JPH0572698B2 - - Google Patents
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- JPH0572698B2 JPH0572698B2 JP61079938A JP7993886A JPH0572698B2 JP H0572698 B2 JPH0572698 B2 JP H0572698B2 JP 61079938 A JP61079938 A JP 61079938A JP 7993886 A JP7993886 A JP 7993886A JP H0572698 B2 JPH0572698 B2 JP H0572698B2
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- Japan
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- vapor
- cesium
- alkali metal
- porous body
- container
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属イオン発生装置、特にイオンマイ
クロアナライザーなどにおいて用いられるのに適
した金属イオン発生装置に関する。
クロアナライザーなどにおいて用いられるのに適
した金属イオン発生装置に関する。
イオンマイクロアナライザーなどにおいて用い
られる金属イオン発生装置、特にセシウムイオン
発生装置としては、金属セシウムをリザーバに入
れ、これを加熱、蒸発させて得られるセシウムガ
スをイオン化部へ導くタイプや金属セシウムをキ
ヤピラリーエミツターに液体のまま供給し、その
先端に強電界を印加して液体セシウムを蒸発、イ
オン化させるタイプなどが知られている。
られる金属イオン発生装置、特にセシウムイオン
発生装置としては、金属セシウムをリザーバに入
れ、これを加熱、蒸発させて得られるセシウムガ
スをイオン化部へ導くタイプや金属セシウムをキ
ヤピラリーエミツターに液体のまま供給し、その
先端に強電界を印加して液体セシウムを蒸発、イ
オン化させるタイプなどが知られている。
しかし、これらのタイプはいずれも金属セシウ
ムを使用するものであることから、その取り扱い
には十分な注意が必要である。というのは、金属
セシウムは空気に触れると激しく反応し、甚だ危
険だからである。
ムを使用するものであることから、その取り扱い
には十分な注意が必要である。というのは、金属
セシウムは空気に触れると激しく反応し、甚だ危
険だからである。
このようなことから、金属セシウムに代えて金
属セシウム化合物を用いることが試みられてい
る。金属セシウム化合物を用いてセシウムイオン
を得る方法として、電子衝撃加熱下でセシウム化
合物と還元剤を反応させて金属セシウム蒸気を発
生させると共にその蒸気をイオン化させる方法や
セシウム化合物と還元剤を高温下で反応させて金
属セシウム蒸気をつくつた後これを凝縮させて液
体金属セシウムとし、これを強電界が集中してい
る針状電極先端に供給してイオン化する方法など
がある。前者は特開昭58−42149号公報に、後者
は特開昭58−158839号公報にそれぞれ記憶されて
いる。
属セシウム化合物を用いることが試みられてい
る。金属セシウム化合物を用いてセシウムイオン
を得る方法として、電子衝撃加熱下でセシウム化
合物と還元剤を反応させて金属セシウム蒸気を発
生させると共にその蒸気をイオン化させる方法や
セシウム化合物と還元剤を高温下で反応させて金
属セシウム蒸気をつくつた後これを凝縮させて液
体金属セシウムとし、これを強電界が集中してい
る針状電極先端に供給してイオン化する方法など
がある。前者は特開昭58−42149号公報に、後者
は特開昭58−158839号公報にそれぞれ記憶されて
いる。
前者の方法は金属セシウム蒸気の生成とその蒸
気のイオン化を一つの電子衝撃加熱手段で行つて
いる。しかし、金属セシウム蒸気の生成温度とそ
のイオン化温度は異なり、後者の温度が前者の温
度よりも高い。したがつて、電子衝撃加熱温度が
金属セシウム蒸気が生成するのに適した値に設定
されるとその蒸気のイオン化が十分に行われずイ
オン引き出し電極側に流出してその電極などを汚
染し、逆に金属セシウム蒸気のイオン化に適当な
値に設定されると蒸気が過度に生成することとな
つてこの場合もやはり一部イオン化されずにイオ
ン引出き出し電極側に流出してその電極などを汚
染する。
気のイオン化を一つの電子衝撃加熱手段で行つて
いる。しかし、金属セシウム蒸気の生成温度とそ
のイオン化温度は異なり、後者の温度が前者の温
度よりも高い。したがつて、電子衝撃加熱温度が
