JPH056645B2 - - Google Patents

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JPH056645B2
JPH056645B2 JP18777383A JP18777383A JPH056645B2 JP H056645 B2 JPH056645 B2 JP H056645B2 JP 18777383 A JP18777383 A JP 18777383A JP 18777383 A JP18777383 A JP 18777383A JP H056645 B2 JPH056645 B2 JP H056645B2
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JP
Japan
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output
light
common electrode
distance measuring
detection
Prior art date
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JP18777383A
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Japanese (ja)
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JPS6079211A (en
Inventor
Masaaki Takagi
Yukio Yoshikawa
Tomio Kurosu
Toyonori Sasaki
Kunio Matsumoto
Akita Namioka
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Nidec Precision Corp
Original Assignee
Nidec Copal Corp
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Publication of JPS6079211A publication Critical patent/JPS6079211A/en
Publication of JPH056645B2 publication Critical patent/JPH056645B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C3/00Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
    • G01C3/10Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders using a parallactic triangle with variable angles and a base of fixed length in the observation station, e.g. in the instrument

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Focusing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カメラ等に用いられる測距装置であ
つて、発光素子から発せられた光を測距対象に向
けて投射し、その反射光を共通電極及び一対の検
出用電極を有する半導体光位置検出素子で受光す
る三角測距方式の測距装置の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is a distance measuring device used in a camera, etc., which projects light emitted from a light emitting element toward a distance measuring object, and reflects the reflected light between a common electrode and a pair of detectors. The present invention relates to an improvement in a triangular distance measuring device that receives light with a semiconductor optical position detecting element having an electrode.

従来、上述のような方式の測距装置としては、
特開昭57−177107号公報等により提案されてい
る。
Conventionally, as a distance measuring device using the method described above,
This method has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 177107/1983.

一般に、発光素子より投射した光の測距対象か
らの反射光を受光素子で受光して測距する場合、
その反射光強度は、測距対象の反射率、距離等に
よつて、千倍以上の差を生じる。従つて、受光素
子の出力を増幅する増幅回路は、60dB以上のダ
イナミツクレンジが必要となる。
In general, when measuring distance by receiving light reflected from a distance measurement target by a light emitting element using a light receiving element,
The intensity of the reflected light varies by a factor of 1,000 or more depending on the reflectance of the object to be measured, the distance, etc. Therefore, the amplifier circuit that amplifies the output of the light receiving element needs to have a dynamic range of 60 dB or more.

そのダイナミツクレンジを広くする方法として
は、受光素子出力の対数圧縮や増幅回路の自動利
得調整が考えられるが、前者では、受光々量が大
きく受光素子間の出力差が小さい時に、S/Nが
悪くなる欠点があり、また後者では、フイードバ
ツク系が必要で、発振等の不安定要素が増大する
欠点があつた。
Possible ways to widen the dynamic range include logarithmic compression of the light receiving element output and automatic gain adjustment of the amplifier circuit, but in the former case, when the amount of light received is large and the output difference between the light receiving elements is small, the S/N In the latter case, a feedback system is required, which increases unstable factors such as oscillation.

そこで、本発明の目的は、上記従来例の欠点を
伴わず、簡単な手段で、受光素子の出力を見掛上
零或は微少値から徐々に増大させて、比較回路の
判別し易いある設定値に達した時に測距状態を判
別させるようにした測距装置を提供するものであ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to gradually increase the output of a light-receiving element from an apparently zero or minute value by a simple means without having the drawbacks of the conventional example, and to set the comparison circuit to a certain setting that is easy to distinguish. The object of the present invention is to provide a distance measuring device that determines the distance measuring state when a value is reached.

以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。
Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings.

先ず、第1図において、1はクロツクパルス発
生回路(発振周波数f0=16KHzであり、以下OSC
と記述する)、2は時間形成回路(時間t=
25ms)、3はアンドゲーと、4はトランジスタ、
5はインバータ、6はトランジスタ、7は定電流
回路、8はコンデンサ、9はバツフア回路、1
0,11及び12は定電流回路を構成するトラン
ジスタ、13は測距対象へスポツト光を投射する
発光素子としての赤外線発光ダイオード(以下
IRDと記述する)である。
First, in Fig. 1, 1 is a clock pulse generation circuit (oscillation frequency f 0 =16KHz, hereinafter referred to as OSC).
2 is a time forming circuit (time t=
25ms), 3 is and game, 4 is transistor,
5 is an inverter, 6 is a transistor, 7 is a constant current circuit, 8 is a capacitor, 9 is a buffer circuit, 1
0, 11, and 12 are transistors forming a constant current circuit; 13 is an infrared light emitting diode (hereinafter referred to as
(written as IRD).

14は半導体光位置検出素子で、比較的大きな
面を有する半導体基板15をもち、その半導体基
板15の一方の面に該基板15と異なる導電型の
半導体層16が形成されている。そして、半導体
層16の上には抵抗層17が形成されていると共
に、該抵抗層17の両端に一対の電極(検出用)
17a,17bが設けられ、また半導体基板15
には共通電極18が設けられている。
Reference numeral 14 denotes a semiconductor optical position detection element, which has a semiconductor substrate 15 having a relatively large surface, and a semiconductor layer 16 of a conductivity type different from that of the substrate 15 is formed on one surface of the semiconductor substrate 15. A resistive layer 17 is formed on the semiconductor layer 16, and a pair of electrodes (for detection) are provided at both ends of the resistive layer 17.
17a and 17b are provided, and a semiconductor substrate 15
A common electrode 18 is provided.

19及び20は夫々交流増幅回路、21及び2
2は夫々帯域フイルター回路(中心周波数f0
16KHzであり、以下BPFと記述する)、23及び
24は夫々検波回路、25及び26は夫々平滑回
路、27及び28は夫々直流増幅回路、29,3
0及び31は夫々コンパレータ回路(以下CMP
と記述する)、32は定電流回路、33,34及
び35は夫々CMP29の反転入力端子(−)及
びCMP30,31の非反転入力端子(+)に基
準電圧Vr1及びVr2,Vr3を与える分圧抵抗、36
はアンドゲート、37及び38は夫々Dタイプの
フリツプフロツプ回路、39はR,Sタイプのフ
リツプフロツプ回路(なお、フリツプフロツプ回
路は、以下共通してFFと記述する。)であり、
夫々図示の如く接続されている。
19 and 20 are AC amplifier circuits, 21 and 2, respectively.
2 is a band filter circuit (center frequency f 0 =
(hereinafter referred to as BPF), 23 and 24 are detection circuits, 25 and 26 are smoothing circuits, 27 and 28 are DC amplifier circuits, respectively.
0 and 31 are respectively comparator circuits (hereinafter CMP
), 32 is a constant current circuit, 33, 34 and 35 are reference voltages Vr 1 , Vr 2 and Vr 3 to the inverting input terminal (-) of CMP 29 and the non-inverting input terminal (+) of CMP 30, 31, respectively. Partial voltage resistance to give, 36
are AND gates, 37 and 38 are D-type flip-flop circuits, and 39 is an R- and S-type flip-flop circuit (the flip-flop circuits are hereinafter commonly referred to as FF);
They are connected as shown in the figure.

