JPH0567861A - フオトレジストの塗布方法 - Google Patents
フオトレジストの塗布方法Info
- Publication number
- JPH0567861A JPH0567861A JP25276591A JP25276591A JPH0567861A JP H0567861 A JPH0567861 A JP H0567861A JP 25276591 A JP25276591 A JP 25276591A JP 25276591 A JP25276591 A JP 25276591A JP H0567861 A JPH0567861 A JP H0567861A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- pulled
- substrate
- dip
- dried
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Coating Apparatus (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント配線回路基板を作製するに際して、
プリント配線基板上に全面に均一な厚さのフォトレジス
ト膜を塗布する方法を提供すること。 【構成】 該基板にディップ方式によりフォトレジスト
を塗布する方法において、該基板を浸漬、引上げ、乾燥
し、浸漬方向に対して法線方向を回転の軸として１８０
°回転させ、再び浸漬、引上げ、乾燥するまでのサイク
ルを１回以上行なう。
プリント配線基板上に全面に均一な厚さのフォトレジス
ト膜を塗布する方法を提供すること。 【構成】 該基板にディップ方式によりフォトレジスト
を塗布する方法において、該基板を浸漬、引上げ、乾燥
し、浸漬方向に対して法線方向を回転の軸として１８０
°回転させ、再び浸漬、引上げ、乾燥するまでのサイク
ルを１回以上行なう。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線回路基板
を作製するに際して、プリント配線基材上にフォトレジ
スト膜を形成させる方法に関する。
を作製するに際して、プリント配線基材上にフォトレジ
スト膜を形成させる方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、プリント配線基板の作製には、銅
ポリイミド樹脂基板の基材にフォトレジストを塗布し、
逆パターン露光現像し、次に銅をアディティブめつき
し、フォトレジストを剥離し、スパッタした銅をフラッ
シュエッチし、そしてフォトレジストを両面にコート
し、ポリイミドフィルム両側を露光・現像し、ポリイミ
ドフィルムを化学エッチングして孔開けを行い、フォト
レジストを剥離後、仕上げめつきしてプリント配線回路
基板が製造される。これらのプリント回路基板の作製で
は、最初の工程で銅ポリイミド樹脂基板にフォトレジス
トを塗布する必要がある。ディップコーターを用いて、
フォトレジストを塗布するディップコート法は、浸漬固
定治具金属薄板（ステンレス板、銅板）に銅ポリイミド
樹脂基板を張り付け、鉛直に固定しフォトレジストを満
たした槽中へ一定の速度で沈め、数秒浸漬した後、再び
一定の速度で引き上げる方式により行われる。この方法
で等速引き上げコーティングした場合、フォトレジスト
が重力による垂れを生じ、上部の１／３〜１／４の部分
に膜厚ムラが生じる。１シート内の膜厚にバラツキがあ
ると、マスクとの密着性が悪くなり、現像後のフォトレ
ジストパターンのエッジが鈍くなる。フォトレジストパ
ターンのエッジの垂直性が悪いと、めつき形成工程で精
度よく回路形成することができない。したがって、フォ
トレジストは銅スパッタポリイミド基板の全面に渡って
中心値に対し、少なくとも±２μｍの膜厚であることが
望まれるが、しかしディップコート法はフォトレジスト
膜の厚みがバラツキが多く、その厚みの差は５μｍを越
えることが多く、実際に有効なフォトレジスト膜厚を有
する銅ポリイミド樹脂基板が殆ど得られない。
ポリイミド樹脂基板の基材にフォトレジストを塗布し、
逆パターン露光現像し、次に銅をアディティブめつき
し、フォトレジストを剥離し、スパッタした銅をフラッ
シュエッチし、そしてフォトレジストを両面にコート
し、ポリイミドフィルム両側を露光・現像し、ポリイミ
ドフィルムを化学エッチングして孔開けを行い、フォト
レジストを剥離後、仕上げめつきしてプリント配線回路
基板が製造される。これらのプリント回路基板の作製で
は、最初の工程で銅ポリイミド樹脂基板にフォトレジス
トを塗布する必要がある。ディップコーターを用いて、
