JPH0572191B2 - - Google Patents
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- JPH0572191B2 JPH0572191B2 JP57062249A JP6224982A JPH0572191B2 JP H0572191 B2 JPH0572191 B2 JP H0572191B2 JP 57062249 A JP57062249 A JP 57062249A JP 6224982 A JP6224982 A JP 6224982A JP H0572191 B2 JPH0572191 B2 JP H0572191B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
- H02M3/22—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC
- H02M3/24—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters
- H02M3/28—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC
- H02M3/325—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M3/335—Conversion of DC power input into DC power output with intermediate conversion into AC by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate AC using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、自励発振型の高圧電源に係り、自動
復帰型保護回路を備えた高圧電源に関する。
復帰型保護回路を備えた高圧電源に関する。
従来のこの種の高圧電源は、第１図のブロツク
回路図に示すようにシユミツト回路を用いて保護
回路が構成されている。この第１図の高圧電源は
次のように作動する。つまり、高圧出力Voutが
短絡すると、フイードバツク電圧Vfが零となる
ためその信号が比較増幅回路で増幅されて制御回
路の出力電圧VBを上昇させる。制御回路の出力
電圧VBが上昇すると、この電圧をシユミツト回
路が検知し、発振トランジスタのベース回路のベ
ース電流を遮断して発振を停止させる。それと同
時に、このシユミツト回路によつて比較増幅回路
の制御回路への供給電圧を遮断してその出力電圧
VBを低下させ、それによりシユミツト回路を
OFFとし、自動復帰動作をする。これにより発
振トランジスタのベース電流が流れ始めて発振を
開始しようとするが、いまだ高圧出力Voutが短
絡していると、上述動作の繰り返しによつて制御
回路の出力電圧VBが再び上昇してシユミツト回
路をONとするため発振できないことになる。第
２図は、この制御回路の出力電圧VBが変化する
状態を示しており、高圧出力Voutが短絡してい
る限り、出力電圧VBはシユミツト回路のOFFレ
ベルとONレベルの間において上昇、下降を繰り
返すことになるのである。従来の保護回路を備え
た高圧電源はこのような動作をするものであり、
シユミツト回路のOFFレベルからONレベルまで
の出力電圧VBの立上り期間αは保護回路の非動
作領域となるため、この期間で発振トランジスタ
のベースには最大値の電流が流れることになる。
そのため、発振回路が異常発振を起こして出力回
路に流れる短絡電流が大きくなり安全上の問題が
生じる虞れがある。また、上記従来のものは、シ
ユミツト回路の作動レベルを設定しなければなら
ないものであるため、正常時の制御回路の出力電
圧は、シユミツト回路のONレベル以下に設定し
なければならず、そのため、制御回路での電圧降
下が大きくなつて効率が悪くなり、大きな発熱が
生じるという問題がある。また、シユミツト回路
およびこれに付随する自動復帰回路を構成しなけ
ればならないことから回路構成が煩雑となり、さ
らには上述のように大きな発熱が生じることから
放熱器を大型化しなければならない等の理由によ
りコスト的に不利になるとともに、装置が大型化
する等の問題がある。
回路図に示すようにシユミツト回路を用いて保護
回路が構成されている。この第１図の高圧電源は
次のように作動する。つまり、高圧出力Voutが
短絡すると、フイードバツク電圧Vfが零となる
ためその信号が比較増幅回路で増幅されて制御回
路の出力電圧VBを上昇させる。制御回路の出力
電圧VBが上昇すると、この電圧をシユミツト回
路が検知し、発振トランジスタのベース回路のベ
ース電流を遮断して発振を停止させる。それと同
時に、このシユミツト回路によつて比較増幅回路
の制御回路への供給電圧を遮断してその出力電圧
VBを低下させ、それによりシユミツト回路を
OFFとし、自動復帰動作をする。これにより発
振トランジスタのベース電流が流れ始めて発振を
開始しようとするが、いまだ高圧出力Voutが短
絡していると、上述動作の繰り返しによつて制御
回路の出力電圧VBが再び上昇してシユミツト回
路をONとするため発振できないことになる。第
２図は、この制御回路の出力電圧VBが変化する
状態を示しており、高圧出力Voutが短絡してい
る限り、出力電圧VBはシユミツト回路のOFFレ
ベルとONレベルの間において上昇、下降を繰り
返すことになるのである。従来の保護回路を備え
た高圧電源はこのような動作をするものであり、
シユミツト回路のOFFレベルからONレベルまで
の出力電圧VBの立上り期間αは保護回路の非動
作領域となるため、この期間で発振トランジスタ
のベースには最大値の電流が流れることになる。
そのため、発振回路が異常発振を起こして出力回
路に流れる短絡電流が大きくなり安全上の問題が
生じる虞れがある。また、上記従来のものは、シ
ユミツト回路の作動レベルを設定しなければなら
ないものであるため、正常時の制御回路の出力電
圧は、シユミツト回路のONレベル以下に設定し
なければならず、そのため、制御回路での電圧降
下が大きくなつて効率が悪くなり、大きな発熱が
生じるという問題がある。また、シユミツト回路
およびこれに付随する自動復帰回路を構成しなけ
ればならないことから回路構成が煩雑となり、さ
らには上述のように大きな発熱が生じることから
放熱器を大型化しなければならない等の理由によ
りコスト的に不利になるとともに、装置が大型化
する等の問題がある。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、保護回路の動作特性を向上させるとともに、
保護回路の構成を簡素化せしめて発熱の低減およ
び装置の小型化を図り、コスト的にも有利な高圧
電源を提供することを目的とする。このため、本
発明は、高圧トランスの入力巻線の一端を発振ト
ランジスタのコレクタに接続し、他端を制御入力
端に加わる信号により制御される直流電圧を出力
する制御回路の一方の出力端に接続し、発振トラ
ンジスタのエミツタを制御回路の他方の出力端に
接続し、発振トランジスタのベース・エミツタ間
に正帰還巻線、発振安定化抵抗、再生用コンデン
サを直列に接続し、発振安定化抵抗と再生用コン
デンサの接続点と入力巻線の他端と制御回路の出
力端の接続点間に複数個のベース抵抗からなる第
１抵抗回路部を接続し、第１抵抗回路部に並列
に、発振トランジスタのベース電流の絞り込みを
行なうツエナーダイオードと抵抗体が直列接続さ
れてなる第２抵抗回路部を接続し、第２抵抗回路
部に並列に、起動時にベース電流を流し込むため
の抵抗体からなる第３抵抗回路部を接続し、制御
回路の制御入力端と発振トランジスタのエミツタ
間に接続された保護用トランジスタのベースに第
１抵抗回路部の抵抗体の分圧出力を接続し、制御
回路の制御入力端に高圧トランスの出力巻線から
帰還される出力の一部と基準電圧を比較して制御
回路を制御する比較増幅器の出力を接続し、第１
抵抗回路部の各抵抗値は発振トランジスタの発振
の減衰に伴い再生用コンデンサの電圧が上昇した
場合に、分圧出力が保護用トランジスタのオン電
圧を超えるように設定され、ツエナーダイオード
のツエナー電圧は、正常発振時の制御回路の出力
電圧よりも低く設定されていることを特徴とする
ものである。つまり、第３図に示すものは従来の
自励発振型高圧電源のコレクタ同調発振回路部分
であり、１は入力端子、２は同調コンデンサ、３
は発振トランジスタ、４はベース抵抗、５は再生
用コンデンサ、６は正帰還巻線、７は発振安定化
抵抗であつて、このような発振回路においては、
発振トランジスタ３のON期間には、正帰還巻線
６により発振が持続されて再生用コンデンサ５に
充電電圧Ib1が流れ、この再生用コンデンサ５の
電圧Vbは負の値となる。そして、発振トランジ
スタ３がOFFになつたときには、再生用コンデ
ンサ５で充電された電荷が放電電流Ib2によつて
ベース抵抗４を介して放電する。発振回路が発振
状態にあるときには、再生用コンデンサ５は上記
のような充放電を繰り返し、その電圧Vbは、第
４図に示すような三角波形となり、常に負の値と
なる。そして、高圧出力が短絡したとき、自励発
振回路の有する垂下特性で発振が停止し、正帰還
巻線６の誘起電圧は消滅する。このとき、発振ト
ランジスタ３にはベース抵抗４を介してベース電
流が流れ、このトランジスタの電流増幅率倍の異
常電流が流れる。そして、高圧出力が零であるた
め、制御系が動作して制御回路の出力電圧VBは
最大値にまで上昇し、電力損失が増大して、発振
トランジスタ３は熱破壊にいたる。このような熱
破壊に至るまでの状態を発振トランジスタ３の直
流動作と呼ぶ。
で、保護回路の動作特性を向上させるとともに、
保護回路の構成を簡素化せしめて発熱の低減およ
び装置の小型化を図り、コスト的にも有利な高圧
電源を提供することを目的とする。このため、本
発明は、高圧トランスの入力巻線の一端を発振ト
ランジスタのコレクタに接続し、他端を制御入力
端に加わる信号により制御される直流電圧を出力
する制御回路の一方の出力端に接続し、発振トラ
ンジスタのエミツタを制御回路の他方の出力端に
接続し、発振トランジスタのベース・エミツタ間
に正帰還巻線、発振安定化抵抗、再生用コンデン
サを直列に接続し、発振安定化抵抗と再生用コン
デンサの接続点と入力巻線の他端と制御回路の出
力端の接続点間に複数個のベース抵抗からなる第
１抵抗回路部を接続し、第１抵抗回路部に並列
に、発振トランジスタのベース電流の絞り込みを
行なうツエナーダイオードと抵抗体が直列接続さ
れてなる第２抵抗回路部を接続し、第２抵抗回路
部に並列に、起動時にベース電流を流し込むため
の抵抗体からなる第３抵抗回路部を接続し、制御
回路の制御入力端と発振トランジスタのエミツタ
間に接続された保護用トランジスタのベースに第
１抵抗回路部の抵抗体の分圧出力を接続し、制御
回路の制御入力端に高圧トランスの出力巻線から
帰還される出力の一部と基準電圧を比較して制御
回路を制御する比較増幅器の出力を接続し、第１
抵抗回路部の各抵抗値は発振トランジスタの発振
の減衰に伴い再生用コンデンサの電圧が上昇した
場合に、分圧出力が保護用トランジスタのオン電
圧を超えるように設定され、ツエナーダイオード
のツエナー電圧は、正常発振時の制御回路の出力
電圧よりも低く設定されていることを特徴とする
ものである。つまり、第３図に示すものは従来の
自励発振型高圧電源のコレクタ同調発振回路部分
であり、１は入力端子、２は同調コンデンサ、３
は発振トランジスタ、４はベース抵抗、５は再生
用コンデンサ、６は正帰還巻線、７は発振安定化
抵抗であつて、このような発振回路においては、
発振トランジスタ３のON期間には、正帰還巻線
６により発振が持続されて再生用コンデンサ５に
充電電圧Ib1が流れ、この再生用コンデンサ５の
電圧Vbは負の値となる。そして、発振トランジ
スタ３がOFFになつたときには、再生用コンデ
ンサ５で充電された電荷が放電電流Ib2によつて
ベース抵抗４を介して放電する。発振回路が発振
状態にあるときには、再生用コンデンサ５は上記
のような充放電を繰り返し、その電圧Vbは、第
４図に示すような三角波形となり、常に負の値と
なる。そして、高圧出力が短絡したとき、自励発
振回路の有する垂下特性で発振が停止し、正帰還
巻線６の誘起電圧は消滅する。このとき、発振ト
ランジスタ３にはベース抵抗４を介してベース電
流が流れ、このトランジスタの電流増幅率倍の異
常電流が流れる。そして、高圧出力が零であるた
め、制御系が動作して制御回路の出力電圧VBは
最大値にまで上昇し、電力損失が増大して、発振
トランジスタ３は熱破壊にいたる。このような熱
破壊に至るまでの状態を発振トランジスタ３の直
流動作と呼ぶ。
本発明は、上記のように発振回路の発振時には
再生用コンデンサ５の電圧Vbが負電位領域に存
在し、高圧出力の短絡時の発振停止による発振ト
ランジスタ３の直流動作で（この時、再生用コン
デンサ５は正帰還巻線が発振停止により交流動作
をしなくなる為、動作しない）Vb＝VBE＋Ib・Rb
（ここでVBEは発振トランジスタ３のベース・エ
ミツタ間電圧値、Rbは発振安定化抵抗７の抵抗
値、Ibはそこを流れる電流値を表わす）の電位と
なることを利用して保護回路を構成したものであ
る。
再生用コンデンサ５の電圧Vbが負電位領域に存
在し、高圧出力の短絡時の発振停止による発振ト
ランジスタ３の直流動作で（この時、再生用コン
デンサ５は正帰還巻線が発振停止により交流動作
をしなくなる為、動作しない）Vb＝VBE＋Ib・Rb
（ここでVBEは発振トランジスタ３のベース・エ
ミツタ間電圧値、Rbは発振安定化抵抗７の抵抗
値、Ibはそこを流れる電流値を表わす）の電位と
なることを利用して保護回路を構成したものであ
る。
以下に本発明の一実施例を図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第５図において、１は高圧トランスＴの入力巻
線、２は同調コンデンサ、３は発振トランジス
タ、５は再生用コンデンサ、６は正帰還巻線、７
は発振安定化抵抗で、これらの構成は上記従来の
ものと同様である。８，９は互いに直列接続して
なる発振トランジスタ３のベース抵抗の一部を構
成する抵抗体で、第１抵抗回路部を構成するもの
である。この第１抵抗回路部は、発振トランジス
タ３のベース電流を流すことが主目的ではなく、
高圧出力の短絡の有無を検出するための短絡検出
回路を構成するものであるため、特に抵抗体８が
高抵抗値に設定されて高抵抗回路を構成してい
る。１０は電圧安定化のための制御回路、１１は
この制御回路１０に接続された保護用トランジス
タで、第１抵抗回路部を形成している抵抗体８，
９の接続点の電圧Vcによつて動作し、制御回路
１０を制御するものである。１２はカソードが制
御回路１０の出力側に接続されたツエナーダイオ
ード、１３は発振トランジスタ３のベース抵抗の
一部を構成する抵抗体で、ツエナーダイオード１
２に直列接続されてツエナーダイオード１２とと
もに第２抵抗回路部を形成し、第１抵抗回路部に
並列接続されたものである。この第２抵抗回路部
は、発振トランジスタ３のベース電流を主に流す
主ベース電流回路を構成するものであるため、抵
抗体１３は低い値に設定されている。１４は発振
トランジスタ３のベース抵抗の一部を構成する抵
抗体で、第３抵抗回路部を形成し、第１、第２抵
抗回路部に並列接続されたものである。この第３
抵抗回路部は、高圧出力が短絡状態から解除され
たときに発振回路の発振を正常状態に復帰させる
ための発振起動用と、正常動作状態の起動時にお
ける制御回路１０の出力電圧がツエナーダイオー
ド１２のツエナー電圧値以上に上昇するまでの立
上がり期間に、発振トランジスタ３のベース電流
を流す発振起動用のものであるため、抵抗体１４
は比較的高抵抗値に設定されている。上記の説明
から明らかなように、第１、第２および第３抵抗
回路部はそれぞれ異なつた目的を有しているが、
それらは互いに並列接続されて発振トランジスタ
３のベース抵抗を構成している。１５は高圧トラ
ンスＴの出力側巻線、１６はこの巻線に接続され
た整流回路、１７はこの整流回路１６の出力の一
部と基準電圧とを比較増幅して前記制御回路を制
御する比較増幅器である。なお、高圧出力が交流
を必要とする場合には、整流回路１６は不要であ
る。
線、２は同調コンデンサ、３は発振トランジス
タ、５は再生用コンデンサ、６は正帰還巻線、７
は発振安定化抵抗で、これらの構成は上記従来の
ものと同様である。８，９は互いに直列接続して
なる発振トランジスタ３のベース抵抗の一部を構
成する抵抗体で、第１抵抗回路部を構成するもの
である。この第１抵抗回路部は、発振トランジス
タ３のベース電流を流すことが主目的ではなく、
高圧出力の短絡の有無を検出するための短絡検出
回路を構成するものであるため、特に抵抗体８が
高抵抗値に設定されて高抵抗回路を構成してい
る。１０は電圧安定化のための制御回路、１１は
この制御回路１０に接続された保護用トランジス
タで、第１抵抗回路部を形成している抵抗体８，
９の接続点の電圧Vcによつて動作し、制御回路
１０を制御するものである。１２はカソードが制
御回路１０の出力側に接続されたツエナーダイオ
ード、１３は発振トランジスタ３のベース抵抗の
