JPS6366300B2 - - Google Patents
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- JPS6366300B2 JPS6366300B2 JP58121769A JP12176983A JPS6366300B2 JP S6366300 B2 JPS6366300 B2 JP S6366300B2 JP 58121769 A JP58121769 A JP 58121769A JP 12176983 A JP12176983 A JP 12176983A JP S6366300 B2 JPS6366300 B2 JP S6366300B2
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Landscapes
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
本発明は新規な液晶性物質及び該液晶性物質を
含有する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活
性を有するカイラル液晶性物質及びそれらを含有
するカイラル液晶組成物に関する。 現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted
Nematic)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等)と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも拘らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark;
Appled Phys.lett.、36、899(1980))。この方式
は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相(以
下SC*相と略称する)或はカイラルスメクチツク
H相(以下SH*略称する)を利用するもので、そ
れが室温付近にあるものが望ましい。本発明者ら
は、この表示方式に利用されるに適した液晶物質
の開発を主たる目的として、光学活性基を含む液
晶物質を種々探索して本発明に到達した。 即ち本発明は一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐ア
ルキル基を示し、Xは0(酸素原子)、CO又は
CH2を示し、nは0、1又は2である。又*はそ
のCが光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物及びそれを含有する液晶組成
物である。 ()式の化合物は、その多くのものはスメク
チツク相を呈し又、その大部分のものがSA(スメ
クチツクA相)、SH*相及びSC*相のすべて或は
少くともそのいずれか一つの相を程する。中でも
SH*相及びSC*相を程するものは強誘電性を利用
する表示方式に使用するに適しており、他のSC*
相、SH*相又はコレスリツク相を程する化合物と
混合してそのSH*相、SC*相の温度範囲を拡大す
るのに役立てることができる。又()式の化合
物のうちm=2のものはSA相、SC*相、SF*の
すべて又は2つの相を示すものが多く、これらも
又、他のSC*相、SH*相又はコレステリツク相を
有する化合物と混合して、それらのSH*相、SC*
相の温度範囲を拡大するのに役立てることができ
る。()式でスメクチツク相を呈さないものも、
いわゆる液晶性化合物として液晶化合物程でない
が同様の効果を期待できる。 表1に本発明の()式の化合物の具体例及び
その液晶相転移点を示す。
含有する液晶組成物に関し、更に詳しくは光学活
性を有するカイラル液晶性物質及びそれらを含有
するカイラル液晶組成物に関する。 現在、液晶表示素子としてはTN(Twisted
Nematic)型表示方式が最も広く用いられてい
るが、応答速度の点に於て発光型表示素子(エレ
クトロルミネツセンス、プラズマデイスプレイ
等)と比較して劣つており、この点に於ける改善
は種々試みられているにも拘らず、大巾な改善の
可能性はあまり残つていない様である。そのため
TN型表示素子に代わる別の原理による液晶表示
装置が種々試みられているが、その一つに強誘電
性液晶を利用する表示方式がある(N.A.Clark;
Appled Phys.lett.、36、899(1980))。この方式
は強誘電性液晶のカイラルスメクチツクC相(以
下SC*相と略称する)或はカイラルスメクチツク
H相(以下SH*略称する)を利用するもので、そ
れが室温付近にあるものが望ましい。本発明者ら
は、この表示方式に利用されるに適した液晶物質
の開発を主たる目的として、光学活性基を含む液
晶物質を種々探索して本発明に到達した。 即ち本発明は一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐ア
ルキル基を示し、Xは0(酸素原子)、CO又は
CH2を示し、nは0、1又は2である。又*はそ
のCが光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物及びそれを含有する液晶組成
物である。 ()式の化合物は、その多くのものはスメク
チツク相を呈し又、その大部分のものがSA(スメ
クチツクA相)、SH*相及びSC*相のすべて或は
少くともそのいずれか一つの相を程する。中でも
SH*相及びSC*相を程するものは強誘電性を利用
する表示方式に使用するに適しており、他のSC*
相、SH*相又はコレスリツク相を程する化合物と
混合してそのSH*相、SC*相の温度範囲を拡大す
るのに役立てることができる。又()式の化合
物のうちm=2のものはSA相、SC*相、SF*の
すべて又は2つの相を示すものが多く、これらも
又、他のSC*相、SH*相又はコレステリツク相を
有する化合物と混合して、それらのSH*相、SC*
相の温度範囲を拡大するのに役立てることができ
る。()式でスメクチツク相を呈さないものも、
いわゆる液晶性化合物として液晶化合物程でない
が同様の効果を期待できる。 表1に本発明の()式の化合物の具体例及び
その液晶相転移点を示す。
【表】
【表】
上表に於いてCは結晶相を、S4及びS5は各々素
性が不明なスメクチツク相を、Iは等方性液体相
(透明相)を夫々表わし、各相の欄の●及び右側
の数字は、その相から右側の相への相転移温度を
示し、−はその相を示さないことを示す。又( )
はモノトロピツク相転移温度であることを示す。 ()式の化合物を使用して液晶組成物を構成
する場合、()式の複数の化合物のみより構成
することも可能であり、又()式の化合物と他
のスメクチツク液晶(光学活性体でないもの、特
にSC液晶)と混合してSO*相を呈する液晶組成
物を製造することも可能である。 SC*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合TN表示方式にくらべて3つのすぐ
れた特徴がある。第1の特徴は非常に高速で応答
し、その応答時間は通常のTN表示方式の素子と
比較すると、応答時間は1/100以下である。第2
の特徴はメモリー効果があることであり、上記の
高速応答性とあいまつて、時分割駆動が容易であ
る。第3の特徴はTN表示方式で濃淡の階調をと
るには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値
電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの
難問がある。しかしSC*相の光スイツチング効果
を応用する場合には極性の反転時間を調節するこ
とにより、容易に階調を得ることができ、グラフ
イツク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複届折型、他
の1つの方法は二色性色素を使用するゲストホス
ト型である。SC*相は自発分極をもつため、印加
電圧の極性を反転することにより、らせん軸を回
転軸として分子が反転する。SC*相を有する液晶
組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶように
配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるよ
うに配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをは
さみ、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと(1℃〜2℃/hr)冷却することにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 ()式の化合物は、又、光学活性炭素原子を
有するため、これをネマチツク液晶に添加するこ
とによつて捩れた構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラ
ルネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリ
バース・ドメイン(reverse domainしま模様)
を生成することがないので()式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。 尚()式の化合物に対応するラセミ体も
()式の光学活性体とほぼ同じ相転移点を示す
液晶であるがSH*の代りにSH相を、SC*相の代
りにSC相を、SF*相の代りにSF相、SG*相の代