金属セシウム蒸気が生成するのに適した値に設定
されるとその蒸気のイオン化が十分に行われずイ
オン引き出し電極側に流出してその電極などを汚
染し、逆に金属セシウム蒸気のイオン化に適当な
値に設定されると蒸気が過度に生成することとな
つてこの場合もやはり一部イオン化されずにイオ
ン引出き出し電極側に流出してその電極などを汚
染する。
後者の方法の場合は、セシウム蒸気を液化する
手段として熱輻射の大きい構造にすること、強制
的に冷却する手段を設けることなどが望まれる
が、しかし小形、同一イオン発生装置内でそれら
の条件を満すことは実際上むずかしい。
手段として熱輻射の大きい構造にすること、強制
的に冷却する手段を設けることなどが望まれる
が、しかし小形、同一イオン発生装置内でそれら
の条件を満すことは実際上むずかしい。
したがつて、本発明の目的は金属蒸気を液化す
る必要のない金属イオン発生装置であつて、かつ
汚染の問題から免れ得る金属イオン発生装置を提
供することにある。
る必要のない金属イオン発生装置であつて、かつ
汚染の問題から免れ得る金属イオン発生装置を提
供することにある。
本発明の特徴は、アルカリ金属化合物と還元剤
との混合物を収容する容器と、該容器内の前記ア
ルカリ金属化合物と前記還元剤とを反応させてア
ルカリ金属蒸気を発生させるように前記容器内の
前記混合物を加熱する手段と、前記発生したアル
カリ金属蒸気を貯える蒸気溜と、前記アルカリ金
属蒸気を浸透させる性質がありかつ前記アルカリ
金属蒸気のイオン化温度よりも高い融点をもつ、
前記蒸気溜の壁の一部として形成された多孔質体
と、該多孔質体に浸透する前記アルカル金属蒸気
をイオン化してそのイオンを発生するように前記
多孔質体を加熱する手段と、前記発生したイオン
を引き出す手段とを備えている点にある。
との混合物を収容する容器と、該容器内の前記ア
ルカリ金属化合物と前記還元剤とを反応させてア
ルカリ金属蒸気を発生させるように前記容器内の
前記混合物を加熱する手段と、前記発生したアル
カリ金属蒸気を貯える蒸気溜と、前記アルカリ金
属蒸気を浸透させる性質がありかつ前記アルカリ
金属蒸気のイオン化温度よりも高い融点をもつ、
前記蒸気溜の壁の一部として形成された多孔質体
と、該多孔質体に浸透する前記アルカル金属蒸気
をイオン化してそのイオンを発生するように前記
多孔質体を加熱する手段と、前記発生したイオン
を引き出す手段とを備えている点にある。
混合物収容容器内では加熱手段によりその中の
混合物が加熱され、アルカリ金属化合物と還元剤
が反応してアルカリ金属蒸気が生成され、そして
このようにして生成されたアルカリ金属蒸気は蒸
気溜に貯えられる。
混合物が加熱され、アルカリ金属化合物と還元剤
が反応してアルカリ金属蒸気が生成され、そして
このようにして生成されたアルカリ金属蒸気は蒸
気溜に貯えられる。
蒸気溜に貯えられているアルカリ金属蒸気は蒸
気溜の壁の一部として形成されている、アルカリ
金属蒸気を浸透させる性質があると共にアルカリ
金属蒸気のイオン化温度よりも高い融点をもつ多
孔質体に浸透する。このようにして多孔質体に浸
透するアルカリ金属蒸気は加熱手段を用いて多孔
質体を加熱することによりイオン化され、それに
よつて生じたアルカリ金属のイオンはイオン引き
出し手段によつて引き出される。
気溜の壁の一部として形成されている、アルカリ
金属蒸気を浸透させる性質があると共にアルカリ
金属蒸気のイオン化温度よりも高い融点をもつ多
孔質体に浸透する。このようにして多孔質体に浸
透するアルカリ金属蒸気は加熱手段を用いて多孔
質体を加熱することによりイオン化され、それに
よつて生じたアルカリ金属のイオンはイオン引き
出し手段によつて引き出される。
アルカリ金属蒸気生成の場所とその蒸気のイオ
ン化の場所は独立しており、加えてアルカリ金属
蒸気生成のための混合物加熱手段とアルカリ金属
蒸気のイオンのための多孔質体加熱手段は独立し
ていることから、アルカリ金属蒸気生成温度とそ
の蒸気のイオン化温度をそれぞれ独立に最適温度
に設定することができ、したがつて、生成された
アルカリ金属蒸気が蒸気溜により囲まれてイオン
引き出し手段側に漏洩しないことを相俟つて、本
発明によれば、アルカリ金属蒸気を液化する必要
のない金属イオン発生装置であつて、かつ汚染の
問題から免れ得る金属イオン発生装置が提供され
る。
ン化の場所は独立しており、加えてアルカリ金属
蒸気生成のための混合物加熱手段とアルカリ金属
蒸気のイオンのための多孔質体加熱手段は独立し
ていることから、アルカリ金属蒸気生成温度とそ
の蒸気のイオン化温度をそれぞれ独立に最適温度
に設定することができ、したがつて、生成された
アルカリ金属蒸気が蒸気溜により囲まれてイオン