次に、第1図の動作を第2図と共に説明する。 Next, the operation shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIG. 2.

操作の開始によつて、図示していない電源スイ
ツチが閉成されると、回路の各部に給電が行われ
ると共に、FF37,38及び39はリセツトが
解除される。
When a power switch (not shown) is closed at the start of the operation, power is supplied to each part of the circuit, and the FFs 37, 38, and 39 are released from reset.

そして、OSC1が動作して62.5μsの周期のクロ
ツクパルスが発生すると共に、時間形成回路2の
出力がt=25msの時間だけ「H」レベルへ反転
する。
Then, the OSC1 operates to generate a clock pulse with a period of 62.5 .mu.s, and the output of the time forming circuit 2 is inverted to the "H" level for a time of t=25 ms.

従つて、その時間だけクロツクパルスがアンド
ゲート3を通過し、それに対応してトランジスタ
4が導通遮断を繰返す。
Therefore, the clock pulse passes through the AND gate 3 for that period of time, and the transistor 4 repeats conduction and interruption in response.

一方、時間形成回路2の出力が25msの時間
「H」レベルへ反転している間、インバータ5の
出力が「L」レベルへ反転し、トランジスタ6が
遮断するので、コンデンサ8は定電流回路7によ
り定電流充電され、その定電流をI、コンデンサ
8の容量をCとすると、バルフア回路9の出力端
子a点の電圧Vは、V=(1/C)I、tの関係
式により、○イで示す如く上昇する。この結果、ト
ランジスタ10に流れるコレクタ・エミツタ電流
(i1)が徐々に増加して行き、その電流(i1)に比
例してトランジスタ12おコレクタ・エミツタ電
流(i2)も増加して行くことになる。
On the other hand, while the output of the time forming circuit 2 is inverted to the "H" level for a time of 25 ms, the output of the inverter 5 is inverted to the "L" level and the transistor 6 is cut off. When the constant current is I and the capacitance of the capacitor 8 is C, the voltage V at the output terminal a of the buffer circuit 9 is given by the relational expression V=(1/C)I, t. It rises as shown in A. As a result, the collector-emitter current (i 1 ) flowing through the transistor 10 gradually increases, and the collector-emitter current (i 2 ) of the transistor 12 also increases in proportion to the current (i 1 ). become.

従つて、トランジスタ4の導通、遮断に対応し
て、トランジスタ12のその電流(i2)が○ロで示
す如く、間欠的に増加して行き、IRD13はパル
ス点灯されると共に、その発光々量が小光量から
大光量へ単調増加して行く。
Therefore, in response to the conduction and cutoff of the transistor 4, the current (i 2 ) of the transistor 12 increases intermittently as shown by the circles, and the IRD 13 is pulsed and the amount of light emitted increases. increases monotonically from low light intensity to high light intensity.

このIRD13の点灯による投射光は、測距対象
から反射して半導体光位置検出素子14で受光さ
れる。
The light projected by the lighting of the IRD 13 is reflected from the distance measurement target and is received by the semiconductor optical position detection element 14.

こゝで、電極(検出用)17aと17bの間に
反射光スポツトXが当ると、抵抗層17を介して
入射点から電極17aへ電流I1、電極17bへ電
流I2が、また共通電極へ電流I3が夫々流れ、それ
らの間に次の関係が成立する。
Here, when the reflected light spot X hits between the electrodes (for detection) 17a and 17b, a current I 1 flows from the point of incidence to the electrode 17a through the resistance layer 17, a current I 2 flows to the electrode 17b, and also to the common electrode. A current I 3 flows to each of them, and the following relationship holds between them.

I3=I1+I2 そして、抵抗層17の抵抗を一様にしておけ
ば、反射光スポツトXの入射点と電極17aの間
の距離をl1、入射点と電極17bの間の距離をl2
とすると、l1・I1=l2・I2なる関係が成立する。
I 3 = I 1 + I 2 Then, if the resistance of the resistance layer 17 is made uniform, the distance between the incident point of the reflected light spot X and the electrode 17a is l 1 , and the distance between the incident point and the electrode 17b is l 2
Then, the relationship l 1 · I 1 = l 2 · I 2 holds true.

この条件に基づき、c及びc′点の受光出力は、
○ハに示す如く、自然光による直流成分に重畳され
て発生する。
Based on this condition, the received light output at points c and c′ is
As shown in ○C, it is generated by being superimposed on the DC component due to natural light.

また、交流増幅回路19及び20後のd及び
d′点の出力は、○ニに示す如く、増幅されて現われ
る。
Also, d and after the AC amplifier circuits 19 and 20
The output at point d' appears amplified as shown in ○D.

更に、BPF21及び22後のe及びe′点の出力
は、その中心周波数f0とOSC1の発振周波数f0
を同じ値に設定してあるので、○ホに示す如く、○ニ
の波形を増幅したように現われる。
Furthermore, the outputs at points e and e' after BPF21 and 22 have their center frequency f 0 and the oscillation frequency f 0 of OSC1 set to the same value, so the waveform of ○D is as shown in ○E. It appears to be amplified.

更にまた、検波回路23及び24後のf及び
f′点の出力波形は、○ヘに示す如くになり、平滑回
路25及び26を経た直流増幅回路27及び28
後のg及びg′点の出力電圧Vg及びVg′は、○トに示
す如く、所定値から徐々に上昇する。
Furthermore, f and after the detection circuits 23 and 24
The output waveform at point f' is as shown in ○F, and the DC amplifier circuits 27 and 28 pass through the smoothing circuits 25 and 26.
The output voltages Vg and Vg' at the subsequent points g and g' gradually rise from the predetermined values, as shown in ◯.

