JPH0569297B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0569297B2
JPH0569297B2 JP61210197A JP21019786A JPH0569297B2 JP H0569297 B2 JPH0569297 B2 JP H0569297B2 JP 61210197 A JP61210197 A JP 61210197A JP 21019786 A JP21019786 A JP 21019786A JP H0569297 B2 JPH0569297 B2 JP H0569297B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
emitter electrode
semiconductor layer
film
photoresist film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61210197A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JPS6365670A (ja
Inventor
Kazuhiko Honjo
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP61210197A priority Critical patent/JPS6365670A/ja
Publication of JPS6365670A publication Critical patent/JPS6365670A/ja
Publication of JPH0569297B2 publication Critical patent/JPH0569297B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Bipolar Transistors (AREA)
JP61210197A 1986-09-05 1986-09-05 バイポ−ラトランジスタの製造方法 Granted JPS6365670A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61210197A JPS6365670A (ja) 1986-09-05 1986-09-05 バイポ−ラトランジスタの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61210197A JPS6365670A (ja) 1986-09-05 1986-09-05 バイポ−ラトランジスタの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6365670A JPS6365670A (ja) 1988-03-24
JPH0569297B2 true JPH0569297B2 (da) 1993-09-30

Family

ID=16585392

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61210197A Granted JPS6365670A (ja) 1986-09-05 1986-09-05 バイポ−ラトランジスタの製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6365670A (da)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2550715B2 (ja) * 1989-08-02 1996-11-06 日本電気株式会社 半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6365670A (ja) 1988-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0797589B2 (ja) ヘテロ接合型バイポ−ラトランジスタの製造方法
JPH05109750A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3087671B2 (ja) バイポーラトランジスタおよびその製造方法
JPH1070134A (ja) ダブルヘテロ構造バイポーラトランジスタデバイスの製造方法
JP2851044B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH0588541B2 (da)
US5387808A (en) Heterojunction bipolar transistors with sloped regions
JP2576165B2 (ja) バイポーラトランジスタの製造方法
JP3143965B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000277530A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP3244795B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2522378B2 (ja) バイポ―ラトランジスタ及びその製造方法
JP3470281B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6365670A (ja) バイポ−ラトランジスタの製造方法
JP3536840B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000349090A (ja) バイポーラトランジスタ、およびその製造方法
JPH0571171B2 (da)
JP2817191B2 (ja) ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法
JPH10107041A (ja) 化合物半導体装置
JPH0563012B2 (da)
JP2000138228A (ja) ヘテロ接合型バイポーラトランジスタとその製造方法
JPH09181085A (ja) ヘテロ接合バイポーラトランジスタおよびその製造方法
JP2550715B2 (ja) 半導体装置
JPH11135516A (ja) ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法
JPH0652737B2 (ja) バイポーラトランジスタの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees