JPH0572732B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0572732B2 JPH0572732B2 JP58217701A JP21770183A JPH0572732B2 JP H0572732 B2 JPH0572732 B2 JP H0572732B2 JP 58217701 A JP58217701 A JP 58217701A JP 21770183 A JP21770183 A JP 21770183A JP H0572732 B2 JPH0572732 B2 JP H0572732B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alloy
- substrate
- low
- magnetic field
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、磁気バルブメモリなどの磁性膜とし
て用いられるNi−Fe合金膜の被着方法に関する。
て用いられるNi−Fe合金膜の被着方法に関する。
Ni−Fe合金膜の被着方法には、一般に、真空
蒸着法、プレーナマグネトロン方式スパツタ法、
RFスパツタ法がある。一方、磁性膜としてのNi
−Fe合金膜の具備すべき性質にHc（保磁力）が
小さいことがある。このHcの小さいNi−Fe合金
膜を上記の被着方法で形成するためには、被着す
べき基板の温度を著しく高くしなければならな
い。
蒸着法、プレーナマグネトロン方式スパツタ法、
RFスパツタ法がある。一方、磁性膜としてのNi
−Fe合金膜の具備すべき性質にHc（保磁力）が
小さいことがある。このHcの小さいNi−Fe合金
膜を上記の被着方法で形成するためには、被着す
べき基板の温度を著しく高くしなければならな
い。
ところが、近年、Ni−Fe合金膜を用いる素子
の構成材料に高分子樹脂が使われるようになり、
高分子樹脂の耐熱性から、基板温度に制約を受
け、Hcの小さい膜の形成が困難になつてきた。
の構成材料に高分子樹脂が使われるようになり、
高分子樹脂の耐熱性から、基板温度に制約を受
け、Hcの小さい膜の形成が困難になつてきた。
そこで、本発明の目的は、基板の温度が低い被
着膜でも、Hcの小さいNi−Fe合金膜が得られる
被着方法を提供することにある。
着膜でも、Hcの小さいNi−Fe合金膜が得られる
被着方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、RFスパツタ法にお
いて、ターゲツトおよび被着すべき基板面に対し
て垂直方向の所定強さの磁場を印加しつつNi−
Fe合金膜を被着したところ、ある組成範囲にお
いて室温（〜25℃）で被着しても、Hcの小さい
膜が得られることがわかつた。
いて、ターゲツトおよび被着すべき基板面に対し
て垂直方向の所定強さの磁場を印加しつつNi−
Fe合金膜を被着したところ、ある組成範囲にお
いて室温（〜25℃）で被着しても、Hcの小さい
膜が得られることがわかつた。
以下、本発明を実施例により説明する。
耐熱性ポリイミド樹脂を回転塗布、キユアした
磁気バブルメモリ用磁性ガーネツト基板上に、
RFスパツタ法によりNi−Fe合金薄膜を基板温度
25℃〜50℃の範囲で被着した。被着したNi−Fe
合金の組成はNi78wt％〜87wt％、残りFeであ
り、また、それぞれ被着中にターゲツトおよび被
着すべき基板面に対して垂直方向に０〜5.5×
10-2Oe／cm2の磁場を印加した。被着したNi−Fe
合金薄膜の組成と印加した垂直磁場に対するHc
（保磁力）の関係をまとめて第１図に示す。Ni組
成が87wt％（特性イ）のNi−Fe合金薄膜では垂
直磁場を印加してもHcを下げる効果はない。ま
た、Ni組成が78wt％（特性ロ）の場合は、垂直
磁場を印加しなくてもHcは低くなりHcを下げる
効果はない。しかし、Ni組成が80〜85wt％の範
囲のNi−Fe合金薄膜では、垂直磁場を印加すれ
ばHcを下げる効果がある。なお、特性ハは
Ni80wt％、特性ニはNi85wt％である。また、
Hcを下げるのに有効な垂直磁場の強さは
0.80Oe／cm2以上の範囲である。
磁気バブルメモリ用磁性ガーネツト基板上に、
RFスパツタ法によりNi−Fe合金薄膜を基板温度
25℃〜50℃の範囲で被着した。被着したNi−Fe
合金の組成はNi78wt％〜87wt％、残りFeであ
り、また、それぞれ被着中にターゲツトおよび被
着すべき基板面に対して垂直方向に０〜5.5×
10-2Oe／cm2の磁場を印加した。被着したNi−Fe
合金薄膜の組成と印加した垂直磁場に対するHc
（保磁力）の関係をまとめて第１図に示す。Ni組
成が87wt％（特性イ）のNi−Fe合金薄膜では垂
直磁場を印加してもHcを下げる効果はない。ま
た、Ni組成が78wt％（特性ロ）の場合は、垂直
磁場を印加しなくてもHcは低くなりHcを下げる
効果はない。しかし、Ni組成が80〜85wt％の範
囲のNi−Fe合金薄膜では、垂直磁場を印加すれ
ばHcを下げる効果がある。なお、特性ハは
Ni80wt％、特性ニはNi85wt％である。また、
Hcを下げるのに有効な垂直磁場の強さは
0.80Oe／cm2以上の範囲である。
以上のように、RFスパツタ法においては基板
温度が低くてもターゲツトおよび基板面に対して
垂直方向に磁場を印加すればHcの小さいNi−Fe
合金薄膜が得られる。これを真空蒸着法と比較し
て基板加熱温度とHcの関係として第２図に示す。
特性イはRFスパツタ法、特性ロは真空蒸着法で
ある。真空蒸着法では300℃以上に基板を加熱し
ないとHcは小さくならないが、垂直磁場を印加
したRFスパツタ法では25℃でHcの小さい薄膜が
形成できる。
温度が低くてもターゲツトおよび基板面に対して
垂直方向に磁場を印加すればHcの小さいNi−Fe
合金薄膜が得られる。これを真空蒸着法と比較し
て基板加熱温度とHcの関係として第２図に示す。
特性イはRFスパツタ法、特性ロは真空蒸着法で
ある。真空蒸着法では300℃以上に基板を加熱し
ないとHcは小さくならないが、垂直磁場を印加
したRFスパツタ法では25℃でHcの小さい薄膜が
形成できる。
以上、本発明によれば基板温度25〜50℃の低い
温度でHcの小さいNi−Fe合金薄膜が形成できる
という優れた効果がある。
温度でHcの小さいNi−Fe合金薄膜が形成できる
という優れた効果がある。
第１図は、RFスパツタ法によるNi−Fe合金薄
膜形成におけるNi組成をパラメータにしたター
ゲツトおよび基板に垂直な磁場の強さとHcとの
関係を示す図、第２図は真空蒸着法と本発明によ
るRFスパツタ法によるNi−Fe合金薄膜の基板温
度とHcの関係を示す図である。
膜形成におけるNi組成をパラメータにしたター
ゲツトおよび基板に垂直な磁場の強さとHcとの
関係を示す図、第２図は真空蒸着法と本発明によ
るRFスパツタ法によるNi−Fe合金薄膜の基板温
度とHcの関係を示す図である。
Claims (1)
- １ 磁性ガーネツト基板上に、耐熱性ポリイミド
樹脂を回転塗布およびキユアする工程と、しかる
後にNiの組成が80wt％〜85wt％のNi−Fe合金薄
膜がRFスパツタ法で形成する工程とを具備して
成り、上記スパツタは上記基板の温度が25〜50℃
の範囲で、上記合金のターゲツト面および上記磁
性ガーネツト基板面に垂直方向に、強さが0.8×
10-2Oe／cm2以上の磁場を印加しながら行うこと
を特徴とする磁気バルブメモリの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217701A JPS60110111A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 磁気バブルメモリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58217701A JPS60110111A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 磁気バブルメモリの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60110111A JPS60110111A (ja) | 1985-06-15 |
| JPH0572732B2 true JPH0572732B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=16708369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58217701A Granted JPS60110111A (ja) | 1983-11-21 | 1983-11-21 | 磁気バブルメモリの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60110111A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS608614B2 (ja) * | 1975-11-01 | 1985-03-04 | 富士通株式会社 | バブルメモリ用磁性薄膜の製造方法 |
| JPS5780713A (en) * | 1980-11-10 | 1982-05-20 | Canon Inc | Manufacture of magnetic thin film by sputtering |
| JPS58151473A (ja) * | 1982-03-03 | 1983-09-08 | Teijin Ltd | 対向タ−ゲツト式スパツタ装置 |
-
1983
- 1983-11-21 JP JP58217701A patent/JPS60110111A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60110111A (ja) | 1985-06-15 |
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