フォトレジストを塗布するディップコート法は、浸漬固
定治具金属薄板（ステンレス板、銅板）に銅ポリイミド
樹脂基板を張り付け、鉛直に固定しフォトレジストを満
たした槽中へ一定の速度で沈め、数秒浸漬した後、再び
一定の速度で引き上げる方式により行われる。この方法
で等速引き上げコーティングした場合、フォトレジスト
が重力による垂れを生じ、上部の１／３〜１／４の部分
に膜厚ムラが生じる。１シート内の膜厚にバラツキがあ
ると、マスクとの密着性が悪くなり、現像後のフォトレ
ジストパターンのエッジが鈍くなる。フォトレジストパ
ターンのエッジの垂直性が悪いと、めつき形成工程で精
度よく回路形成することができない。したがって、フォ
トレジストは銅スパッタポリイミド基板の全面に渡って
中心値に対し、少なくとも±２μｍの膜厚であることが
望まれるが、しかしディップコート法はフォトレジスト
膜の厚みがバラツキが多く、その厚みの差は５μｍを越
えることが多く、実際に有効なフォトレジスト膜厚を有
する銅ポリイミド樹脂基板が殆ど得られない。
【０００３】解決案として、均一膜を得る方法として、
引上げ速度を三段階に変速する方法が提案されている
が、引上げ速度を変則させても、上部、下部のフォトレ
ジスト膜厚のムラを完全になくす事が出来ず、均一膜が
得られない不具合が生じている。
引上げ速度を三段階に変速する方法が提案されている
が、引上げ速度を変則させても、上部、下部のフォトレ
ジスト膜厚のムラを完全になくす事が出来ず、均一膜が
得られない不具合が生じている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題点
を解決し、プリント配線基板上に全面に均一な厚さのフ
ォトレジスト膜を塗布する方法を提供するものである。
を解決し、プリント配線基板上に全面に均一な厚さのフ
ォトレジスト膜を塗布する方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】すなわち本発明
によるフォトレジストの塗布方法は、プリント配線基板
をディップコーターの浸漬固定治具に装着し、鉛直に固
定し、フォトレジストを満たした槽中へ一定の速度で浸
漬し、数秒後再び一定の速度で引き上げるディップ方式
によりフォトレジストを塗布する方法において、塗布基
板を浸漬してから、引上げ、乾燥し、次いで浸漬方向に
対して法線方向を回転の軸として１８０°回転させて浸
漬後、引上げ、乾燥するまでを１サイクルとしこのサイ
クルを１回以上行う点に特徴がある。
によるフォトレジストの塗布方法は、プリント配線基板
をディップコーターの浸漬固定治具に装着し、鉛直に固
定し、フォトレジストを満たした槽中へ一定の速度で浸
漬し、数秒後再び一定の速度で引き上げるディップ方式
によりフォトレジストを塗布する方法において、塗布基
板を浸漬してから、引上げ、乾燥し、次いで浸漬方向に
対して法線方向を回転の軸として１８０°回転させて浸
漬後、引上げ、乾燥するまでを１サイクルとしこのサイ
クルを１回以上行う点に特徴がある。
【０００６】図１は、１サイクルによるフォトレジスト
を塗布した時のフォトレジストの粘度とフォトレジスト
の膜厚との関係を示す図である。実際には、所望とする
フォトレジスト膜厚に応じてフォトレジスト粘度を調整
すれば良い。本実験でのサイクルが１サイクルの場合は
フォトレジスト膜厚は全面に均一に塗布することが可能
である。その時の精度は±２μｍに制御する事が出来
る。もっと精度良くフォトレジストを塗布したい場合に
は、フォトレジストの粘度を低くし、サイクルを２回以
上にしたりして所望フォトレジスト膜厚を得ることがで
きる。このようにサイクルは均一膜厚を得る点では増や
せば有利であるが、乾燥工程が増えるため、作業効率な
どの点を考慮して決定すれば良い。
を塗布した時のフォトレジストの粘度とフォトレジスト
の膜厚との関係を示す図である。実際には、所望とする
フォトレジスト膜厚に応じてフォトレジスト粘度を調整
すれば良い。本実験でのサイクルが１サイクルの場合は
フォトレジスト膜厚は全面に均一に塗布することが可能
である。その時の精度は±２μｍに制御する事が出来
る。もっと精度良くフォトレジストを塗布したい場合に
は、フォトレジストの粘度を低くし、サイクルを２回以
上にしたりして所望フォトレジスト膜厚を得ることがで
きる。このようにサイクルは均一膜厚を得る点では増や
せば有利であるが、乾燥工程が増えるため、作業効率な
どの点を考慮して決定すれば良い。
【０００７】
【実施例】厚さ１mm、縦横３６０mm×２６０mmの長方形
のステンレス板の片面に銅スパッタポリイミドフィルム
基板（商品名 ETCH-A-FLEX サウスウォール（株）社