りにSG相を示し、光学活性体である()式の
化合物に添加してカイラルスメクチツクピツチを
調整するのに使用できる。これらのラセミ体は原
料にラセミ体を使用すれば後述する光学活性体と
同様な方法で製造される。ラセミ体と光学活性体
の相転移点がほぼ同じであることを次の表2に示
す。
性が不明なスメクチツク相を、Iは等方性液体相
(透明相)を夫々表わし、各相の欄の●及び右側
の数字は、その相から右側の相への相転移温度を
示し、−はその相を示さないことを示す。又( )
はモノトロピツク相転移温度であることを示す。 ()式の化合物を使用して液晶組成物を構成
する場合、()式の複数の化合物のみより構成
することも可能であり、又()式の化合物と他
のスメクチツク液晶(光学活性体でないもの、特
にSC液晶)と混合してSO*相を呈する液晶組成
物を製造することも可能である。 SC*相の光スイツチング効果を表示素子として
応用する場合TN表示方式にくらべて3つのすぐ
れた特徴がある。第1の特徴は非常に高速で応答
し、その応答時間は通常のTN表示方式の素子と
比較すると、応答時間は1/100以下である。第2
の特徴はメモリー効果があることであり、上記の
高速応答性とあいまつて、時分割駆動が容易であ
る。第3の特徴はTN表示方式で濃淡の階調をと
るには、印加電圧を調節して行なうが、しきい値
電圧の温度依存性や応答速度の電圧依存性などの
難問がある。しかしSC*相の光スイツチング効果
を応用する場合には極性の反転時間を調節するこ
とにより、容易に階調を得ることができ、グラフ
イツク表示に非常に適している。 表示方法としては、2つの方式が考えられ、1
つの方法は2枚の偏光子を使用する複届折型、他
の1つの方法は二色性色素を使用するゲストホス
ト型である。SC*相は自発分極をもつため、印加
電圧の極性を反転することにより、らせん軸を回
転軸として分子が反転する。SC*相を有する液晶
組成物を液晶分子が電極面に平行にならぶように
配向処理を施した液晶表示セルに注入し、液晶分
子のダイレクターと一方の偏光面を平行になるよ
うに配置した2枚の偏光子の間に該液晶セルをは
さみ、電圧を印加して、極性を反転することによ
り、明視野および暗視野(偏光子の対向角度によ
り決まる)が得られる。一方ゲスト・ホスト型で
動作する場合には、印加電圧の極性を反転するこ
とにより明視野及び着色視野(偏光板の配置によ
り決まる)を得ることができる。 一般にスメクチツク状態で液晶分子をガラス壁
面に平行に配向させることは難かしく、数十キロ
ガウス以上の磁場中で等方性液体から非常にゆつ
くりと(1℃〜2℃/hr)冷却することにより、
液晶分子を配向させているが、コレステリツク相
を有する液晶物質では磁場の代わりに50V〜
100Vの直流電圧を印加しながら1℃/minの冷
却速度で冷却することにより、容易に均一に配向
したモノドメイン状態を得ることができる。 ()式の化合物は、又、光学活性炭素原子を
有するため、これをネマチツク液晶に添加するこ
とによつて捩れた構造を誘起する能力を有する。
捩れた構造を有するネマチツク液晶、即ちカイラ
ルネマチツク液晶はTN型表示素子のいわゆるリ
バース・ドメイン(reverse domainしま模様)
を生成することがないので()式の化合物はリ
バース・ドメイン生成の防止剤として使用でき
る。 尚()式の化合物に対応するラセミ体も
()式の光学活性体とほぼ同じ相転移点を示す
液晶であるがSH*の代りにSH相を、SC*相の代
りにSC相を、SF*相の代りにSF相、SG*相の代
りにSG相を示し、光学活性体である()式の
化合物に添加してカイラルスメクチツクピツチを
調整するのに使用できる。これらのラセミ体は原
料にラセミ体を使用すれば後述する光学活性体と
同様な方法で製造される。ラセミ体と光学活性体
の相転移点がほぼ同じであることを次の表2に示
す。
三つ口フラスコに、乾燥窒素雰囲気下、削り状
マグネシユウム12.4g(0.510モル)と乾燥エー
テル50mlを入れ撹拌したところへ、(+)臭化2
−メチルブチル((−)−2−メチル−1−ブタノ
ールと臭化燐から製造)を乾燥エーテル1に溶
解した溶液を、系の温度を25℃以下になる様に保
ちながら滴下した。滴下終了後、室温で30分放置
後、市販品の4−オクチルオキシ−4′シアノビフ
エニル()129g(0.42モル)を乾燥エーテル
1に溶解した溶液を、系の温度が10℃以下にな
る様に保ちながら滴下し、滴下終了後、4時間還
流し冷却した。600mlの水の中に反応液を注ぎ込
み更に、稀硫酸(濃硫酸40ml+水80ml)を加え
た。トルエン500mlを加え分液漏斗に移し、洗液
が中性になるまで水洗した。溶媒を留去してから
残留物を減圧蒸留し、bp245〜255℃/4mmHgの
留分を集め、更にアセトン30mlから再結晶して目