一部を構成する抵抗体で、ツエナーダイオード１
２に直列接続されてツエナーダイオード１２とと
もに第２抵抗回路部を形成し、第１抵抗回路部に
並列接続されたものである。この第２抵抗回路部
は、発振トランジスタ３のベース電流を主に流す
主ベース電流回路を構成するものであるため、抵
抗体１３は低い値に設定されている。１４は発振
トランジスタ３のベース抵抗の一部を構成する抵
抗体で、第３抵抗回路部を形成し、第１、第２抵
抗回路部に並列接続されたものである。この第３
抵抗回路部は、高圧出力が短絡状態から解除され
たときに発振回路の発振を正常状態に復帰させる
ための発振起動用と、正常動作状態の起動時にお
ける制御回路１０の出力電圧がツエナーダイオー
ド１２のツエナー電圧値以上に上昇するまでの立
上がり期間に、発振トランジスタ３のベース電流
を流す発振起動用のものであるため、抵抗体１４
は比較的高抵抗値に設定されている。上記の説明
から明らかなように、第１、第２および第３抵抗
回路部はそれぞれ異なつた目的を有しているが、
それらは互いに並列接続されて発振トランジスタ
３のベース抵抗を構成している。１５は高圧トラ
ンスＴの出力側巻線、１６はこの巻線に接続され
た整流回路、１７はこの整流回路１６の出力の一
部と基準電圧とを比較増幅して前記制御回路を制
御する比較増幅器である。なお、高圧出力が交流
を必要とする場合には、整流回路１６は不要であ
る。
このような回路構成において、発振回路が正常
な発振状態にあるときには、ツエナーダイオード
１２のツエナー電圧は、制御回路１０の出力電圧
VBよりも低くなるように設定されており、その
ため、第１、第２および第３抵抗回路部にそれぞ
れ発振トランジスタ３のベース電流が流れてい
る。ただし、ベース電流の分割割合は、抵抗値の
低い第２抵抗回路部が最も大きいことはいうまで
もない。第１抵抗回路部を形成している抵抗体
８，９の接続点の電圧Vcは、第６図に示すよう
に、再生用コンデンサ５の電圧Vbに抵抗体９の
値により決まる直流バイアスをかけた状態で推移
する。いま、発振回路が正常な発振状態にあると
きには、この電圧Vcは保護用トランジスタ１１
のON電圧よりも低い値になるように設定されて
いるため、保護用トランジスタ１１はOFF状態
に維持されている。ところが、高圧出力が短絡す
ると（短絡時になると）、発振が減衰することに
よつて再生用コンデンサ５の電圧Vbが上昇（交
流動作から直流動作への移行）し、これによつて
抵抗体８，９の接続点の電圧Vcも上昇して、つ
いには保護用トランジスタ１１のONレベルの電
位に達し、その結果、保護用トランジスタ１１が
ON状態となつて制御回路１０の出力電圧VBを減
少させる。このときの、制御回路１０の出力電圧
VBは、VB＝VBE1＋R1（VBE1−VBE2）／R2（ここ
で、VBE1は保護用トランジスタ１１のベース・エ
ミツタ間電圧値、VBE2は発振トランジスタ３のベ
ース・エミツタ間電圧値、R1は抵抗体８の抵抗
値、R2は抵抗体９の抵抗値をそれぞれ表す。）で
示されるもので、ツエナーダイオード１２のツエ
ナー電圧は制御回路１０の出力電圧VBよりも高
く設定されている。そのため、ツエナーダイオー
ド１２と抵抗体１３とで形成されている発振トラ
ンジスタ３の主ベース電流回路である第２抵抗回
路は遮断されてしまい、ベース電流は高抵抗回路
である第１および第３抵抗回路部にしか流れない
ことになつて発振トランジスタ３の発振はきわめ
て微弱な状態となり、高圧出力の短絡から電源を
保護する。
な発振状態にあるときには、ツエナーダイオード
１２のツエナー電圧は、制御回路１０の出力電圧
VBよりも低くなるように設定されており、その
ため、第１、第２および第３抵抗回路部にそれぞ
れ発振トランジスタ３のベース電流が流れてい
る。ただし、ベース電流の分割割合は、抵抗値の
低い第２抵抗回路部が最も大きいことはいうまで
もない。第１抵抗回路部を形成している抵抗体
８，９の接続点の電圧Vcは、第６図に示すよう
に、再生用コンデンサ５の電圧Vbに抵抗体９の
値により決まる直流バイアスをかけた状態で推移
する。いま、発振回路が正常な発振状態にあると
きには、この電圧Vcは保護用トランジスタ１１
のON電圧よりも低い値になるように設定されて
いるため、保護用トランジスタ１１はOFF状態
に維持されている。ところが、高圧出力が短絡す
