。 即ち、光学活性1−ブロモ−2−メチルブタン
にマグネシウムを作用させ、グリニヤー試薬を調
製し、これにドライアイスを作用させることによ
り、光学活性β−メチルペンタン酸が合成され
る。これに塩化チオニルを作用させて光学活性−
β−メチルペンタニルクロライド(b)が合成
される。 又、光学活性クロルギ酸−1−メチルプロピル
(g)は以下のような工程により合成される。 即ち光学活性2−メチル−1−ブタノールにホ
スゲンを作用させることにより合成される。 又、光学活性クロルギ酸−2−メチルブチル
(h)は以下のような工程により合成される。 即ち、光学活性2−ブタノールにホスゲンを作
用させることにより合成される。 以上の2種の()式の化合物と各種の()
式の化合物を組み合せてエステル化することによ
り()式の化合物を得ることが出来る。 即ち、化合物(a)と化合物(a)あるい
は(b)をエステル化することによつて次の化
合物(()式でl=m=n=0の化合物)を合
成することができる。(実施例1,5〜7) 4−アルキル−4′−α−メチルブタノイルオキ
シビフエニル、 4−アルキルオキシ−4′−α−メチルブタノイ
ルオキシビフエニル。 化合物(b)と化合物(a)あるいは(
b)をエステル化することによつて次の化合物
(()式でl=m=0,n=1の化合物)を合成
することができる。(実施例3,11〜13) 4−アルキル−4′−β−メチルペンタノイルオ
キシビフエニル、 4−アルキルオキシ−4′−β−メチルペンタノ
イルオキシビフエニル。 又、化合物(g)と化合物(a)あるいは
(b)をエステル化することにより以下の化合
物(()式でl=0,m=1,n=0のもの)
を合成することができる。 4−アルキル−4′−ビフエニリル(1−メチル
プロピル)カルボナート、 4−アルキルオキシ−4′−ビフエニリル(1−
メチルプロピル)カルボナート。 又、化合物(h)と化合物(a)あるいは
(b)をエステル化することにより以下の化合
物(()式でl=0,m=n=1のもの)を合
成することができる。 4−アルキル−4′−ビフエニリル(2−メチル
ブチル)カルボナート、 4−アルキルオキシ−4′−ビフエニリル(2−
メチルブチル)カルボナート、 これら本発明の()式の化合物の代表的なも
のの相転移温度を表1に示す。
以下同様) 上記の光学活性α−メチルブタノイルクロライ
ド(a)は、次のような工程で合成される。 即ち、光学活性2−メチルブチルアルコールを
過マンガン酸カリウムで酸化して光学活性2−メ
チルブタン酸とし、これに塩化チオニルを作用さ
せて、光学活性−α−メチルブタノイルクロライ
ド(a)が合成される。 又、光学活性−β−メチルペンタノイルコロラ
イド(b)は次のような工程で合成される。 即ち、光学活性1−ブロモ−2−メチルブタン
にマグネシウムを作用させ、グリニヤー試薬を調
製し、これにドライアイスを作用させることによ
り、光学活性β−メチルペンタン酸が合成され
る。これに塩化チオニルを作用させて光学活性−
β−メチルペンタニルクロライド(b)が合成
される。 又、光学活性クロルギ酸−1−メチルプロピル
(g)は以下のような工程により合成される。 即ち光学活性2−メチル−1−ブタノールにホ
スゲンを作用させることにより合成される。 又、光学活性クロルギ酸−2−メチルブチル
(h)は以下のような工程により合成される。 即ち、光学活性2−ブタノールにホスゲンを作
用させることにより合成される。 以上の2種の()式の化合物と各種の()
式の化合物を組み合せてエステル化することによ
り()式の化合物を得ることが出来る。 即ち、化合物(a)と化合物(a)あるい
は(b)をエステル化することによつて次の化
合物(()式でl=m=n=0の化合物)を合
成することができる。(実施例1,5〜7) 4−アルキル−4′−α−メチルブタノイルオキ
シビフエニル、 4−アルキルオキシ−4′−α−メチルブタノイ
ルオキシビフエニル。 化合物(b)と化合物(a)あるいは(
b)をエステル化することによつて次の化合物
(()式でl=m=0,n=1の化合物)を合成
することができる。(実施例3,11〜13) 4−アルキル−4′−β−メチルペンタノイルオ
キシビフエニル、 4−アルキルオキシ−4′−β−メチルペンタノ
イルオキシビフエニル。 又、化合物(g)と化合物(a)あるいは
(b)をエステル化することにより以下の化合
物(()式でl=0,m=1,n=0のもの)
を合成することができる。 4−アルキル−4′−ビフエニリル(1−メチル
プロピル)カルボナート、 4−アルキルオキシ−4′−ビフエニリル(1−
メチルプロピル)カルボナート。 又、化合物(h)と化合物(a)あるいは
(b)をエステル化することにより以下の化合
物(()式でl=0,m=n=1のもの)を合
成することができる。 4−アルキル−4′−ビフエニリル(2−メチル
ブチル)カルボナート、 4−アルキルオキシ−4′−ビフエニリル(2−
メチルブチル)カルボナート、 これら本発明の()式の化合物の代表的なも
のの相転移温度を表1に示す。
(i) 4−(アセチルオキシ)−4′−アセチルビフエ
ニルの合成 ヒドロキシビフエニル503.6g(2.96mol)を、
1,2−ジクロルエタン2に懸濁させ、これに
塩化アセチル278g(3.54mol)を滴下し、50℃
で2時間加熱攪拌した。液が透明となつたので、
10℃まで冷却して、無水塩化アルミニウム850g
(6.37mol)を粉砕、小分けして1時間で投入し
た。10℃〜15℃に保持して、塩化アセチル278g
(3.54mol)を1時間で滴下し、2時間室温で攪
拌、50℃で2時間攪拌した。冷却して、6規定塩
酸約3に反応液を注ぎ、よくかきまぜた。生成
した固体を吸引濾過して集め、よく水洗、乾燥し
て、エタノール3から再結晶すると、4−(ア
セチルオキシ)−4′−アセチルビフエニル581.6g
が得られた。収率77.4%、mp.127.5℃。 (ii) 4−n−オクチルオキシ−4′−アセチルビフ
エニルの合成 4−アセチルオキシ−4′−アセチルビフエニル
80.0g(0.315mol)をエチレングリコールモノエ
チルエーテル300mlに懸濁させ、加熱攪拌した。
均一になつたところへ、水酸化カリウム50%水溶
液70gを注入し、30分間加熱還流した。ここへ1
−ブロモ−n−オクタン62.7g(0.325mol)を滴
下して5時間加熱還流した。空冷して、液を1
の氷中へあけ、トルエン2で抽出し、トルエン
層を酸洗い、アルカリ洗いして、水洗、中性にし
た。これをトルエン留去して固化させ、トルエン
1と活性炭で熱過、再結晶して、4−n−オ
クチルオキシ−4′−アセチルビフエニル77.5gを
得た。収率75.71%。このものはスメクチツクB
液晶相(SB)を示し、そのC−SB点は92.5℃,
SB−I点は132.9℃であつた。 (iii) 4−ヒドロキシ−4′−n−オクチルオキシビ
フエニルの合成 4−n−オクチルオキシ−4′−アセチルビフエ
ニル38.5g(0.119mol)とギ酸238g(5.17mol)、
トルエン200mlを60℃に加熱し、ここへ35%H2O2
水溶液160.7g(1.04mol)を70〜75℃に液温を保
ちながら、1.5時間で滴下した。こののち60〜70
℃で3時間加熱攪拌してから室温に冷却し、トル
エン1.5で抽出し、中性まで水洗して、乾燥し
た。トルエン除去後、エタノール200mlを加えて
加熱還流させ、少し冷却し40%水酸化ナトリウム
水溶液80mlを加え再び2時間、加熱還流した。こ
の液を6N塩酸1に注ぎよくかきまぜた。生成
した固体を吸引過して集め、トルエン300mlを
加えて、水を抜いて、再結晶して、4−ヒドロキ
シ−4′−n−オクチルオキシビフエニル18.5gを
得た。収率50.6%,mp.153.6℃。 (iv) (+)−S−α−メチルブタノイルクロライ
ドの合成 S−(−)−2−メチル−1−ブタノール167g
に水360mlを加えさらに炭酸ナトリウム41.3gを
加えて、室温で攪拌した。ここにあらかじめ約8
の水に溶しておいた過マンガン酸カリウム362
gを15〜20℃で1時間30分で滴下した。これを室
温で6時間攪拌し、つづけて45〜55℃の水浴で2
時間加熱攪拌した。その後吸引過して、過を
酸性とし、トルエン2で抽出して、常圧で蒸留
して、(+)−S−α−メチルブタン酸を得た。 収量73.5g(収率38.0%)、bp.173〜174℃,
〔α〕23 D(+)17.6。 これを170gの塩化チオニルと4時間加熱還流
させ、その後減圧下に過剰の塩化チオニルを留去
して粗製物を得た。これを精留して(+)−S−
α−メチルブタノイルクロライドを得た。 収量75.1g(収率86.5%)、bp,114〜116℃,
〔α〕23 D(+)17.2。 (v) 4−n−オクチルオキシ−4′−S−α−メチ
ルブタノイルオキシビフエニルの合成 4−ヒドロキシ−4′−(n−オクチルオキシ)
ビフエニル2.0g(6.71mmol)を乾燥ピリジン15
mlに溶解し()で合成した(+)−S−α−メ
チルブタノイルクロライド0.9g(7.47mmol)の
乾燥トルエン溶液10mlを滴下した。室温でよく振
とうし、60℃の水浴上で4時間加熱した。これに
トルエン50mlを加えて酸洗、アルカリ洗、水洗を
経た後、硫酸ナトリウム上で乾燥した。トルエン
除去後エタノール60mlと活性炭から熱過し、更
にエタノール50mlから再結晶して目的物である4
−n−オクチルオキシ−4−S−α−メチルブタ
ノイルオキシビフエニル0.8gを得た。このもの
はSC*相を示し、その相転移点は表1に示す通り
である。又その元素分析値は次の如く理論値とほ
ぼ一致した。 分析値 理論値(C25H35O3として) C 78.4% 78.29% H 9.1% 9.20% 実施例1と同様にして表1の実施例2〜4の化
合物を得た。 実施例 5 〔4−n−テトラデシルオキシ−4′−β−メチ
ルペンタノイルオキシビフエニル(()式で
l=0,m=0,n=1でX=C14H29Oのも
の)の合成〕 (i) 4−ヒドロキシ−4′−n−テトラデシルオキ
シビフエニルの合成 実施例1()〜()で合成した4−ヒドロ
キシ−4′−n−オクチルオキシビフエニルと同様
な方法で4−ヒドロキシ−4′−テトラデシルオキ
シビフエニルを合成した。 4−アセチル−4′−n−テトラデシルオキシビ
フエニル C−SB点112.1℃,SB−点123.2℃4−ヒド
ロキシ−4′−n−テトラデシルオキシビフエニル mp.144 (ii) (+)−S−β−メチルペンタノイルクロラ
イドの合成 フラスコに金属マグネシウムリボン12.4gを入
れ攪拌し、乾燥した。これを冷却して乾燥エーテ
ル50mlを入れて、ヨウ化エチルを少量添加し、温
めて、市販の(−)−S−1−ブロモー2−メチ
ルブタン70gを冷却しながら加えた。その後1.5
時間室温で攪拌した。別にドライアイスを粉砕し
ておき、ここに上記のものを注入した。これを
6N塩酸で酸性として、トルエン200mlで抽出し、
水洗してトルエンを留去した。 これを過剰の塩化チオニルと3時間加熱還流し
てその後、減圧下に塩化チオニルを留去し、減圧
蒸留することにより、(+)−S−β−メチルペン
タノイルクロライドを得た。 収量25.3g(収率43.6%),b.p.197〜198℃,
〔α〕29 D+5.4°。 (iii) エステル化 ()の4−ヒドロキシ−4′−n−テトラデシ
ルオキシビフエニル0.5gを乾燥ピリジン20mlに
溶解して、これに()で合成した(+)−S−
β−メチルペンタノイルクロライド0.2gを滴下、
さらに乾燥トルエン15mlを注入して、室温でよく
振とうし、更に60℃の水浴上で3時間、加熱し
た。これを室温に冷却、トルエン50mlを加えて、
6N塩酸100mlで2度洗浄、さらに2Nアルカリ水
で2度洗浄した後、飽和食塩水で数回洗浄して中
性とし、硫酸ナトリウム上で乾燥した。これをト
ルエン留去して、エタノール40mlを用いて熱
過、再結晶して、目的の(S)−4−テトラデシ
ルオキシ−4′−β−メチルペンタノイルオキシビ
フエニル0.2gを得た。相転移点は表1に示した
通りである。又、その元素分析値は次の如く理論
値とほぼ一致した。 分析値 理論値(C49H48O3として) C 83.5% 83.28% H 8.2% 8.39% 実施例5と同様にして表1の実施例6〜8の化