引き出し手段側に漏洩しないことを相俟つて、本
発明によれば、アルカリ金属蒸気を液化する必要
のない金属イオン発生装置であつて、かつ汚染の
問題から免れ得る金属イオン発生装置が提供され
る。
第１図は本発明にもとづく一実施例を示す。ア
ルカリ金属化合物の一種であるセシウム化合物と
その還元剤の混合物２を充填する原料充填室すな
わち容器３と、約100μｍφの中心孔を有する２
段のタンタル製オリフイス５，５′で区切られ、
混合物２の化学反応で生じた金属セシウム蒸気を
貯えるセシウム溜４と、更に、先端に設けられた
イオンエミツタとしての多孔質体６とを有したタ
ンタル製イオン化原料容器１は、ステンレス製容
器支持体７に取りつけられている。尚、原料充填
室３は容器支持体７で密閉されている。更に、多
孔質体６を電子衝撃加熱するタングステン製フイ
ラメント８と、随の制御用のウエネルト９、セシ
ウム化合物とその還元剤の混合物２を抵抗加熱す
るヒータ１０、多孔質体６で表面電離により生じ
たイオンを引き出す、引き出し電極１１より構成
される。
ルカリ金属化合物の一種であるセシウム化合物と
その還元剤の混合物２を充填する原料充填室すな
わち容器３と、約100μｍφの中心孔を有する２
段のタンタル製オリフイス５，５′で区切られ、
混合物２の化学反応で生じた金属セシウム蒸気を
貯えるセシウム溜４と、更に、先端に設けられた
イオンエミツタとしての多孔質体６とを有したタ
ンタル製イオン化原料容器１は、ステンレス製容
器支持体７に取りつけられている。尚、原料充填
室３は容器支持体７で密閉されている。更に、多
孔質体６を電子衝撃加熱するタングステン製フイ
ラメント８と、随の制御用のウエネルト９、セシ
ウム化合物とその還元剤の混合物２を抵抗加熱す
るヒータ１０、多孔質体６で表面電離により生じ
たイオンを引き出す、引き出し電極１１より構成
される。
多孔質体はセシウム金属蒸気を浸透させる性質
をもつていると共に、セシウム金属蒸気のイオン
化温度よりも高い融点をもつタングステンでつく
られている。
をもつていると共に、セシウム金属蒸気のイオン
化温度よりも高い融点をもつタングステンでつく
られている。
次に、本実施例の動作原理について説明する。
セシウム化合物としてのクロム酸セシウム
（Cs2CrO4）と、その還元剤であるシリコン（Si）
の混合物２を原料充填室すなわち容器３に詰め込
んだイオン化原料容器１を容器支持体７に取り付
ける。その後、イオン源を真空排気し、ヒータ１
０で混合物２を500℃以上（たとえば600℃〜800
℃程度）に加熱してやると、下記の化学反応式に
より、金属セシウム蒸気が得られる。
セシウム化合物としてのクロム酸セシウム
（Cs2CrO4）と、その還元剤であるシリコン（Si）
の混合物２を原料充填室すなわち容器３に詰め込
んだイオン化原料容器１を容器支持体７に取り付
ける。その後、イオン源を真空排気し、ヒータ１
０で混合物２を500℃以上（たとえば600℃〜800
℃程度）に加熱してやると、下記の化学反応式に
より、金属セシウム蒸気が得られる。
4Cs2CrO4＋5Si
→8Cs＋2Cr2O3＋5SiO2
得られた金属セシウム蒸気は、原料充填室３内
の蒸気圧により、オリフイス５を通過しセシウム
溜４へ拡散する。更に、セシウム蒸気はセシウム
溜４の蒸気圧により、オリフイス５′を通過し、
多孔質体６へ流入する。一方、多孔質体６はフイ
ラメント８からの電子衝撃により、1100℃以上に
加熱されており、セシウムのイオン化電圧（Ｉ＝
3.89eV）とタングステンの仕事関数（φ＝
4.5eV）より、φ＞Ｉの条件が成立し、セシウム
蒸気は多孔質体６にて、表面電離でイオン化さ
れ、引き出し電極１１でイオンビーム１２として
引き出される。
の蒸気圧により、オリフイス５を通過しセシウム
溜４へ拡散する。更に、セシウム蒸気はセシウム
溜４の蒸気圧により、オリフイス５′を通過し、
多孔質体６へ流入する。一方、多孔質体６はフイ
ラメント８からの電子衝撃により、1100℃以上に
加熱されており、セシウムのイオン化電圧（Ｉ＝
3.89eV）とタングステンの仕事関数（φ＝
4.5eV）より、φ＞Ｉの条件が成立し、セシウム
蒸気は多孔質体６にて、表面電離でイオン化さ
れ、引き出し電極１１でイオンビーム１２として
引き出される。
本実施例により、次のような効果があることが
わかつた。クロム酸セシウムとシリコンの混合
物は、取り招いが容易である。クロム酸セシウ
ムとシリコンとの化学反応で生じた、Cr2O3と
SiO2は原料充填室３に残り、セシウム蒸気のみ
がセシウム溜４内に貯えられ、そしてセシウム蒸
気生成温度とそのイオン化温度を独立に最適温度
に設定し得ることから、生じたセシウム蒸気がセ