ると（短絡時になると）、発振が減衰することに
よつて再生用コンデンサ５の電圧Vbが上昇（交
流動作から直流動作への移行）し、これによつて
抵抗体８，９の接続点の電圧Vcも上昇して、つ
いには保護用トランジスタ１１のONレベルの電
位に達し、その結果、保護用トランジスタ１１が
ON状態となつて制御回路１０の出力電圧VBを減
少させる。このときの、制御回路１０の出力電圧
VBは、VB＝VBE1＋R1（VBE1−VBE2）／R2（ここ
で、VBE1は保護用トランジスタ１１のベース・エ
ミツタ間電圧値、VBE2は発振トランジスタ３のベ
ース・エミツタ間電圧値、R1は抵抗体８の抵抗
値、R2は抵抗体９の抵抗値をそれぞれ表す。）で
示されるもので、ツエナーダイオード１２のツエ
ナー電圧は制御回路１０の出力電圧VBよりも高
く設定されている。そのため、ツエナーダイオー
ド１２と抵抗体１３とで形成されている発振トラ
ンジスタ３の主ベース電流回路である第２抵抗回
路は遮断されてしまい、ベース電流は高抵抗回路
である第１および第３抵抗回路部にしか流れない
ことになつて発振トランジスタ３の発振はきわめ
て微弱な状態となり、高圧出力の短絡から電源を
保護する。
そして、高圧出力の短絡が解除されたときに
は、発振トランジスタ３は小さなベース電流で発
振するため、短絡時には微弱な発振状態にあつた
ものが、主に第３の抵抗回路に流れるベース電流
によつて発振が成長し始め、その結果、再生用コ
ンデンサ５が急速に負に充電されてVbの値が急
速に負電位になる。すると、第１抵抗回路部の抵
抗体８，９の接続点の電圧Vcが急速に小さくな
つて、保護用トランジスタ１１のOFFレベルの
電位となり、制御回路１０の出力電圧VBは正常
値に戻ることになる。これにより、ツエナーダイ
オード１２が導通状態となつて主ベース電流回路
である第２抵抗回路部に所要のベース電流が流れ
るようになり、発振トランジスタ３の発振が急激
に正常状態に復帰することになる。このようなツ
エナーダイオード１２は、保護用トランジスタ１
１がONして出力電圧VBを減少させたときのしぼ
り込みによる主ベース電流を防止するための電圧
の仕切値を決定している。
は、発振トランジスタ３は小さなベース電流で発
振するため、短絡時には微弱な発振状態にあつた
ものが、主に第３の抵抗回路に流れるベース電流
によつて発振が成長し始め、その結果、再生用コ
ンデンサ５が急速に負に充電されてVbの値が急
速に負電位になる。すると、第１抵抗回路部の抵
抗体８，９の接続点の電圧Vcが急速に小さくな
つて、保護用トランジスタ１１のOFFレベルの
電位となり、制御回路１０の出力電圧VBは正常
値に戻ることになる。これにより、ツエナーダイ
オード１２が導通状態となつて主ベース電流回路
である第２抵抗回路部に所要のベース電流が流れ
るようになり、発振トランジスタ３の発振が急激
に正常状態に復帰することになる。このようなツ
エナーダイオード１２は、保護用トランジスタ１
１がONして出力電圧VBを減少させたときのしぼ
り込みによる主ベース電流を防止するための電圧
の仕切値を決定している。
本発明の高圧電源は以上説明したように構成さ
れているので、保護動作および復帰特性に極めて
優れたものとなり、保護回路の構成が簡素化され
て小型化が促進され、コスト的にも極めて有利に
なる等の種々の優れた効果を奏する。
れているので、保護動作および復帰特性に極めて
優れたものとなり、保護回路の構成が簡素化され
て小型化が促進され、コスト的にも極めて有利に
なる等の種々の優れた効果を奏する。
第１図は従来の保護回路を備えた高圧電源のブ
ロツク回路図、第２図はその制御回路の高圧出力
短絡時の出力電圧波形図、第３図は従来の自励発
振回路図、第４図はその発振トランジスタの電圧
波形図および再生用コンデンサの電圧波形図、第
５図は本発明の一実施例の高圧電源の回路構成
図、第６図はその第１抵抗回路部および再生用コ
ンデンサの電圧波形図である。 １……高圧トランスの入力巻線、３……発振ト
ランジスタ、５……再生用コンデンサ、６……正
帰還巻線、７……発振安定化抵抗、８，９，１
３，１４……抵抗体、１０……制御回路、１１…
…保護用トランジスタ、１２……ツエナーダイオ
ード、１５……高圧トランスの出力巻線、１６…
…整流回路、１７……比較増幅器。
ロツク回路図、第２図はその制御回路の高圧出力
短絡時の出力電圧波形図、第３図は従来の自励発
振回路図、第４図はその発振トランジスタの電圧
波形図および再生用コンデンサの電圧波形図、第
５図は本発明の一実施例の高圧電源の回路構成
図、第６図はその第１抵抗回路部および再生用コ
ンデンサの電圧波形図である。 １……高圧トランスの入力巻線、３……発振ト
ランジスタ、５……再生用コンデンサ、６……正
帰還巻線、７……発振安定化抵抗、８，９，１
３，１４……抵抗体、１０……制御回路、１１…
…保護用トランジスタ、１２……ツエナーダイオ
ード、１５……高圧トランスの出力巻線、１６…
…整流回路、１７……比較増幅器。
Claims (1)
- １ 高圧トランスの入力巻線の一端を発振トラン
ジスタのコレクタに接続し、他端を制御入力端に
加わる信号により制御される直流電圧を出力する
制御回路の一方の出力端に接続し、前記発振トラ
ンジスタのエミツタを前記制御回路の他方の出力
端に接続し、前記発振トランジスタのベース・エ
ミツタ間に正帰還巻線、発振安定化抵抗、再生用
コンデンサを直列に接続し、該発振安定化抵抗と
再生用コンデンサの接続点と前記入力巻線の他端
と前記制御回路の出力端の接続点間に、複数個の
ベース抵抗からなる第１抵抗回路部を接続し、該
第１抵抗回路部に並列に、前記発振トランジスタ
のベース電流の絞り込みを行うツエナーダイオー
ドと抵抗体が直列接続されてなる第２抵抗回路部
を接続し、該第２抵抗回路部に並列に、起動時に
ベース電流を流し込むための抵抗体からなる第３
抵抗回路部を接続し、前記制御回路の制御入力端
と前記発振トランジスタのエミツタ間に接続され
た保護用トランジスタのベースに前記第１抵抗回
路部の抵抗体の分圧出力を接続し、前記制御回路
の制御入力端に前記高圧トランスの出力巻線から
帰還される出力の一部と基準電圧を比較して前記
制御回路を制御する比較増幅器の出力を接続し、
前記第１抵抗回路部の各抵抗値は前記発振トラン
ジスタの発振の減衰に伴い前記再生用コンデンサ
の電圧が上昇した場合に、分圧出力が前記保護用
トランジスタのオン電圧を超えるように設定さ
れ、前記ツエナーダイオードのツエナー電圧は、
正常発振時の制御回路の出力電圧よりも低く設定
されていることを特徴とする自励発振型高圧電
源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57062249A JPS58179179A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 自励発振型高圧電源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57062249A JPS58179179A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 自励発振型高圧電源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58179179A JPS58179179A (ja) | 1983-10-20 |
| JPH0572191B2 true JPH0572191B2 (ja) | 1993-10-08 |
Family
ID=13194674
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57062249A Granted JPS58179179A (ja) | 1982-04-13 | 1982-04-13 | 自励発振型高圧電源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58179179A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61177397U (ja) * | 1985-04-19 | 1986-11-05 |
-
1982
- 1982-04-13 JP JP57062249A patent/JPS58179179A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58179179A (ja) | 1983-10-20 |
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