JPH0567590B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0567590B2 JPH0567590B2 JP1283711A JP28371189A JPH0567590B2 JP H0567590 B2 JPH0567590 B2 JP H0567590B2 JP 1283711 A JP1283711 A JP 1283711A JP 28371189 A JP28371189 A JP 28371189A JP H0567590 B2 JPH0567590 B2 JP H0567590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- varistor
- oxide
- oxidizing atmosphere
- sintered body
- porcelain
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、電子機器等で異常高電圧サージ保護
用に使用されるSrTiO3を主成分とするコンデン
サとバリスタの両機能を有する電圧依存非直線抵
抗体磁器（以下、バリスタ磁器と言う）の製造方
法に関する。 ［従来の技術］ チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主成分
とするバリスタは例えば特開昭57−35303号公報、
特開昭58−16504号公報、特開昭58−135614号公
報及び特開昭59−35402号公報に開示されている。
ここに開示されているバリスタは大きな静電容量
を有するので電子機器等を雷などのサージ、ノイ
ズ等から保護する部品として多用されている。 ところで、この種のバリスタの従来の製造方法
として、SrTiO3を主成分とする原料に半導体元
素（Nb2O5、La2O3、WO3等）及び粒界に折出す
る元素（Si、Al、Cu等）を添加した原料を湿式
混合し、これにバインダーを添加して所望形状の
成型体にし、該成形体をN2ガスとH2ガスから成
る混合ガス等の還元性ガス雰囲気中で温度1300℃
〜1450℃で焼成した後、更に焼結体に空気中で温
度800℃〜1200℃の熱処理を施し、該焼結体に酸
素を拡散させる方法、或いは、前記方法におい
て、焼成して得られた焼結体に直ちに熱処理を施
す代わりに、該焼結体の表面にNa系ガラスを塗
布し、続いて該焼結体に空気中で温度800℃〜
1200℃の熱処理を施し、該焼結体面にNa系ガラ
スを拡散させる方法がある。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の方法では、もれ電流が十分に小
さく、且つ制限電圧が小さいバリスタを提供する
ことが困難であつた。 そこで、本発明の目的は、もれ電流が小さく且
つ制限電圧が小さいバリスタ磁器の製造方法を提
供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明は、チタンの
酸化物100モル部と、SrCO3又は高温で分解して
ストロンチウムの酸化物となるストロンチウム化
合物100モル部と、Nb、Ｗ、La、Ta、Ce、Nd、
Ｙ、Sm、Dy、Gdの各金属酸化物の内の少なく
とも１種から成る半導体化添加物0.001〜2.500モ
ル部との混合物を酸化雰囲気中、800℃〜1300℃
の範囲内の温度で仮焼してSrTiO3を含む半導体
磁器材料を得る工程と、SrTiO3に換算して100モ
ル部の前記半導体磁器材料と、si酸化物、Al酸化
物及びCu酸化物の内の少なくとも１種の金属酸
化物0.020〜2.000モル部とから成るバリスタ用混
合物を得る工程と、前記バリスタ用混合物の成型
体を得る工程と、前記成型体を非酸化性雰囲気で
焼成して焼結体を得る工程と、前記焼結体に酸化
性雰囲気で熱処理を施す工程と、を備えているこ
とを特徴とするバリスタ磁器の製造方法に係わる
ものである。 なお、請求項２に示すように焼結体にNaを含
む物質の被覆を設け、この後に酸化性雰囲気で熱
処理を施し、サージに対する劣化を防止する働き
を有するNaを拡散させることが望ましい。 ［発明の作用効果］ 本発明によれば、次の作用効果を得ることがで