シウム溜４の故に四散しないことと相俟つて引き
出し電極１１をはじめイオン源を汚染することは
ない。
わかつた。クロム酸セシウムとシリコンの混合
物は、取り招いが容易である。クロム酸セシウ
ムとシリコンとの化学反応で生じた、Cr2O3と
SiO2は原料充填室３に残り、セシウム蒸気のみ
がセシウム溜４内に貯えられ、そしてセシウム蒸
気生成温度とそのイオン化温度を独立に最適温度
に設定し得ることから、生じたセシウム蒸気がセ
シウム溜４の故に四散しないことと相俟つて引き
出し電極１１をはじめイオン源を汚染することは
ない。
次に、もう一つの実施例を第２図を参照して説
明する。先端が約10μｍφの微細孔が開いている
石英ガラス製原料充填室すなわち容器３を持ち、
他は第１図と同じ構成である。該原料充填室３に
クロム酸セシウムとシリコンの混合物２を詰めこ
んだ、イオン化原料容器１を容器支持体７に取り
つける。その後、イオン源を真空排気し、ヒータ
１０で混合物２を500℃以上に加熱してやるとセ
シウム蒸気が得られる。該セシウム蒸気は微細孔
よりセシウム溜室４拡散する。以後は、第１図の
実施例と同じ動作原理である。ここで、原料充填
室３がヒータ１０で加熱されない場合は、微細孔
は蓋の機能を持ち、セシウム蒸気はセシウム溜室
へ拡散しない。
明する。先端が約10μｍφの微細孔が開いている
石英ガラス製原料充填室すなわち容器３を持ち、
他は第１図と同じ構成である。該原料充填室３に
クロム酸セシウムとシリコンの混合物２を詰めこ
んだ、イオン化原料容器１を容器支持体７に取り
つける。その後、イオン源を真空排気し、ヒータ
１０で混合物２を500℃以上に加熱してやるとセ
シウム蒸気が得られる。該セシウム蒸気は微細孔
よりセシウム溜室４拡散する。以後は、第１図の
実施例と同じ動作原理である。ここで、原料充填
室３がヒータ１０で加熱されない場合は、微細孔
は蓋の機能を持ち、セシウム蒸気はセシウム溜室
へ拡散しない。
一方、ヒータ１０による加熱が行われると微細
孔はぼうちようにより大きくなつてセシウム蒸気
が通ることができるようになる。したがつて、ヒ
ータ１０のオン、オフあるいはヒータ１０の温度
を適当に切換えることによりセシウム蒸気の生成
量、したがつてセシウム蒸気のセシウム溜４への
供給量をコントロールすることができる。
孔はぼうちようにより大きくなつてセシウム蒸気
が通ることができるようになる。したがつて、ヒ
ータ１０のオン、オフあるいはヒータ１０の温度
を適当に切換えることによりセシウム蒸気の生成
量、したがつてセシウム蒸気のセシウム溜４への
供給量をコントロールすることができる。
なお、混合物は前述の例に限られるものではな
く、たとえば CsMo＋Ti CsCr4O3＋Si Cs3Co3＋Mg などでもよい。また、セシウムに限らず、他のア
ルカリ金属であつてもよい。
く、たとえば CsMo＋Ti CsCr4O3＋Si Cs3Co3＋Mg などでもよい。また、セシウムに限らず、他のア
ルカリ金属であつてもよい。
本発明によれば、金属蒸気を液化する必要のな
い金属イオン発生装置であつて、かつ汚染の問題
から免れ得る金属イオン発生装置が提供される。
い金属イオン発生装置であつて、かつ汚染の問題
から免れ得る金属イオン発生装置が提供される。
第１図は、本発明の一実施例の断面図である。
第２図は本発明のもう一つの実施例の断面図であ
る。 １……イオン化原料容器、２……（イオン化原
料の）混合物、３……原料充填室、すなわち容
器、４……セシウム溜、５，５′……オリフイス、
６……多孔質タングステン、７……容器支持体、
８……フイラメント、９……ウエネルト、１０…
…ヒータ、１１……引き出し電極、１２……イオ
ンビーム。
第２図は本発明のもう一つの実施例の断面図であ
る。 １……イオン化原料容器、２……（イオン化原
料の）混合物、３……原料充填室、すなわち容
器、４……セシウム溜、５，５′……オリフイス、
６……多孔質タングステン、７……容器支持体、
８……フイラメント、９……ウエネルト、１０…
…ヒータ、１１……引き出し電極、１２……イオ
ンビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルカリ金属化合物と還元剤との混合物を収
容する容器と、該容器内の前記アルカリ金属化合
物と前記還元剤とを反応させてアルカリ金属蒸気
を発生させるように前記容器内の前記混合物を加
熱する手段と、前記発生したアルカリ金属蒸気を
貯える蒸気溜と、前記アルカリ金属蒸気を浸透さ
せる性質がありかつ前記アルカリ金属蒸気のイオ
ン化温度よりも高い融点をもつ、前記蒸気溜の壁
の一部として形成された多孔質体と、該多孔質体
に浸透する前記アルカリ金属蒸気をイオン化して