そして、第2図に示す如く、測距対象が近距離
位置に存在している場合には、a1,a2に示す
如く、反射光スポツトXが、半導体光位置検出素
子14に対し大きく左側に片寄りl1≪l2の状態に
なるので、g点の出力電圧Vgがg′点の出力電圧
Vg′よりも充分高いと共に、その出力電圧Vgが
基準電圧Vr1に達した時、CMP29の出力が
「H」レベルへ反転して、先の時間tの間「H」
レベルの信号が与えられていたアンドゲート36
が開いてその出力が「H」レベルへ反転する。一
方、その時点では、g′点の出力電圧Vg′が基準電
圧Vr3にも達していないので、CMP30及び31
の出力は共に「H」レベルのまゝである。従つ
て、アンドゲート36の出力の「H」レベルへの
立上り信号をクロツクとするFF37及び38は、
共に「H」レベルの信号を読み込み、夫夫の出力
端子Q1及びQ2に「H」レベルの信号を記憶し、
またその立上り信号をセツトパルスとするFF3
9は、出力端子Q3が「H」レベルへ反転する。
As shown in FIG. 2, when the object to be measured is located at a short distance, the reflected light spot Since the shift l 1 ≪ l 2 occurs, the output voltage Vg at point g becomes the output voltage at point g′
When the output voltage Vg reaches the reference voltage Vr 1 and is sufficiently higher than Vg', the output of the CMP29 is inverted to the "H" level and remains "H" for the previous time t.
AND gate 36 to which the level signal was given
opens and its output is inverted to "H" level. On the other hand, at that point, the output voltage Vg' at point g' has not even reached the reference voltage Vr 3 , so CMP30 and CMP31
Both outputs remain at the "H" level. Therefore, the FFs 37 and 38 whose clock is the rising signal of the output of the AND gate 36 to "H" level are as follows.
Both read "H" level signals, store "H" level signals in the husband's output terminals Q 1 and Q 2 ,
Also, FF3 uses the rising signal as a set pulse.
9, the output terminal Q3 is inverted to the "H" level.

また、測距対象が中距離位置に存在している場
合には、第2図b1,b2に示す如く、反射光スポツ
トXが、半導体光位置検出素子14に対し左側に
片寄つてl1<l2の状態にあり、同様の動作で出力
電圧Vg′がVr2<Vr3の間に在るので、FF37の
出力端子Q1は「H」レベルの信号を、他方FF3
8の出力端子Q2は「L」レベルの信号を夫々記
憶し、またFF39の出力端子Q3は「H」レベル
へ反転する。
Furthermore, when the object to be measured is located at a medium distance position, the reflected light spot X is biased to the left with respect to the semiconductor optical position detection element 14 , as shown in FIG. < l 2 , and in a similar operation, the output voltage Vg' is between Vr 2 < Vr 3 , so the output terminal Q 1 of FF37 receives a "H" level signal, and the output terminal Q 1 of FF37
The output terminals Q 2 of the FF 39 each store a signal at the "L" level, and the output terminal Q 3 of the FF 39 is inverted to the "H" level.

更に、測距対象が遠距離への境界位置に存在し
ていた場合には、第2図c1,c2において実線で示
す如く、反射光スポツトXが半導体光位置検出素
子14に対しほぼ中央に当つてl1≒l2の状態にあ
るので、その出力電圧Vg及びVg′はほぼ等しく、
その判別時点では、出力電圧Vg′が基準電圧Vr2
よりも高くなつているので、FF37及び38の
夫々の出力端子Q1及びQ2は「L」レベルの信号
を記憶し、またFF39の出力端子Q3は「H」レ
ベルへ反転する。
Furthermore , if the distance measurement target exists at a boundary position to a long distance, the reflected light spot Since l 1 ≒ l 2 at that time, the output voltages Vg and Vg' are almost equal,
At the time of this determination, the output voltage Vg′ is equal to the reference voltage Vr 2
Therefore, the output terminals Q 1 and Q 2 of the FFs 37 and 38 store "L" level signals, and the output terminal Q 3 of the FF 39 is inverted to "H" level.

更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、c1,c2において鎖線で示す如く、
反射光スポツトX′が、半導体光位置検出素子1
4に対し右側に片寄つてl1>l2の状態にあるが、
極遠距離のため、出力電圧Vgは先の時間t内に
は基準電圧Vr1に達せず(測距対象が反射率の小
さいものゝ場合も同様になることがある)、CMP
29の出力が「L」レベルのままであり、その時
間tが終了するとアンドゲート36がゲートを閉
じるので、FF39はセツトされず、出力端子Q3
が「L」レベルのまゝの状態に保持される。
Furthermore, if the object to be measured is located at a very far distance, as shown by the chain lines at c 1 and c 2 ,
The reflected light spot X' is detected by the semiconductor optical position detection element 1.
4, it is biased to the right side and is in a state where l 1 > l 2 ,
Due to the extremely long distance, the output voltage Vg does not reach the reference voltage Vr 1 within the previous time t (this may also happen if the distance measurement target has a low reflectance), and the CMP
The output of FF 39 remains at the "L" level, and when the time t ends, the AND gate 36 closes the gate, so FF 39 is not set and the output terminal Q 3
is maintained at the "L" level.

なお、この時は、アンドゲート36の出力が
「H」レベルへ反転することはないので、FF37
及び38は読み込み動作を行わない。
Note that at this time, the output of the AND gate 36 does not invert to the "H" level, so the FF37
and 38 do not perform a read operation.

即ち、第3図の真理値の図表に示す如く、FF
37及び38の出力端子Q1及びQ2の信号レベル
状態により近、中及び遠距離を判別するように設
定されているものであり、更に、FF39の出力
端子Q3が「L」レベルの時は、FF37及び38
による判別に優先して遠距離を判別するように設
定されるものである。
That is, as shown in the truth value chart in Figure 3, FF
It is set to distinguish near, medium and long distance based on the signal level status of output terminals Q 1 and Q 2 of FF 37 and 38, and further, when output terminal Q 3 of FF 39 is at "L" level. is FF37 and 38
This is set to give priority to long-distance discrimination.

また、第1図のCMP30及び31への基準電
圧は、固定バイアスであり、出力電圧Vg′と出力
電圧Vgとは絶対値比較が行われている。
Further, the reference voltage to the CMPs 30 and 31 in FIG. 1 is a fixed bias, and the output voltage Vg' and the output voltage Vg are compared in absolute value.

第4図の実施例は、CMP30及び31への基
準電圧が、変動する出力電圧Vgを分割する形で
与えられ、従つて、出力電圧Vg′は、出力電圧
Vgに対する割合の量として比較が行われる。な
お、分圧回路のVbは、例えば、IRD13を動作
させていない時の半導体光位置検出素子14の受
光素子出力回路の通常の電圧レベルがバイアスさ
れている。
In the embodiment of FIG. 4, the reference voltage to the CMPs 30 and 31 is given by dividing the fluctuating output voltage Vg, and therefore the output voltage Vg' is the output voltage
Comparisons are made as a percentage quantity to Vg. Note that Vb of the voltage dividing circuit is biased to, for example, the normal voltage level of the light receiving element output circuit of the semiconductor optical position detection element 14 when the IRD 13 is not operating.

