JPS6044816B2 - 半導体磁器コンデンサ用組成物 - Google Patents
半導体磁器コンデンサ用組成物Info
- Publication number
- JPS6044816B2 JPS6044816B2 JP51134562A JP13456276A JPS6044816B2 JP S6044816 B2 JPS6044816 B2 JP S6044816B2 JP 51134562 A JP51134562 A JP 51134562A JP 13456276 A JP13456276 A JP 13456276A JP S6044816 B2 JPS6044816 B2 JP S6044816B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric loss
- composition
- semiconductor ceramic
- temperature
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 15
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 17
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 11
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- -1 bO) Chemical class 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- UDRRLPGVCZOTQW-UHFFFAOYSA-N bismuth lead Chemical compound [Pb].[Bi] UDRRLPGVCZOTQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 210000003296 saliva Anatomy 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン酸ストロンチウム系半導体磁器を基
体とし、高誘電率で平坦な誘電率温度特性を有し、絶縁
抵抗、誘電体損失のすぐれた半導体磁器コンデンサ用組
成物に関するものである。
体とし、高誘電率で平坦な誘電率温度特性を有し、絶縁
抵抗、誘電体損失のすぐれた半導体磁器コンデンサ用組
成物に関するものである。
従来より、チタン酸ストロンチウム系組成物にＹ、Ｎ
ｂ、Ｄｙ、Ｔａ、Ｗなどの原子価制御元素を１種または
２種以上添加するか、またはこれらの原子価制御元素と
一緒にさらにＺｎＯ、ＧｅＯ。ＣｕＯを添加し、還元雰
囲気中で焼成して得られたチタン酸ストロンチウム系半
導体磁器に、酸化ビスマス（Ｂ１。Ｏ０）、酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）などの金属酸化物を塗布し、磁器の結晶粒界に金
属酸化物を拡散させて粒界に絶縁層を形成し、磁器の表
面に電極を設けることにより、大容量のコンデンサが得
られることは知られている。 このようなコンデンサの
うち、ＳｒＴｉＯ。を主体とし、これに添加物としてＹ
。Ｏ。を０．０７５モル％、ＴｉＯ２を０．５モル％加
えた組成比からなるものを大気中１１５０℃、２時間で
仮焼成し、次いで水素ル容量％、窒素８熔量％からなる
還元雰囲気中で１４００〜１４３００Ｃ、２時間焼成し
て磁器試料を作成した。 得られた試料にＢｉ。Ｏ。と
ワニスを混練した金属酸化物ペーストを塗布し、大気中
９００〜１３０００Ｃで１時間焼付けをし、さらに電極
を形成したコンデンサを作成したところ、第１図、第２
図にそれぞれ示すような見掛誘電率の温度特性、誘電体
損失の温度特性が得られた。 図から明らかなように、
この種のコンデンサは磁器の結晶粒界にＢｉ。Ｏ。を拡
散させるときの熱処理温度と得られるコンデンサの特性
の間に密接な関連性があり、特に見掛誘電率の温度特性
は低温度で熱処理したものの方が平坦になつている。た
とえば、熱処理温度が１３００℃のとき、−３０〜＋
８５℃の温度範囲で＋２５゜Ｃのときの見掛誘電率を基
準とした場合、その温度特性は＋１８〜−１４．５％で
あるが、９００℃で熱処理すると＋２．４〜−１．３％
とかなり平坦になる。しかしながら、熱処理温度を低く
して見掛誘電率の温度特性を平坦にしたとしても、第２
図から明らかなように、誘電体損失が著しく劣化してい
