JPH0566500U - Ｈ型匣鉢 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 平板瓦の釉薬の釉だれを確実に防止し、平板
瓦を迅速かつ均質に焼成可能なＨ型匣鉢を提供する。 【構成】 窯詰めされるＬ字状の平板瓦の瓦素地は、棚
板８上に傾斜して支持されるＨ型匣鉢１０の平板１４に
寝かせられて支持される。棚板８の間の斜め方向に下側
から上側に平板１４と瓦素地の間にガス流動が生じるた
め、加熱空気流の流れによって多数の瓦素地を均一に焼
成することができる。このため、瓦素地の表面の釉薬が
重力により流動するとき、釉薬がＬ字状の相反する２方
向へ分散されるので、玉状の釉だれの発生が防止され
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、平板瓦の瓦素地を窯詰めするときの平板瓦を支持するＨ型匣鉢に関 する。

【０００２】

【従来の技術】

従来より、平板瓦の瓦素地を窯詰めに使用する支持具は、瓦素地を水平に寝か せて使われる。この種の支持具は、例えば台車上に立てられる支柱の上に水平に 平行になるように複数段設けられ、例えば図６（Ｂ）に示すように、瓦素地１の 表面が水平になるように瓦素地１を支持する。このような上下方向に複数段に配 置される支持具に載せられた瓦素地１を窯詰めし、その瓦素地１を焼成炉内で焼 成する。

【０００３】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、このような従来の瓦支持具によると、例えば図７（Ｂ）に示す ように、瓦素地１の表面に塗られる釉薬２が高温下で粘性の低下によって重力で 例えば矢印ａ方向に流動し、瓦素地１の屈曲部１ａから短脚部の端部１ｂにかけ て釉薬２が玉状になり、この玉状の釉薬２ａが液滴となって重力により落下した りあるいはこの玉状の釉薬２ａがその位置で固形化し、いびつな凸部が形成され るので、平板瓦の品質が低下するという問題がある。

【０００４】 また、従来の平板瓦用焼成炉内における平板瓦の支持方法によると、例えば図 ６（Ｂ）に示すように、上下に多段状に瓦素地を水平に寝かせた状態で保持する 構成をとるため、例えば図６（Ｂ）に示す矢印ｄの水平方向に炉内ガスは移動し やすいが、しかし最下段の瓦素地１の下方部の炉内ガスが瓦素地１を横切って上 方向に移動するのは困難である。このため、上下方向へ風が流通しにくいので、 瓦素地の焼成に長時間を要し、迅速焼成がはかれないという問題がある。

【０００５】 本考案が解決しようとする課題は、平板瓦の釉薬の釉だれを確実に防止し、か つ平板瓦を迅速かつ均質に焼成可能に支持するＨ型匣鉢を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

前記課題を解決するための本考案によるＨ型匣鉢は、縦断面形状がＬ字状の平 板瓦を焼成するときの瓦素地を支持するＨ型匣鉢において、ガス流を流す穴を有 するとともに、前記瓦素地を支持する平板と、前記平板の両側端に設けられ、少 なくとも下端が直線状に面取りされる傾斜部を有する側枠とを備えたことを特徴 とする。

【０００７】

【作用】

本考案のＨ型匣鉢によると、例えば図７（Ａ）に示すように、瓦素地１が斜め に傾斜して支持されるため、瓦素地１の表面の釉薬２が重力により流動するとき 、矢印ｂ、ｃの相反する２方向に釉薬２が分散されるので、玉状の釉だれの発生 を防止することができる。また、例えば図６（Ａ）に示すように、傾斜して配置 される複数の瓦素地１の間に矢印ｅ方向の斜めに下側から上側にガス流動が生じ るため、加熱空気流の流れによって多数の瓦素地１を均一に焼成することができ る。

【０００８】

【実施例】

以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明する。 本考案の第１実施例を図１〜図５に示す。 焼成炉に窯詰めされる平板瓦の瓦素地は、図５に示す台車５の頂面５ａに支柱 ６が立てられ、支柱６の頂面に平板状の棚板８が載せられる。棚板８の頂面にＨ 型匣鉢１０が傾斜して棚板８の長手方向に並べられる。図１に示すように、長手 方向に傾斜する複数のＨ型匣鉢１０の平板１４に平板瓦の瓦素地１が寝かせられ る。

【０００９】 長手方向に平行に配置される棚板８の間には、図１に示すように、幅広の空間 部８ａが形成される。この空間部８ａは、従来の空間部に比べ、幅ｌが大きくと ってある。これは、棚板８の下方にあるガスをこの空間部８ａを通して上側に流 し、さらに瓦素地１の表面を傾斜して上方へ吹き抜けるようにガス流動を積極的 に導くためである。

【００１０】 図６（Ａ）に示すように瓦素地１の間隔ｌ₂ は、炉内ガスが矢印ｅ方向に流れ るのを許容する程度の間隔に設定されている。これは、ガスの矢印方向への移動 を促し、高温ガスにより瓦素地１を迅速に焼成するためである。 図２〜図４に示すＨ型匣鉢について詳述すると、Ｈ型匣鉢１０は、方形状の平 板１４と、その両側端に形成される側枠２３、２４とからなる。

【００１１】 平板１４は、ガス流を流通可能な大穴１５、１６と小穴１７、１８が形成され る。また小穴１７、１８の間には瓦素地１の下端を支持するための一対の支持ピ ン１９、２０が形成される。裏面側にも同様に一対の支持ピン２１、２２が形成 される。 側枠２３、２４は、ガス流を横方向に流通可能な凹溝２５、２６が形成される 。また側枠２３、２４の両端には直線状に面取りされる傾斜部２８、２９が形成 される。この場合傾斜部２８、２９の平板１４の平面に対する傾斜角θは４５° に設定してある。

【００１２】 このようなＨ型匣鉢１０が図１に示すように長手方向に側板２３、２４の側面 が接触されてコンパクトに重ね合わせて棚板８の上に載せられる。棚板８の長手 方向一端にはストッパ３１の底面に形成される図示しない２本のピンが２本の棚 板８と８のピン穴８ｂに嵌まり込むようにしてストッパ３１が棚板８に固定され 、他端側では滑り止め板３０の底面に形成される図示しないピンがピン穴８ｃに 嵌合して２本の棚板８と８とを連結する。これらのストッパ３１と滑り止め板３ ０の間の棚板８の上にＨ型匣鉢１０が載せられ長手方向への位置決めを行う。

【００１３】 この実施例によると、図５および図６（Ａ）に示すように瓦素地１を傾斜して 配置することにより図示矢印ｅ方向に下側から上側へ抜ける斜め方向のガス流動 が積極的に形成されるから、瓦素地の焼成が速められる。 前記実施例の場合、図７（Ａ）に示すように、瓦素地１の表面の釉薬２が矢印 ｂと矢印ｃの両方向に重力で流れようとするから、釉薬２の流動方向が２方向に 分散されるので釉薬の後だれの発生率が低減される。これに対し、従来例のもの では、図７（Ｂ）に示すように、玉状の釉薬２ａの後だれが発生し、平板瓦の品 質が低下する。

【００１４】 また前記実施例の場合、図６（Ａ）に示すように、瓦素地１を台車の進行方向 つまり炉長方向に傾斜して配置されるから、瓦素地の配置スペースを節約するこ とができ、一時に焼成できる瓦の枚数を増大することができる。さらには、この ように傾斜して配置される瓦素地１の表面に矢印ｅ方向にガスが下側から上側に 流れるから、ガスの流れにより迅速焼成される。これに対し、従来のものでは図 ６（Ｂ）に示すように、炉長方向の差圧が少ないことから矢印方向のガス流動は 起こりにくい状態であるから、瓦素地の焼成が長時間となる。

【００１５】 前記実施例においては瓦素地の傾斜角度θをほぼ４５°としたが、この傾斜角 度θは３０°から７５°の範囲が望ましく、特に４５°〜６０°がより効果的で ある。また、瓦素地１を配置する間隔ｌ₂ は、例えば９０〜１００ｍｍの範囲が 望ましい。瓦素地１の下側の圧力Ｐ₁ 、瓦素地１の上側の圧力Ｐ₂ とすると、Ｐ ₁ −Ｐ₂ ＞３（ｍｍＡｑ）となることから、大量の加熱空気を瓦素地１と瓦素地 １の間に流すため、瓦素地１の伝熱面積を広くとることで均一加熱が可能となり 、瓦素地の迅速かつ均一な焼成が確保される。

【００１６】 前記実施例は、本考案の一実施態様を示すものであり、その他の実施例として は、ピン１９、２０、２１、２２がないもの、大穴１５、１６あるいは小穴１７ 、１８の形状、位置、大きさ、個数を変更したもの、平板１４の表面と裏面とを 左右対称に形成したもの等が変形例として考えられるが、これらの実施例に本考 案は限定されるものではない。

【００１７】

【考案の効果】

以上説明したように、本考案のＨ型匣鉢によると、瓦素地の釉薬だれ不良を低 減し、品質の良好な平板瓦を作製できるとともに、この平板瓦の焼成時間を大幅 に短縮することができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案の実施例によるＨ型匣鉢と棚板を示す組
立分解構成図である。

【図２】本考案の実施例によるＨ型匣鉢を示す側面図で
ある。

【図３】図２に示す矢印Ａ方向矢視平面図である。

【図４】図２に示す矢印Ｂ方向側面図である。

【図５】本考案の実施例による瓦素地の支持状態を示す
側面図である。

【図６】本考案の実施例による瓦素地の支持状態におけ
るガス流動状態と従来の瓦素地の支持状態におけるガス
流動状態を対比する説明図である。

【図７】本考案の実施例による瓦素地の支持状態と従来
の瓦素地の支持状態の作用を対比する説明図である。

【符号の説明】

１ 瓦素地 １０ Ｈ型匣鉢 １４ 平板 １５、１６ 大穴 １７、１８ 小穴 ２３、２４ 側枠 ２８、２９ 傾斜部 ２５、２６ 凹溝（穴）

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 縦断面形状がＬ字状の平板瓦を焼成する
   ときの瓦素地を支持するＨ型匣鉢において、 ガス流を流す穴を有するとともに、前記瓦素地を支持す
   る平板と、 前記平板の両側端に設けられ、少なくとも下端が直線状
   に面取りされる傾斜部を有する側枠とを備えたことを特
   徴とするＨ型匣鉢。