JPH0342609B2 - - Google Patents

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JPH0342609B2
JPH0342609B2 JP18253083A JP18253083A JPH0342609B2 JP H0342609 B2 JPH0342609 B2 JP H0342609B2 JP 18253083 A JP18253083 A JP 18253083A JP 18253083 A JP18253083 A JP 18253083A JP H0342609 B2 JPH0342609 B2 JP H0342609B2
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common electrode
distance measuring
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electrode
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C3/00Measuring distances in line of sight; Optical rangefinders
    • G01C3/02Details
    • G01C3/06Use of electric means to obtain final indication

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Automatic Focus Adjustment (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カメラ等に用いられる測距装置であ
つて、発光素子から発せられた光を測距対象に向
けて投射し、その反射光を共通電極及び一対の検
出用電極を有する半導体光位置検出素子で受光す
る三角測距方式の測距装置の改良に関する。 従来、上述のような方式の測距装置としては、
特開昭57−177107号公報等により提案されてい
る。 一般に、発光素子より投射した光の測距対象か
らの反射光を受光素子で受光して測距する場合、
その反射光強度は、測距対象の反射率、距離等に
よつて、千倍以上の差を生じる。従つて、受光素
子の出力を増幅する増幅回路は、60dB以上のダ
イナミツクレンジが必要となる。 そのダイナミツクレンジを広くする方法として
は、受光素子出力の対数圧縮や増幅回路の自動利
得調整が考えられるが、前者では、受光々量が大
きく受光素子間の出力差が小さい時に、S/Nが
悪くなる欠点があり、また後者では、フイードバ
ツク系が必要で、発振等の不安定要素が増大する
欠点があつた。 そこで、本発明の目的は、上記従来例の欠点を
伴わず、簡単な手段で、半導体光位置検出素子の
出力を見掛上零或は微少値から徐々に増大させ
て、比較回路の判別し易いある設定値に達した時
に測距状態を判別させ、撮影レンズを所定位置に
設定する測距装置を提供するものである。 以下、図面に基づいて本発明の実施例を説明す
る。 先ず、第1図において、1はクロツクパルス発
生回路(発振周波数o=16KHzであり、以下OSC
と記述する)、2は時間形成回路(時間t=
25ms)、3はアンドゲート、4はトランジスタ、
5は測距対象へスポツト光を投射する発光素子と
しての赤外線発光ダイオード(以下、IRDと記述
する)である。 6は半導体光位置検出素子で、比較的大きな面
を有する半導体基板7をもち、その半導体基板7
の一方の面に該基板7と異なる導電型の半導体層
8が形成されている。そして、半導体層8の上に
は抵抗層9が形成されていると共に、該抵抗層9
の両端に一対の電極(検出用)9a,9bが設け
られ、また半導体基板7には共通電極10が設け
られている。 11及び12は夫々交流増幅回路、13及び1
4は夫々利得(増幅率)調整入力端子13a及び
14aを備えた交流増幅回路、15及び16は
夫々帯域フイルター回路(中心周波数o=16KHz
であり、以下BPFと記述する)、17及び18は
夫々検波回路、19及び20は夫々平滑回路、2
1及び22は夫々直流増幅回路、23はインバー
タ、24はトランジスタ、25は定電流回路、2
6はコンデンサ、27は電流増幅回路、28,2
9及び30は夫々コンパレータ回路(以下CMP
と記述する)、31は定電流回路、32,33及
び34は夫々CMP28の反転入力端子(−)及
びCMP29,30の非反転入力端子(+)に基
準電圧Vr1及びVr2,Vr3を与える分圧抵抗、35
はアンドゲート、36及び37は夫々Dタイプの
フリツプフロツプ回路、38はR.Sタイプのフリ
ツプフロツプ回路(なお、フリツプフロツプ回路
は、以下共通してFFと記述する。)であり、夫々
図示の如く接続されている。 次に、第1図の動作を第2図と共に説明する。 操作の開始によつて、図示していない電源スイ
ツチが閉成されると、回路の各部に給電が行われ
ると共に、FF36,37及び38はリセツトが
解除される。 そして、クロツクパルス発生回路1が動作し
て、62.5μsの周期のクロツクパルスが発生すると
共に、時間形成回路2の出力がt=25msの時間
だけ「H」レベルへ反転する。 従つて、その時間だけクロツクパルスがアンド
ゲート3を通過し、それに対応してトランジスタ
4が導通、遮断を繰返す結果、IRD5はパルス点
灯する。 このIRD5の点灯による投射光は、測距対象か
ら反射して半導体光位置検出素子6で受光され
る。 こゝで、電極(検出用)9aと9bの間に反射
光スポツトXが当ると、抵抗層9を介して入射点
から電極9aへ電流I1、電極9bへ電流I2が、ま
た共通電極10へ電流I3が夫々流れ、それらの間
に次の関係が成立する。 I3=I1+I2 そして、抵抗層9の抵抗を一様にしておけば、
反射光スポツトXの入射点と電極9aの間の距離
を11、入射点と電極9bの間の距離を12とする
と、11・I1=12・I2なる関係が成立する。 この条件に基づき、a及びa′点の受光出力は、
○イに示す如く、自然光による直流成分に重畳され
て発生する。また、交流増幅回路11及び12後
のb及びb′点の出力は、○ロに示す如く、増幅され
て現われる。 一方、時間形成回路2の出力が25msの時間
「H」レベルへ反転している間、インバータ23
の出力が「L」レベルへ反転し、トランジスタ2
4が遮断するので、コンデンサ26は定電流回路
25により定電流充電され、その定電流をI、コ
ンデンサ26の容量をCとすると、電流増幅回路
27の出力端子c点の電圧Vは、 V=(1/C)I.tの関係式により、○ハで示す如く
上昇する。 即ち、交流増幅回路13及び14は、夫々利得
調整入力端子13a及び14aの電位が、低位か
ら徐々に上昇し、増幅率が零或は低増幅率から高
増幅率へ掃引され、d及びd′点の出力は、○ニに示
す波形の如くになる。 また、BPF15及び16後のe及びe′点の出力
は、その中心周波数oとOSC1の発振周波数o
とを同じ値に設定してあるので、○ホに示す如く、
○ニの波形を増幅したように現われる。更に、検波
回路17及び18後の及び′点の出力波形は、
○ヘに示す如くになり、平滑回路19及び20を経
た直流増幅回路21及び22後のg及びg′点の出
力電圧Vg及びVg′は、○トに示す如く、所定値か
ら徐々に上昇する。 そして、第2図に示す如く、測距対象が近距離
位置に存在している場合には、a1,a2に示す
如く、反射光スポツトXが、半導体光位置検出素
子6に対し大きく左側に片寄り11≪12の状態にな
るので、g点の出力電圧Vgがg′点の出力電圧
Vg′よりも充分高いと共に、その出力電圧Vgが
基準電圧Vr1に達した時、CMP28の出力が
「H」レベルへ反転して、先の時間tの間「H」
レベルの信号が与えられていたアンドゲート35
が開いてその出力が「H」レベルへ反転する。一
方、その時点では、g′点の出力電圧Vg′が基準電
圧Vr3にも達していないので、CMP29及び30
の出力は共に「H」レベルのまゝである。従つ
て、アンドゲート35の出力の「H」レベルへの
立上り信号をクロツクとするFF36及び37は、
共に「H」レベルの信号を読み込み、夫々の出力
端子Q1及びQ2に「H」レベルの信号を記憶し、
またその立上り信号をセツトパルスとするFF3
8は、出力端子Q3が「H」レベルへ反転する。 また、測距対象が中距離位置に存在している場
合には、第2図b1,b2に示す如く、反射光ス
ポツトXが、半導体光位置検出素子6に対し左側
に片寄つて11<12の状態にあり、同様の動作で出
力電圧Vg′がVr2<Vr3の間に在るので、FF36
の出力端子Q1は「H」レベルの信号を、他方FF
37の出力端子Q2は「L」レベルの信号を夫々
記憶し、またFF38の出力端子Q3は「H」レベ
ルへ反転する。 更に、測距対象が遠距離への境界位置に存在し
ていた場合には、第2図c1,c2において実線
で示す如く、反射光スポツトXが半導体光位置検
出素子6に対しほゞ中央に当つて11≒12の状態に
あるので、その出力電圧Vg及びVg′はほゞ等し
く、その判別時点では、出力電圧Vg′が基準電圧
Vr2よりも高くなつているので、FF36及び37
の夫々の出力端子Q1及びQ2は「L」レベルの信
号を記憶し、また、FF38の出力端子Q3は「H」
レベルへ反転する。 更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、c1,c2において鎖線で示す如
く、反射光スポツトX′が、半導体光位置検出素
子6に対し右側に片寄つて11>12の状態にある
が、極遠距離のため、出力電圧Vgは先の時間t
内には基準電圧Vr1に達せず(測距対象が反射率
の小さいものゝ場合も同様になることがある)、
CMP28の出力が「L」レベルのまゝであり、