製）、厚さ５０μｍ、縦横３４０mm×２４０mmを銅面を
外側に向けて重ね空気が入らないように張り合わせマス
キングテープでシールを行なった。つづいて銅ポリイミ
ドフィルム基板を張り合わせたステンレス板の外周の一
辺上の３点をクリップで固定して吊り下げ、室温２５
℃、湿度５５％以下の環境下で行った。動粘度が４０ｃ
ｐｓの東京応化工業社製ネガレジスト［商品名 ＰＭＥ
ＲＮＨＣ−６００］を満たした槽に上部５mmを残して浸
漬し、液面が十分静止した後、５秒後引き上げた。この
際のディップコーティング条件を以下に示す。
のステンレス板の片面に銅スパッタポリイミドフィルム
基板（商品名 ETCH-A-FLEX サウスウォール（株）社
製）、厚さ５０μｍ、縦横３４０mm×２４０mmを銅面を
外側に向けて重ね空気が入らないように張り合わせマス
キングテープでシールを行なった。つづいて銅ポリイミ
ドフィルム基板を張り合わせたステンレス板の外周の一
辺上の３点をクリップで固定して吊り下げ、室温２５
℃、湿度５５％以下の環境下で行った。動粘度が４０ｃ
ｐｓの東京応化工業社製ネガレジスト［商品名 ＰＭＥ
ＲＮＨＣ−６００］を満たした槽に上部５mmを残して浸
漬し、液面が十分静止した後、５秒後引き上げた。この
際のディップコーティング条件を以下に示す。
【０００８】引上げ速度−３０mm／ｓｅｃの等速で引き
上げたのち、乾燥器内で吊り下げ５分間風乾し、その後
７０℃で１５分間クリップで吊り下げ熱風乾燥し、冷却
し、レジスト浸漬方向を法線方向を軸として１８０°回
転させ再び引上げ速度−３０mm／ｓｅｃの速度で引き上
げた後５分間乾燥器内で吊り下げ風乾し、その後７０℃
で３０分間熱風乾燥を行った。このように、ディップコ
ーター槽に偶数回ディップして得られた銅ポリイミドフ
ィルム基板を冷却後外周より３cmの部分を全周にわたっ
て切り、片面にレジスト塗布してある銅ポリイミド基板
１枚を得た。この方法で得られた銅ポリイミド基板上の
フォトレジスト膜厚の厚みを測定した結果を表１に示
す。
上げたのち、乾燥器内で吊り下げ５分間風乾し、その後
７０℃で１５分間クリップで吊り下げ熱風乾燥し、冷却
し、レジスト浸漬方向を法線方向を軸として１８０°回
転させ再び引上げ速度−３０mm／ｓｅｃの速度で引き上
げた後５分間乾燥器内で吊り下げ風乾し、その後７０℃
で３０分間熱風乾燥を行った。このように、ディップコ
ーター槽に偶数回ディップして得られた銅ポリイミドフ
ィルム基板を冷却後外周より３cmの部分を全周にわたっ
て切り、片面にレジスト塗布してある銅ポリイミド基板
１枚を得た。この方法で得られた銅ポリイミド基板上の
フォトレジスト膜厚の厚みを測定した結果を表１に示
す。
【０００９】
【表１】
【００１０】表１の結果から、本発明のフォトレジスト
の塗布方法により、厚さのバラツキの少ないフォトレジ
スト厚膜が得られることが判る。
の塗布方法により、厚さのバラツキの少ないフォトレジ
スト厚膜が得られることが判る。
【００１１】比較例として、引上げ速度を３０mm／ｓｅ
ｃの等速で引上げた後、乾燥器内で５分間吊り下げ風乾
し、その後７０℃で１５分間風乾燥し、冷却し、レジス
ト浸漬方向を法線方向を軸として１８０°回転させ再び
引上げ速度３０mm／ｓｅｃの速度で引上げた後５分間風
乾しその後７０℃で３０分間熱風乾燥を行った後、もう
一度更に引上げ速度３０mm／ｓｅｃの等速で引き上げた
後、５分間ディップコーター内で風乾し、７０℃で３０
分間熱風乾燥を行った。この様にディップコーターのタ
ンク槽に３回浸漬（奇数回ディップ）した方法の場合の
時のポリイミド基板上のフォトレジスト膜厚の厚みを測
定した結果を表２に示す。
ｃの等速で引上げた後、乾燥器内で５分間吊り下げ風乾
し、その後７０℃で１５分間風乾燥し、冷却し、レジス
ト浸漬方向を法線方向を軸として１８０°回転させ再び
引上げ速度３０mm／ｓｅｃの速度で引上げた後５分間風
乾しその後７０℃で３０分間熱風乾燥を行った後、もう
一度更に引上げ速度３０mm／ｓｅｃの等速で引き上げた
後、５分間ディップコーター内で風乾し、７０℃で３０
分間熱風乾燥を行った。この様にディップコーターのタ
ンク槽に３回浸漬（奇数回ディップ）した方法の場合の
時のポリイミド基板上のフォトレジスト膜厚の厚みを測
定した結果を表２に示す。
【００１２】
【表２】
【００１３】表２の結果より、この例では、フォトレジ
スト膜厚が、下方にいくにつれて大きく増大してしまう
事が判る。尚、フォトレジスト膜厚はＭＩｔｕｔｏｙｏ
社製接触式ダイヤルゲージをもちいて測定した。
スト膜厚が、下方にいくにつれて大きく増大してしまう
事が判る。尚、フォトレジスト膜厚はＭＩｔｕｔｏｙｏ
社製接触式ダイヤルゲージをもちいて測定した。
【００１４】
【発明の効果】本発明のフォトレジスト塗布方法によれ
ば、薄膜、厚膜にかかわらず、全面に均一にバラツキの
少ないフォトレジスト膜が塗布された銅ポリイミド基
板、金属薄等、が得られる。本発明により、高密度、高
性能の多層プリント配線基板の作製が可能になった。
ば、薄膜、厚膜にかかわらず、全面に均一にバラツキの
少ないフォトレジスト膜が塗布された銅ポリイミド基
板、金属薄等、が得られる。本発明により、高密度、高
性能の多層プリント配線基板の作製が可能になった。
【図１】本発明の実施の１例にもちいた液状フォトレジ
スト粘度に対応するレジストの膜厚との関係を示したも
のである。
スト粘度に対応するレジストの膜厚との関係を示したも
のである。
Claims (1)
- 【請求項１】 プリント配線基板をディップコーターの
浸漬固定治具に装着し、鉛直に固定し、フォトレジスト
を満たした槽中へ一定の速度で浸漬し、数秒後再び一定
の速度で引き上げるディップ方式によりフォトレジスト
を塗布する方法において、塗布基板を浸漬してから、引
上げ、乾燥し、次いで浸漬方向に対して法線方向を回転
の軸として１８０°回転させて浸漬後、引上げ、乾燥す
るまでを１サイクルとしこのサイクルを１回以上行うこ
とを特徴とするフォトレジストの塗布方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25276591A JPH0567861A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | フオトレジストの塗布方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25276591A JPH0567861A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | フオトレジストの塗布方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567861A true JPH0567861A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=17241987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25276591A Pending JPH0567861A (ja) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | フオトレジストの塗布方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009119155A1 (ja) | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 日本碍子株式会社 | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
| US8561275B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-22 | Gesipa Blindniettechnik Gmbh | Setting device with a variable setting stroke adjustment |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP25276591A patent/JPH0567861A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009119155A1 (ja) | 2008-03-24 | 2009-10-01 | 日本碍子株式会社 | 塗布膜形成方法及び塗布膜形成装置 |
| US8623465B2 (en) | 2008-03-24 | 2014-01-07 | Ngk Insulators, Ltd. | Coat film forming method and coat film forming apparatus |
| US8561275B2 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-22 | Gesipa Blindniettechnik Gmbh | Setting device with a variable setting stroke adjustment |
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