また、第1図の回路動作では、CMP29の出
力が「H」レベルへ反転した時、出力電圧Vg′の
状態を判別する訳けであるが、アンドゲート36
以下の累積される動作遅れ時間により、その判別
に精度を欠く場合が起り得る。
In addition, in the circuit operation shown in FIG. 1, when the output of the CMP 29 is inverted to the "H" level, the state of the output voltage Vg' is determined, but the AND gate 36
Due to the following accumulated operation delay time, the determination may lack accuracy.

これに対し、第4図の実施例の特徴は、上述の
如く、割合の量、即ち、出力電圧Vg′は出力電圧
Vgに対する比で判別されるで、前実施例よりも
精度の向上が計れるものである。
On the other hand, the feature of the embodiment shown in FIG. 4 is that, as mentioned above, the output voltage Vg' is
Since the determination is made based on the ratio to Vg, the accuracy can be improved compared to the previous embodiment.

なお、上述の測距出力の段数は増減可能であ
り、また、FF39により遠距離を判別した場合、
併せて警報を発するようにすることもできる。
Note that the number of stages of the distance measurement output mentioned above can be increased or decreased, and when determining a long distance using FF39,
It is also possible to issue a warning at the same time.

上述の実施例は、測距出力を、基準電圧Vr2
Vr3のレベル及び段数に応じてデジタル的に得る
ものであるが、以下測距出力を更に細分割化して
得られる実施例について説明する。
In the above embodiment, the distance measurement output is set to the reference voltage Vr 2 ,
Although it is obtained digitally according to the level and number of stages of Vr 3 , an example will be described below in which the distance measurement output is obtained by further dividing it into smaller parts.

先ず、第5図及び第6図によりその一番目のも
のを説明する。なお、前実施例と同一の素子には
同じ符号を付している。
First, the first one will be explained with reference to FIGS. 5 and 6. Note that the same elements as in the previous embodiment are given the same reference numerals.

第5図において、41はコンパレータ回路、4
2及び43はコンパレータ回路41の反転入力端
子(−)に基準電圧Vrを与える定電流回路及び
抵抗、44はアンドゲート、45はアナログスイ
ツチ、46はインバータ、47はコンデンサ、4
8は電流増幅回路、49はコンパレータ回路(な
お、コンパレータ回路は、以下共通してCMPと
記述する。)、50及び51はCMP49の非反転
入力端子(+)に撮影レンズの可動範囲における
一方の極限位置から他方の極限位置への移動に対
応した変位電圧を与える定電流回路及びポテンシ
ヨメータ、52はR,Sタイプのフリツプフロツ
プ回路(以下FFと記述する)、53はアンドゲー
ト、54はトランジスタ、55は撮影レンズの操
作部材(レンズセツトリング)の運動を停止させ
る電磁石である。
In FIG. 5, 41 is a comparator circuit;
2 and 43 are constant current circuits and resistors that apply a reference voltage Vr to the inverting input terminal (-) of the comparator circuit 41, 44 is an AND gate, 45 is an analog switch, 46 is an inverter, 47 is a capacitor, 4
8 is a current amplification circuit, 49 is a comparator circuit (the comparator circuit is hereinafter commonly referred to as CMP), and 50 and 51 are connected to the non-inverting input terminal (+) of CMP 49 on one side in the movable range of the photographing lens. A constant current circuit and a potentiometer that provide a displacement voltage corresponding to movement from one extreme position to the other extreme position, 52 an R, S type flip-flop circuit (hereinafter referred to as FF), 53 an AND gate, and 54 a transistor. , 55 is an electromagnet for stopping the movement of the operating member (lens settling) of the photographic lens.

次に、第6図において、56はレンズセツトリ
ングで、光軸を中心にして回動自在に配置され、
且つバネ57により右旋性が与えられ、その右旋
により撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置
方向へと変位移動させるものであり、また、段部
56aとラチエツト歯56bとを形成している。
58はレンズ駆動のレリーズ用の電磁石で、鉄芯
58aとコイル58bと永久磁石58cとにより
構成されている。59は軸60に枢着されている
と共にバネ61より左旋性が与えられているレリ
ーズ用の鉄片レバーであり、レンズセツトリング
56の段部56aに係合し得るフツク59aと電
磁石58の鉄芯58aに対向する鉄片59bとを
形成している。62はピンで、鉄片レバー59の
左旋量を制限している。63は軸64に枢着され
バネ65により右旋性が与えられているロツク用
の鉄片レバーで、レンズセツトリング56のラチ
エツト歯56bに係合し得るフツク63aと、第
5図におけるものと同じものである電磁石55に
対向する鉄片63bとを形成している。
Next, in FIG. 6, 56 is a lens setting ring, which is arranged rotatably around the optical axis.
In addition, the spring 57 imparts dextrorotation, and the right rotation displaces the photographing lens from an infinity position to a close distance position, and also forms a stepped portion 56a and a ratchet tooth 56b. .
Reference numeral 58 denotes a lens-driving release electromagnet, which is composed of an iron core 58a, a coil 58b, and a permanent magnet 58c. Reference numeral 59 denotes an iron piece lever for the release which is pivotally connected to the shaft 60 and given left-handed rotation by the spring 61, and includes a hook 59a that can engage with the stepped portion 56a of the lens setting ring 56 and an iron core of the electromagnet 58. An iron piece 59b opposite to 58a is formed. 62 is a pin that limits the left rotation amount of the iron piece lever 59. Reference numeral 63 designates a locking iron piece lever pivotally mounted on a shaft 64 and given dextrorotation by a spring 65, which includes a hook 63a that can engage with the ratchet teeth 56b of the lens setting ring 56, and is the same as that shown in FIG. An iron piece 63b facing the electromagnet 55 is formed.

なお、第5図におけるポテンシヨメータ51
は、第6図に示す如く、レンズセツトリング56
に支持されたブラシ51aと、基板51b上に形
成された抵抗体51cと導体51dとにより構成
されている。
Note that the potentiometer 51 in FIG.
As shown in FIG. 6, the lens setting ring 56
The brush 51a is supported by a resistor 51c and a conductor 51d formed on a substrate 51b.

そこで、第5図及び第6図の動作を第2図(〔〕
内の電圧参照)と共に説明する。
Therefore, the operations in Figures 5 and 6 are shown in Figure 2 ([]
This will be explained together with the voltage (refer to the voltage inside).

上述と同様に、第2図a1,a2の状態では、
g点の出力電圧Vgがg′点の出力電圧Vg′よりも充
分高いと共に、g及びg′点の電位はその関係を保
ちながら上昇する。
Similarly to the above, in the states a1 and a2 of Fig. 2,
The output voltage Vg at point g is sufficiently higher than the output voltage Vg' at point g', and the potentials at points g and g' rise while maintaining this relationship.

また、この段階では、アンドゲート44がゲー
トを閉じていてインバータ46の出力が「H」レ
ベルであるので、アナログスイツチ45が開いて
おり、コンデンサ47はg′点の出力電圧Vg′によ
り充電されて行く。
Also, at this stage, the AND gate 44 is closed and the output of the inverter 46 is at the "H" level, so the analog switch 45 is open and the capacitor 47 is charged by the output voltage Vg' at point g'. Go.

そして、g点の出力電圧Vgが基準電圧Vrに達
すると、CMP41は出力が「H」レベルへ反転
し、この結果、先の時間tの間「H」レベルの信
号が与えられているアンドゲート44は開いてそ
の出力が「H」レベルへ反転し、FF52をセツ
トしてその出力Qを「H」レベルに反転保持させ
ると共に、インバータ46の出力を「L」レベル
へ反転させてアナログスイツチ45を閉じさせ
る。従つて、コンデンサ47には、g点の出力電
圧Vgが基準電圧Vrに達した時のg′点の出力電圧
Vg′(V1)が記憶される。またその電圧V1は、電
流増幅回路48で増幅され、CMP49の反転入
力端子(−)に与えられる。
Then, when the output voltage Vg at point g reaches the reference voltage Vr, the output of the CMP 41 is inverted to the "H" level, and as a result, the AND gate to which the "H" level signal was applied for the previous time t 44 is opened and its output is inverted to the "H" level, and the FF 52 is set to invert and hold the output Q to the "H" level, and the output of the inverter 46 is inverted to the "L" level and the analog switch 45 is inverted. close it. Therefore, the output voltage at point g' when the output voltage Vg at point g reaches the reference voltage Vr is stored in the capacitor 47.
Vg′ (V 1 ) is stored. Further, the voltage V 1 is amplified by the current amplification circuit 48 and applied to the inverting input terminal (-) of the CMP 49 .

なお、CMP49は、非反転入力端子(+)に
入力電圧を与えるポテンシヨメータ51が初期状
態では高電位側に位置しているので、初期の出力
状態は「H」レベルに置かれている。
In addition, since the potentiometer 51 which applies an input voltage to the non-inverting input terminal (+) of the CMP 49 is located on the high potential side in the initial state, the initial output state is set at the "H" level.

従つて、アンドゲート53は、ゲートを開いて
トランジスタ54を導通させているので、電磁石
55は励磁していて鉄片レバー63を吸着保持し
ている。
Therefore, since the AND gate 53 opens the gate and makes the transistor 54 conductive, the electromagnet 55 is energized and holds the iron piece lever 63 by attraction.

そして、先の時間tの終了後に、図示していな
い回路動作により電磁石58のコイル58bが、
永久磁石58cの磁力を打ち消す方向にパルス駆
動されると、鉄片レバー59はバネ61の張力に
より左旋し、フツク59aがレンズセツトリング
56の段部56aから外れる。その結果、該リン
グ56はバネ57の張力により右旋を開始して、
撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置方向へ
変位移動させると共に、ブラシ51aを、抵抗体
51c上と導体51d上とで摺動させて、ポテン
シヨメータ51を高電位側から低電位側へ変位移
動させる。
Then, after the end of the previous time t, the coil 58b of the electromagnet 58 is turned on by a circuit operation (not shown).
When pulsed in a direction that cancels the magnetic force of the permanent magnet 58c, the iron piece lever 59 is rotated to the left by the tension of the spring 61, and the hook 59a is removed from the stepped portion 56a of the lens setting ring 56. As a result, the ring 56 begins to rotate to the right due to the tension of the spring 57.
The photographing lens is displaced from the infinity position to the close distance position, and the brush 51a is slid on the resistor 51c and the conductor 51d, thereby displacing the potentiometer 51 from the high potential side to the low potential side. move it.

そして、CMP49の非反転入力端子(+)の
電位が反転入力端子(−)の電位まで低下する
と、CMP49はその出力が「L」レベルへ反転
してアンドゲート53を閉じさせる。その結果、
トランジスタ54が遮断して電磁石55が消磁す
るので、鉄片レバー63がバネ65の張力により
右旋し、フツク63aがラチエツト歯56bの一
つに噛合して、レンズセツトリング56の右旋を
停止させて撮影レンズが所定位置に固定されるも
のである。
Then, when the potential at the non-inverting input terminal (+) of the CMP 49 drops to the potential at the inverting input terminal (-), the output of the CMP 49 is inverted to the "L" level and the AND gate 53 is closed. the result,
Since the transistor 54 is cut off and the electromagnet 55 is demagnetized, the iron lever 63 rotates clockwise due to the tension of the spring 65, and the hook 63a engages with one of the ratchet teeth 56b, stopping the lens setting ring 56 from rotating clockwise. The photographing lens is fixed in a predetermined position.

また、測距対象がもう少し遠い位置に存在して
いる場合には、例えば第2図b1,b2に示す如
くなり、上述の記憶電圧V1相当するものが電圧
V2に変化する。
In addition, if the object to be measured is located a little further away, for example as shown in Fig. 2 b1 and b2, the voltage corresponding to the above-mentioned memory voltage V1 is
Changes to V 2 .

更に、測距対象が更に遠い位置に存在している
場合には、例えば第2図C1,C2において実線
で示す如くなり(反射光スポツトXが半導体光位
置検出素子6のほゞ中央に当つた場合)、上述の
記憶電圧V1に相当するものが電圧V3に変化する。
Furthermore, if the object to be measured is located further away, for example, as shown by the solid lines in FIG. 2 C1 and C2 (the reflected light spot case), what corresponds to the above-mentioned storage voltage V 1 changes to voltage V 3 .

更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、第2図C1,C2において鎖線で
示す如く、反射光スポツトX′が半導体光位置検
出素子6に対し右側に片寄るが、極遠距離のた
め、出力電圧Vgは先の時間t内では基準電圧Vr
に達せず(測距対象が反射率の小さいものの場合
も同様になることがある)、CMP41の出力が
「L」レベルのまゝであり、その時間tが終了し
て時間形成回路2の出力が「L」レベルへ復帰し
てしまうと、アンドゲート44の出力は「H」レ
ベルへ反転できなくなる。従つて、FF52は、
セツトされず出力Qが「L」レベルの状態に保持
されて、アンドゲート53を閉じさせたまゝにす
る。
Furthermore, if the object to be measured is located at a very far position, the reflected light spot X' will be biased to the right with respect to the semiconductor optical position detection element 6, as shown by the chain lines in FIGS. 2C1 and C2. , due to the extremely long distance, the output voltage Vg is equal to the reference voltage Vr within the previous time t.
(This may also happen when the distance measurement target has a low reflectance), the output of the CMP 41 remains at the "L" level, and when the time t ends, the output of the time forming circuit 2 Once returned to the "L" level, the output of the AND gate 44 cannot be inverted to the "H" level. Therefore, FF52 is
It is not set and the output Q is held at the "L" level, keeping the AND gate 53 closed.