その時間tが終了するとアンドゲート35がゲー
トを閉じるので、FF38はセツトされず、出力
端子Q3が「L」レベルのまゝの状態に保持され
る。 なお、この時は、アンドゲート35の出力が
「H」レベルへ反転することはないので、FF36
及び37は読み込み動作を行わない。 即ち、第3図の真理値の図表に示す如く、FF
36及び37の出力端子Q1及びQ2の信号レベル
状態により近、中及び遠距離を判別するように設
定されているものであり、更に、FF38の出力
端子Q3が「L」レベルの時は、FF36及び37
による判別に優先して遠距離を判別するように設
定されるものである。 また、第1図のCMP29及び30への基準電
圧は、固定バイアスであり、出力電圧Vg′と出力
電圧Vgとは絶対値比較が行われている。 第4図の実施例は、CMP29及び30への基
準電圧が、変動する出力電圧Vgを分割する形で
与えられ、従つて、出力電圧Vg′は、出力電圧
Vgに対する割合の量として比較が行われる。な
お、分圧回路のVbは、例えば、IRD5を動作さ
せていない時の半導体光位置検出素子6の受光出
力回路の通常の電圧レベルがバイアスされてい
る。 また、第1図の回路動作では、CMP28の出
力が「H」レベルへ反転した時、出力電圧Vg′の
状態を判別する訳けであるが、アンドゲート35
以下の累積される動作遅れ時間により、その判別
に精度を欠く場合が起り得る。 これに対し、第4図の実施例の特徴は、上述の
如く、割合の量、即ち、出力電圧Vg′は出力電圧
Vgに対する比で判別されるので、前実施例より
も精度の向上が計れるものである。 なお、上述の測距出力の段数は増減可能であ
り、また、FF38により遠距離を判別した場合、
併せて警報を発するようにすることもできる。 上述の実施例は、測距出力を、基準電圧
(Vr2,Vr3)のレベル及び段数に応じてデジタル
的に得るものであるが、以下測距出力を更に細分
割化して得られる実施例について説明する。 先ず、第5図及び第6図によりその一番目のも
のを説明する。なお、前実施例と同一の素子には
同じ符号を付している。 第5図において、41はコンパレータ回路、4
2及び43はコンパレータ回路41の反転入力端
子(−)に基準電圧Vrを与える定電流回路及び
抵抗、44はアンドゲート、45はアナログスイ
ツチ、46はインバータ、47はコンデンサ、4
8は電流増幅回路、49はコンパレータ回路(な
お、コンパレータ回路は、以下共通してCMPと
記述する。)、50及び51はCMP49の非反転
入力端子(+)に撮影レンズの可動範囲における
一方の極限位置から他方の極限位置への移動に対
応した変位電圧を与える定電流回路及びポテンシ
ヨメータ、52はR.Sタイプのフリツプフロツプ
回路(以下FFと記述する)、53はアンドゲー
ト、54はトランジスタ、55は撮影レンズの操
作部材(レンズセツトリング)の運動を停止させ
る電磁石である。 次に、第6図において、56はレンズセツトリ
ングで、光軸を中心にして回動自在に配置され、
且つバネ57により右旋性が与えられ、その右旋
により撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置
方向へと変位移動させるものであり、また、段部
56aとラチエツト歯56bとを形成している。
58はレンズ駆動のレリーズ用の電磁石で、鉄芯
58aとコイル58bと永久磁石58cとにより
構成されている。59は軸60に枢着されている
と共にバネ61により左旋性が与えられているレ
リーズ用の鉄片レバーであり、レンズセツトリン
グ56の段部56aに係合し得るフツク59aと
電磁石58の鉄芯58aに対向する鉄片59bと
を形成している。62はピンで、鉄片レバー59
の左旋量を制限している。63は軸64に枢着さ
れバネ65により右旋性が与えられているロツク
用の鉄片レバーで、レンズセツトリング56のラ
チエツト歯56bに係合し得るフツク63aと、
第5図におけるものと同じものである電磁石55
に対向する鉄片63bとを形成している。 なお、第5図におけるポテンシヨメータ51
は、第6図に示す如く、レンズセツトリング56
に支持されたブラシ51aと、基板51b上に形
成された抵抗体51cと導体51dとにより構成
されている。 そこで、第5図及び第6図の動作を第2図
(〔 〕内の電圧参照)と共に説明する。 上述と同様に、第2図a1,a2の状態では、
g点の出力電圧Vgがg′点の出力電圧Vg′よりも充
分高いと共に、g及びg′点の電位はその関係を保
ちながら上昇する。 また、この段階では、アンドゲート44がゲー
トを閉じていてインバータ46の出力が「H」レ
ベルであるので、アナログスイツチ45が開いて
おり、コンデンサ47はg′点の出力電圧Vg′によ
り充電されて行く。 そして、g点の出力電圧Vgが基準電圧Vrに達
すると、CMP41は出力が「H」レベルへ反転
し、この結果、先の時間tの間「H」レベルの信
号が与えられているアンドゲート44は開いてそ
の出力が「H」レベルへ反転し、FF52をセツ
トしてその出力Qを「H」レベルに反転保持させ
ると共に、インバータ46の出力を「L」レベル
へ反転させてアナログスイツチ45を閉じさせ
る。従つて、コンデンサ47には、g点の出力電
圧Vgが基準電圧Vrに達した時のg′点の出力電圧
Vg′,V1が記憶される。またその電圧V1は、
電流増幅回路48で増幅され、CMP49の反転
入力端子(−)に与えられる。 なお、CMP49は、非反転入力端子(+)に
入力電圧を与えるポテンシヨメータ51が初期状
態では高電位側に位置しているので、初期の出力
状態は「H」レベルに置かれている。 従つて、アンドゲート53は、ゲートを開いて
トランジスタ54を導通させているので、電磁石
55は励磁していて鉄片レバー63を吸着保持し
ている。 そして、先の時間tの終了後に、図示していな
い回路動作により電磁石58のコイル58bが、
永久磁石58cの磁力を打ち消す方向にパルス駆
動されると、鉄片レバー59はバネ61の張力に
より左旋し、フツク59aがレンズセツトリング
56の段部56aから外れる。その結果、該リン
グ56はバネ57の張力により右旋を開始して、
撮影レンズを無限遠位置から至近距離位置方向へ
変位移動させると共に、ブラシ51aを、抵抗体
51c上と導体51d上とで摺動させて、ポテン
シヨメータ51を高電位側から低電位側へ変位移
動させる。 そして、CMP49の非反転入力端子(+)の
電位が反転入力端子(−)の電位まで低下する
と、CMP49はその出力が「L」レベルへ反転
してアンドゲート53を閉じさせる。その結果、
トランジスタ54が遮断して電磁石55が消磁す
るので、鉄片レバー63がバネ65の張力により
右旋し、フツク63aがラチエツト歯56bの一
つに噛合して、レンズセツトリング56の右旋を
停止させて撮影レンズが所定位置に固定されるも
のである。 また、測距対象がもう少し遠い位置に存在して
いる場合には、例えば第2図b1,b2に示す如
くなり、上述の記憶電圧V1に相当するものが電
圧V2に変化する。 更に、測距対象が更に遠い位置に存在している
場合には、例えば第2図C1,C2において実線
で示す如くなり(反射光スポツトXが半導体光位
置検出素子6のほゞ中央に当つた場合)、上述の
記憶電圧V1に相当するものが電圧V3に変化す
る。 更にまた、測距対象が極遠距離位置に存在して
いた場合には、第2図C1,C2において鎖線で
示す如く、反射光スポツトX′が半導体光位置検
出素子6に対し右側に片寄るが、極遠距離のた
め、出力電圧Vgは先の時間t内では基準電圧Vr
に達せず(測距対象が反射率の小さいものの場合
も同様になることがある)、CMP41の出力が
「L」レベルのまゝであり、その時間tが終了し
て時間形成回路2の出力が「L」レベルへ復帰し
てしまうと、アンドゲート44の出力は「H」レ
ベルへ反転できなくなる。従つて、FF52は、
セツトされず出力Qが「L」レベルの状態に保持
されて、アンドゲート53を閉じさせたまゝにす
る。 この結果、電磁石55は初期状態から励磁され
ておらず、鉄片レバー63を吸着していないの
で、上述の動作と同様に、レンズセツトリング5
6が右旋して、ラチエツト歯56bの最初の歯が
フツク63aに対向した時、鉄片レバー63は直
ちに右旋し、フツク63aがラチエツト歯56b
に噛合し、レンズセツトリング56の右旋を停止
させ、撮影レンズを無限遠位置に固定させるもの
である。 次に、第7図及び第8図により他の実施例につ
いて説明する。なお、前実施例と同一の素子には
同じ符号を付している。 66,67はCMP、68,69及び70は定
電流回路、抵抗及びポテンシヨメータ、71,7
2及び73はナンドゲート、(なお、以上の素子
と、電流増幅回路48の出力電圧を入力とし、ナ
ンドゲート72,73の状態を出力とする関係で
ウインドコンパレータ回路を構成している。)7
4はアンドゲート、75はオアゲート、76はイ
ンバータ、77〜80はトランジスタ、81はモ
ータである。 82はレンズセツトリングで、光軸を中心にし
て回動自在に配置され、部分ギヤ82aを形成し
ている。83はピニオンで、第7図のものと同じ
ものであるモータ81の回転軸に固着されてい
る。84は中間ギヤで、ピニオン83とレンズセ
ツトリング82の部分ギヤ82aとに噛合してい
る。 なお、第7図におけるポテンシヨメータ70
は、第8図に示す如く、レンズセツトリング82
に支持されたブラシ70aと、基板70b上に形
成された抵抗体70cと導体70dとにより構成
されている。 上述の如く、電流増幅回路48の出力電圧は、
極遠距離等は別にして、測距対象が近、中、遠と
遠くになるに従つて高くなるように設定されてい
る。 そして、ウインドコンパレータ回路である関係
から、電流増幅回路48の出力電圧Vxが、CMP
66の非反転入力端子(+)の電圧Vyよりも高
ければ、CMP66の出力は「L」レベルで、
CMP67の出力は「H」レベルであるから、ナ
ンドゲート71の出力が「H」レベルとなつて、
ナンドゲート72の出力が「H」レベルで、ナン
ドゲート73の出力が「L」レベルとなる。 一方、出力電圧Vxが、CMP67の反転入力端
子(−)の電圧Vzよりも低くければ、CMP66
の出力は「H」レベルで、CMP67の出力は
「L」レベルであるから、その後の出力状態は前
述とは逆の関係になる。 上述のいずれの場合も、モータ駆動回路の両入
力に差が生じているので、夫々の方向に対応して
モータ81が回転し、レンズセツトリング82を
駆動する。 また、出力電圧Vxが、Vy>Vx>Vzの関係に
置かれた場合には、CMP66及び67の出力は
共に「H」レベルとなつてナンドゲート71の出
力が「L」レベルとなるので、ナンドゲート72
及び73の出力は共に「H」レベルとなり、この
時はモータ駆動回路の両入力が同電位であるか
ら、モータ81は回転しない。 即ち、モータ81の回転により駆動されるレン
ズセツトリング82の運動に連動してポテンシヨ
メータ70が操作されることにより、その時の出
力電圧Vxに対して電圧VyとVzを変化させ、Vy
>Vx>Vzの関係位置を検出させて、撮影レンズ
を所定位置に固定させるものである。 更に、上述の如く、FF52がセツトされず、
出力Qが「L」レベルのまゝの時は、アンドゲー
ト74の出力が「L」レベルで、オアゲート75
の出力が「H」レベルに保持され、出力電圧Vx
が高い時と同じであるから、撮影レンズは極遠距
離位置側へ駆動される。 なお、この時は、Vy>Vx>Vzの状態を検出
する動作は無関係となつて、モータ81には撮影
レンズを極遠距離側へ駆動する電流が流れ続ける
ことになるので、リミツターを設けておくことが
好ましい。 次に、第9図により他の実施例について説明す
る。なお、前実施例と同一の素子には同じ符号を
付している。 86は例えば4ビツトのA/Dコンバータ回
路、87〜90はアンドゲート、91は例えば4
ビツトのマグニチユードコンパレータ回路、92
はモータ駆動回路、93はその回転によりレンズ
セツトリングを駆動するモータ、94はモータ9
3の回転量をデジタル化する例えば4ビツトのエ
ンコーダである。 電流増幅回路48の出力電圧のアナログ量は、
A/Dコンバータ回路86で四つの出力端子によ
り、「L」,「L」,「L」,「L」から「H」,「H
」,
「H」,「H」までの16段階のデジタル量の一つに
符号化され、その16段階は、例えば、極遠距離位
置から至近距離位置までを16分割している。 従つて、A/Dコンバータ回路86の出力は、
アンドゲート87〜90を通してマグニチユード
コンパレータ回路91に入力される。そして、モ
ータ駆動回路92によりモータ93が回転させら
れることによつてレンズセツトリングが駆動され
る。その結果、撮影レンズは無限遠位置から至近
距離位置方向へ変位移動させられる。そして、モ
ータ93の回転量をデジタル量に変換するエンコ
ーダ94の出力が該コンパレータ回路91の入力
と一致した時にモータ93が停止して、撮影レン
ズが所定位置に固定されるものである。 また、上述の如く、FF52がセツトされず、
出力Qが「L」レベルのまゝの時は、アンドゲー
ト87〜90の出力が共に「L」レベルに保持さ
れて、上述の極遠距離状態と同じであるので、撮
影レンズは無限遠位置で固定される。 なお、夫々の実施例において、FF52がセツ
トされず、遠距離状態を設定する場合は、併せて
警報を発するようにすることもできる。 以上の如く、本発明は、受光素子出力の対数圧
縮や増幅回路の自動利得調整を行うことなく、増
幅回路の増幅率を低増幅率から高増幅率へ掃引す
る簡単な構成により安定した動作で測距状態を判
別することができるものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is a distance measuring device used in a camera, etc., which projects light emitted from a light emitting element toward a distance measuring object, and reflects the reflected light between a common electrode and a pair of detectors. The present invention relates to an improvement in a triangular distance measuring device that receives light with a semiconductor optical position detecting element having an electrode. Conventionally, as a distance measuring device using the method described above,
This method has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 177107/1983. In general, when measuring distance by receiving light reflected from a distance measurement target by a light emitting element using a light receiving element,
The intensity of the reflected light varies by a factor of 1,000 or more depending on the reflectance of the object to be measured, the distance, etc. Therefore, the amplifier circuit that amplifies the output of the light receiving element needs to have a dynamic range of 60 dB or more. Possible ways to widen the dynamic range include logarithmic compression of the light receiving element output and automatic gain adjustment of the amplifier circuit, but in the former case, when the amount of light received is large and the output difference between the light receiving elements is small, the S/N In the latter case, a feedback system is required, which increases unstable factors such as oscillation. SUMMARY OF THE INVENTION Therefore, an object of the present invention is to gradually increase the output of a semiconductor optical position detection element from an apparently zero or minute value by simple means without having the drawbacks of the conventional example, and to make a discrimination using a comparison circuit. The object of the present invention is to provide a distance measuring device that determines the distance measuring state when a certain set value is reached, and sets the photographing lens at a predetermined position. Embodiments of the present invention will be described below based on the drawings. First, in Figure 1, 1 is a clock pulse generation circuit (oscillation frequency o = 16KHz, hereinafter referred to as OSC).
2 is a time forming circuit (time t=
25ms), 3 is an AND gate, 4 is a transistor,
Reference numeral 5 denotes an infrared light emitting diode (hereinafter referred to as IRD) as a light emitting element that projects a spot light onto the object to be measured. 6 is a semiconductor optical position detection element, which has a semiconductor substrate 7 having a relatively large surface;
A semiconductor layer 8 of a conductivity type different from that of the substrate 7 is formed on one surface of the substrate 7 . A resistive layer 9 is formed on the semiconductor layer 8, and the resistive layer 9
A pair of electrodes (for detection) 9a and 9b are provided at both ends of the semiconductor substrate 7, and a common electrode 10 is provided on the semiconductor substrate 7. 11 and 12 are AC amplifier circuits, 13 and 1, respectively.
4 is an AC amplifier circuit equipped with gain (amplification factor) adjustment input terminals 13a and 14a, and 15 and 16 are band filter circuits (center frequency o=16KHz), respectively.
(hereinafter referred to as BPF), 17 and 18 are detection circuits, respectively, 19 and 20 are smoothing circuits, and 2
1 and 22 are DC amplifier circuits, 23 is an inverter, 24 is a transistor, 25 is a constant current circuit, 2
6 is a capacitor, 27 is a current amplification circuit, 28, 2
9 and 30 are comparator circuits (hereinafter referred to as CMP), respectively.
), 31 is a constant current circuit, 32, 33 and 34 are reference voltages Vr 1 , Vr 2 and Vr 3 applied to the inverting input terminal (-) of CMP 28 and the non-inverting input terminal (+) of CMP 29, 30, respectively. Partial voltage resistance to give, 35
are AND gates, 36 and 37 are D-type flip-flop circuits, and 38 is an RS-type flip-flop circuit (flip-flop circuits are hereinafter commonly referred to as FF), which are connected as shown in the figure. . Next, the operation shown in FIG. 1 will be explained with reference to FIG. 2. When a power switch (not shown) is closed at the start of the operation, power is supplied to each part of the circuit, and the FFs 36, 37, and 38 are released from reset. Then, the clock pulse generating circuit 1 operates to generate a clock pulse with a period of 62.5 μs, and the output of the time forming circuit 2 is inverted to the "H" level for a time of t=25 ms. Therefore, the clock pulse passes through the AND gate 3 for that period of time, and the transistor 4 repeats conduction and cutoff in response to this, and as a result, the IRD 5 lights up in pulses. The light projected by the lighting of the IRD 5 is reflected from the object to be measured and is received by the semiconductor optical position detection element 6. Here, when the reflected light spot X hits between the electrodes (for detection) 9a and 9b, a current I 1 flows from the point of incidence to the electrode 9a through the resistance layer 9, a current I 2 flows to the electrode 9b, and also to the common electrode. A current I 3 flows into each of the terminals 10 and the following relationship holds between them. I 3 = I 1 + I 2 And if the resistance of the resistance layer 9 is made uniform,
Assuming that the distance between the incident point of the reflected light spot X and the electrode 9a is 1 1 and the distance between the incident point and the electrode 9b is 1 2 , the following relationship holds: 1 1 ·I 1 =1 2 ·I 2 . Based on this condition, the received light output at points a and a' is:
As shown in ○A, it is generated by being superimposed on the DC component due to natural light. Further, the outputs at points b and b' after the AC amplifier circuits 11 and 12 are amplified and appear as shown in the circle. On the other hand, while the output of the time forming circuit 2 is inverted to the "H" level for 25 ms, the inverter 23
The output of transistor 2 is inverted to "L" level, and
4 is cut off, the capacitor 26 is charged with a constant current by the constant current circuit 25. If the constant current is I and the capacitance of the capacitor 26 is C, then the voltage V at the output terminal c of the current amplification circuit 27 is V= According to the relational expression (1/C)It, it increases as shown by ◯C. That is, in the AC amplifier circuits 13 and 14, the potentials of the gain adjustment input terminals 13a and 14a, respectively, gradually rise from a low level, and the amplification factor is swept from zero or from a low amplification factor to a high amplification factor, and d and d' The output at the point is as shown in the waveform shown in ◯D. Also, the outputs at points e and e' after BPF15 and 16 are the center frequency o and the oscillation frequency o of OSC1.
and are set to the same value, as shown in ○ho,
It appears as if the waveform of ○D has been amplified. Furthermore, the output waveforms at points and ' after the detection circuits 17 and 18 are as follows:
The output voltages Vg and Vg' at points g and g' after passing through the smoothing circuits 19 and 20 and the DC amplifier circuits 21 and 22 gradually rise from the predetermined values, as shown in ○g. . As shown in FIG. 2, when the object to be measured is located at a short distance, the reflected light spot Since the shift is 1 1 ≪ 1 2 , the output voltage Vg at point g becomes the output voltage at point g′
When the output voltage Vg reaches the reference voltage Vr 1 and is sufficiently higher than Vg', the output of the CMP28 is inverted to the "H" level and remains "H" for the previous time t.
AND gate 35 to which a level signal was given
opens and its output is inverted to "H" level. On the other hand, at that point, the output voltage Vg' at point g' has not even reached the reference voltage Vr 3 , so CMP29 and CMP30
Both outputs remain at the "H" level. Therefore, the FFs 36 and 37 whose clock is the rising signal of the output of the AND gate 35 to "H" level are as follows.
Both read "H" level signals, store "H" level signals in their respective output terminals Q 1 and Q 2 ,
Also, FF3 uses the rising signal as a set pulse.
8, the output terminal Q3 is inverted to the "H" level. Furthermore, when the object to be measured is located at a medium distance position, the reflected light spot X is biased to the left with respect to the semiconductor optical position detection element 6, as shown in FIG. 2 b1 and b2, and 1 1 <1. 2 , and the output voltage Vg' is between Vr 2 < Vr 3 due to the same operation, so FF36
Output terminal Q1 of FF
The output terminals Q 2 of FF 37 each store a signal at "L" level, and the output terminal Q 3 of FF 38 is inverted to "H" level. Furthermore, if the object to be measured is located at a boundary position to a long distance, the reflected light spot Since the condition is 1 1 ≒ 1 2 , the output voltages Vg and Vg' are almost equal, and at the time of the determination, the output voltage Vg' is equal to the reference voltage.
Since it is higher than Vr 2 , FF36 and 37
The respective output terminals Q1 and Q2 of the FF38 store "L" level signals, and the output terminal Q3 of the FF38 stores "H" level signals.
Flip to level. Furthermore, when the object to be measured is located at a very far distance, the reflected light spot X' is shifted to the right side with respect to the semiconductor optical position detection element 6, as shown by the chain line at c1 and c2 . >1 2 , but due to the extremely long distance, the output voltage Vg is the same as the previous time t.
The reference voltage Vr 1 is not reached within the range (this may also happen if the distance measurement target has a low reflectance),
The output of CMP28 remains at "L" level,
When the time t ends, the AND gate 35 closes the gate, so the FF 38 is not set and the output terminal Q3 remains at the "L" level. Note that at this time, the output of the AND gate 35 does not invert to the "H" level, so the FF36
and 37 do not perform a read operation. That is, as shown in the truth value chart in Figure 3, FF
It is set to distinguish near, medium and long distance based on the signal level status of output terminals Q 1 and Q 2 of FF 36 and 37, and further, when output terminal Q 3 of FF 38 is at "L" level. is FF36 and 37
This is set to give priority to long-distance discrimination. Further, the reference voltage to the CMPs 29 and 30 in FIG. 1 is a fixed bias, and the output voltage Vg' and the output voltage Vg are compared in absolute value. In the embodiment of FIG. 4, the reference voltage to the CMPs 29 and 30 is given by dividing the fluctuating output voltage Vg, and therefore the output voltage Vg' is the output voltage
Comparisons are made as quantities in proportion to Vg. Note that Vb of the voltage dividing circuit is biased to, for example, the normal voltage level of the light receiving output circuit of the semiconductor optical position detection element 6 when the IRD 5 is not operating. In addition, in the circuit operation shown in FIG. 1, when the output of the CMP 28 is inverted to the "H" level, the state of the output voltage Vg' is determined, but the AND gate 35
Due to the following accumulated operation delay time, the determination may lack accuracy. On the other hand, the feature of the embodiment shown in FIG. 4 is that, as mentioned above, the output voltage Vg' is
Since the determination is made based on the ratio to Vg, the accuracy can be improved compared to the previous embodiment. Note that the number of stages of the distance measurement output mentioned above can be increased or decreased, and when determining a long distance using FF38,
It is also possible to issue a warning at the same time. In the above embodiment, the distance measurement output is obtained digitally according to the level and number of stages of the reference voltages (Vr 2 , Vr 3 ), but below is an example in which the distance measurement output is further divided into smaller parts. I will explain about it. First, the first one will be explained with reference to FIGS. 5 and 6. Note that the same elements as in the previous embodiment are given the same reference numerals. In FIG. 5, 41 is a comparator circuit;
2 and 43 are constant current circuits and resistors that apply a reference voltage Vr to the inverting input terminal (-) of the comparator circuit 41, 44 is an AND gate, 45 is an analog switch, 46 is an inverter, 47 is a capacitor, 4
8 is a current amplification circuit, 49 is a comparator circuit (the comparator circuit is hereinafter commonly referred to as CMP), and 50 and 51 are connected to the non-inverting input terminal (+) of CMP 49 on one side in the movable range of the photographing lens. A constant current circuit and a potentiometer that provide a displacement voltage corresponding to movement from one extreme position to the other extreme position, 52 an RS type flip-flop circuit (hereinafter referred to as FF), 53 an AND gate, 54 a transistor, 55 is an electromagnet that stops the movement of the operating member (lens setting) of the photographic lens. Next, in FIG. 6, 56 is a lens setting ring, which is arranged rotatably around the optical axis.
In addition, the spring 57 imparts dextrorotation, and the right rotation displaces the photographing lens from an infinity position to a close distance position, and also forms a stepped portion 56a and a ratchet tooth 56b. .
Reference numeral 58 denotes a lens-driving release electromagnet, which is composed of an iron core 58a, a coil 58b, and a permanent magnet 58c. Reference numeral 59 designates an iron piece lever for the release which is pivotally connected to the shaft 60 and given left rotation by a spring 61, and includes a hook 59a that can be engaged with the stepped portion 56a of the lens setting ring 56 and an iron core of the electromagnet 58 . An iron piece 59b opposite to 58a is formed. 62 is a pin, iron piece lever 59
The amount of left rotation is limited. Reference numeral 63 designates a locking iron piece lever pivotally mounted on a shaft 64 and given dextrorotation by a spring 65, and a hook 63a capable of engaging with the ratchet teeth 56b of the lens setting ring 56;
Electromagnet 55, which is the same as in FIG.
An iron piece 63b facing the is formed. Note that the potentiometer 51 in FIG.
As shown in FIG. 6, the lens setting ring 56
The brush 51a is supported by a resistor 51c and a conductor 51d formed on a substrate 51b. Therefore, the operations shown in FIGS. 5 and 6 will be explained together with FIG. 2 (see voltages in parentheses). Similarly to the above, in the states a1 and a2 of Fig. 2,
The output voltage Vg at point g is sufficiently higher than the output voltage Vg' at point g', and the potentials at points g and g' rise while maintaining this relationship. Also, at this stage, the AND gate 44 is closed and the output of the inverter 46 is at the "H" level, so the analog switch 45 is open and the capacitor 47 is charged by the output voltage Vg' at point g'. Go. Then, when the output voltage Vg at point g reaches the reference voltage Vr, the output of the CMP 41 is inverted to the "H" level, and as a result, the AND gate to which the "H" level signal was applied for the previous time t 44 is opened and its output is inverted to the "H" level, and the FF 52 is set to invert and hold the output Q to the "H" level, and the output of the inverter 46 is inverted to the "L" level and the analog switch 45 is turned on. close it. Therefore, the output voltage at point g' when the output voltage Vg at point g reaches the reference voltage Vr is stored in the capacitor 47.
Vg' and V1 are stored. Moreover, the voltage V1 is
It is amplified by the current amplification circuit 48 and applied to the inverting input terminal (-) of the CMP 49 . In addition, since the potentiometer 51 which applies an input voltage to the non-inverting input terminal (+) of the CMP 49 is located on the high potential side in the initial state, the initial output state is set at the "H" level. Therefore, since the AND gate 53 opens the gate and makes the transistor 54 conductive, the electromagnet 55 is energized and holds the iron piece lever 63 by attraction. Then, after the end of the previous time t, the coil 58b of the electromagnet 58 is turned on by a circuit operation (not shown).
When pulsed in a direction that cancels the magnetic force of the permanent magnet 58c, the iron piece lever 59 is rotated to the left by the tension of the spring 61, and the hook 59a is removed from the stepped portion 56a of the lens setting ring 56. As a result, the ring 56 begins to rotate to the right due to the tension of the spring 57.
The photographing lens is displaced from the infinity position to the close distance position, and the brush 51a is slid on the resistor 51c and the conductor 51d, thereby displacing the potentiometer 51 from the high potential side to the low potential side. move it. Then, when the potential at the non-inverting input terminal (+) of the CMP 49 drops to the potential at the inverting input terminal (-), the output of the CMP 49 is inverted to the "L" level and the AND gate 53 is closed. the result,
Since the transistor 54 is cut off and the electromagnet 55 is demagnetized, the iron lever 63 rotates clockwise due to the tension of the spring 65, and the hook 63a engages with one of the ratchet teeth 56b, stopping the lens setting ring 56 from rotating clockwise. The photographing lens is fixed in a predetermined position. Furthermore, when the object to be measured is located a little further away, as shown in FIG. 2 b1 and b2, for example, the voltage corresponding to the above-mentioned storage voltage V1 changes to voltage V2. Furthermore, if the object to be measured is located further away, for example, as shown by the solid lines in FIG. 2 C1 and C2 (the reflected light spot case), the voltage corresponding to the above-mentioned storage voltage V1 changes to voltage V3. Furthermore, if the object to be measured is located at a very far position, the reflected light spot X' will be biased to the right with respect to the semiconductor optical position detection element 6, as shown by the chain lines in FIGS. 2C1 and C2. , due to the extremely long distance, the output voltage Vg is equal to the reference voltage Vr within the previous time t.
(This may also happen when the distance measurement target has a low reflectance), the output of the CMP 41 remains at the "L" level, and when the time t ends, the output of the time forming circuit 2 Once returned to the "L" level, the output of the AND gate 44 cannot be inverted to the "H" level. Therefore, FF52 is
It is not set and the output Q is held at the "L" level, keeping the AND gate 53 closed. As a result, since the electromagnet 55 is not excited from the initial state and does not attract the iron piece lever 63, the lens setting ring 5
6 rotates to the right and the first tooth of the ratchet tooth 56b opposes the hook 63a, the iron piece lever 63 immediately rotates to the right and the hook 63a moves to the right.
, the right rotation of the lens setting ring 56 is stopped, and the photographing lens is fixed at the infinity position. Next, another embodiment will be described with reference to FIGS. 7 and 8. Note that the same elements as in the previous embodiment are given the same reference numerals. 66, 67 are CMP, 68, 69 and 70 are constant current circuits, resistors and potentiometers, 71, 7
2 and 73 are NAND gates (note that the above elements constitute a window comparator circuit in which the output voltage of the current amplifier circuit 48 is input and the states of NAND gates 72 and 73 are output).
4 is an AND gate, 75 is an OR gate, 76 is an inverter, 77 to 80 are transistors, and 81 is a motor. A lens setting ring 82 is rotatably arranged around the optical axis, and forms a partial gear 82a. A pinion 83 is fixed to the rotating shaft of the motor 81, which is the same as that shown in FIG. 84 is an intermediate gear that meshes with the pinion 83 and the partial gear 82a of the lens setting ring 82. Note that the potentiometer 70 in FIG.