きる。 (イ) チタン酸ストロンチウム得るための化合物に
半導体化添加物を加えて仮焼すると共に、半導
体磁器材料に予めSi酸化物、Al酸化物及びCu
酸化物の内の少なくとも１種を加えて成形しこ
れを焼成するので、半導体化が良好に達成さ
れ、もれ電流を小さくすることができる。 (ロ) 制限電圧の小さいバリスタを提供することが
できる。 ［実施例］ 次に、本発明に係わる実施例及び比較例を第１
表〜第４表及び図面を参照して説明する。 第１表の仮焼物の原料組成の欄には、各試料の
仮焼物の原料であるSrCO3（炭酸ストロンチウ
ム）、TiO2（酸化チタン）、Nb2O5（酸化ニオブ）、
WO3（酸化タングステン）、La2O3（酸化ランタン）
の組成がモル部で示されている。また、添加物の
欄には、SrCO3とTiO2とに基づいて生成される
仮焼物中のSrTiO3（チタン酸ストロンチウム）を
100モル部とした時のSiO2（二酸化ケイ素）、
Al2O3（酸化アルミニウム）、CuO（酸化銅）の添
加量がモル部で示されている。 第１表の試料No.１に従うバリスタ磁器を得る時
には、まず、SrCO3100モル部及びTiO2100モル
部に半導体化元素としてNb2O5を0.005モル部添
加し、これ等の混合物に水を加えてボールミルで
15時間撹拌混合後、脱水、乾燥して粉体を得、こ
の粉体を酸化雰囲気中1200℃で仮焼した後アトマ
イザーで粉砕した。SrCO3とTiO2は1200℃の焼
成によつてSrTiO3になる。従つて、試料No.１に
従う仮焼物は100モル部のSrTiO3と0.005モル部
のNb2O5とから成る半導体磁器材料と呼ぶことが
できる。 次に、SrTiO3が100モル部となるように秤量さ
れた仮焼物の粉末に対してSiO2を１モル部、
Al2O3を0.1モル部、CuOを0.05モル部添加し、水
を加えてボールミルで15時間混合した後、脱水乾
燥し、更にバインダーとしてポリビニールアルコ
ールを15重量部添加して、混合し、これを造粒し
て原料粉末を作成した。 更に、この原料粉末を乾式プレスで金型を用い
て1500Kg／cm2の圧力で成型して直径16.5mm厚さ
2.4mmの成型体を形成した。続いてこの成型体を
N2ガス95容量％とH2ガス５容量％とから成る還
元性雰囲気（非酸化性雰囲気）、1400℃で３時間
焼成して、直径13.5mm、厚さ2.0mmの半導体セラ
ミツクスから成る焼結体を作成した。 続いて、この焼結体上部にNa系ガラスのペー
スト（例えばNaF又はNa2Oとバインダとから成
るペースト）を焼結体100重量部に対して2.0重量
部の割合で塗布し、酸化雰囲気中で0.5時間乾燥
後、Naガラスが被膜された焼結体に空気中（酸
化性雰囲気）で温度1100℃、４時間熱処理を施し
てNa2Oを拡散させた第１図のバリスタ磁器１を
得た。 次に、バリスタを得るために、磁器１の一対の
表面に第２図及び第３図に示すように銀ペースト
を塗布して800℃で焼付けることによつて電極２，
３を形成し、各電極２，３にリード線（図示せ
ず）を半田付けし、エポキシ樹脂等による被覆層
（図示せず）を設けた。 この様にして製造したバリスタを評価するため
に、１ｍＡを流した時の電極２，３間のバリスタ
電圧V1、非直線指数α、tanδを測定したところ、
第２表に示すように、288V、14.7、2.70％であつ
た。 また、バリスタに10kVの電圧サージ（1.2−
50μsec）印加し、オシロスコープによつてこの時
の制限電圧（抑制値）LVを求め、この制御電圧
LVとバリスタ電圧V1との比LV／V1を求めたと
ころ、4.3であつた。また、耐サージ特性を調べ
るために、バリスタに８×20μsecの波形3000Aの
波高値を有するサージ電流を３回流し、バリスタ
電圧V1の変化率ΔV1（％）を求めたところ、−
28.5％であつた。 試料No.２〜12においても、組成を第１表に示す
ように種々変えた他は、同一の製造方法でバリス
タを作り、諸特性を測定したところ、第２表に示
す結果が得られた。 なお、試料No.６は制限電圧比LV／V1を求める
時に磁器１が破壊した。従つて、この試料No.６の
バリスタの制限電圧光及びバリスタ電圧の変化率
は不明であり、本発明の範囲外のものである。 比較のために、従来の方法でバリスタを作り、
諸特性を測定した。第３表は比較例のバリスタ磁
器の組成を示す。この比較例を示す試料No.13〜24
の完成した磁器の組成は、第１表の試料No.１〜12
の完成した磁器の組成と実質的に同一である。試
料No.13のバリスタを作る時には、まず、
SrCO3100モル部及びTiO2100モル部を秤量し水
を加えてボールミルに15時間混合した後、脱水乾
燥し、空気中で温度1200℃で仮焼してSrTiO3を
得、これをアトマイザーにより粉砕してSrTiO3
粉末を得た。次に、第３表に示すように、
SrTiO3を100モル部、Nb2O5を0.005モル部、
SiO2を１モル部、Al2O3を0.1モル部、CuOを0.05
モル部となるように各原料を秤量し、これ等に水
を加えてボールミルで15時間混合した後、脱水乾
燥した。次に、上述のようにして得られた原料粉
末を使用して試料No.１と同一の方法で成型体を作
り、同一の方法で焼成して焼結体を得、同一の方
法でNa系ガラスのペースト塗布及び熱処理を施
してバリスタ磁器を得、試料No.１と同一の構成の
バリスタを完成させ、同一の方法で諸特性を調べ
たところ、第４表に示す結果が得られた。なお、
試料No.14〜24においても試料No.13と同一の方法で
バリスタを作り、同一の方法で特性を測定した。 なお、本発明に従う試料No.２におけるバリスタ
電圧V1の変化率△V1グラフで示すと第４図のＡ
となり、また、比較例の試料No.14のバリスタ電圧
の変化率△V1を示すと第４図のＢになる。この
第４図には電流サージを10回印加した場合のバリ
スタ電圧の変化率△V1も示されている。
用に使用されるSrTiO3を主成分とするコンデン
サとバリスタの両機能を有する電圧依存非直線抵
抗体磁器（以下、バリスタ磁器と言う）の製造方
法に関する。 ［従来の技術］ チタン酸ストロンチウム（SrTiO3）を主成分
とするバリスタは例えば特開昭57−35303号公報、
特開昭58−16504号公報、特開昭58−135614号公
報及び特開昭59−35402号公報に開示されている。
ここに開示されているバリスタは大きな静電容量
を有するので電子機器等を雷などのサージ、ノイ
ズ等から保護する部品として多用されている。 ところで、この種のバリスタの従来の製造方法
として、SrTiO3を主成分とする原料に半導体元
素（Nb2O5、La2O3、WO3等）及び粒界に折出す
る元素（Si、Al、Cu等）を添加した原料を湿式
混合し、これにバインダーを添加して所望形状の
成型体にし、該成形体をN2ガスとH2ガスから成
る混合ガス等の還元性ガス雰囲気中で温度1300℃
〜1450℃で焼成した後、更に焼結体に空気中で温
度800℃〜1200℃の熱処理を施し、該焼結体に酸
素を拡散させる方法、或いは、前記方法におい
て、焼成して得られた焼結体に直ちに熱処理を施
す代わりに、該焼結体の表面にNa系ガラスを塗
布し、続いて該焼結体に空気中で温度800℃〜
1200℃の熱処理を施し、該焼結体面にNa系ガラ
スを拡散させる方法がある。 ［発明が解決しようとする課題］ しかし、従来の方法では、もれ電流が十分に小
さく、且つ制限電圧が小さいバリスタを提供する
ことが困難であつた。 そこで、本発明の目的は、もれ電流が小さく且
つ制限電圧が小さいバリスタ磁器の製造方法を提
供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本発明は、チタンの
酸化物100モル部と、SrCO3又は高温で分解して
ストロンチウムの酸化物となるストロンチウム化
合物100モル部と、Nb、Ｗ、La、Ta、Ce、Nd、
Ｙ、Sm、Dy、Gdの各金属酸化物の内の少なく
とも１種から成る半導体化添加物0.001〜2.500モ
ル部との混合物を酸化雰囲気中、800℃〜1300℃
の範囲内の温度で仮焼してSrTiO3を含む半導体
磁器材料を得る工程と、SrTiO3に換算して100モ
ル部の前記半導体磁器材料と、si酸化物、Al酸化
物及びCu酸化物の内の少なくとも１種の金属酸
化物0.020〜2.000モル部とから成るバリスタ用混
合物を得る工程と、前記バリスタ用混合物の成型
体を得る工程と、前記成型体を非酸化性雰囲気で
焼成して焼結体を得る工程と、前記焼結体に酸化