この結果、電磁石55は初期状態から励磁され
ておらず、鉄片レバー63を吸着していないの
で、上述の動作と同様に、レンズセツトリング5
6が右旋して、ラチエツト歯56bの最初の歯が
フツク63aに対向した時、鉄片レバー63は直
ちに右旋し、フツク63aがラチエツト歯56b
に噛合し、レンズセツトリング56の右旋を停止
させ、撮影レンズを無限遠位置に固定させるもの
である。
As a result, since the electromagnet 55 is not excited from the initial state and does not attract the iron piece lever 63, the lens setting ring 5
6 rotates to the right and the first tooth of the ratchet tooth 56b opposes the hook 63a, the iron piece lever 63 immediately rotates to the right and the hook 63a moves to the right.
, the right rotation of the lens setting ring 56 is stopped, and the photographing lens is fixed at the infinity position.

次に、第7図及び第8図により他の実施例につ
いて説明する。なお、前実施例と同一の素子には
同じ符号を付している。
Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. 7 and 8. Note that the same elements as in the previous embodiment are given the same reference numerals.

66,67はCMP、68,69及び70は定
電流回路、抵抗及びポテンシヨメータ、71,7
2及び73はナンドゲート、(なお、以上の素子
と、電流増幅回路48の出力電圧を入力とし、ナ
ンドゲート72,73の状態を出力とする関係で
ウインドコンパレータ回路を構成している。)7
4はアンドゲート、75はオアゲート、76はイ
ンバータ、77〜80はトランジスタ、81はモ
ータである。
66, 67 are CMP, 68, 69 and 70 are constant current circuits, resistors and potentiometers, 71, 7
2 and 73 are NAND gates (note that the above elements constitute a window comparator circuit in which the output voltage of the current amplifier circuit 48 is input and the states of NAND gates 72 and 73 are output).
4 is an AND gate, 75 is an OR gate, 76 is an inverter, 77 to 80 are transistors, and 81 is a motor.

82はレンズセツトリングで、光軸を中心にし
て回動自在に配置され、部分ギヤ82aを形成し
ている。83はピニオンで、第7図のものと同じ
ものであるモータ81の回転軸に固着されてい
る。84は中間ギヤで、ピニオン83とレンズセ
ツトリング82の部分ギヤ82aとに噛合してい
る。
Reference numeral 82 denotes a lens setting ring, which is arranged to be rotatable about the optical axis and forms a partial gear 82a. A pinion 83 is fixed to the rotating shaft of the motor 81, which is the same as that shown in FIG. 84 is an intermediate gear that meshes with the pinion 83 and the partial gear 82a of the lens setting ring 82.

なお、第7図におけるポテンシヨメータ70
は、第8図に示す如く、レンズセツトリング82
に支持されたブラシ70aと、基板70b上に形
成された抵抗体70cと導体70dとにより構成
されている。
Note that the potentiometer 70 in FIG.
As shown in FIG. 8, the lens setting ring 82
The brush 70a is supported by a resistor 70c and a conductor 70d formed on a substrate 70b.

上述の如く、電流増幅回路48の出力電圧は、
極遠距離等は別にして、測距対象が近、中、遠と
遠くなるに従つて高くなるように設定されてい
る。
As mentioned above, the output voltage of the current amplification circuit 48 is
Apart from extremely far distances, the range is set to increase as the distance to the target is near, medium, and far.

そして、ウインドコンパレータ回路である関係
から、電流増幅回路48の出力電圧Vxが、CMP
66の非反転入力端子(+)の電圧Vyよりも高
ければ、CMP66の出力は「L」レベルで、
CMP67の出力は「H」レベルであるから、ナ
ンドゲート71の出力が「H」レベルとなつて、
ナンドゲート72の出力が「H」レベルで、ナン
ドゲート58の出力が「L」レベルとなる。
Since it is a window comparator circuit, the output voltage Vx of the current amplifier circuit 48 is CMP
If the voltage is higher than the voltage Vy of the non-inverting input terminal (+) of CMP66, the output of CMP66 is "L" level,
Since the output of CMP67 is at "H" level, the output of NAND gate 71 is at "H" level,
The output of NAND gate 72 is at "H" level, and the output of NAND gate 58 is at "L" level.

一方、出力電圧Vxが、CMP67の反転入力端
子(−)の電圧Vzよりも低くければ、CMP66
の出力は「H」レベルで、CMP67の出力は
「L」レベルであるから、その後の出力状態は前
述とは逆の関係になる。
On the other hand, if the output voltage Vx is lower than the voltage Vz of the inverting input terminal (-) of the CMP67, the CMP67
Since the output of the CMP 67 is at the "H" level and the output of the CMP 67 is at the "L" level, the subsequent output states will have a reverse relationship to that described above.

上述のいずれの場合も、モータ駆動回路の両入
力に差が生じているので、夫々の方向に対応して
モータ81が回転し、レンズセツトリング82を
駆動する。
In any of the above cases, since there is a difference between the two inputs of the motor drive circuit, the motor 81 rotates in corresponding directions to drive the lens setting ring 82.

また、出力電圧Vxが、Vy>Vx>Vzの関係に
置かれた場合には、CMP66及び67の出力は
共に「H」レベルとなつてナンドゲート71の出
力が「L」レベルとなるので、ナンドゲート72
及び73の出力は共に「H」レベルとなり、この
時はモータ駆動回路の両入力が同電位であるか
ら、モータ81は回転しない。
Furthermore, when the output voltage Vx is placed in the relationship Vy>Vx>Vz, the outputs of the CMPs 66 and 67 both become "H" level and the output of the NAND gate 71 becomes "L" level, so the NAND gate 72
and 73 are both at the "H" level, and since both inputs of the motor drive circuit are at the same potential at this time, the motor 81 does not rotate.

即ち、モータ81の回転により駆動されるレン
ズセツトリング82の運動に連動してポテンシヨ
メータ70が操作されることにより、その時の出
力電圧Vxに対して電圧VyとVzを変化させ、Vy
>Vx>Vzの関係位置を検出させて、撮影レンズ
を所定位置に固定させるものである。
That is, by operating the potentiometer 70 in conjunction with the movement of the lens setting ring 82 driven by the rotation of the motor 81, the voltages Vy and Vz are changed with respect to the output voltage Vx at that time, and Vy
The relative position of >Vx>Vz is detected and the photographing lens is fixed at a predetermined position.

更に、上述の如く、FF52がセツトされず、
出力Qが「L」レベルのまゝの時は、アンドゲー
ト74の出力が「L」レベルで、オアゲート75
の出力が「H」レベルに保持され、出力電圧Vx
が高い時と同じであるか、撮影レンズは極遠距離
位置側へ駆動される。
Furthermore, as mentioned above, FF52 is not set,
When the output Q remains at the "L" level, the output of the AND gate 74 is at the "L" level, and the OR gate 75
The output of Vx is held at “H” level, and the output voltage Vx
The photographing lens is driven to a very far distance position.