As shown in FIG. 8, the lens setting ring 82
The brush 70a is supported by a resistor 70c and a conductor 70d formed on a substrate 70b. As mentioned above, the output voltage of the current amplification circuit 48 is
Apart from extreme distances, the distance is set to increase as the distance to the target is near, medium, and far. Since it is a window comparator circuit, the output voltage Vx of the current amplifier circuit 48 is CMP
If the voltage is higher than the voltage Vy of the non-inverting input terminal (+) of CMP66, the output of CMP66 is "L" level,
Since the output of CMP67 is at "H" level, the output of NAND gate 71 is at "H" level,
The output of NAND gate 72 is at "H" level, and the output of NAND gate 73 is at "L" level. On the other hand, if the output voltage Vx is lower than the voltage Vz of the inverting input terminal (-) of the CMP67, the CMP67
Since the output of the CMP 67 is at the "H" level and the output of the CMP 67 is at the "L" level, the subsequent output states will have a reverse relationship to that described above. In any of the above cases, since there is a difference between the two inputs of the motor drive circuit, the motor 81 rotates in corresponding directions to drive the lens setting ring 82. Furthermore, when the output voltage Vx is placed in the relationship Vy>Vx>Vz, the outputs of CMP66 and CMP67 both become "H" level and the output of NAND gate 71 becomes "L" level, so the NAND gate 72
and 73 both go to the "H" level, and at this time, since both inputs of the motor drive circuit are at the same potential, the motor 81 does not rotate. That is, by operating the potentiometer 70 in conjunction with the movement of the lens setting ring 82 driven by the rotation of the motor 81, the voltages Vy and Vz are changed with respect to the output voltage Vx at that time, and Vy
The relative position of >Vx>Vz is detected and the photographing lens is fixed at a predetermined position. Furthermore, as mentioned above, FF52 is not set,
When the output Q remains at the "L" level, the output of the AND gate 74 is at the "L" level, and the OR gate 75
The output of Vx is held at “H” level, and the output voltage Vx
is the same as when In addition, at this time, the operation to detect the state of Vy>Vx>Vz becomes irrelevant, and the current that drives the photographic lens toward the far distance side continues to flow through the motor 81, so a limiter is provided. It is preferable to leave it there. Next, another embodiment will be described with reference to FIG. Note that the same elements as in the previous embodiment are given the same reference numerals. 86 is a 4-bit A/D converter circuit, 87 to 90 are AND gates, and 91 is a 4-bit A/D converter circuit, for example.
BIT magnitude comparator circuit, 92
93 is a motor that drives lens setting by its rotation; 94 is a motor 9;
This is, for example, a 4-bit encoder that digitizes the rotation amount of 3. The analog amount of the output voltage of the current amplification circuit 48 is
The A/D converter circuit 86 outputs signals from "L", "L", "L", "L" to "H", "H" through four output terminals.
”、
It is encoded as one of the 16 levels of digital quantities from "H" to "H", and the 16 levels are, for example, divided into 16 from the extremely far distance position to the close distance position. Therefore, the output of the A/D converter circuit 86 is
It is input to the magnitude comparator circuit 91 through AND gates 87-90. The lens setting is driven by rotating the motor 93 by the motor drive circuit 92. As a result, the photographing lens is displaced from the infinity position to the close distance position. When the output of an encoder 94 that converts the amount of rotation of the motor 93 into a digital amount matches the input of the comparator circuit 91, the motor 93 is stopped and the photographing lens is fixed at a predetermined position. Also, as mentioned above, FF52 is not set,
When the output Q remains at the "L" level, the outputs of AND gates 87 to 90 are both held at the "L" level, which is the same as the extreme distance state described above, so the photographing lens is at the infinity position. It is fixed at In each of the embodiments, if the FF 52 is not set and a long-distance state is set, an alarm may also be issued. As described above, the present invention achieves stable operation using a simple configuration that sweeps the amplification factor of the amplifier circuit from a low amplification factor to a high amplification factor without performing logarithmic compression of the light receiving element output or automatic gain adjustment of the amplification circuit. It is possible to determine the distance measurement state.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例を示した回路図、第
2図は受光素子に対する反射光スポツトの状態と
出力電圧の関係を示した説明図、第3図は測距出
力の一例を示した真理値の図表、第4図、第5
図、第7図及び第9図は夫々本発明の他の実施例
を示した部分回路図、第6図及び第8図は夫々第
5図及び第7図に対応した撮影レンズの駆動機構
の一例を示した説明図である。 1……クロツクパルス発生回路、2……時間形
成回路、5……赤外線発光ダイオード、6……半
導体光位置検出素子、9a,9b……電極(検出
用)、10……共通電極、11,12,13及び
14……交流増幅回路、13a及び14a……利
得調整入力端子、15及び16……帯域フイルタ
ー回路、17及び18……検波回路、19及び2
0……平滑回路、21及び22……直流増幅回
路、27及び48………電流増幅回路、51及び
70……ポテンシヨメータ、55……電磁石、5
6及び82……レンズセツトリング、81及び9
3……モータ、86……A/Dコンバータ回路、
91……マグニチユードコンパレータ回路、92
……モータ駆動回路、94……エンコーダ、X及
びX′……反射光スポツト。
Fig. 1 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, Fig. 2 is an explanatory diagram showing the relationship between the state of the reflected light spot and the output voltage with respect to the light receiving element, and Fig. 3 shows an example of the distance measurement output. Diagrams of truth values, Figures 4 and 5
7 and 9 are partial circuit diagrams showing other embodiments of the present invention, and FIGS. 6 and 8 are partial circuit diagrams of the photographing lens drive mechanism corresponding to FIGS. 5 and 7, respectively. It is an explanatory diagram showing an example. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Clock pulse generation circuit, 2... Time forming circuit, 5... Infrared light emitting diode, 6... Semiconductor optical position detection element, 9a, 9b... Electrode (for detection), 10... Common electrode, 11, 12 , 13 and 14...AC amplifier circuit, 13a and 14a...gain adjustment input terminal, 15 and 16...bandwidth filter circuit, 17 and 18...detection circuit, 19 and 2
0... Smoothing circuit, 21 and 22... DC amplifier circuit, 27 and 48... Current amplifier circuit, 51 and 70... Potentiometer, 55... Electromagnet, 5
6 and 82...Lens setting, 81 and 9
3...Motor, 86...A/D converter circuit,
91...Magnitude comparator circuit, 92
...Motor drive circuit, 94...Encoder, X and X'...Reflected light spot.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間の増幅された出力の状態を判別するよ
うにしたことを特徴とする測距装置。 2 共通電極と他方の検出用電極間の増幅された
出力を複数のレベルと比較することを特徴とする
特許請求の範囲第1項記載の測距装置。 3 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
測距出力を遠距離として判別するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第1項もしくは第2
項記載の測距装置。 4 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時の、共通電極と他方の検出
用電極間の増幅された出力を、共通電極と一方の
検出用電極間の増幅された出力に対する所定の割
合の量と比較して判別するようにしたことを特徴
とする測距装置。 5 共通電極と他方の検出用電極間の増幅された
出力を複数のレベルと比較することを特徴とする
特許請求の範囲第4項記載の測距装置。 6 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
測距出力を遠距離として判別するようにしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第4項もしくは第5
項記載の測距装置。 7 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間の増幅された出力の状態を電圧値とし
て記憶してコンパレータ回路の一方の入力端子に
与え、その後、撮影レンズを可動範囲の一方の極
限位置から他方の極限位置へ向けて駆動すると共
に、該駆動々作に連動して前記コンパレータ回路
の他方の入力端子の電位を一方の極限置から他方
の極限置へ向けて掃引し、前記両入力端子の電位
が一致した時、前記撮影レンズの駆動を停止させ
るようにしたことを特徴とする測距装置。 8 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極間
の増幅された出力がある設定値に達しない時は、
撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で停止
されるようにしたことを特徴とする特許請求の範
囲第7項記載の測距装置。 9 発光素子から発せられた光を測距対象に向け
て投射し、その反射光を共通電極及び一対の検出
用電極を有する半導体光位置検出素子で受光する
三角測距方式の測距装置において、前記半導体光
位置検出素子における共通電極と夫々の検出用電
極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定時
間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、共
通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力が
ある設定値に達した時点で、共通電極と他方の検
出用電極間の増幅された出力の状態を電圧値とし
て記憶してウインドコンパレータ回路の一方の入
力端子に与え、また、撮影レンズを可動範囲中の
位置に対応した電位を前記ウインドコンパレータ
回路の他方の入力端子に与え、該コンパレータ回
路の出力端子間に接続されその入力電圧の不平衡
の方向に対応して回転するサーボモータにより前
記撮影レンズを駆動し、前記両入力電圧の電位が
ある幅を持つ所定のしきい値内で一致した時、前
記サーボモータの回転を停止させて、前記撮影レ
ンズの駆動を停止させるようにしたことを特徴と