的である4−オクチルオキシ−4′−((S)−3−
メチル−ペンタノイル)ビフエニル(a)24.6
gを得た。このものはスメクチツクSC*相及び
SA相を示すスメクチツク液晶であり、その相転
移点は表1に示す通りである。 又この化合物の元素分析値は、次の如く計算値
とよく一致した。 実測値 計算値(C26H36O2として) C 82.0% 82.05 H 9.5% 9.54% 実施例 2 〔4−オクチルオキシ−4′−((S)−3−メチ
ル−ペンチル)ビフエニル(()式に於いて
X=CH2、n=1即ち(d)式でR=C8H17
のもの)の製造〕 500ml三つ口フラスコに実施例1で得た4−オ
クチルオキシ−4′−((S)−3−メチル−ペンタ
ノイル)ビフエニル24.6g(0.065モル)と80%
ヒドラジンヒドラート50ml、ジエチレングリコー
ル85mlを入れ加熱攪拌し、120℃で1時間を保つ
たのち冷却し、50℃に保ちながら、水酸化カリウ
ム8.8g(0.157モル)を水5mlに溶解した溶液を
一挙に加えた。系の温度が200℃になる様に留去
し、200℃で4時間反応したのち冷却した。次い
で水200mlとトルエン50mlを加え分液漏斗に移し
有機層を洗液が中性になるまで水洗した。溶媒を
留去し減圧蒸留して沸点210〜213℃/3mmHgの
留分を集めエチルアルコール20mlと酢酸エチル5
mlから再結晶して目的である4−オクチルオキシ
−4′−((S)−3−メチル−ペンチル)ビフエニ
ル(d)13.5gを得た。このものはSC*相及び
SH*相を示すスメクチツク液晶でありその相転移
点は表1に示す通りである。 又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値
とよく一致した。 実測値 計算値(C26H38Oとして) C 85.2% 85.19% H 10.4% 10.45% 実施例 3 〔4−オクチルオキシ−4′−((S)−2−メチ
ルブチルオキシ)ビフエニル(()式に於い
てX=0、n=1、即ち(g)式でR=
C8H17のもの)の製造〕 (i) 4−ヒドロキシ−4′−((S)−2−メチルブ
チルオキシ)ビフエニルの製造 500gの4,4′−ジヒドロキシビフエニル、
7.5のエチルアルコール、302gの水酸化カリ
ウムの混合物を還流下に加熱攪拌し、(+)臭
化2−メチルブチル((−)−2−メチルブタノ
ールより臭化燐により製造)530gを滴下し4
時間反応させた。エタノールを留去し2の水
を加えて過し不溶物を集めた。この不溶物に
トルエンを加え、トルエンに可溶物を溶解し除
去した。(この可溶物はエチルアルコール再結
晶すると融点80.5℃のリンペン状結晶となり、
4,4′−ジ((S)−2メチルブチルオキシ)ビ
フエニルであることが確認された。)不溶部分
を3N−塩酸と加熱攪拌してのち冷し固形物を
集めこれをトルエン、次いでエチルアルコール
より再結晶して融点137.5℃の4−ヒドロキシ
−4′−((S)−2メチルブチルオキシ)ビフエ
ニル(XI)125gを得た。 (ii) (i)で得られた4−ヒドロキシ−4′−((S)−
2メチルブチルオキシ)ビフエニル2g
(0.008モル)に、エチルアルコール5ml、水酸
化ナトリウム4.6g(0.01モル)、水0.5mlを加え
50℃に加熱撹拌されたところへ臭化オクチル
1.9g(0.01モル)を一挙に加え、4時間還流
した。冷却し水10mlとトルエン30mlを加え分液
漏斗に移し有機層を、6N−HCl水、次いで2N
−NaOH水で洗浄したのち、水洗し洗液が中
性になるまで洗浄した。溶媒を留去し残留物を
エチルアルコールより再結晶して目的物である
4−オクチルオキシ−4′−((S)−2−メチル
ブチルオキシ)ビフエニル(g)を0.8gを
得た。このものはS4相及びSH*相を示すスメク
チツク液晶であり、その相転移点は表1に示す
通りである。 又この化合物の元素分析値は次の如く計算値と
よく一致した。 実測値 計算値(C25H36O2として) C 81.4% 81.45% H 9.8% 9.85% 実施例 4〜25 実施例1、2又は3と同様にして他のアルキル
基を有する()式の化合物及びそのラセミ体を
合成し、その相転移点を実施例1〜3の結果と共
に表1及び表2に示す。 実施例 12(使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノターフエニル 15重量% からなるネマチツク液晶組成物を配向処理として
ポリビニルアルコール(PVA)を塗布し、その
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極からなるセル(電極間隔10μm)に往入して
TN型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観察