なお、この時は、Vy>Vx>Vzの状態を検出
する動作は無関係となつて、モータ81には撮影
レンズを極遠距離側へ駆動する電流が流れ続ける
ことになるので、リミツターを設けておくことが
好ましい。
In addition, at this time, the operation to detect the state of Vy>Vx>Vz becomes irrelevant, and the current that drives the photographic lens toward the far distance side continues to flow through the motor 81, so a limiter is provided. It is preferable to leave it there.

次に、第9図により他の実施例について説明す
る。なお、前記実施例と同一の素子には同じ符号
を付している。
Next, another embodiment will be described with reference to FIG. Note that the same elements as those in the above embodiment are given the same reference numerals.

86は例えば4ビツトのA/Dコンバータ回
路、87〜90はアンドゲート、91は例えば4
ビツトのマグニチユードコンパレータ回路、92
はモータ駆動回路、93はその回転によりレンズ
セツトリングを駆動するモータ、94はモータ9
3の回転量をデジタル化する例えば4ビツトのエ
ンコーダである。
86 is a 4-bit A/D converter circuit, 87 to 90 are AND gates, and 91 is a 4-bit A/D converter circuit, for example.
BIT magnitude comparator circuit, 92
93 is a motor that drives lens setting by its rotation; 94 is a motor 9;
This is, for example, a 4-bit encoder that digitizes the rotation amount of 3.

電流増幅回路48の出力電圧のアナログ量は、
A/Dコンバータ回路86で四つの出力端子によ
り、「L」,「L」,「L」,「L」から「H」,「H
」,
「H」,「H」,までの16段階のデジタル量の一つに
符号化され、その16段階は、例えば、極遠距離位
置から至近距離位置までを16分割している。
The analog amount of the output voltage of the current amplification circuit 48 is
The A/D converter circuit 86 outputs signals from "L", "L", "L", "L" to "H", "H" through four output terminals.
”、
It is encoded as one of 16 levels of digital quantities from "H" to "H", and the 16 levels are, for example, divided into 16 from the extremely far distance position to the close distance position.

従つて、A/Dコンバータ回路86の出力は、
アンドゲート87〜90を通してマグニチユード
コンパレータ回路91に入力される。そして、モ
ータ駆動回路92によりモータ93が回転させら
れることによつてレンズセツトリングが駆動され
る。その結果、撮影レンズは無限遠位置から至近
距離位置方向へ変位移動させられる。そして、モ
ータ93の回転量をデジタル量を変換するエンコ
ーダ94の出力が該コンパレータ回路91の入力
と一致した時にモータ93が停止して、撮影レン
ズが所定位置に固定されるものである。
Therefore, the output of the A/D converter circuit 86 is
It is input to the magnitude comparator circuit 91 through AND gates 87-90. The lens setting is driven by rotating the motor 93 by the motor drive circuit 92. As a result, the photographing lens is displaced from the infinity position to the close distance position. When the output of an encoder 94 that converts the amount of rotation of the motor 93 into a digital amount matches the input of the comparator circuit 91, the motor 93 is stopped and the photographing lens is fixed at a predetermined position.

また、上述の如く、FF52がセツトされず、
出力Qが「L」レベルのまゝの時は、アンドゲー
ト87〜90の出力が共に「L」レベルに保持さ
れて、上述の極遠距離状態と同じであるので、撮
影レンズは無限遠位置で固定される。
Also, as mentioned above, FF52 is not set,
When the output Q remains at the "L" level, the outputs of the AND gates 87 to 90 are both held at the "L" level, which is the same as the extreme distance state described above, so the photographing lens is at the infinity position. It is fixed at

なお、夫々の実施例において、FF52がセツ
トされず、遠距離状態を設定する場合は、併せて
警報を発するようにすることもできる。
In each of the embodiments, if the FF 52 is not set and a long-distance state is set, an alarm may also be issued.