する測距装置。 10 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極
間の増幅された出力がある設定値に達しない時
は、撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で
停止されるようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第9項記載の測距装置。 11 発光素子から発せられた光を測距対象に向
けて投射し、その反射光を共通電極及び一対の検
出用電極を有する半導体光位置検出素子で受光す
る三角測距方式の測距装置において、前記半導体
光位置検出素子における共通電極と夫々の検出用
電極間の出力を増幅する増幅回路の増幅率を一定
時間内において低増幅率から高増幅率へ掃引し、
共通電極と一方の検出用電極間の増幅された出力
がある設定値に達した時点で、共通電極と他方の
検出用電極間の増幅された出力の状態の電圧値を
デジタル値に変換して記憶し、その後、撮影レン
ズを可動範囲の一方の極限位置から他方の極限位
置へ向けて駆動すると共に、該駆動の歩進量をエ
ンコーダによりデジタル量に変換し、該デジタル
量が前記記憶デジタル値と一致した時、前記撮影
レンズの駆動を停止させるようにしたことを特徴
とする測距装置。 12 一定時間内に共通電極と一方の検出用電極
間の増幅された出力がある設定値に達しない時
は、撮影レンズが優先して遠距離側の極限位置で
停止されるようにしたことを特徴とする特許請求
の範囲第11項記載の測距装置。
[Claims] 1. A triangular distance measurement method in which light emitted from a light emitting element is projected toward a distance measurement target, and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes. In the distance measuring device, the amplification factor of an amplifier circuit that amplifies the output between the common electrode and each detection electrode in the semiconductor optical position detection element is swept from a low amplification factor to a high amplification factor within a certain period of time, and the common electrode and the state of the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is determined when the amplified output between the common electrode and the other detection electrode reaches a certain set value. range device. 2. The distance measuring device according to claim 1, wherein the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is compared with a plurality of levels. 3 If the amplified output between the common electrode and one of the detection electrodes does not reach a certain set value within a certain period of time,
Claim 1 or 2, characterized in that the distance measurement output is determined as a long distance.
Distance measuring device described in section. 4. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected towards a distance measuring target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, The amplification factor of the amplifier circuit that amplifies the output between the common electrode and each detection electrode in the semiconductor optical position detection element is swept from a low amplification factor to a high amplification factor within a certain period of time, and the common electrode and one detection electrode are When the amplified output between the common electrode and the other detection electrode reaches a certain set value, the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is set as a predetermined ratio to the amplified output between the common electrode and one detection electrode. A distance measuring device characterized in that the distance measuring device makes a determination by comparing the amount of . 5. The distance measuring device according to claim 4, wherein the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is compared with a plurality of levels. 6 If the amplified output between the common electrode and one detection electrode does not reach a certain set value within a certain period of time,
Claim 4 or 5, characterized in that the distance measurement output is determined as a long distance.
Distance measuring device described in section. 7. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected towards a distance measuring target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, The amplification factor of the amplifier circuit that amplifies the output between the common electrode and each detection electrode in the semiconductor optical position detection element is swept from a low amplification factor to a high amplification factor within a certain period of time, and the common electrode and one detection electrode are When the amplified output between the common electrode and the other detection electrode reaches a certain set value, the state of the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is stored as a voltage value and applied to one input terminal of the comparator circuit, and then , the photographing lens is driven from one extreme position of the movable range to the other extreme position, and in conjunction with the driving operation, the potential of the other input terminal of the comparator circuit is changed from one extreme position to the other extreme position. 1. A distance measuring device, characterized in that the distance measuring device is configured to sweep toward a position and stop driving the photographing lens when the potentials of both input terminals match. 8 If the amplified output between the common electrode and one detection electrode does not reach a certain set value within a certain period of time,
8. A distance measuring device according to claim 7, characterized in that the photographing lens is stopped at an extreme position on the long distance side with priority. 9. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected toward a distance measuring target, and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, The amplification factor of the amplifier circuit that amplifies the output between the common electrode and each detection electrode in the semiconductor optical position detection element is swept from a low amplification factor to a high amplification factor within a certain period of time, and the common electrode and one detection electrode are When the amplified output between the common electrode and the other detection electrode reaches a certain set value, the state of the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is stored as a voltage value and applied to one input terminal of the window comparator circuit, Further, a potential corresponding to the position within the movable range of the photographing lens is applied to the other input terminal of the window comparator circuit, and the circuit is connected between the output terminals of the comparator circuit and rotates in accordance with the direction of the unbalanced input voltage. the photographing lens is driven by a servo motor, and when the potentials of both input voltages match within a predetermined threshold having a certain width, the rotation of the servo motor is stopped, and the driving of the photographing lens is stopped. A distance measuring device characterized in that the distance measuring device is configured to 10 If the amplified output between the common electrode and one of the detection electrodes does not reach a certain set value within a certain period of time, the photographic lens is prioritized and stopped at the extreme position on the far side. A distance measuring device according to claim 9. 11. In a triangulation distance measuring device in which light emitted from a light emitting element is projected towards a distance measuring target and the reflected light is received by a semiconductor optical position detection element having a common electrode and a pair of detection electrodes, Sweeping the amplification factor of an amplifier circuit that amplifies the output between the common electrode and each detection electrode in the semiconductor optical position detection element from a low amplification factor to a high amplification factor within a certain time,
When the amplified output between the common electrode and one detection electrode reaches a certain set value, the voltage value of the amplified output between the common electrode and the other detection electrode is converted into a digital value. After that, the photographing lens is driven from one extreme position to the other extreme position in the movable range, and the step amount of the drive is converted into a digital amount by an encoder, and the digital amount is the stored digital value. The distance measuring device is characterized in that the driving of the photographing lens is stopped when the distance measuring apparatus matches the above. 12 If the amplified output between the common electrode and one of the detection electrodes does not reach a certain set value within a certain period of time, the photographing lens is prioritized and stopped at the extreme position on the far side. A distance measuring device according to claim 11.
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