る。 このように従来のものは見掛誘電率の温度特性が
平坦であつても誘電体損失が悪く、このほか絶縁抵抗の
劣化も認められ、さらに印加電圧が高くなると特性が悪
くなつて、低い電圧でしか利用できないという欠点がみ
られた。
ｂ、Ｄｙ、Ｔａ、Ｗなどの原子価制御元素を１種または
２種以上添加するか、またはこれらの原子価制御元素と
一緒にさらにＺｎＯ、ＧｅＯ。ＣｕＯを添加し、還元雰
囲気中で焼成して得られたチタン酸ストロンチウム系半
導体磁器に、酸化ビスマス（Ｂ１。Ｏ０）、酸化鉛（Ｐ
ｂＯ）などの金属酸化物を塗布し、磁器の結晶粒界に金
属酸化物を拡散させて粒界に絶縁層を形成し、磁器の表
面に電極を設けることにより、大容量のコンデンサが得
られることは知られている。 このようなコンデンサの
うち、ＳｒＴｉＯ。を主体とし、これに添加物としてＹ
。Ｏ。を０．０７５モル％、ＴｉＯ２を０．５モル％加
えた組成比からなるものを大気中１１５０℃、２時間で
仮焼成し、次いで水素ル容量％、窒素８熔量％からなる
還元雰囲気中で１４００〜１４３００Ｃ、２時間焼成し
て磁器試料を作成した。 得られた試料にＢｉ。Ｏ。と
ワニスを混練した金属酸化物ペーストを塗布し、大気中
９００〜１３０００Ｃで１時間焼付けをし、さらに電極
を形成したコンデンサを作成したところ、第１図、第２
図にそれぞれ示すような見掛誘電率の温度特性、誘電体
損失の温度特性が得られた。 図から明らかなように、
この種のコンデンサは磁器の結晶粒界にＢｉ。Ｏ。を拡
散させるときの熱処理温度と得られるコンデンサの特性
の間に密接な関連性があり、特に見掛誘電率の温度特性
は低温度で熱処理したものの方が平坦になつている。た
とえば、熱処理温度が１３００℃のとき、−３０〜＋
８５℃の温度範囲で＋２５゜Ｃのときの見掛誘電率を基
準とした場合、その温度特性は＋１８〜−１４．５％で
あるが、９００℃で熱処理すると＋２．４〜−１．３％
とかなり平坦になる。しかしながら、熱処理温度を低く
して見掛誘電率の温度特性を平坦にしたとしても、第２
図から明らかなように、誘電体損失が著しく劣化してい
る。 このように従来のものは見掛誘電率の温度特性が
平坦であつても誘電体損失が悪く、このほか絶縁抵抗の
劣化も認められ、さらに印加電圧が高くなると特性が悪
くなつて、低い電圧でしか利用できないという欠点がみ
られた。
この発明は誘電率が大きく、見掛誘電率の温度特性が
平坦で、絶縁抵抗、誘電体損失のすぐれたコンデンサか
ら得られる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供するこ
とを目的とする。
平坦で、絶縁抵抗、誘電体損失のすぐれたコンデンサか
ら得られる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供するこ
とを目的とする。
特に誘電体損失の電圧依存性の小さいコンデンサが得ら
れる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供することを目
的とする。すなわち、この発明の要旨とするところは、
チタン酸ストロンチウムを主体とし、これにＹからなる
原子価制御元素を添加して還元雰囲気中で焼結して得ら
れたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒界に
、酸化ビスマスがＢｉ２Ｏ３に換算して８５．０〜９９
．９重量％、酸化銅がＣｕＯに換算して、０．１〜１５
．０重量％からなる金属酸化物が拡散され、結晶粒界が
絶縁体化されていることを特徴とするものであ・る。
れる半導体磁器コンデンサ用組成物を提供することを目
的とする。すなわち、この発明の要旨とするところは、
チタン酸ストロンチウムを主体とし、これにＹからなる
原子価制御元素を添加して還元雰囲気中で焼結して得ら
れたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒界に
、酸化ビスマスがＢｉ２Ｏ３に換算して８５．０〜９９
．９重量％、酸化銅がＣｕＯに換算して、０．１〜１５
．０重量％からなる金属酸化物が拡散され、結晶粒界が
絶縁体化されていることを特徴とするものであ・る。
金属酸化物の組成比を限定した理由は、酸化ピスマスが
８５．唾量％未満になると、誘電体損失が大きくなると
ともにその温度特性が悪くなる。
８５．唾量％未満になると、誘電体損失が大きくなると
ともにその温度特性が悪くなる。
また９９．踵量％を越えると、絶縁抵抗、誘電体損失が
悪くなり、熱処理温度の変化による特性への影響が大き
くなる。また酸化銅が０．１重量％未満では誘電体損失
の電圧依存性を改善する効果がなく、１５重量％を越え
ると誘電体損失、特に高温側での誘電体損失が劣化する
。なお、酸化銅の量は上記のように金属酸化物の中で問
題になるとともに、主体となるチタン酸ストロンチウム
系半導体磁器の重量当たり、金属酸化物の重量に換算し
て０．踵量％以下であることが好ましく、この範囲を越
える誘電体損失が劣化して所定の特性のものが得られに
くくなる。
悪くなり、熱処理温度の変化による特性への影響が大き
くなる。また酸化銅が０．１重量％未満では誘電体損失
の電圧依存性を改善する効果がなく、１５重量％を越え
ると誘電体損失、特に高温側での誘電体損失が劣化する
。なお、酸化銅の量は上記のように金属酸化物の中で問
題になるとともに、主体となるチタン酸ストロンチウム
系半導体磁器の重量当たり、金属酸化物の重量に換算し
て０．踵量％以下であることが好ましく、この範囲を越
える誘電体損失が劣化して所定の特性のものが得られに
くくなる。
また、ここでチタン酸ストロンチウム系半導体磁器とは
、ＳｒＴｉＯ３のみだけではなく、ＳｒＴｌＯ３の一部
をＣａ（３０原子％以下）、Ｂａ（１０原子％以下）で
置換したものを意味する。ここで、ＳｒＴｉＯ３のＳｒ
の一部をＣａ，Ｂａで置換したチタン酸ストロンチウム
系半導体磁器は昭和５＠に発行された研究実用化報告別
冊第２８号、第２２１頁、表３５にすでに開示されてい
る。すなわち、これら置換元素を含むチタン酸ストロン
チウム系半導体磁器はＳｒＴｉＯ３により構成された半
導体磁器コンデンサが有する性質を損なわれたものであ
り、各置換元素によつて個々に特性改善を図つたもので
ある。
、ＳｒＴｉＯ３のみだけではなく、ＳｒＴｌＯ３の一部
をＣａ（３０原子％以下）、Ｂａ（１０原子％以下）で
置換したものを意味する。ここで、ＳｒＴｉＯ３のＳｒ
の一部をＣａ，Ｂａで置換したチタン酸ストロンチウム
系半導体磁器は昭和５＠に発行された研究実用化報告別
冊第２８号、第２２１頁、表３５にすでに開示されてい
る。すなわち、これら置換元素を含むチタン酸ストロン
チウム系半導体磁器はＳｒＴｉＯ３により構成された半
導体磁器コンデンサが有する性質を損なわれたものであ
り、各置換元素によつて個々に特性改善を図つたもので
ある。
この発明において、Ｓｒの一部を３０原子％以下のＣａ
で置換したものは、ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量温度特
性を改善することができるものである。しかしながら、
３０原子％を越えると容量が小さくなり好ましくない。
またＳｒの一部を１０原子％以下の？で置換したものは
、ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量が大きくなるとともに抗
析強度を向上させることができるが、１０原子％を越え
ると誘電体損失が悪くなる。なお、このチタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器において、ＴｉＯ２を過剰に含有
させることはたとえば特開昭５１−１２５８９鰻公報に
開示されており、この発明においても５モル％未満まで
のＴｉＯ２を過剰に加えると低温で焼結でき、粒成長が
促進され、また見掛誘電率の温度特性が改善されるなど
好ましい結果を示す。
で置換したものは、ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量温度特
性を改善することができるものである。しかしながら、
３０原子％を越えると容量が小さくなり好ましくない。
またＳｒの一部を１０原子％以下の？で置換したものは
、ＳｒＴｉＯ３にくらべて容量が大きくなるとともに抗
析強度を向上させることができるが、１０原子％を越え
ると誘電体損失が悪くなる。なお、このチタン酸ストロ
ンチウム系半導体磁器において、ＴｉＯ２を過剰に含有
させることはたとえば特開昭５１−１２５８９鰻公報に
開示されており、この発明においても５モル％未満まで
のＴｉＯ２を過剰に加えると低温で焼結でき、粒成長が
促進され、また見掛誘電率の温度特性が改善されるなど
好ましい結果を示す。
以下この発明を実施例に従つて詳述する。
実施例 １
第１表に示すような組成比率の磁器組成物が得られるよ
うに、ＳｒＴｌＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３など
の主体原料、Ｙ２Ｏ３からなる原子価制御元素の各”原
料を適宣配合し、湿式ポツトミルで粉砕、混合したのち
脱水、乾燥した。
うに、ＳｒＴｌＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＢａＴｉＯ３など
の主体原料、Ｙ２Ｏ３からなる原子価制御元素の各”原
料を適宣配合し、湿式ポツトミルで粉砕、混合したのち
脱水、乾燥した。
次にバインダとして酢酸ビニル樹脂を約１呼量％添加し
て、約５０メツシユに造粒、整粒、油圧プレスを用いて
直径１２．５薗肉厚０．６Ｔｎ！ｎの円板に成型した。
成型円板を大気中１１５０℃で２時間仮焼成し、次いで
水素１熔量％、窒素８容量％からなる還元性雰囲気中に
おいて、１４００〜１４３０℃で２時間一次焼成を行い
、直径１０ｗ０ｎ１肉厚０．５？のチタン酸ストロンチ
ウム系半導体磁器試料を得た。
て、約５０メツシユに造粒、整粒、油圧プレスを用いて
直径１２．５薗肉厚０．６Ｔｎ！ｎの円板に成型した。
成型円板を大気中１１５０℃で２時間仮焼成し、次いで
水素１熔量％、窒素８容量％からなる還元性雰囲気中に
おいて、１４００〜１４３０℃で２時間一次焼成を行い
、直径１０ｗ０ｎ１肉厚０．５？のチタン酸ストロンチ
ウム系半導体磁器試料を得た。
得られた試料に酸化ビスマス、酸化銅からなる金属酸化
物のペーストを塗布した。
物のペーストを塗布した。
この金属酸化物ペーストは酸化ビスマス、酸化銅とワニ
スを混練したものである。試料にペーストを塗布する量
は試料の重量当たり金属酸化物に重量に換算して１．５
重量％とし、このペーストを試料の全面に一様な厚さに
塗布し、乾燥させたのち、大気中９００〜１３００℃で
約１時間焼付けを行つた。さらに、硼硅酸ビスマス鉛を
フリツトとして、これを４重量％含む銀ペーストを試料
の両面に外径８ＷＬの大きさに円形に塗布し、大気中８
００℃で焼付けて電極を形成してコンデンサを作成した
。
スを混練したものである。試料にペーストを塗布する量
は試料の重量当たり金属酸化物に重量に換算して１．５
重量％とし、このペーストを試料の全面に一様な厚さに
塗布し、乾燥させたのち、大気中９００〜１３００℃で
約１時間焼付けを行つた。さらに、硼硅酸ビスマス鉛を
フリツトとして、これを４重量％含む銀ペーストを試料
の両面に外径８ＷＬの大きさに円形に塗布し、大気中８
００℃で焼付けて電極を形成してコンデンサを作成した
。
各コンデンサについて、２５℃、１ＫＨｚ−０．３Ｖで
見掛誘電率（εｓ）、誘電体損失（捻ｎζ）を測定し、
２５℃て順当たり５０Ｖの印加電圧で抵抗率を測定し、
さらに−３０〜＋８５℃の温度範囲で＋２５℃を基準と
しての見掛誘電率の温度変化率および誘電体損失（Ｔａ
ｎζ）の温度変化率を測定した。第２表はその測定結果
を示したものである。なお、第１表、第２表中※印を付
したものは、この発明範囲外のもの、それ以外はすべて
この発明範囲内のものである。第３図は試料番号１−１
，１−５，１−７， １−１４について、金属酸化物を
磁器の粒界に拡散させるときの熱処理温度と見掛誘電率
の関係を示したものである。
見掛誘電率（εｓ）、誘電体損失（捻ｎζ）を測定し、
２５℃て順当たり５０Ｖの印加電圧で抵抗率を測定し、
さらに−３０〜＋８５℃の温度範囲で＋２５℃を基準と
しての見掛誘電率の温度変化率および誘電体損失（Ｔａ
ｎζ）の温度変化率を測定した。第２表はその測定結果
を示したものである。なお、第１表、第２表中※印を付
したものは、この発明範囲外のもの、それ以外はすべて
この発明範囲内のものである。第３図は試料番号１−１
，１−５，１−７， １−１４について、金属酸化物を
磁器の粒界に拡散させるときの熱処理温度と見掛誘電率
の関係を示したものである。
第４図は同じく熱処理温度と誘電ノ体損失の関係図、第
５図は同じく熱処理温度と抵抗率の関係図、第６図は同
じく熱処理温度と見掛誘電率の温度変化率の関係図であ
る。また第７図は試料番号１−１，１−５，１−７，１
−１４について、２５℃において１ＫＨｚ１０．３Ｖｒ
ｍｓの条件で測定した見掛誘電率、誘電体損失のバイア
ス電圧依存性を示したものである。
５図は同じく熱処理温度と抵抗率の関係図、第６図は同
じく熱処理温度と見掛誘電率の温度変化率の関係図であ
る。また第７図は試料番号１−１，１−５，１−７，１
−１４について、２５℃において１ＫＨｚ１０．３Ｖｒ
ｍｓの条件で測定した見掛誘電率、誘電体損失のバイア
ス電圧依存性を示したものである。
次に、第８図には半導体磁器の結晶粒界に拡散する酸化
ビスマス、酸化銅からなる金属酸化物について、その酸
化銅の量を変化させたときの各電気的特性との関係を示
した。なお、半導体磁器の組成としては、ＳｒＴｌＯ３
９９．８５モル％、Ｙ２Ｏ３Ｏ．ｌ５モル％のものを用
い、金属酸化物ペーストの拡散熱処理温度を１１００℃
とした。実施例 ２ 半導体磁器の組成についてＴｉＯ，の量を変化させたと
きの各電気的特性について測定し、その結果を第９図に
示した。
ビスマス、酸化銅からなる金属酸化物について、その酸
化銅の量を変化させたときの各電気的特性との関係を示
した。なお、半導体磁器の組成としては、ＳｒＴｌＯ３
９９．８５モル％、Ｙ２Ｏ３Ｏ．ｌ５モル％のものを用
い、金属酸化物ペーストの拡散熱処理温度を１１００℃
とした。実施例 ２ 半導体磁器の組成についてＴｉＯ，の量を変化させたと
きの各電気的特性について測定し、その結果を第９図に
示した。
このときのＹ２Ｏ３＝０．１５モル％とした。半導体磁
器の結晶粒界を絶縁体化する金属酸化物として、酸化ビ
スマスと酸化銅の割合が９鍾量％：４重量％のものを用
い、１１００℃で熱拡散させた。以上のごとくこの発明
によれば、大きな誘電率が得られ、誘電体損失、抵抗率
も良好であり、見掛誘電率、誘電体損失の温度特性も平
坦てある。
器の結晶粒界を絶縁体化する金属酸化物として、酸化ビ
スマスと酸化銅の割合が９鍾量％：４重量％のものを用
い、１１００℃で熱拡散させた。以上のごとくこの発明
によれば、大きな誘電率が得られ、誘電体損失、抵抗率
も良好であり、見掛誘電率、誘電体損失の温度特性も平
坦てある。
５また金属酸化物を磁器の粒界に拡散させるとき、熱処
理温度が変化しても各特性のバラツキは従来のものにく
らべて小さくなつている。
理温度が変化しても各特性のバラツキは従来のものにく
らべて小さくなつている。
さらにこの発明のものは高い電圧を印加しても誘電体損
失は小さい値を示し、低い電圧のみならず高い電圧を印
加しても十分満足できる特性を得られ、バイアス電圧依
存性が小さいという特徴を有している。
失は小さい値を示し、低い電圧のみならず高い電圧を印
加しても十分満足できる特性を得られ、バイアス電圧依
存性が小さいという特徴を有している。
第１図は従来例の見掛誘電率の温度特性図、第゛２図は
従来例の誘電体損失の温度特性図、第３図は金属酸化物
の熱処理温度と見掛誘電率の関係図、第４図は同じく熱
処理温度と誘電体損失の関係図、第５図は同じく熱処理
温度と抵抗率の関係図、第６図は同じく熱処理温度と見
掛誘電率の温度変化率の関係図、第７図は見掛誘電率、
誘電体損失とバイアス電圧の関係図、第８図は酸化銅の
量を変化させたときの各電気的特性との関係を示す図、
第９図ＴｉＯ２の量を変化させたときの各電気的特性と
の関係を示す図である。
従来例の誘電体損失の温度特性図、第３図は金属酸化物
の熱処理温度と見掛誘電率の関係図、第４図は同じく熱
処理温度と誘電体損失の関係図、第５図は同じく熱処理
温度と抵抗率の関係図、第６図は同じく熱処理温度と見
掛誘電率の温度変化率の関係図、第７図は見掛誘電率、
誘電体損失とバイアス電圧の関係図、第８図は酸化銅の
量を変化させたときの各電気的特性との関係を示す図、
第９図ＴｉＯ２の量を変化させたときの各電気的特性と
の関係を示す図である。
Claims (1)
- １ チタン酸ストロンチウムを主体とし、これにＹから
なる原子価制御元素を添加して環元雰囲気中で焼結して
得られたチタン酸ストロンチウム系半導体磁器の結晶粒
界に、酸化ビスマスがＢｉ＿２Ｏ＿３に換算して８５．
０〜９９．９重量％、酸化銅がＣｕＯに換算して、０．
１〜１５．０重量％、からなる金属酸化物が拡散され、
結晶粒界が絶縁体化されていることを特徴とする半導体
磁器コンデンサ用組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51134562A JPS6044816B2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP51134562A JPS6044816B2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5358700A JPS5358700A (en) | 1978-05-26 |
| JPS6044816B2 true JPS6044816B2 (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=15131224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51134562A Expired JPS6044816B2 (ja) | 1976-11-08 | 1976-11-08 | 半導体磁器コンデンサ用組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044816B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3484332D1 (de) * | 1983-02-10 | 1991-05-02 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Porzellanzusammensetzung fuer spannungsabhaengigen nichtlinearen resistor. |
| US4889837A (en) * | 1986-09-02 | 1989-12-26 | Tdk Corporation | Semiconductive ceramic composition |
-
1976
- 1976-11-08 JP JP51134562A patent/JPS6044816B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5358700A (en) | 1978-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6328324B2 (ja) | ||
| JPH0226775B2 (ja) | ||
| JPS6044816B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6043651B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS5820133B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用磁器およびその製造方法 | |
| JPS6133249B2 (ja) | ||
| JP2689439B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器素体 | |
| JPS6046811B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6057213B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器コンデンサの製造方法 | |
| JPS6126208B2 (ja) | ||
| JP2956131B2 (ja) | チタン酸ストロンチウム系半導体磁器およびその製造方法 | |
| JPS6048897B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS6133250B2 (ja) | ||
| JPH04170361A (ja) | チタン酸バリウム系半導体磁器組成物 | |
| JPS61240622A (ja) | 半導体磁器用組成物及び該組成物を用いた半導体磁器並びにコンデンサ− | |
| JP2934388B2 (ja) | 半導体磁器の製造方法 | |
| JPH0815005B2 (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JP2725405B2 (ja) | 電圧依存性非直線抵抗体磁器及びその製造方法 | |
| JPS5910950B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPS6316504A (ja) | セラミツク形成組成物及びこれを用いた半導体磁器基体と誘電体磁器基体並びにコンデンサ− | |
| JPS6046813B2 (ja) | 半導体磁器コンデンサ用組成物 | |
| JPS61253812A (ja) | 半導体コンデンサ用磁器組成物 | |
| JPS6126207B2 (ja) | ||
| JPS5910949B2 (ja) | 粒界絶縁型半導体磁器組成物 | |
| JPS6223405B2 (ja) |