以上の如く、本発明は、受光素子出力の対数圧
縮や増幅回路の自動利得調整を行うことなく、発
光素子の発光々量を小光量から大光量へ単調増加
させる簡単な構成により安定した動作で測距状態
を判別することができるものである。
As described above, the present invention achieves stable operation using a simple configuration that monotonically increases the amount of light emitted by the light emitting element from a small amount of light to a large amount of light without performing logarithmic compression of the output of the light receiving element or automatic gain adjustment of the amplifier circuit. It is possible to determine the distance measurement state.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示した回路図、第
2図は受光素子に対する反射光スポツトの状態と
出力電圧の関係を示した説明図、第3図は測距出
力の一例を示した真理値の図表、第4図、第5
図、第7図及び第9図は夫々本発明の他の実施例
を示した部分回路図、第6図及び第8図は夫々第
5図及び第7図に対応した撮影レンズの駆動機構
の一例を示した説明図である。 1……クロツクパルス発生回路、2……時間形
成回路、9……バツフア回路、13……赤外線発
光ダイオード、14……半導体光位置検出素子、
17a,17b……電極(検出用)、18……共
通電極、19及び20……交流増幅回路、21及
び22……帯域フイルター回路、23及び24…
…検波回路、25及び26……平滑回路、27及
び28……直流増幅回路、48……電流増幅回
路、51及び70……ポテンシヨメータ、55…
…電磁石、56及び82……レンズセツトリン
グ、81及び93……モータ、86……A/Dコ
ンバータ回路、91……マグニチユードコンパレ
ータ回路、92……モータ駆動回路、94……エ
ンコーダ、X及びX′……反射光スポツト。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between the state of the reflected light spot and the output voltage with respect to the light receiving element, and Fig. 3 shows an example of the distance measurement output. Diagrams of truth values, Figures 4 and 5
7 and 9 are partial circuit diagrams showing other embodiments of the present invention, and FIGS. 6 and 8 are partial circuit diagrams of the photographing lens drive mechanism corresponding to FIGS. 5 and 7, respectively. It is an explanatory diagram showing an example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Clock pulse generation circuit, 2... Time forming circuit, 9... Buffer circuit, 13... Infrared light emitting diode, 14... Semiconductor optical position detection element,
17a, 17b...electrode (for detection), 18...common electrode, 19 and 20...AC amplifier circuit, 21 and 22...bandwidth filter circuit, 23 and 24...
...detection circuit, 25 and 26 ... smoothing circuit, 27 and 28 ... DC amplifier circuit, 48 ... current amplifier circuit, 51 and 70 ... potentiometer, 55 ...
...Electromagnet, 56 and 82...Lens setting, 81 and 93...Motor, 86...A/D converter circuit, 91...Magnitude comparator circuit, 92...Motor drive circuit, 94...Encoder, and X′...Reflected light spot.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光
量へ単調増加させ、前記半導体光位置検出素子に
おける共通電極と一方の検出用電極間の出力があ
る設定値に達した時点で、共通電極と他方の検出
用電極間の出力の状態を判別するようにしたこと
を特徴とする測距装置。 2 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光
量へ単調増加させ、前記半導体光位置検出素子に
おける共通電極と一方の検出用電極間の出力があ
る設定値に達した時の、共通電極と他方の検出用
電極間の出力を、該共通電極と一方の検出用電極
間の出力に対する所定の割合の量と比較して判別
するようにしたことを特徴とする測距装置。 3 共通電極と他方の検出用電極間の出力を複数
のレベルと比較することを特徴とする特許請求の
範囲第1項または第2項記載の測距装置。 4 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の出力がある設定値に達しない時は、測距出力を
遠距離として判別するようにしたことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項または第2項記載の測距
装置。 5 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光
量へ単調増加させ、前記半導体光位置検出素子に
おける共通電極と一方の検出用電極間の出力があ
る設定値に達した時点で、共通電極と他方の検出
用電極間の出力の状態を電圧値として記憶してコ
ンパレータ回路の一方の入力端子に与え、その
後、撮影レンズを可動範囲の一方の極限位置から
他方への極限位置へ向けて駆動すると共に、該駆
動々作に連動して前記コンパレータ回路の他方の
入力端子の電位を一方の極限値から他方の極限値
へ向けて掃引し、前記両入力端子の電位が一致し
た時、前記撮影レンズの駆動を停止させるように
したことを特徴とする測距装置。 6 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光
量へ単調増加させ、前記半導体光位置検出素子に
おける共通電極と一方の検出用電極間の出力があ
る設定値に達した時点で、共通電極と他方の検出
用電極間の出力の状態を電圧値として記憶してウ
インドコンパレータ回路の一方の入力端子に与
え、また、撮影レンズの可動範囲中の位置に対応
した電位を前記ウインドコンパレータ回路の他方
の入力端子に与え、該コンパレータ回路の出力端
子間に接続されその入力電圧の不平衡の方向に対
応して回転するサーボモータにより前記撮影レン
ズを駆動し、前記両入力電圧の電位がある幅を持
つ所定のしきい値内で一致した時、前記サーボモ
ータの回転を停止させて、前記撮影レンズの駆動
を停止させるようにしたことを特徴とする測距装
置。 7 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記発光素子
の発光々量を一定時間内において小光量から大光
量へ単調増加させ、前記半導体光位置検出素子に
おける共通電極と一方の検出用電極間の出力があ
る設定値に達した時点で、共通電極と他方の検出
用電極間の出力の状態の電圧値をデジタル値に変
換して記憶し、その後、撮影レンズを可動範囲の
一方の極限位置から他方の極限位置へ向けて駆動
すると共に、該駆動の歩進量をエンコーダにより
デジタル量を変換し、該デジタル量が前記記憶デ
ジタル値と一致した時、前記撮影レンズの駆動を
停止させるようにしたことを特徴とする測距装
置。 8 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で停止
されるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第5項または第6項または第7項記載の測距装
置。
[Claims] 1. A triangular distance measurement method in which light emitted from a light emitting element is projected toward a distance measurement target, and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes. In the distance measuring device, the amount of light emitted from the light emitting element is monotonically increased from a small amount of light to a large amount of light within a certain period of time, and a set value is set at which there is an output between a common electrode and one detection electrode in the semiconductor optical position detection element. A distance measuring device characterized in that the state of the output between the common electrode and the other detection electrode is determined when the detection electrode reaches the point in time. 2. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected towards a distance measuring target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, When the amount of light emitted by the light emitting element is monotonically increased from a small amount of light to a large amount of light within a certain period of time, and the output between the common electrode and one detection electrode in the semiconductor optical position detection element reaches a certain set value, A distance measuring device characterized in that the output between the common electrode and the other detection electrode is compared with a predetermined ratio of the output between the common electrode and the one detection electrode. 3. The distance measuring device according to claim 1 or 2, characterized in that the output between the common electrode and the other detection electrode is compared with a plurality of levels. 4. Claim 1, characterized in that when the output between the common electrode and one of the detection electrodes does not reach a certain set value within a certain period of time, the distance measurement output is determined as long distance. Or the distance measuring device according to item 2. 5. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected toward a distance measurement target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, The amount of light emitted by the light emitting element is monotonically increased from a small amount of light to a large amount of light within a certain period of time, and when the output between the common electrode and one detection electrode in the semiconductor optical position detection element reaches a certain set value, The state of the output between the common electrode and the other detection electrode is stored as a voltage value and applied to one input terminal of the comparator circuit, and then the photographing lens is directed from one extreme position to the other extreme position in the movable range. and sweep the potential of the other input terminal of the comparator circuit from one extreme value to the other extreme value in conjunction with the driving operation, and when the potentials of both input terminals match, A distance measuring device characterized in that driving of the photographing lens is stopped. 6. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected towards a distance measuring target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, The amount of light emitted by the light emitting element is monotonically increased from a small amount of light to a large amount of light within a certain period of time, and when the output between the common electrode and one detection electrode in the semiconductor optical position detection element reaches a certain set value, The state of the output between the common electrode and the other detection electrode is stored as a voltage value and applied to one input terminal of the window comparator circuit, and the potential corresponding to the position within the movable range of the photographic lens is applied to the window comparator circuit. is applied to the other input terminal of the comparator circuit, and the photographing lens is driven by a servo motor connected between the output terminals of the comparator circuit and rotated in accordance with the direction of unbalance of the input voltage, and the potential of both input voltages is 1. A distance measuring device, characterized in that when the distance matches within a predetermined threshold having a width, rotation of the servo motor is stopped and driving of the photographing lens is stopped. 7. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected towards a distance measuring target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, The amount of light emitted by the light emitting element is monotonically increased from a small amount of light to a large amount of light within a certain period of time, and when the output between the common electrode and one detection electrode in the semiconductor optical position detection element reaches a certain set value, Converting the voltage value of the output state between the common electrode and the other detection electrode into a digital value and storing it, and then driving the photographing lens from one extreme position of the movable range to the other extreme position, A distance measuring device characterized in that the driving step amount is converted into a digital amount by an encoder, and when the digital amount matches the stored digital value, the driving of the photographing lens is stopped. 8 If the amplified output between the common electrode and one detection electrode does not reach a certain set value within a certain period of time,
8. The distance measuring device according to claim 5, 6, or 7, characterized in that the photographing lens is stopped at an extreme position on the long distance side with priority.
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