したところ、リバースドメインを生じているのが
観察された。 上記ネマチツク液晶組成物に本願の()式X
=0、n=1でR=C6H13なる化合物(実施例
4)を1重量%添加したこのを使用して同様に
TNセルとして観察したところリバーススドメイ
ンは解消され、均一なネマチツク相が観察され
た。 実施例 13(使用例2) 本願の実施例3、5、6の化合物各々10重量%
及び実施例2、10の化合物各20重量%及び実施例
11の化合物30重量%からなる混合物は64℃まで
SH*相を、66℃までSC*相を、それ以上の温度で
SA相を示し70℃で等方性液体となる。 この混合物を配向処理としてPVAを塗布し、
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極を備えたセルに注入し、50Vの直流電圧を印加
しながら等方性液体領域よりSC*相になるまで徐
冷したところ均一なモノドメインセルが得られ
た。この液晶セルを直交ニコル状態に配置した2
枚の偏光子の間にはさみ15Vの低周波数(0.5Hz)
の交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動
作が観察され、非常にコントラストも良く、応答
速度が速い(2msec)液晶表示素子が得られた。
尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは2nC/cm2
であつた。 実施例 14(使用例3) 実施例5、6の化合物各々10重量%及び実施例
1、2、10、11の化合物各々20重量%からなる混
合物は57℃までSH*相を、60℃までSC*相を示
し、それ以上の温度でSA相を示し67℃で等方性
液体となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを使用例2と同様なセル
に注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz、15Vの低周波数の
交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作
が観察され、非常にコントラストが良く、応答速
度が速い(2msec)カラー液晶表示素子が得ら
れた。 尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは3nC/
cm2であつた。
マグネシユウム12.4g(0.510モル)と乾燥エー
テル50mlを入れ撹拌したところへ、(+)臭化2
−メチルブチル((−)−2−メチル−1−ブタノ
ールと臭化燐から製造)を乾燥エーテル1に溶
解した溶液を、系の温度を25℃以下になる様に保
ちながら滴下した。滴下終了後、室温で30分放置
後、市販品の4−オクチルオキシ−4′シアノビフ
エニル()129g(0.42モル)を乾燥エーテル
1に溶解した溶液を、系の温度が10℃以下にな
る様に保ちながら滴下し、滴下終了後、4時間還
流し冷却した。600mlの水の中に反応液を注ぎ込
み更に、稀硫酸(濃硫酸40ml+水80ml)を加え
た。トルエン500mlを加え分液漏斗に移し、洗液
が中性になるまで水洗した。溶媒を留去してから
残留物を減圧蒸留し、bp245〜255℃/4mmHgの
留分を集め、更にアセトン30mlから再結晶して目
的である4−オクチルオキシ−4′−((S)−3−
メチル−ペンタノイル)ビフエニル(a)24.6
gを得た。このものはスメクチツクSC*相及び
SA相を示すスメクチツク液晶であり、その相転
移点は表1に示す通りである。 又この化合物の元素分析値は、次の如く計算値
とよく一致した。 実測値 計算値(C26H36O2として) C 82.0% 82.05 H 9.5% 9.54% 実施例 2 〔4−オクチルオキシ−4′−((S)−3−メチ
ル−ペンチル)ビフエニル(()式に於いて
X=CH2、n=1即ち(d)式でR=C8H17
のもの)の製造〕 500ml三つ口フラスコに実施例1で得た4−オ
クチルオキシ−4′−((S)−3−メチル−ペンタ
ノイル)ビフエニル24.6g(0.065モル)と80%
ヒドラジンヒドラート50ml、ジエチレングリコー
ル85mlを入れ加熱攪拌し、120℃で1時間を保つ
たのち冷却し、50℃に保ちながら、水酸化カリウ
ム8.8g(0.157モル)を水5mlに溶解した溶液を
一挙に加えた。系の温度が200℃になる様に留去
し、200℃で4時間反応したのち冷却した。次い
で水200mlとトルエン50mlを加え分液漏斗に移し
有機層を洗液が中性になるまで水洗した。溶媒を
留去し減圧蒸留して沸点210〜213℃/3mmHgの
留分を集めエチルアルコール20mlと酢酸エチル5
mlから再結晶して目的である4−オクチルオキシ
−4′−((S)−3−メチル−ペンチル)ビフエニ
