JPH0570824B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0570824B2 JPH0570824B2 JP21167084A JP21167084A JPH0570824B2 JP H0570824 B2 JPH0570824 B2 JP H0570824B2 JP 21167084 A JP21167084 A JP 21167084A JP 21167084 A JP21167084 A JP 21167084A JP H0570824 B2 JPH0570824 B2 JP H0570824B2
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- liquid crystal
- electrode
- amorphous silicon
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- crystal drive
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- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ポケツトテレビ等、携帯電子装置
に用いられる、アクテイブマトリクス液晶表示装
置にかんする。
に用いられる、アクテイブマトリクス液晶表示装
置にかんする。
従来のアクテイブマトリクス液晶表示装置に用
いられた、薄膜トランジスタと液晶駆動電極から
なる一方の基板の構造を第２図に示す。絶縁基板
１１の上には、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１
３、非晶質シリコン１４、Ｎ＋非晶質シリコンか
らなるソース、ドレイン１５，１６、絶縁膜１
７、ソース電極１８、ドレイン電極１９からなる
薄膜トランジスタとITO（インジウム・スズ酸化
物）透明導電膜からなる液晶駆動電極２０が形成
されている。ゲート電極１２に電圧を加えて薄膜
トランジスタをON状態にすると、映像信号は、
ソース電極１８から薄膜トランジスタのチヤンネ
ル部、ドレイン電極１９を通つて液晶駆動電極２
０に加えることができる。
いられた、薄膜トランジスタと液晶駆動電極から
なる一方の基板の構造を第２図に示す。絶縁基板
１１の上には、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１
３、非晶質シリコン１４、Ｎ＋非晶質シリコンか
らなるソース、ドレイン１５，１６、絶縁膜１
７、ソース電極１８、ドレイン電極１９からなる
薄膜トランジスタとITO（インジウム・スズ酸化
物）透明導電膜からなる液晶駆動電極２０が形成
されている。ゲート電極１２に電圧を加えて薄膜
トランジスタをON状態にすると、映像信号は、
ソース電極１８から薄膜トランジスタのチヤンネ
ル部、ドレイン電極１９を通つて液晶駆動電極２
０に加えることができる。
しかし、従来のアクテイブマトリクス液晶表示
装置では、液晶駆動電極２０は透明であること、
ソース、ドレイン電極１８，１９は低抵抗である
ことが必要なため、液晶駆動電極２０にはITO，
ソース，ドレイン電極１８，１９にはアルミニウ
ムなどの金属膜と異なる導電膜が用いられていた
ため、製造工程が複雑で、歩留りもよくないなど
の欠点があつた。
装置では、液晶駆動電極２０は透明であること、
ソース、ドレイン電極１８，１９は低抵抗である
ことが必要なため、液晶駆動電極２０にはITO，
ソース，ドレイン電極１８，１９にはアルミニウ
ムなどの金属膜と異なる導電膜が用いられていた
ため、製造工程が複雑で、歩留りもよくないなど
の欠点があつた。
そこで、この発明は、従来のこのような欠点を
解決するため、ソース、ドレイン電極１８，１
９、液晶駆動電極２０に必要な電極膜形成が同時
にできる、アクテイブマトリクス液晶表示装置を
得ることを目的としている。
解決するため、ソース、ドレイン電極１８，１
９、液晶駆動電極２０に必要な電極膜形成が同時
にできる、アクテイブマトリクス液晶表示装置を
得ることを目的としている。
上記問題点を解決するために、この発明は、非
晶質シリコンと金属が反応して、透明導電膜を形
成することを利用して、液晶駆動電極２０と、ソ
ース、ドレイン電極１８，１９を同じく導電膜か
ら形成するようにした。
晶質シリコンと金属が反応して、透明導電膜を形
成することを利用して、液晶駆動電極２０と、ソ
ース、ドレイン電極１８，１９を同じく導電膜か
ら形成するようにした。
非晶質シリコンとクロム、モリブデンなどの金
属の二層膜は、150〜300℃に加熱後、金属膜をエ
ツチング除去すると、透明導電膜が形成されるこ
とが知られている。（山本他、1984年 春 応用
物理学会講演予稿集 ａ−Si：Ｈと金属の界面反
応による透明電極 p381）上記のように、液晶
駆動電極と、ソース、ドレイン電極を同じ導電膜
から形成することにより、電極膜形成工程の数を
減らし、電極間を接続する工程を省略することが
できる。
属の二層膜は、150〜300℃に加熱後、金属膜をエ
ツチング除去すると、透明導電膜が形成されるこ
とが知られている。（山本他、1984年 春 応用
物理学会講演予稿集 ａ−Si：Ｈと金属の界面反
応による透明電極 p381）上記のように、液晶
駆動電極と、ソース、ドレイン電極を同じ導電膜
から形成することにより、電極膜形成工程の数を
減らし、電極間を接続する工程を省略することが
できる。
以下にこの発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。第１図は、本発明のアクテイブマトリク
ス液晶表示装置に用いられる、薄膜トランジスタ
と液晶駆動電極からなる一方の基板の構造を示す
図である。第１図において、絶縁基板１の上に
は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、非晶質シリ
コン４、Ｎ＋非晶質シリコンとクロムが反応して
形成された透明導電膜からなるソース、ドレイン
５，６、絶縁膜７、クロムよりなるソース電極、
ドレイン電極８，９からなる薄膜トランジスタが
形成されている。液晶駆動電極１０は、ソース、
ドレイン５，６を形成しているＮ＋非晶質シリコ
ンとクロムが反応して形成された透明導電膜と、
同一の膜から出来ている。ソース、ドレイン５，
６と液晶駆動電極１０の形成方法は、Ｎ＋非晶質
シリコンとクロム膜を基板の全面に連続してデポ
ジツトした後、ソース、ドレイン５，６、ソース
電極、ドレイン電極８，９と液晶駆動電極１０の
論理和のパターンにＮ＋非晶質シリコンとクロム
膜を形成し、つぎに150〜300℃に加熱して、クロ
ムとＮ＋非晶質シリコンを反応させて透明導電膜
５，６，１０を形成し、つぎに液晶駆動電極１０
のパターンにクロムをエツチングする。
明する。第１図は、本発明のアクテイブマトリク
ス液晶表示装置に用いられる、薄膜トランジスタ
と液晶駆動電極からなる一方の基板の構造を示す
図である。第１図において、絶縁基板１の上に
は、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、非晶質シリ
コン４、Ｎ＋非晶質シリコンとクロムが反応して
形成された透明導電膜からなるソース、ドレイン
５，６、絶縁膜７、クロムよりなるソース電極、
ドレイン電極８，９からなる薄膜トランジスタが
形成されている。液晶駆動電極１０は、ソース、
ドレイン５，６を形成しているＮ＋非晶質シリコ
ンとクロムが反応して形成された透明導電膜と、
同一の膜から出来ている。ソース、ドレイン５，
６と液晶駆動電極１０の形成方法は、Ｎ＋非晶質
シリコンとクロム膜を基板の全面に連続してデポ
ジツトした後、ソース、ドレイン５，６、ソース
電極、ドレイン電極８，９と液晶駆動電極１０の
論理和のパターンにＮ＋非晶質シリコンとクロム
膜を形成し、つぎに150〜300℃に加熱して、クロ
ムとＮ＋非晶質シリコンを反応させて透明導電膜
５，６，１０を形成し、つぎに液晶駆動電極１０
のパターンにクロムをエツチングする。
このように、液晶駆動電極１０と、ソース、ド
レイン５，６を形成しているＮ＋非晶質シリコン
とクロムが反応して形成された透明導電膜が、同
一の膜から出来ていると、電極膜形成工程の数を
減らし、電極間を接続する工程を省略することが
できる。
レイン５，６を形成しているＮ＋非晶質シリコン
とクロムが反応して形成された透明導電膜が、同
一の膜から出来ていると、電極膜形成工程の数を
減らし、電極間を接続する工程を省略することが
できる。
ソース、ドレイン電極８，９を形成する膜とし
ては、クロムの単層膜のみでなく、例えばアルミ
ニウムとクロムの二層膜などでもよい。
ては、クロムの単層膜のみでなく、例えばアルミ
ニウムとクロムの二層膜などでもよい。
この発明は、以上説明したように、液晶駆動電
極とソース、ドレインをともに、Ｎ＋非晶質シリ
コンとクロムが反応して形成された透明導電膜を
用いることにより、電極膜形成工程の数を減ら
し、電極間を接続する工程を省略した、低価格の
アクテイブマトリクス液晶表示装置を実現する効
果がある。
極とソース、ドレインをともに、Ｎ＋非晶質シリ
コンとクロムが反応して形成された透明導電膜を
用いることにより、電極膜形成工程の数を減ら
し、電極間を接続する工程を省略した、低価格の
アクテイブマトリクス液晶表示装置を実現する効
果がある。
第１図は、この発明にかかるアクテイブマトリ
クス液晶表示装置の一方の基板の断面図、第２図
は、従来のアクテイブマトリクス液晶表示装置の
一方の基板の断面図である。 ４……非晶質シリコン層、５……ソース、６…
…ドレイン、１０……液晶駆動電極。
クス液晶表示装置の一方の基板の断面図、第２図
は、従来のアクテイブマトリクス液晶表示装置の
一方の基板の断面図である。 ４……非晶質シリコン層、５……ソース、６…
…ドレイン、１０……液晶駆動電極。
Claims (1)
- １ 各画素ごとに、非晶質シリコンの半導体層を
有する薄膜トランジスタをスイツチング素子とし
て設けたアクテイブマトリクス液晶表示装置にお
いて、少なくとも、金属と非晶質シリコンの合金
膜を液晶駆動電極として用いたことを特徴とする
アクテイブマトリクス液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21167084A JPS6190193A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21167084A JPS6190193A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6190193A JPS6190193A (ja) | 1986-05-08 |
| JPH0570824B2 true JPH0570824B2 (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=16609645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21167084A Granted JPS6190193A (ja) | 1984-10-09 | 1984-10-09 | アクテイブマトリクス液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6190193A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH073872B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1995-01-18 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタを用いた半導体装置の製造方法 |
| US5648663A (en) * | 1985-08-05 | 1997-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor structure having transistor and other elements on a common substrate and process for producing the same |
| JP2663418B2 (ja) * | 1986-06-30 | 1997-10-15 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
-
1984
- 1984-10-09 JP JP21167084A patent/JPS6190193A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6190193A (ja) | 1986-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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