合物を得た。 実施例9 (使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノターフエニル
15重量% からなるネマチツク液晶組成物をポリビニルアル
コール(PVA)を塗布し、その表面をラビング
して平行配向処理を施した透明電極からなるセル
(電極間隔10μm)に注入してTN型表示セルと
し、これを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバ
ース・ドメインを生じているものが観察された。 上記のネマチツク液晶組成物に本願の実施例1
の化合物を0.1重量%添加したものを使用して同
様にTNセルとして観察したところリバース・ド
メインは解消され、均一なネマチツク相が観察さ
れた。 実施例10 (使用例2) 化学式 (但し、*は光学活性炭素を示す) で表わされる化合物80重量%、本願実施例2の化
合物及び実施例6の化合物各10重量%からなる混
合物は、44℃までSC*相を示し、それ以上の温度
でSA相を示し、69℃で等方性液体となる。 この混合物を、PVAを塗布し、表面をラビン
グして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ルに注入し、50Vの直流電圧を印加しながら、
SC*相になるまで徐冷したところ均一なモノドメ
インセルが得られた。この液晶セルを直交ニコル
状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ15V,
0.5Hzの低周波数の交流を印加したところ、明瞭
なスイツチング動作が観察され、非常にコントラ
ストも良く、応答速度が速い(2msec)液晶表
示素子が得られた。 尚、この液晶組成物の自発分極の直交Psは
4.5nc/cm2であつた。 実施例11 (使用例3) 本願実施例1、実施例3、実施例6、実施例5
の化合物各々20重量%及び以下の式で示される二
つの化合物 各々10重量%からなる混合物は86℃までSC*相
を示し、それ以上の温度でSA相を示し、101℃で
等方性液体となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを使用例2と同様なセル
に注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz,15Vの低周波数の
交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作
が観察され、非常にコントラストが良く、応答速
度が速い(2msec)カラー液晶表示素子が得ら
れた。 尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは
3.6nc/cm2であつた。
ニルの合成 ヒドロキシビフエニル503.6g(2.96mol)を、
1,2−ジクロルエタン2に懸濁させ、これに
塩化アセチル278g(3.54mol)を滴下し、50℃
で2時間加熱攪拌した。液が透明となつたので、
10℃まで冷却して、無水塩化アルミニウム850g
(6.37mol)を粉砕、小分けして1時間で投入し
た。10℃〜15℃に保持して、塩化アセチル278g
(3.54mol)を1時間で滴下し、2時間室温で攪
拌、50℃で2時間攪拌した。冷却して、6規定塩
酸約3に反応液を注ぎ、よくかきまぜた。生成
した固体を吸引濾過して集め、よく水洗、乾燥し
て、エタノール3から再結晶すると、4−(ア
セチルオキシ)−4′−アセチルビフエニル581.6g
が得られた。収率77.4%、mp.127.5℃。 (ii) 4−n−オクチルオキシ−4′−アセチルビフ
エニルの合成 4−アセチルオキシ−4′−アセチルビフエニル
80.0g(0.315mol)をエチレングリコールモノエ
チルエーテル300mlに懸濁させ、加熱攪拌した。
均一になつたところへ、水酸化カリウム50%水溶
液70gを注入し、30分間加熱還流した。ここへ1
−ブロモ−n−オクタン62.7g(0.325mol)を滴
下して5時間加熱還流した。空冷して、液を1
の氷中へあけ、トルエン2で抽出し、トルエン
層を酸洗い、アルカリ洗いして、水洗、中性にし
た。これをトルエン留去して固化させ、トルエン
1と活性炭で熱過、再結晶して、4−n−オ
クチルオキシ−4′−アセチルビフエニル77.5gを
得た。収率75.71%。このものはスメクチツクB
液晶相(SB)を示し、そのC−SB点は92.5℃,
SB−I点は132.9℃であつた。 (iii) 4−ヒドロキシ−4′−n−オクチルオキシビ
フエニルの合成 4−n−オクチルオキシ−4′−アセチルビフエ
ニル38.5g(0.119mol)とギ酸238g(5.17mol)、
トルエン200mlを60℃に加熱し、ここへ35%H2O2
水溶液160.7g(1.04mol)を70〜75℃に液温を保
ちながら、1.5時間で滴下した。こののち60〜70
℃で3時間加熱攪拌してから室温に冷却し、トル
エン1.5で抽出し、中性まで水洗して、乾燥し
た。トルエン除去後、エタノール200mlを加えて
加熱還流させ、少し冷却し40%水酸化ナトリウム
水溶液80mlを加え再び2時間、加熱還流した。こ
の液を6N塩酸1に注ぎよくかきまぜた。生成
した固体を吸引過して集め、トルエン300mlを
加えて、水を抜いて、再結晶して、4−ヒドロキ
シ−4′−n−オクチルオキシビフエニル18.5gを
得た。収率50.6%,mp.153.6℃。 (iv) (+)−S−α−メチルブタノイルクロライ
ドの合成 S−(−)−2−メチル−1−ブタノール167g
に水360mlを加えさらに炭酸ナトリウム41.3gを
加えて、室温で攪拌した。ここにあらかじめ約8
の水に溶しておいた過マンガン酸カリウム362
gを15〜20℃で1時間30分で滴下した。これを室
温で6時間攪拌し、つづけて45〜55℃の水浴で2
時間加熱攪拌した。その後吸引過して、過を
酸性とし、トルエン2で抽出して、常圧で蒸留
して、(+)−S−α−メチルブタン酸を得た。 収量73.5g(収率38.0%)、bp.173〜174℃,
〔α〕23 D(+)17.6。 これを170gの塩化チオニルと4時間加熱還流
させ、その後減圧下に過剰の塩化チオニルを留去
して粗製物を得た。これを精留して(+)−S−
α−メチルブタノイルクロライドを得た。 収量75.1g(収率86.5%)、bp,114〜116℃,
〔α〕23 D(+)17.2。 (v) 4−n−オクチルオキシ−4′−S−α−メチ
ルブタノイルオキシビフエニルの合成 4−ヒドロキシ−4′−(n−オクチルオキシ)
ビフエニル2.0g(6.71mmol)を乾燥ピリジン15
mlに溶解し()で合成した(+)−S−α−メ
チルブタノイルクロライド0.9g(7.47mmol)の
乾燥トルエン溶液10mlを滴下した。室温でよく振
とうし、60℃の水浴上で4時間加熱した。これに
トルエン50mlを加えて酸洗、アルカリ洗、水洗を
経た後、硫酸ナトリウム上で乾燥した。トルエン
除去後エタノール60mlと活性炭から熱過し、更
にエタノール50mlから再結晶して目的物である4
−n−オクチルオキシ−4−S−α−メチルブタ
ノイルオキシビフエニル0.8gを得た。このもの
はSC*相を示し、その相転移点は表1に示す通り
である。又その元素分析値は次の如く理論値とほ
ぼ一致した。 分析値 理論値(C25H35O3として) C 78.4% 78.29% H 9.1% 9.20% 実施例1と同様にして表1の実施例2〜4の化
合物を得た。 実施例 5 〔4−n−テトラデシルオキシ−4′−β−メチ
ルペンタノイルオキシビフエニル(()式で
l=0,m=0,n=1でX=C14H29Oのも
の)の合成〕 (i) 4−ヒドロキシ−4′−n−テトラデシルオキ
シビフエニルの合成 実施例1()〜()で合成した4−ヒドロ
キシ−4′−n−オクチルオキシビフエニルと同様
な方法で4−ヒドロキシ−4′−テトラデシルオキ
シビフエニルを合成した。 4−アセチル−4′−n−テトラデシルオキシビ
フエニル C−SB点112.1℃,SB−点123.2℃4−ヒド
ロキシ−4′−n−テトラデシルオキシビフエニル mp.144 (ii) (+)−S−β−メチルペンタノイルクロラ
イドの合成 フラスコに金属マグネシウムリボン12.4gを入
れ攪拌し、乾燥した。これを冷却して乾燥エーテ
ル50mlを入れて、ヨウ化エチルを少量添加し、温
めて、市販の(−)−S−1−ブロモー2−メチ
ルブタン70gを冷却しながら加えた。その後1.5
時間室温で攪拌した。別にドライアイスを粉砕し
ておき、ここに上記のものを注入した。これを
6N塩酸で酸性として、トルエン200mlで抽出し、
水洗してトルエンを留去した。 これを過剰の塩化チオニルと3時間加熱還流し
てその後、減圧下に塩化チオニルを留去し、減圧
蒸留することにより、(+)−S−β−メチルペン
タノイルクロライドを得た。 収量25.3g(収率43.6%),b.p.197〜198℃,
〔α〕29 D+5.4°。 (iii) エステル化 ()の4−ヒドロキシ−4′−n−テトラデシ
ルオキシビフエニル0.5gを乾燥ピリジン20mlに
溶解して、これに()で合成した(+)−S−
β−メチルペンタノイルクロライド0.2gを滴下、
さらに乾燥トルエン15mlを注入して、室温でよく
振とうし、更に60℃の水浴上で3時間、加熱し
た。これを室温に冷却、トルエン50mlを加えて、
6N塩酸100mlで2度洗浄、さらに2Nアルカリ水
で2度洗浄した後、飽和食塩水で数回洗浄して中
性とし、硫酸ナトリウム上で乾燥した。これをト
ルエン留去して、エタノール40mlを用いて熱
過、再結晶して、目的の(S)−4−テトラデシ
ルオキシ−4′−β−メチルペンタノイルオキシビ
フエニル0.2gを得た。相転移点は表1に示した
通りである。又、その元素分析値は次の如く理論
値とほぼ一致した。 分析値 理論値(C49H48O3として) C 83.5% 83.28% H 8.2% 8.39% 実施例5と同様にして表1の実施例6〜8の化
合物を得た。 実施例9 (使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノターフエニル
15重量% からなるネマチツク液晶組成物をポリビニルアル
コール(PVA)を塗布し、その表面をラビング
して平行配向処理を施した透明電極からなるセル
(電極間隔10μm)に注入してTN型表示セルと
し、これを偏光顕微鏡下で観察したところ、リバ
ース・ドメインを生じているものが観察された。 上記のネマチツク液晶組成物に本願の実施例1
の化合物を0.1重量%添加したものを使用して同
様にTNセルとして観察したところリバース・ド
メインは解消され、均一なネマチツク相が観察さ
れた。 実施例10 (使用例2) 化学式 (但し、*は光学活性炭素を示す) で表わされる化合物80重量%、本願実施例2の化
合物及び実施例6の化合物各10重量%からなる混
合物は、44℃までSC*相を示し、それ以上の温度
でSA相を示し、69℃で等方性液体となる。 この混合物を、PVAを塗布し、表面をラビン
グして平行配向処理を施した透明電極を備えたセ
ルに注入し、50Vの直流電圧を印加しながら、
SC*相になるまで徐冷したところ均一なモノドメ
インセルが得られた。この液晶セルを直交ニコル
状態に配置した2枚の偏光子の間にはさみ15V,
0.5Hzの低周波数の交流を印加したところ、明瞭
なスイツチング動作が観察され、非常にコントラ
ストも良く、応答速度が速い(2msec)液晶表
示素子が得られた。 尚、この液晶組成物の自発分極の直交Psは
4.5nc/cm2であつた。 実施例11 (使用例3) 本願実施例1、実施例3、実施例6、実施例5
の化合物各々20重量%及び以下の式で示される二
つの化合物 各々10重量%からなる混合物は86℃までSC*相
を示し、それ以上の温度でSA相を示し、101℃で
等方性液体となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを使用例2と同様なセル
に注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz,15Vの低周波数の
交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作
が観察され、非常にコントラストが良く、応答速
度が速い(2msec)カラー液晶表示素子が得ら
