JPH0566772B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0566772B2 JPH0566772B2 JP3867284A JP3867284A JPH0566772B2 JP H0566772 B2 JPH0566772 B2 JP H0566772B2 JP 3867284 A JP3867284 A JP 3867284A JP 3867284 A JP3867284 A JP 3867284A JP H0566772 B2 JPH0566772 B2 JP H0566772B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- field effect
- terminal
- data
- effect transistor
- input
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は各々がnビツトからなる2組のデータ
が一致しているか否かを判別する回路に関するも
のである。
が一致しているか否かを判別する回路に関するも
のである。
(従来技術)
第1図は8ビツトのデータ一致判定回路の論理
図であり、各々のデータの各ビツトごとに排他的
論理和をとり、さらにこれらの出力の論理和をと
ることにより、2組のデータが一致しているか否
かを表わす信号を出力する。この種の従来回路は
排他的論理和ゲート8個と8入力のORゲートと
の組合せや、排他的否定論理和ゲート8個と8入
力のNANDゲートの組合せで構成されていた。
電界効果トランジスタを用いた排他的否定論理和
ゲートとして第2図で示す回路が知られており、
このゲートを用いてデータ一致判定回路を構成す
れば第3図で示す回路となる。このように従来回
路では多入力のNANDゲートを必要とするため、
多入力ゲートの論理しきい値や駆動能力を一定に
保つたままデータ幅を増加しようとすると多入力
ゲート内の電界効果トランジスタに駆動能力の大
きなトランジスタが必要となり、金物量(LSI上
に占める面積など)が増加するという問題があつ
た。特にデータ幅を8ビツトから16ビツト、16ビ
ツトから32ビツトと増加させると、従来のデータ
一致判定回路では金物量が増加し、LSI化に適さ
ない。このため、金物量が少なくLSI化に適した
データ一致判定回路が望まれていた。
図であり、各々のデータの各ビツトごとに排他的
論理和をとり、さらにこれらの出力の論理和をと
ることにより、2組のデータが一致しているか否
かを表わす信号を出力する。この種の従来回路は
排他的論理和ゲート8個と8入力のORゲートと
の組合せや、排他的否定論理和ゲート8個と8入
力のNANDゲートの組合せで構成されていた。
電界効果トランジスタを用いた排他的否定論理和
ゲートとして第2図で示す回路が知られており、
このゲートを用いてデータ一致判定回路を構成す
れば第3図で示す回路となる。このように従来回
路では多入力のNANDゲートを必要とするため、
多入力ゲートの論理しきい値や駆動能力を一定に
保つたままデータ幅を増加しようとすると多入力
ゲート内の電界効果トランジスタに駆動能力の大
きなトランジスタが必要となり、金物量(LSI上
に占める面積など)が増加するという問題があつ
た。特にデータ幅を8ビツトから16ビツト、16ビ
ツトから32ビツトと増加させると、従来のデータ
一致判定回路では金物量が増加し、LSI化に適さ
ない。このため、金物量が少なくLSI化に適した
データ一致判定回路が望まれていた。
(発明の目的)
本発明はワイヤード接続可能で素子数が少ない
排他的論理和回路で構成されることを特徴とし、
その目的は、広いデータ幅を持つ2組のデータの
一致、不一致を判定する回路として金物量が小さ
くLSI化に適したデータ一致判定回路を提供する
ことにある。
排他的論理和回路で構成されることを特徴とし、
その目的は、広いデータ幅を持つ2組のデータの
一致、不一致を判定する回路として金物量が小さ
くLSI化に適したデータ一致判定回路を提供する
ことにある。
(発明の構成)
上記の目的を達成するため、本発明は第1電界
効果トランジスタのソース端子と第2電界効果ト
ランジスタのゲート端子を接続した第1の接続部
と第1電界効果トランジスタのゲート端子と第2
電界効果トランジスタのソース端子を接続した第
2の接続部の各々を2つの被判定データの入力端
子とする前記1対の電界効果トランジスタの各ド
レイン端子をダイオードのカソード端子へ接続し
て得られる単位回路をn個設け、前記n個のダイ
オードのアノード端子を負荷素子の一方の端子に
接続し、該負荷素子の他方の端子を電源に接続
し、前記n個のダイオードと前記負荷素子の接続
部を出力端子とすることを特徴とするデータ一致
判定回路を発明の要旨とするものである。
効果トランジスタのソース端子と第2電界効果ト
ランジスタのゲート端子を接続した第1の接続部
と第1電界効果トランジスタのゲート端子と第2
電界効果トランジスタのソース端子を接続した第
2の接続部の各々を2つの被判定データの入力端
子とする前記1対の電界効果トランジスタの各ド
レイン端子をダイオードのカソード端子へ接続し
て得られる単位回路をn個設け、前記n個のダイ
オードのアノード端子を負荷素子の一方の端子に
接続し、該負荷素子の他方の端子を電源に接続
し、前記n個のダイオードと前記負荷素子の接続
部を出力端子とすることを特徴とするデータ一致
判定回路を発明の要旨とするものである。
次に本発明の実施例を添付図面について説明す
る。なお実施例は一つの例示であつて、本発明の
精神を逸脱しない範囲で、種々の変更あるいは改
良を行いうることは云うまでもない。
る。なお実施例は一つの例示であつて、本発明の
精神を逸脱しない範囲で、種々の変更あるいは改
良を行いうることは云うまでもない。
第4図は本発明の実施例を示したものであり、
2組の2ビツトデータの一致、不一致を識別する
回路例である。図においてQ1〜Q6は電界効果
トランジスタ、1は負荷素子、2は出力端子、3
は電界効果トランジスタQ1.Q2,Q3の接続
点、4は電界効果トランジスタQ4,Q5,Q6
の接続点、5〜8はデータ入力端子、9は単位回
路である。本回路は単位回路9が2個と負荷素子
1で構成され、各単位回路9はデータ比較を行う
電界効果トランジスタQ2,Q3(あるいは電界
効果トランジスタQ5,Q6)とワイヤード接続
を可能にするために付加した電界効果トランジス
タQ1(あるいは電界効果トランジスタQ4)よ
り構成される。
2組の2ビツトデータの一致、不一致を識別する
回路例である。図においてQ1〜Q6は電界効果
トランジスタ、1は負荷素子、2は出力端子、3
は電界効果トランジスタQ1.Q2,Q3の接続
点、4は電界効果トランジスタQ4,Q5,Q6
の接続点、5〜8はデータ入力端子、9は単位回
路である。本回路は単位回路9が2個と負荷素子
1で構成され、各単位回路9はデータ比較を行う
電界効果トランジスタQ2,Q3(あるいは電界
効果トランジスタQ5,Q6)とワイヤード接続
を可能にするために付加した電界効果トランジス
タQ1(あるいは電界効果トランジスタQ4)よ
り構成される。
例えば単位回路9の1つの構成について説明す
ると、電界効果トランジスタQ2のソースを第1
の入力端子5とし、電界効果トランジスタQ3の
ソースを第2の入力端子6とし、前記の電界効果
トランジスタQ2,Q3のドレインを互に接続
し、この接続点3に電界効果トランジスタQ1の
ソースを接続し、この電界効果トランジスタQ1
のドレインを出力端子2に接続すると共に、電界
効果トランジスタQ2のゲートを入力端子6に接
続し、電界効果トランジスタQ3のゲートを入力
端子5に接続する。また電界効果トランジスタQ
1のゲートを出力端子2に接続して構成されてい
るものである。
ると、電界効果トランジスタQ2のソースを第1
の入力端子5とし、電界効果トランジスタQ3の
ソースを第2の入力端子6とし、前記の電界効果
トランジスタQ2,Q3のドレインを互に接続
し、この接続点3に電界効果トランジスタQ1の
ソースを接続し、この電界効果トランジスタQ1
のドレインを出力端子2に接続すると共に、電界
効果トランジスタQ2のゲートを入力端子6に接
続し、電界効果トランジスタQ3のゲートを入力
端子5に接続する。また電界効果トランジスタQ
1のゲートを出力端子2に接続して構成されてい
るものである。
次に動作について説明する。
D1,D0とD1′,D0′の2組のデータを比
較するため、データ入力端子5にD0、データ入
力端子6にD0′、データ入力端子7にD1、デ
ータ入力端子8にD1′を入力する。入力データ
D0,D0′がともにローレベルの時電界効果ト
ランジスタQ2,Q3はカツトオフ状態となる。
入力データD0,D0′がともにハイレベルの時、
接続点3はハイレベルまで上昇するが、出力端子
2がローレベルであつても、電界効果トランジス
タQ1のため接続点3から出力端子2には電流が
流れない。このため、出力端子2を介し他の入力
端子へ電流が流れ込むことによつて出力端子2の
電位が上昇する現象が生じない。また入力データ
D0,D0′のうち一方がハイレベルで他方がロ
ーレベルの場合、電界効果トランジスタQ2ある
いはQ3のいずれかがオン状態となる。例えば、
入力データD0がローレベルで入力データD0′
がハイレベルの場合、電界効果トランジスタQ2
がオン状態となり、接続点3の電位をローレベル
に下げるよう電界効果トランジスタQ2を介して
データ入力端子5へ電流が流れ、出力端子2の電
位をローレベルに下げる。電界効果トランジスタ
Q4,Q5,Q6で構成される単位回路9も同様
の動作を行う。したがつて、入力データD0とD
0′、入力データD1とD1′のうち少なくとも1
組が不一致の時、入力データがローレベルである
入力端子へ電流が流れ出力端子2はローレベルと
なる。一方、入力データD0とD0′、入力デー
タD1とD1′のすべての組が一致する時、出力
端子2はハイレベルとなる。
較するため、データ入力端子5にD0、データ入
力端子6にD0′、データ入力端子7にD1、デ
ータ入力端子8にD1′を入力する。入力データ
D0,D0′がともにローレベルの時電界効果ト
ランジスタQ2,Q3はカツトオフ状態となる。
入力データD0,D0′がともにハイレベルの時、
接続点3はハイレベルまで上昇するが、出力端子
2がローレベルであつても、電界効果トランジス
タQ1のため接続点3から出力端子2には電流が
流れない。このため、出力端子2を介し他の入力
端子へ電流が流れ込むことによつて出力端子2の
電位が上昇する現象が生じない。また入力データ
D0,D0′のうち一方がハイレベルで他方がロ
ーレベルの場合、電界効果トランジスタQ2ある
いはQ3のいずれかがオン状態となる。例えば、
入力データD0がローレベルで入力データD0′
がハイレベルの場合、電界効果トランジスタQ2
がオン状態となり、接続点3の電位をローレベル
に下げるよう電界効果トランジスタQ2を介して
データ入力端子5へ電流が流れ、出力端子2の電
位をローレベルに下げる。電界効果トランジスタ
Q4,Q5,Q6で構成される単位回路9も同様
の動作を行う。したがつて、入力データD0とD
0′、入力データD1とD1′のうち少なくとも1
組が不一致の時、入力データがローレベルである
入力端子へ電流が流れ出力端子2はローレベルと
なる。一方、入力データD0とD0′、入力デー
タD1とD1′のすべての組が一致する時、出力
端子2はハイレベルとなる。
以上の説明は2ビツトデータのデータ一致判定
回路に対して行つたが、一般にnビツトデータの
データ一致判定回路は単位回路9をn個用いるこ
とによつて実現できる。第5図は本回路を8ビツ
トデータの一致判定回路に応用した例であり、バ
ツフア回路を付加しても29個の素子で構成でき、
配線も単純であり、少ない金物量で実現できる。
一方、従来のデータ一致判定回路第3図の場合に
は、33個の素子を必要とする、排他的否定論理和
ゲートと多入力ゲートの接続のために配線が複雑
となる、多入力ゲートの電界効果トランジスタに
駆動能力の大きなトランジスタを必要とするなど
の原因により、大きな金物量を必要とする。
回路に対して行つたが、一般にnビツトデータの
データ一致判定回路は単位回路9をn個用いるこ
とによつて実現できる。第5図は本回路を8ビツ
トデータの一致判定回路に応用した例であり、バ
ツフア回路を付加しても29個の素子で構成でき、
配線も単純であり、少ない金物量で実現できる。
一方、従来のデータ一致判定回路第3図の場合に
は、33個の素子を必要とする、排他的否定論理和
ゲートと多入力ゲートの接続のために配線が複雑
となる、多入力ゲートの電界効果トランジスタに
駆動能力の大きなトランジスタを必要とするなど
の原因により、大きな金物量を必要とする。
(発明の効果)
以上説明したように、本発明によれば判定すべ
きデータ幅にかかわらず、3個の電界効果トラン
ジスタからなる単位回路9を付加することによつ
てnビツトデータの一致判定を行うことができ、
金物量の少ない簡単な回路構成でnビツトデータ
のデータ一致判定回路を実現できる。したがつ
て、nが大きな場合でも本データ一致判定回路は
少ない金物量で実現でき、高密度化を要求される
LSIの回路として適している効果を有するもので
ある。
きデータ幅にかかわらず、3個の電界効果トラン
ジスタからなる単位回路9を付加することによつ
てnビツトデータの一致判定を行うことができ、
金物量の少ない簡単な回路構成でnビツトデータ
のデータ一致判定回路を実現できる。したがつ
て、nが大きな場合でも本データ一致判定回路は
少ない金物量で実現でき、高密度化を要求される
LSIの回路として適している効果を有するもので
ある。
第1図はデータ一致判定回路の論理図、第2図
は排他的否定論理和ゲート、第3図は従来技術に
よるデータ一致判定回路、第4図は本発明による
データ一致判定回路、第5図は本発明を8ビツト
データの一致判定回路に応用した例である。 D0〜D7……入力データI、D0′〜D7′…
…入力データ、Q1〜Q6……電界効果トラン
ジスタ、1……負荷素子、2……出力端子、3…
…電界効果トランジスタQ1,Q2,Q3の接続
点、4……電界効果トランジスタQ4,Q5,Q
6の接続点、5〜8……データ入力端子、9……
単位回路。
は排他的否定論理和ゲート、第3図は従来技術に
よるデータ一致判定回路、第4図は本発明による
データ一致判定回路、第5図は本発明を8ビツト
データの一致判定回路に応用した例である。 D0〜D7……入力データI、D0′〜D7′…
…入力データ、Q1〜Q6……電界効果トラン
ジスタ、1……負荷素子、2……出力端子、3…
…電界効果トランジスタQ1,Q2,Q3の接続
点、4……電界効果トランジスタQ4,Q5,Q
6の接続点、5〜8……データ入力端子、9……
単位回路。
Claims (1)
- 1 第1電界効果トランジスタのソース端子と第
2電界電界効果トランジスタのゲート端子を接続
した第1の接続部と第1電界効果トランジスタの
ゲート端子と第2電界効果トランジスタのソース
端子を接続した第2の接続部の各々を2つの被判
定データの入力端子とする前記1対の電界効果ト
ランジスタの各ドレイン端子をダイオードのカソ
ード端子へ接続して得られる単位回路をn個設
け、前記n個のダイオードのアノード端子を負荷
素子の一方の端子に接続し、該負荷素子の他方の
端子を電源に接続し、前記n個のダイオードと前
記負荷素子の接続部を出力端子とすることを特徴
とするデータ一致判定回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867284A JPS60183631A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | デ−タ一致判定回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3867284A JPS60183631A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | デ−タ一致判定回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60183631A JPS60183631A (ja) | 1985-09-19 |
| JPH0566772B2 true JPH0566772B2 (ja) | 1993-09-22 |
Family
ID=12531758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3867284A Granted JPS60183631A (ja) | 1984-03-02 | 1984-03-02 | デ−タ一致判定回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60183631A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01188932A (ja) * | 1988-01-22 | 1989-07-28 | Sharp Corp | 一致検出回路 |
-
1984
- 1984-03-02 JP JP3867284A patent/JPS60183631A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60183631A (ja) | 1985-09-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6023432B2 (ja) | Mosメモリ | |
| KR850006089A (ko) | 논리 전가산 기회로 | |
| JP2636749B2 (ja) | Xor回路と反転セレクタ回路及びこれらを用いた加算回路 | |
| JPH0566772B2 (ja) | ||
| JPS5928986B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH0257377B2 (ja) | ||
| US5994936A (en) | RS flip-flop with enable inputs | |
| JP3080701B2 (ja) | セットリセット型フリップフロップ回路 | |
| JPS59140725A (ja) | 論理回路 | |
| JP3402947B2 (ja) | アドレスデコーダ | |
| JPH0638227B2 (ja) | 比較論理回路 | |
| JPH0432572B2 (ja) | ||
| JPH04139695A (ja) | 半導体記憶装置 | |
| JP2556208B2 (ja) | レベル変換回路 | |
| JPH07161190A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2712432B2 (ja) | 多数決論理回路 | |
| JP2728028B2 (ja) | 同時双方向入出力回路 | |
| JPS5914832B2 (ja) | 電圧センス回路 | |
| JPH0233360Y2 (ja) | ||
| JPS60117820A (ja) | 入力回路 | |
| JPS6032913B2 (ja) | アドレス選択回路 | |
| JPH0316427A (ja) | 入出力兼用装置 | |
| JP2956116B2 (ja) | 冗長回路 | |
| JPH0431630Y2 (ja) | ||
| JPH0237067Y2 (ja) |