そのイオンを発生するように前記多孔質体を加熱
する手段と、前記発生したイオンを引き出す手段
とを備えている金属イオン発生装置。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記混合物
収容容器と前記蒸気溜は温度によつて大きさが変
化する微細孔を通して連通するように構成されて
いることを特徴とする金属イオン発生装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079938A JPS62237650A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 金属イオン発生装置 |
| US07/036,488 US4774433A (en) | 1986-04-09 | 1987-04-09 | Apparatus for generating metal ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61079938A JPS62237650A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 金属イオン発生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62237650A JPS62237650A (ja) | 1987-10-17 |
| JPH0572698B2 true JPH0572698B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=13704260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61079938A Granted JPS62237650A (ja) | 1986-04-09 | 1986-04-09 | 金属イオン発生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774433A (ja) |
| JP (1) | JPS62237650A (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3739253A1 (de) * | 1987-11-19 | 1989-06-01 | Max Planck Gesellschaft | Mit kontaktionisation arbeitende einrichtung zum erzeugen eines strahles beschleunigter ionen |
| US4902898A (en) * | 1988-04-26 | 1990-02-20 | Microelectronics Center Of North Carolina | Wand optics column and associated array wand and charged particle source |
| US5561339A (en) * | 1993-03-11 | 1996-10-01 | Fed Corporation | Field emission array magnetic sensor devices |
| WO1994020975A1 (en) * | 1993-03-11 | 1994-09-15 | Fed Corporation | Emitter tip structure and field emission device comprising same, and method of making same |
| US5534743A (en) * | 1993-03-11 | 1996-07-09 | Fed Corporation | Field emission display devices, and field emission electron beam source and isolation structure components therefor |
| US5903098A (en) * | 1993-03-11 | 1999-05-11 | Fed Corporation | Field emission display device having multiplicity of through conductive vias and a backside connector |
| US5583393A (en) * | 1994-03-24 | 1996-12-10 | Fed Corporation | Selectively shaped field emission electron beam source, and phosphor array for use therewith |
| US5629583A (en) * | 1994-07-25 | 1997-05-13 | Fed Corporation | Flat panel display assembly comprising photoformed spacer structure, and method of making the same |
| US5844351A (en) * | 1995-08-24 | 1998-12-01 | Fed Corporation | Field emitter device, and veil process for THR fabrication thereof |
| US5828288A (en) * | 1995-08-24 | 1998-10-27 | Fed Corporation | Pedestal edge emitter and non-linear current limiters for field emitter displays and other electron source applications |
| US5688158A (en) * | 1995-08-24 | 1997-11-18 | Fed Corporation | Planarizing process for field emitter displays and other electron source applications |
| US20030141187A1 (en) * | 2002-01-30 | 2003-07-31 | Plasmion Corporation | Cesium vapor emitter and method of fabrication the same |
| US20040118452A1 (en) * | 2002-01-30 | 2004-06-24 | Plasmion Corporation | Apparatus and method for emitting cesium vapor |
| CN100521037C (zh) * | 2003-01-17 | 2009-07-29 | 浜松光子学株式会社 | 碱金属发生剂 |
| WO2009036218A1 (en) * | 2007-09-13 | 2009-03-19 | Ehd Technology Group, Inc. | Apparatus and method for cleaning wafer edge using energetic particle beams |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2715694A (en) * | 1947-05-09 | 1955-08-16 | Hubert P Yockey | Ion producing apparatus |
| JPS5830055A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-22 | New Japan Radio Co Ltd | イオンビ−ム源 |
| JPS58121536A (ja) * | 1982-01-13 | 1983-07-19 | Jeol Ltd | 金属イオン源 |
| JPS58163135A (ja) * | 1982-03-20 | 1983-09-27 | Nippon Denshi Zairyo Kk | イオン源 |
| JPS60180048A (ja) * | 1984-02-24 | 1985-09-13 | Fujitsu Ltd | 電界型イオン源 |
| JPS61142645A (ja) * | 1984-12-17 | 1986-06-30 | Hitachi Ltd | 正，負兼用イオン源 |
-
1986
- 1986-04-09 JP JP61079938A patent/JPS62237650A/ja active Granted
-
1987
- 1987-04-09 US US07/036,488 patent/US4774433A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62237650A (ja) | 1987-10-17 |
| US4774433A (en) | 1988-09-27 |
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