JPH0566962U - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】本考案は、フォトレジスト等を半導体基板の表
面に塗布する際に、フォトレジスト膜が、均一の膜厚に
なるように塗布されることにより、歩留まりが向上せし
められる、半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】フォトエッチング工程等にて、基板１１を回転
させながら、その表面にフォトレジスト１２等を塗布す
るようにして、基板１１の表面に導電パターン等を形成
することにより構成される半導体装置１０において、該
基板１１が、その各端縁の上側にて、面取りされている
ように、半導体装置１０を構成する。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、半導体装置に関し、特にエッチング工程等にて、スピンコータ等に よる回転法によって、フォトレジスト等を基板の表面に塗布するようにした、半 導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】

従来、半導体装置を製造する際、半導体装置を構成する基板の表面に導電パタ ーン等を形成するために、フォトエッチングを行なうような場合、先づ該基板の 表面にフォトレジストを塗布する。

【０００３】 このフォトレジストの塗布は、例えば図２に示すように、行なわれる。即ち、 図２において、垂直方向に延びた中心軸Ｏの周りに回転駆動せしめられるスピン コータ１のヘッド上面１ａに、半導体装置を構成すべき基板２を載置し、該スピ ンコータ１を回転軸Ｏの周りに回転させながら、該基板２上に、フォトレジスト 等３の塗布を行なうようにしている。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

しかしながら、このようなフォトレジスト等の塗布によれば、該基板２は、ス ピンコータ１のヘッド上面１ａに比較して大きく、而も該フォトレジスト等３が 塗布されるべき基板２が、スピンコータ１により回転駆動されていることから、 該基板２の回転に伴って、該フォトレジスト等３が、遠心力を受けると共に、該 基板２に対する表面張力や周辺外気との接触等によって、該基板２の端部及び周 辺部にて、形成されたフォトレジスト膜３の膜厚が、厚くなってしまい、均一の 膜厚のフォトレジスト膜が得られなくなる（図３参照）。このため、その後の露 光，現像工程により構成されるべきパターン像が不均一となってしまい、装置の 歩留まりが低下してしまうという問題があった。

【０００５】 本考案は、以上の点に鑑み、フォトレジスト等を基板の表面に塗布する際に、 フォトレジスト膜が、均一の膜厚になるように塗布されることにより、歩留まり が向上せしめられる、半導体装置を提供することを目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

上記目的は、フォトエッチング工程等にて、基板を回転させながら、その表面 にフォトレジスト等を塗布するようにして、基板の表面に導電パターン等を形成 することにより構成される半導体装置において、該基板が、その各端縁の上側に て、面取りされていることを特徴とする、半導体装置により、達成される。

【０００７】

【作用】

上記構成によれば、基板の各端縁が、その上側にて面取りされているので、該 基板を例えばスピンコータ等の上面に載置して回転駆動せしめながら、該基板の 表面にフォトレジスト等を塗布する場合、該基板表面に塗布されたフォトレジス トが、遠心力等によって、回転軸から半径方向外側に向かって、流れたとしても 、該基板の各端縁が面取りされていることから、該基板の各端縁の角部を越えて 、該フォトレジスト等が容易に該基板の側面に流れ得るために、該基板表面の端 部及び周辺部付近において、フォトレジストが溜ることにより、その膜厚が、他 の部分に比較して厚くなってしまうようなことがなく、全体としてほぼ均一な膜 厚のフォトレジスト膜が得られることとなり、その後の露光，現像によるパター ン像が、均一になることから、半導体装置の歩留まりが向上せしめられ得ること となる。

【０００８】

【実施例】

以下、図面に示した実施例に基づいて、本考案を詳細に説明する。 図１は、本考案による半導体装置の一実施例を示しており、半導体装置１０は 、基板１１を含んでいる。該基板１１は、図３に示した従来の半導体装置におけ る基板２とほぼ同様の構成であるが、さらに、該基板１１の各端縁の上側が、図 示のように、斜めにカットされることにより、面取りされている。

【０００９】 本考案による半導体装置１０は、以上のように構成されており、該半導体装置 を構成する基板１１の表面に例えばフォトレジストを塗布する場合、該基板１１ を図示しないスピンコータのヘッド上面に載置して回転駆動させながら、該基板 １１の表面にフォトレジスト１２を塗布する。これにより、該基板１１は、その 表面にフォトレジスト１２が塗布される。

【００１０】 その際、該基板１１の表面に塗布されたフォトレジスト１２は、遠心力等によ って、回転軸から半径方向外側に向かって、該基板１１の表面の端部及び周辺部 付近に流れたとしても、該基板１１の各端縁が面取りされていることから、該基 板１１の各端縁の角部１１ａを越えて、該フォトレジスト１２は、容易に該基板 １１の側面に流れ得ることとなる。

【００１１】 従って、該基板１１の表面の端部及び周辺部付近において、フォトレジスト１ １が溜ることにより、その膜厚が、他の部分に比較して厚くなってしまうような ことはない。

【００１２】 尚、基板１１の面取り角度θは、フォトレジスト１２が、基板１１の表面から 角部１１ａを越えて側面に容易に流れ得るように、好ましくは、約４５度以下の 角度であり、また面取りの幅ｗは、フォトレジスト１２の基板１１の表面から側 面への流出を容易にするために、好ましくは、基板１１の表面にて約３００μｍ 以上である。

【００１３】

【考案の効果】

以上述べたように、本考案によれば、フォトレジスト等を基板の表面に塗布す る際に、フォトレジスト膜が、均一の膜厚になるように塗布されることにより、 歩留まりが向上せしめられ得る、極めて優れた半導体装置が提供され得ることに なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本考案による半導体装置の一実施例を構成する
基板の断面図である。

【図２】従来の半導体装置における基板のフォトレジス
ト塗布工程を示す概略図である。

【図３】従来の半導体装置の一例における基板の断面図
である。

【符号の説明】

１０ 半導体装置 １１ 基板 １２ フォトレジスト

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 フォトエッチング工程等にて、基板を回
   転させながら、その表面にフォトレジスト等を塗布する
   ようにして、基板の表面に導電パターン等を形成するこ
   とにより構成される半導体装置において、該基板が、そ
   の各端縁の上側にて、面取りされていることを特徴とす
   る、半導体装置。