ル(d)13.5gを得た。このものはSC*相及び
SH*相を示すスメクチツク液晶でありその相転移
点は表1に示す通りである。 又、この化合物の元素分析値は次の如く計算値
とよく一致した。 実測値 計算値(C26H38Oとして) C 85.2% 85.19% H 10.4% 10.45% 実施例 3 〔4−オクチルオキシ−4′−((S)−2−メチ
ルブチルオキシ)ビフエニル(()式に於い
てX=0、n=1、即ち(g)式でR=
C8H17のもの)の製造〕 (i) 4−ヒドロキシ−4′−((S)−2−メチルブ
チルオキシ)ビフエニルの製造 500gの4,4′−ジヒドロキシビフエニル、
7.5のエチルアルコール、302gの水酸化カリ
ウムの混合物を還流下に加熱攪拌し、(+)臭
化2−メチルブチル((−)−2−メチルブタノ
ールより臭化燐により製造)530gを滴下し4
時間反応させた。エタノールを留去し2の水
を加えて過し不溶物を集めた。この不溶物に
トルエンを加え、トルエンに可溶物を溶解し除
去した。(この可溶物はエチルアルコール再結
晶すると融点80.5℃のリンペン状結晶となり、
4,4′−ジ((S)−2メチルブチルオキシ)ビ
フエニルであることが確認された。)不溶部分
を3N−塩酸と加熱攪拌してのち冷し固形物を
集めこれをトルエン、次いでエチルアルコール
より再結晶して融点137.5℃の4−ヒドロキシ
−4′−((S)−2メチルブチルオキシ)ビフエ
ニル(XI)125gを得た。 (ii) (i)で得られた4−ヒドロキシ−4′−((S)−
2メチルブチルオキシ)ビフエニル2g
(0.008モル)に、エチルアルコール5ml、水酸
化ナトリウム4.6g(0.01モル)、水0.5mlを加え
50℃に加熱撹拌されたところへ臭化オクチル
1.9g(0.01モル)を一挙に加え、4時間還流
した。冷却し水10mlとトルエン30mlを加え分液
漏斗に移し有機層を、6N−HCl水、次いで2N
−NaOH水で洗浄したのち、水洗し洗液が中
性になるまで洗浄した。溶媒を留去し残留物を
エチルアルコールより再結晶して目的物である
4−オクチルオキシ−4′−((S)−2−メチル
ブチルオキシ)ビフエニル(g)を0.8gを
得た。このものはS4相及びSH*相を示すスメク
チツク液晶であり、その相転移点は表1に示す
通りである。 又この化合物の元素分析値は次の如く計算値と
よく一致した。 実測値 計算値(C25H36O2として) C 81.4% 81.45% H 9.8% 9.85% 実施例 4〜25 実施例1、2又は3と同様にして他のアルキル
基を有する()式の化合物及びそのラセミ体を
合成し、その相転移点を実施例1〜3の結果と共
に表1及び表2に示す。 実施例 12(使用例1) 4−エチル−4′−シアノビフエニル 20重量% 4−ペンチル−4′−シアノビフエニル 40重量% 4−オクチルオキシ−4′−シアノビフエニル
25重量% 4−ペンチル−4′−シアノターフエニル 15重量% からなるネマチツク液晶組成物を配向処理として
ポリビニルアルコール(PVA)を塗布し、その
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極からなるセル(電極間隔10μm)に往入して
TN型表示セルとし、これを偏光顕微鏡下で観察
したところ、リバースドメインを生じているのが
観察された。 上記ネマチツク液晶組成物に本願の()式X
=0、n=1でR=C6H13なる化合物(実施例
4)を1重量%添加したこのを使用して同様に
TNセルとして観察したところリバーススドメイ
ンは解消され、均一なネマチツク相が観察され
た。 実施例 13(使用例2) 本願の実施例3、5、6の化合物各々10重量%
及び実施例2、10の化合物各20重量%及び実施例
11の化合物30重量%からなる混合物は64℃まで
SH*相を、66℃までSC*相を、それ以上の温度で
SA相を示し70℃で等方性液体となる。 この混合物を配向処理としてPVAを塗布し、
表面をラビングして平行配向処理を施した透明電
極を備えたセルに注入し、50Vの直流電圧を印加
しながら等方性液体領域よりSC*相になるまで徐
冷したところ均一なモノドメインセルが得られ
た。この液晶セルを直交ニコル状態に配置した2
枚の偏光子の間にはさみ15Vの低周波数(0.5Hz)
の交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動
作が観察され、非常にコントラストも良く、応答
速度が速い(2msec)液晶表示素子が得られた。
尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは2nC/cm2
であつた。 実施例 14(使用例3) 実施例5、6の化合物各々10重量%及び実施例
1、2、10、11の化合物各々20重量%からなる混
合物は57℃までSH*相を、60℃までSC*相を示
し、それ以上の温度でSA相を示し67℃で等方性
液体となる。 この混合物にアントラキノン系色素のD−16
(BDH社製品)を3重量%添加していわゆるゲス
ト・ホスト型にしたものを使用例2と同様なセル
に注入し、1枚の偏光子を偏光面が分子軸に垂直
になるように配置し、0.5Hz、15Vの低周波数の
交流を印加したところ、明瞭なスイツチング動作
が観察され、非常にコントラストが良く、応答速
度が速い(2msec)カラー液晶表示素子が得ら
れた。 尚、この液晶組成物の自発分極の値Psは3nC/
cm2であつた。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐ア
ルキル基を示し、XはO(酸素原子)、CO又は
CH2を示し、nは0、1又は2である。又*はそ
のCが光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物。 2 一般式 (上式に於てRは炭素数1〜18の直鎖又は分岐ア
ルキル基を示し、XはO(酸素原子)CO又はCH2
を示し、nは0、1又は2である。又*はそのC
が光学活性炭素原子であることを示す) で表わされる化合物を少くとも1種含有すること
を特徴とするカイラルネマチツク液晶組成物。 3 複数の()式の化合物からなる特許請求の
範囲第2項記載の液晶組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12176983A JPS6013729A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 液晶物質及び液晶組成物 |
| US06/613,974 US4614609A (en) | 1983-06-14 | 1984-05-24 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| DE8484303748T DE3461827D1 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-04 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| EP84303748A EP0131373B1 (en) | 1983-06-14 | 1984-06-04 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
| US06/853,851 US4676925A (en) | 1983-06-14 | 1986-04-21 | Liquid crystalline biphenyl derivatives and mixtures thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12176983A JPS6013729A (ja) | 1983-07-05 | 1983-07-05 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6013729A JPS6013729A (ja) | 1985-01-24 |
| JPS6366300B2 true JPS6366300B2 (ja) | 1988-12-20 |
Family
ID=14819426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12176983A Granted JPS6013729A (ja) | 1983-06-14 | 1983-07-05 | 液晶物質及び液晶組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6013729A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5397504A (en) * | 1987-05-29 | 1995-03-14 | Kanto Kagaku Kabushiki Kaisha | Biphenyl compound |
-
1983
- 1983-07-05 JP JP12176983A patent/JPS6013729A/ja active Granted
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JOURNAL INST CHEMICAL=1982 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6013729A (ja) | 1985-01-24 |
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