れた。 尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは
3.6nc/cm2であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (但し、上式に於いて、Xは炭素数1〜18のア
ルキル基又は、アルキルオキシ基を示し、lは0
を、m及びnは0又は1をそれぞれ示す。又、*
は光学活性炭素原子を示す。)で表わされる化合
物。 2 一般式 (但し、上式に於いて、Xは炭素数1〜18のア
ルキル基又は、アルキルオキシ基を示し、lは0
を、m及びnは0又は1をそれぞれ示す。又、*
は光学活性炭素原子を示す。)で表わされる化合
物を少なくとも1種含有することを特徴とする液
晶組成物。 3 複数の()式の化合物からなる特許請求の
範囲第2項記載のカイラルスメクチツク液晶組成
物。 4 複数のネマチツク液晶化合物を含む特許請求
の範囲第2項に記載のカイラルネマチツク液晶組
成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13814883A JPS6051147A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13814883A JPS6051147A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6051147A JPS6051147A (ja) | 1985-03-22 |
| JPH0564134B2 true JPH0564134B2 (ja) | 1993-09-14 |
Family
ID=15215128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13814883A Granted JPS6051147A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6051147A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60218358A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-01 | Ajinomoto Co Inc | 液晶 |
| JPS6143A (ja) * | 1984-06-11 | 1986-01-06 | Chisso Corp | 強誘電性液晶化合物及び液晶組成物 |
| JPH0717905B2 (ja) * | 1985-05-09 | 1995-03-01 | 旭硝子株式会社 | 液晶組成物 |
| JPS63165345A (ja) * | 1986-12-26 | 1988-07-08 | Chisso Corp | 光学活性−2−メチル−アルカナ−ト類およびその利用物 |
| US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2535046C3 (de) * | 1975-08-06 | 1979-12-13 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Biphenylcarbonsäurephenyl- bzw. Benzoesäurebiphenylester, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung in flüssigkristallinen Dielektrika |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP13814883A patent/JPS6051147A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6051147A (ja) | 1985-03-22 |
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