性雰囲気で熱処理を施す工程と、を備えているこ
とを特徴とするバリスタ磁器の製造方法に係わる
ものである。 なお、請求項２に示すように焼結体にNaを含
む物質の被覆を設け、この後に酸化性雰囲気で熱
処理を施し、サージに対する劣化を防止する働き
を有するNaを拡散させることが望ましい。 ［発明の作用効果］ 本発明によれば、次の作用効果を得ることがで
きる。 (イ) チタン酸ストロンチウム得るための化合物に
半導体化添加物を加えて仮焼すると共に、半導
体磁器材料に予めSi酸化物、Al酸化物及びCu
酸化物の内の少なくとも１種を加えて成形しこ
れを焼成するので、半導体化が良好に達成さ
れ、もれ電流を小さくすることができる。 (ロ) 制限電圧の小さいバリスタを提供することが
できる。 ［実施例］ 次に、本発明に係わる実施例及び比較例を第１
表〜第４表及び図面を参照して説明する。 第１表の仮焼物の原料組成の欄には、各試料の
仮焼物の原料であるSrCO3（炭酸ストロンチウ
ム）、TiO2（酸化チタン）、Nb2O5（酸化ニオブ）、
WO3（酸化タングステン）、La2O3（酸化ランタン）
の組成がモル部で示されている。また、添加物の
欄には、SrCO3とTiO2とに基づいて生成される
仮焼物中のSrTiO3（チタン酸ストロンチウム）を
100モル部とした時のSiO2（二酸化ケイ素）、
Al2O3（酸化アルミニウム）、CuO（酸化銅）の添
加量がモル部で示されている。 第１表の試料No.１に従うバリスタ磁器を得る時
には、まず、SrCO3100モル部及びTiO2100モル
部に半導体化元素としてNb2O5を0.005モル部添
加し、これ等の混合物に水を加えてボールミルで
15時間撹拌混合後、脱水、乾燥して粉体を得、こ
の粉体を酸化雰囲気中1200℃で仮焼した後アトマ
イザーで粉砕した。SrCO3とTiO2は1200℃の焼
成によつてSrTiO3になる。従つて、試料No.１に
従う仮焼物は100モル部のSrTiO3と0.005モル部
のNb2O5とから成る半導体磁器材料と呼ぶことが
できる。 次に、SrTiO3が100モル部となるように秤量さ
れた仮焼物の粉末に対してSiO2を１モル部、
Al2O3を0.1モル部、CuOを0.05モル部添加し、水
を加えてボールミルで15時間混合した後、脱水乾
燥し、更にバインダーとしてポリビニールアルコ
ールを15重量部添加して、混合し、これを造粒し
て原料粉末を作成した。 更に、この原料粉末を乾式プレスで金型を用い
て1500Kg／cm2の圧力で成型して直径16.5mm厚さ
2.4mmの成型体を形成した。続いてこの成型体を
N2ガス95容量％とH2ガス５容量％とから成る還
元性雰囲気（非酸化性雰囲気）、1400℃で３時間
焼成して、直径13.5mm、厚さ2.0mmの半導体セラ
ミツクスから成る焼結体を作成した。 続いて、この焼結体上部にNa系ガラスのペー
スト（例えばNaF又はNa2Oとバインダとから成
るペースト）を焼結体100重量部に対して2.0重量
部の割合で塗布し、酸化雰囲気中で0.5時間乾燥
後、Naガラスが被膜された焼結体に空気中（酸
化性雰囲気）で温度1100℃、４時間熱処理を施し
てNa2Oを拡散させた第１図のバリスタ磁器１を
得た。 次に、バリスタを得るために、磁器１の一対の
表面に第２図及び第３図に示すように銀ペースト
を塗布して800℃で焼付けることによつて電極２，
３を形成し、各電極２，３にリード線（図示せ
ず）を半田付けし、エポキシ樹脂等による被覆層
（図示せず）を設けた。 この様にして製造したバリスタを評価するため
に、１ｍＡを流した時の電極２，３間のバリスタ
電圧V1、非直線指数α、tanδを測定したところ、
第２表に示すように、288V、14.7、2.70％であつ
た。 また、バリスタに10kVの電圧サージ（1.2−
50μsec）印加し、オシロスコープによつてこの時
の制限電圧（抑制値）LVを求め、この制御電圧
LVとバリスタ電圧V1との比LV／V1を求めたと
ころ、4.3であつた。また、耐サージ特性を調べ
るために、バリスタに８×20μsecの波形3000Aの
波高値を有するサージ電流を３回流し、バリスタ
電圧V1の変化率ΔV1（％）を求めたところ、−
28.5％であつた。 試料No.２〜12においても、組成を第１表に示す
ように種々変えた他は、同一の製造方法でバリス
タを作り、諸特性を測定したところ、第２表に示
す結果が得られた。 なお、試料No.６は制限電圧比LV／V1を求める
時に磁器１が破壊した。従つて、この試料No.６の
バリスタの制限電圧光及びバリスタ電圧の変化率
は不明であり、本発明の範囲外のものである。 比較のために、従来の方法でバリスタを作り、
諸特性を測定した。第３表は比較例のバリスタ磁
器の組成を示す。この比較例を示す試料No.13〜24
の完成した磁器の組成は、第１表の試料No.１〜12
の完成した磁器の組成と実質的に同一である。試
料No.13のバリスタを作る時には、まず、
SrCO3100モル部及びTiO2100モル部を秤量し水
を加えてボールミルに15時間混合した後、脱水乾
燥し、空気中で温度1200℃で仮焼してSrTiO3を
得、これをアトマイザーにより粉砕してSrTiO3
粉末を得た。次に、第３表に示すように、
SrTiO3を100モル部、Nb2O5を0.005モル部、
SiO2を１モル部、Al2O3を0.1モル部、CuOを0.05
モル部となるように各原料を秤量し、これ等に水
を加えてボールミルで15時間混合した後、脱水乾
燥した。次に、上述のようにして得られた原料粉
末を使用して試料No.１と同一の方法で成型体を作
り、同一の方法で焼成して焼結体を得、同一の方
法でNa系ガラスのペースト塗布及び熱処理を施
してバリスタ磁器を得、試料No.１と同一の構成の
バリスタを完成させ、同一の方法で諸特性を調べ
たところ、第４表に示す結果が得られた。なお、
試料No.14〜24においても試料No.13と同一の方法で
バリスタを作り、同一の方法で特性を測定した。 なお、本発明に従う試料No.２におけるバリスタ
電圧V1の変化率△V1グラフで示すと第４図のＡ
となり、また、比較例の試料No.14のバリスタ電圧
の変化率△V1を示すと第４図のＢになる。この
第４図には電流サージを10回印加した場合のバリ
スタ電圧の変化率△V1も示されている。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
試料No.１〜12と試料No.13〜24との比較から明ら
かなように、本発明に従う製造方法によれば、制
限電圧比LV／V1を改善し、サージ電圧を低い値
に抑制することが可能になる。また、バリスタ電
圧の変化率△V1が大幅に小さくなる。即ち、耐
サージ性が大幅に改善される。 なお、半導体化元素（Nb、Ｗ、La、Ta等）
の添加量が0.001モル部未満では実質的に効果が
得られず、また、2.5モル部を越えると、これ等
が焼結体の結晶粒界に析出し、特性が劣化する。
従つて、半導体化元素の好ましい添加量は0.001
〜2.500モル部である。 ［変形例］ 以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものでなく、例えば次の変
形が可能なものである。 (1) 半導体化元素の金属酸化物としてNb、Ｗ、
Laの酸化物以外のTa（タンタル）、Ce（セリウ
ム）、Nd（ネオジム）、Ｙ（イツトリウム）、Sm
（サマリウム）、Dy（ジスプロシウム）、Gd（ガ
ドリウム）の酸化物（Ta2O2、CeO2、Nd2O3、
Y2O3、Sm2O3、Dy2O3、Gd2O3）を使用する
場合にも同様な効果が得られることが確認され
ている。 (2) 仮焼の温度を800〜1300℃の範囲とすること
が望ましい。800℃よりも低いと反応が終了せ
ず、また1300℃よりも高いと焼結が始まつてし
まう。焼結体を得る時の焼結温度は1300〜1500
℃とすることが望ましい。焼結体の酸化雰囲気
中で熱処理の温度は850〜1300℃とすることが
望ましい。 (3) Na系ガラス被覆を形成して熱処理する工程
を省いたものにおいても本発明の作用効果が得
られことが確認されている。また、NaF又は
Na2OをSi酸化物、Al酸化物、Cu酸化物等と共
に混合し、成型体に予め含めることもできる。
かなように、本発明に従う製造方法によれば、制
限電圧比LV／V1を改善し、サージ電圧を低い値
に抑制することが可能になる。また、バリスタ電
圧の変化率△V1が大幅に小さくなる。即ち、耐
サージ性が大幅に改善される。 なお、半導体化元素（Nb、Ｗ、La、Ta等）
の添加量が0.001モル部未満では実質的に効果が
得られず、また、2.5モル部を越えると、これ等
が焼結体の結晶粒界に析出し、特性が劣化する。
従つて、半導体化元素の好ましい添加量は0.001
〜2.500モル部である。 ［変形例］ 以上、本発明の実施例について述べたが、本発
明はこれに限定されるものでなく、例えば次の変
形が可能なものである。 (1) 半導体化元素の金属酸化物としてNb、Ｗ、
Laの酸化物以外のTa（タンタル）、Ce（セリウ
ム）、Nd（ネオジム）、Ｙ（イツトリウム）、Sm
（サマリウム）、Dy（ジスプロシウム）、Gd（ガ
ドリウム）の酸化物（Ta2O2、CeO2、Nd2O3、
Y2O3、Sm2O3、Dy2O3、Gd2O3）を使用する
場合にも同様な効果が得られることが確認され
ている。 (2) 仮焼の温度を800〜1300℃の範囲とすること
が望ましい。800℃よりも低いと反応が終了せ
ず、また1300℃よりも高いと焼結が始まつてし
まう。焼結体を得る時の焼結温度は1300〜1500
℃とすることが望ましい。焼結体の酸化雰囲気
中で熱処理の温度は850〜1300℃とすることが
望ましい。 (3) Na系ガラス被覆を形成して熱処理する工程
を省いたものにおいても本発明の作用効果が得
られことが確認されている。また、NaF又は
Na2OをSi酸化物、Al酸化物、Cu酸化物等と共
に混合し、成型体に予め含めることもできる。
第１図は本発明の実施例に従うバリスタ磁器を
示す正面図、第２図は本発明の実施例に従うバリ
スタを示す平面図、第３図は第２図のバリスタの
正面図、第４図は試料No.２及び14の電流サージ印
加回数とバリスタ電圧の変化率△V1との関係を
示す図である。 １……バリスタ磁器、２，３……電極。
示す正面図、第２図は本発明の実施例に従うバリ
スタを示す平面図、第３図は第２図のバリスタの
正面図、第４図は試料No.２及び14の電流サージ印
加回数とバリスタ電圧の変化率△V1との関係を
示す図である。 １……バリスタ磁器、２，３……電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ チタンの酸化物100モル部と、SrCO3又は高
温で分解してストロンチウムの酸化物となるスト
ロンチウム化合物100モル部と、Nb、Ｗ、La、
Ta、Ce、Nd、Ｙ、Sm、Dy、Gdの各金属酸化
物の内の少なくとも１種から成る半導体化添加物
0.001〜2.500モル部との混合物を酸化雰囲気中、
800℃〜1300℃の範囲内の温度で仮焼してSrTiO3
を含む半導体磁器材料を得る工程と、 SrTiO3に換算して100モル部の前記半導体磁器
材料と、Si酸化物、Al酸化物及びCu酸化物の内
の少なくとも１種の金属酸化物0.020〜2.000モル
部とから成るバリスタ用混合物を得る工程と、 前記バリスタ用混合物の成型体を得る工程と、 前記成型体を非酸化性雰囲気で焼成して焼結体
を得る工程と、 前記焼結体に酸化性雰囲気で熱処理を施す工程
と を備えていることを特徴とするバリスタ磁器の製
造方法。 ２ 更に、前記焼結体を酸化性雰囲気で熱処理す
る工程の前に、前記焼結体にNaを含む物質の被
覆を形成する工程を有することを特徴とする請求
項１記載のバリスタ磁器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283711A JPH03146467A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | バリスタ磁器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1283711A JPH03146467A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | バリスタ磁器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03146467A JPH03146467A (ja) | 1991-06-21 |
| JPH0567590B2 true JPH0567590B2 (ja) | 1993-09-27 |
Family
ID=17669094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1283711A Granted JPH03146467A (ja) | 1989-10-31 | 1989-10-31 | バリスタ磁器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03146467A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02180749A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-13 | Murata Mfg Co Ltd | 電圧非直線抵抗体用磁器組成物 |
-
1989
- 1989-10-31 JP JP1283711A patent/JPH03146467A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03146467A (ja) | 1991-06-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6257245B2 (ja) | ||
| US4535064A (en) | Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor | |
| JPH0524646B2 (ja) | ||
| KR940001654B1 (ko) | 반도전성 세라믹 조성물 | |
| JPH0567590B2 (ja) | ||
| KR100312605B1 (ko) | 반도체 세라믹 및 반도체 세라믹 전자 소자 | |
| JP2956131B2 (ja) | チタン酸ストロンチウム系半導体磁器およびその製造方法 | |
| Ravi et al. | A Novel Method for the Uniform Incorporation of Grain‐Boundary Layer Modifiers in Positive Temperature Coefficient of Resistivity Barium Titanate | |
| JP2689439B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器素体 | |
| JPS606535B2 (ja) | 磁器組成物 | |
| JP3124896B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JP3385626B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2934388B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JP3189341B2 (ja) | 複合バリスタ | |
| JP2520699B2 (ja) | 電圧依存非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH02213101A (ja) | 粒界バリア型高静電容量セラミックバリスタの製造方法 | |
| KR970008814B1 (ko) | 입계절연형 반도체 자기조성물 및 그 제조방법 | |
| JPH0362005B2 (ja) | ||
| JPH05198408A (ja) | 半導体磁器バリスタの製造方法 | |
| JPH0362003B2 (ja) | ||
| JPH04320302A (ja) | 半導体磁器バリスタおよびその製造方法 | |
| JPH05258918A (ja) | 電圧非直線抵抗体用電極材料 | |
| JPS6044816B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS5857843B2 (ja) | 磁器誘電体組成物 | |
| JPH0514409B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |