JPH0572778A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 正孔輸送性がよく、物性の良好な感光層を有
し、複写プロセスの小型化と高速化とが両立する電子写
真感光体を提供する。 【構成】 正孔輸送性のよい一般式（１）のポリシラン
ポリマーを感光層に含有させる。 一般式（１） 〔式中Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３及びＲ_４は夫々水素原子、置換
もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニ
ル基、アリール基、アルキルシリル基又はアリールシリ
ル基であり、ｎは自然数である。〕

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はポリシラン系正孔輸送性
高分子物質及びその電子写真への応用に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体には、従来、セレン、酸
化亜鉛、硫化カドミウム等の無機光導電性化合物を用い
て構成された無機感光層を備えた無機感光体が広く用い
られている。

【０００３】しかし、斯かる無機感光体は、感度、熱安
定性、耐湿性、耐久性等の点においては、必ずしも十分
満足し得るものではない。例えばセレンを用いて構成さ
れた無機感光層を備えた無機感光体は、高温になると結
晶化して電子写真感光体としての特性が劣化しやすく、
製造プロセスにおいて厳しい温度条件が必要になり、又
取扱う際にも熱や指紋等による結晶化を避ける必要があ
る。又、硫化カドミウムや酸化亜鉛を用いて構成された
無機感光層を備えた無機感光体は、耐湿性、耐久性が劣
る。

【０００４】斯かる事情から、近年においては、有機光
導電性化合物を用いて構成された有機感光層を備えた有
機感光体の研究開発が盛んに行われている。

【０００５】例えば特公昭50-10496号には、ポリ-N-ビ
ニルカルバゾールと2,4,7-トリニトロ-9-フルオレノン
とを含有した有機感光層を備えた有機感光体が開示され
ている。しかし、この有機感光体は、感度及び耐久性の
点においていまだ不十分である。

【０００６】これに対して、キャリア（正孔又は電子）
発生機能とキャリア輸送機能とを異なる物質に分担させ
る機能分離型の有機感光層を有する有機感光体が開発さ
れた。斯かる有機感光体では、感光層を構成する材料の
選択範囲が格段に拡がり、種々の性能を有する感光体を
比較的容易に作成し得る利点がある。

【０００７】前記キャリア発生機能を分担するキャリア
発生物質としては、各種のアゾ化合物が実用化され、ま
たキャリア輸送機能を分担するキャリア輸送物質として
は、例えば特開昭51-94829号、同52-72231号、同53-270
33号、同55-52063号、同58-65440号、同58-198425号に
提案されている。

【０００８】しかし、上記キャリア輸送物質を用いて構
成された有機感光体は、キャリア輸送能が十分ではな
く、特に環境温度が低い状態で高速度の複写プロセスに
供すると感度低下、或は残留電位の上昇等の不利を招
く。又、感光体ドラムの小径化によって複写プロセスの
軽硬化を図っても従来のキャリア輸送物質ではキャリア
輸送能が不十分で、ドラム小径化は必然的にプロセス速
度の低下を招く。

【０００９】斯かる事情から、最近、キャリア（正孔）
輸送物質として特定の構造のポリシランを用いる技術が
提案された（特開昭61-10747号、同62-269964号、同63-
285552号参照）。このポリシランによれば、既述のキャ
リア輸送物質と異り自己成膜性を有していて、他のバイ
ンダと組合せることなく容易に膜状の感光層を形成する
ことができ、又、正孔の移動度が約10^-4cm²／V・secオー
ダもしくはそれ以上にあって従来のキャリア輸送物質に
比して約１桁以上大きく、従来のキャリア輸送物質を用
いて構成された有機感光体の欠点は、この物質を用いる
ことによって解消される。

【００１０】しかし、このポリシランを用いて構成され
た感光層は可撓性に乏しく、又膜強度が概して低く、更
に接着性に乏しい。そのため、可撓性をもったベルト基
体上にポリシランを製膜してもひび割れ、膜剥れ等の損
傷が発生しやすく、更に電子写真プロセスを繰返して遂
行すると、更にこの現象が進行し拡大してゆく。その
上、現像時のトナー或はクリーニング時のクリーニング
部材等により受ける擦過力により表面が損傷され、或は
膜剥れが生じ、その結果、得られる複写画像には、白
筋、黒筋等の欠陥が早期から発生して画質が劣化する。
この現象は複写プロセスの小型化を図り、ドラムの小径
化又はベルト基体の曲率増加を行った場合に顕著に認め
られる。

【００１１】

【発明の目的】本発明の目的は前記状況に基き、（１）
正孔輸送能に優れたキャリア輸送材料、（２）正孔輸送
能が優れ、可撓性、機械的強度、接着性に優れた感光
層、（３）複写プロセスの小型化と高速化とが両立する
電子写真感光体、を提供することにある。

【００１２】

【発明の構成】前記本発明の目的は、下記一般式（１）
で表される繰返し単位を有する単独重合体もしくは前記
単位を含有するポリシラン系正孔輸送性高分子物質を含
有することを特徴とする電子写真感光体によって達成さ
れる。

【００１３】

【化２】

【００１４】式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄は夫々水素原
子、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、
アルケニル基、アリール基、アルキルシリル基又はアリ
ールシリル基である。ｎは自然数である。ｎには特に制
約はないが１〜５が好ましい。

【００１５】また前記一般式（１）のＲ₁〜Ｒ₄の表すア
ルキル基としては、炭素数が１〜24、好ましくは１〜８
の直鎖又は枝分かれしたアルキル基、例えばメチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキシル
基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ペンタデシル
基、ステアリル基、シクロヘキシル基などのシクロアル
キル基、これらの置換アルキル基等を挙げることができ
る。

【００１６】アリール基としては、炭素数が６〜24のも
のが好ましく、フェニル基、ナフチル基、アンスリル基
等を挙げることができる。

【００１７】アルコキシ基としては、炭素数１〜約10の
ものが好ましく、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基を挙げることができる。

【００１８】アルケニル基としては、炭素数が２〜約10
のものが好ましく、ビニル基、アリル基、ブテニル基等
が挙げられる。

【００１９】アルキルシリル基としては、-SiH(CH₃)₂，
-Si(CH₃)₃，-Si(C₃H₇)₃，-Si(C₄H₉)₃，-Si(CH₃)₂(C
₂H₅)，-Si(CH₃)(C₂H₅)₂などを挙げることができる。

【００２０】アリールシリル基としては-SiH(C₆H₅)₂，-
Si(CH₃)₂(C₆H₅)，-CH₂Si(CH₃)₂(C₆H₅)などを挙げること
ができる。

【００２１】前記Ｒ₁〜Ｒ₄及びアリール基への置換基と
しては、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アミ
ノ基、ニトロ基、シアン基及びハロゲン原子或はその他
の置換基が挙げられる。

【００２２】一般式（１）モノマー単位と共重合させる
シランモノマー単位としては好ましいものとして下記の
ものが挙げられる。尚水素又は置換基を有する２価のモ
ノシラン残基等の構造を-(R¹)Si(R²)-，-(R¹)₂Si-(R²)-
のように表示する。

【００２３】

【化３】

【００２４】

【化４】

【００２５】次に一般式（１）で表される繰返し単位を
有するポリシラン系高分子物質の具体例を以下に示す
が、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００２６】

【化５】

【００２７】

【化６】

【００２８】次に本発明に係るポリシラン系高分子物質
の合成例を示す。

【００２９】Ａ．モノマーの合成 本発明に係るモノマーは下記反応式によって得ることが
できる。

【００３０】

【化７】

【００３１】（１）（トリメチルシリルメチル）メチル
ジクロルシラン 滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及び窒素導入管をつけた
300mlフラスコに、マグネシウム5.8g（0.24mmol）とジ
エチルエーテル100mlを入れた。撹拌しながら、これに
クロルメチルトリメチルシラン24.4g（0.20mol）のジエ
チルエーテル（50ml）溶液を２時間かけて滴下した。滴
下終了後、12時間撹拌し塩化トリメチルシリルマグネシ
ウムを調製した。

【００３２】滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及び窒素導
入管をつけた１ｌフラスコに、メチルトリクロルシラン
149g（１mol）とジエチルエーテル250mlを入れた。撹拌
しながら、この混合物に前記調製した塩化トリメチルシ
リルマグネシウムを２時間かけて滴下した。滴下終了
後、36時間撹拌しながら加熱還流した。冷却後、反応混
合物にヘキサン200mlを加え、生成した塩を濾別した。
濾液を濃縮後、減圧蒸留し、（トリメチルシリルメチ
ル）メチルジクロルシランを得た。収量11.7g（収率43
％）。

【００３３】［参考文献］D. Seyferth and E. G. Roch
ow, J. Org. Chem., 20, 250 (1955)。

【００３４】（２）（2-トリメチルシリルエチル）メチ
ルジクロルシラン トリメチルシリルエテン100g（1.0mmol）とメチルジク
ロルシラン127g（1.1mol）を反応させた。滴下漏斗、還
流冷却器、撹拌機及び窒素導入管をつけた500mlフラス
コに、トリメチルシリルエテンとメチルジクロルシラン
の混合物20mlを入れ、塩化白金酸（ＶＩ）0.0051g（0.0
1mmol）を加えた。撹拌しながら、これに残りのトリメ
チルシリルエテンとメチルジクロルシランの混合物を４
時間かけて滴下した。滴下終了後、１時間撹拌し反応を
完結させた。反応混合物にヘキサン200mlを加え、沈殿
した触媒を濾別した。濾液を濃縮後、減圧蒸留し、（2-
トリメチルシリルエチル）メチルジクロルシランを得
た。収量145g（収率75％）。

【００３５】［参考文献］J.W.Ryan, G.K.Menzie, and
J. L. Speier,J.Am.Chem.Soc.,82,3601(1960)。

【００３６】Ｂ．高分子物質の合成 （１）ポリ〔（トリメチルシリルメチル）メチルシリレ
ン〕の合成 ［例１］滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及び窒素導入管
をつけた500mlフラスコに、（トリメチルシリルエチ
ル）メチルジクロルシラン20g(100mmol)とトルエン200m
lを入れた。これに、加熱（110℃）し撹拌しながら、ナ
トリウム（5.3g、270mmol）のトルエン（100ml）スラリ
ーを30分かけて滴下した。滴下終了後、72時間撹拌しな
がら加熱還流した。冷却後、反応混合物にヘキサン50ml
とメタノール50mlを加え、未反応のナトリウムを分解し
た。希塩酸100mlを加えた後、溶媒相を分離し、水相を
ヘキサンで抽出した。分離液と抽出液を合せ、水洗し無
水硫酸マグネシウムで乾かし、ロータリエバポレータで
溶媒を溜去した。残渣をアセトンで洗い、真空乾燥し、
ポリマーを得た。収量0.50g（収率４％）。Mw＝9.8×10
⁵，Mw/Mn＝1.6。

【００３７】［例２］滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及
び窒素導入管をつけた300mlフラスコに、ナトリウムと
トルエンを入れ、加熱し激しく撹拌し、ナトリウムを細
粒状にした。これに、加熱（110℃）し撹拌しながら
（トリメチルシリルメチル）メチルジクロルシラン7.5g
（37mmol）のトルエン80ml溶液を１時間かけ滴下した。
滴下終了後、66時間撹拌しながら加熱還流した。冷却
後、反応混合物にヘキサン50mlとメタノール50mlを加
え、未反応のナトリウムを分解した。希塩酸100mlを加
えた後、溶媒相を分解し、水相をヘキサンで抽出した。
分離液と抽出液を合せ、水洗し無水硫酸マグネシウムで
乾かし、ロータリエバポレータで溶媒を溜去した。残渣
をアセトンで洗い、真空乾燥し、ポリマーを得た。収量
0.30g（収率６％）。Mw＝9.8×10⁵，Mw/Mn＝1.6。

【００３８】［例３］滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及
び窒素導入管をつけた200mlフラスコに、（トリメチル
シリルメチル）メチルジクロルシラン10g（50mmol）、1
8-クラウン-6；0.66g（2.5mmol）及びジエチルエーテル
50mlを入れた。これに、加熱（35℃）し撹拌しながら、
ナトリウム（2.7g、117mmol）のジエチルエーテル（100
ml）スラリーを30分かけて滴下した。滴下終了後、46時
間撹拌しながら加熱還流した。冷却後、反応混合物にヘ
キサン50mlとメタノール50mlを加え、未反応のナトリウ
ムを分解した。希塩酸100mlを加えた後、溶媒相を分解
し、水相をヘキサンで抽出した。分離液と抽出液を合
せ、水洗し無水硫酸マグネシウムで乾かし、ロータリエ
バポレータで溶媒を溜去した。残渣をアセトンで洗い、
真空乾燥し、ポリマーを得た。収量3.7g（収率57％）。
Mw＝9.2×10⁴，Mw/Mn＝2.3。

【００３９】得られたポリ〔（トリメチルシリルメチ
ル）メチルシリレン〕のＩＲスペクトルデータを図１に
示す。

【００４０】（２）ポリ〔（2-トリメチルシリルエチ
ル）メチルシリレン〕の合成 ［例４］滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及び窒素導入管
をつけた200mlフラスコに、（2-トリメチルシリルエチ
ル）メチルジクロルシラン10g（50mmol）、15-クラウン
-5；0.20g（１mmol）及びトルエン100mlを入れた。これ
に、加熱（110℃）し撹拌しながら、ナトリウム（2.3
g、100mmol）のトルエン（40ml）スラリーを30分かけて
滴下した。滴下終了後、46時間撹拌しながら加熱還流し
た。冷却後、反応混合物にヘキサン50mlとメタノール50
mlを加え、未反応のナトリウムを分解した。希塩酸100m
lを加えた後、溶媒相を分解し、水相をヘキサンで抽出
した。分離液と抽出液を合せ、水洗し無水硫酸マグネシ
ウムで乾かし、ロータリエバポレータで溶媒を溜去し
た。残渣をアセトンで洗い、真空乾燥し、ポリマーを得
た。収量2.0g（収率30％）。Mw＝1.6×10⁵，Mw/Mn＝2.
5。

【００４１】得られたポリ〔（2-トリメチルシリルエチ
ル）メチルシリレン〕のＩＲスペクトルデータを図２に
示す。

【００４２】（３）ポリ〔（3-トリメチルシリルプロピ
ル）メチルシリレン〕の合成 ［例５］滴下漏斗、還流冷却器、撹拌機及び窒素導入管
をつけた300mlフラスコに、（3-トリメチルシリルプロ
ピル）メチルジクロルシラン10g（43mmol）、15-クラウ
ン-5；0.48g（2.2mmol）及びジエチルエーテル80mlを入
れた。これに、加熱（35℃）し撹拌しながら、ナトリウ
ム（2.4g、104mmol）のジエチルエーテル（120ml）スラ
リーを30分かけて滴下した。滴下終了後、46時間撹拌し
ながら加熱還流した。冷却後、反応混合物にヘキサン50
mlとメタノール50mlを加え、未反応のナトリウムを分解
した。希塩酸100mlを加えた後、溶媒相を分解し、水相
をヘキサンで抽出した。分離液と抽出液を合せ、水洗し
無水硫酸マグネシウムで乾かし、ロータリエバポレータ
で溶媒を溜去した。残渣をアセトンで洗い、真空乾燥
し、ポリマーを得た。収量1.0g（収率15％）。Mw＝3.6
×10⁴，Mw/Mn＝1.7。

【００４３】得られたポリ〔（3-トリメチルシリルプロ
ピル）メチルシリレン〕のＩＲスペクトルデータを図３
に示す。

【００４４】本発明の電子写真感光体は、前記の特定の
正孔輸送性物質（h−ＣＴＭ）シランポリマーを含有す
る有機感光層（ＰＣＬ）を備えたものである。すなわ
ち、本発明の電子写真感光体は、基本的には、シランポ
リマーをキャリア発生物質（ＣＧＭ）と組合せて構成し
た機能分離型の有機感光層を有し、この有機感光層を直
接もしくは他の層を介して例えば導電性支持体上に積層
して構成したものである。該有機感光層の具体的構成
は、特に限定されず、以下のように種々の構成が可能で
ある。

【００４５】（１）キャリア輸送層（ＣＴＬ）と、キャ
リア発生層（ＣＧＬ）とを別個独立の層とした構成（以
下「構成（１）」という）。

【００４６】（２）独立したＣＧＬ を形成せずに、シ
ランポリマー中にＣＧＭを分散含有させた構成（以下
「構成（２）」という）。

【００４７】斯かる機能分離型の有機感光層によれば、
キャリアの発生と、キャリアの輸送とを別個の物質に分
担させるので、ＣＧＭの選択範囲が広範となり、画像形
成プロセスにおいて要求される諸特性、例えば帯電させ
たときの表面電位が高く、光感度が高く、又反復使用に
おける安定性が大きい等の優れた特性を有する有機感光
体を構成することが可能となる。

【００４８】更に本発明の特定のｈ−ＣＴＭ；シランポ
リマーは、それ自身で高い成膜性を有しているので、バ
インダを併用せずに上記構成（１）におけるＣＴＬ或い
は上記構成（２）におけるＰＣＬを形成することができ
る。

【００４９】前記構成（１）のＣＴＬ或いは上記構成
（２）におけるＰＣＬは、シランポリマーのみにより形
成してもよいし、必要に応じてその他の物質を併用して
所望の特性を付与してもよい。

【００５０】本発明の態様においては、ＣＧＬからＣＴ
Ｌへのキャリア注入を促進する他種の補助キャリア輸送
性物ｏ−ＣＴＭを併用することが好ましい。

【００５１】本発明の感光体の態様例を図４に示す。

【００５２】図４(ａ)は前記構成(１)に対応するもので
あり、１は導電性支持体、２はＣＧＭ、バインダを含有
するＣＧＬ、３は本発明に係る正孔輸送性物質シランポ
リマー；ｈ−ＣＴＭ及びｏ−ＣＴＭを含有するＣＴＬで
ある。該ＣＴＬにおいてｏ−ＣＴＭ／ｈ−ＣＴＭ(ｗｔ)
は0.01〜2.0であることが好ましい。前記２と３でＰＣ
Ｌ４が構成される。図４(ｂ)は前記構成(２)に対応する
ものであり、ＰＣＬ４にはＣＧＭ、ｈ−ＣＴＭ及びｏ−
ＣＴＭが混在する。尚、ｏ−ＣＴＭ／ＣＧＭは0.1〜10
であることが好ましい。

【００５３】図４(ｃ)及び(ｄ)は構成(１)，(２)からの
変形例であって、同図(ｃ)の２′はＣＧＭの他にｏ−Ｃ
ＴＭ及びバインダを含んだＣＧＬであって、２′中での
ｏ−ＣＴＭ／ＣＧＭは0.1〜10が好ましい。

【００５４】同図(ｄ)はｏ−ＣＴＭ及びバインダを含む
中間ＣＴＬ３′を設けている。中間ＣＴＬ３′において
ｏ−ＣＴＭ／バインダは0.2〜50、膜厚は0.5〜５μmが
好ましい。

【００５５】本発明に併用されるｏ−ＣＴＭとしては、
例えば下記一般式(２)〜一般式(７）で示される化合物
が挙げられる。

【００５６】

【化８】

【００５７】式中Ｒ_３は水素原子、置換もしくは無置換
の次記２つの基；アルキル基、アリール基を表し、Ｒ₄
は水素原子、置換もしくは無置換の次記２つの基；フェ
ニル基、ナフチル基を表し、Ｑは置換もしくは無置換の
フェニル基又はベンゼン環と他の環との縮合環を表し、
Ａｒ₁及びＡｒ₂はそれぞれ置換もしくは無置換の次記２
つの基；アルキル基、ナフチル基を表し、Ａｒ₃は置換
もしくは無置換の次記２つの基；フェニレン基、ナフチ
ル基を表し、ｍはｏ又は１を表す。

【００５８】本発明に好ましく用いられる上記一般式
(２)で示される化合物の代表的具体例を以下に示す。

【００５９】

【化９】

【００６０】

【化１０】

【００６１】

【化１１】

【００６２】

【化１２】

【００６３】前記一般式(２)で表される化合物は例えば
特開昭58-198425号に記載された方法に準じて容易に合
成することができる。

【００６４】

【化１３】

【００６５】式中、Ｒ₅は水素原子、ハロゲン原子、置
換もしくは無置換の続記３つの基；アルキル基、アルコ
キシ基、アミノ基又はヒドロキシル基を表し、Ｒ₆は置
換もしくは無置換のアリール基を表し、Ｒ₇は置換もし
くは無置換の次記２つの基；アリール基、複素環基を表
す。

【００６６】Ｒ₅で表されるアリール基は例えばフェニ
ル基、ナフチル基等である。Ｒ₆で表されるハロゲン原
子は例えば塩素原子等、アルキル基は例えばメチル基、
プロピル基、アルコキシ基は例えばメトキシ基、エトキ
シ基等である。

【００６７】Ｒ₇で表されるアリール基は例えばフェニ
ル基、ナフチル基等、複素環基は例えばチエニル基等で
ある。

【００６８】Ｒ₅〜Ｒ₇で表される各基が単一若しくは複
数の置換基を有する場合、その置換基としては特に限定
はないが、例えばアルキル基、アリール基、アルコキシ
基、置換アミノ基、ハロゲン原子などが挙げられ、又複
数の置換基同士が互に結合して環を形成してもよい。

【００６９】上記一般式(３)で示される化合物について
は、特開昭64-44944号に記載されている。本発明に好ま
しく用いられる上記一般式(３)で示される化合物の代表
的具体的を以下に示す。

【００７０】

【化１４】

【００７１】上記一般式（３）で表される化合物は例え
ば特開昭60-172045号に記載の方法に準じて容易に合成
することができる。

【００７２】

【化１５】

【００７３】式中、Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₁及びＲ₁₂はそれぞれ
置換もしくは無置換の続記３つの基；アルキル基、アラ
ルキル基、アリール基を表し、Ｒ₁₀は水素原子、アルキ
ル基又はアルコキシ基を表す。

【００７４】Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₁及びR₁₂で表されるアルキ
ル基例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ヘキシル基など、アラルキル基は例えばベンジル基
など、アリール基は例えばフェニル基、ナフチル基など
である。Ｒ₁₀で表されるアルキル基は例えばメチル基、
プロピル基など、アルコキシ基は例えばメトキシ基、エ
トキシ基などである。Ｒ₈，Ｒ₉，Ｒ₁₁及びＲ₁₂で表され
る各基が置換基を有する場合、その置換基としては特に
限定はないが、例えばアルキル基、アリール基、アルコ
キシ基、置換アミノ基、ハロゲン原子などが挙げられ
る。

【００７５】一般式（４）において、Ｒ₁₁及びＲ₁₂の少
なくとも一方は置換もしくは無置換のナフチル基である
ことが好ましい。

【００７６】上記一般式（４）で示される化合物につい
ては例えば特開昭64-44946号に記載されている。本発明
に好ましく用いられる上記一般式（４）で示される化合
物の代表的具体例を以下に示す。

【００７７】

【化１６】

【００７８】前記一般式（４）で示される化合物は例え
ば特開昭57-101844号公報に記載の方法に準じて容易に
合成することができる。

【００７９】

【化１７】

【００８０】式中、Ｒ₁₃，Ｒ₁₄及びＲ₁₅はそれぞれ水素
原子、置換もしくは無置換の続記３つの基；アルキル
基、アルコキシ基、アリールオキシ基を表し、Ｒ₁₆は水
素原子、置換もしくは無置換の続記３つの基；アルキル
基、アルケニル基、アリール基を表し、ｐ及びｌは１又
は２を表し、ｑは０又は１を表す。ｐ及びｌが２の時、
Ｒ₁₃及びＲ₁₄はそれぞれ同一であっても異なっていても
よい。

【００８１】Ｒ₁₃，Ｒ₁₄及びＲ₁₅で表されるアルキル基
としては例えばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチ
ル基、ヘキシル基等の低級アルキル基が好ましく、アル
コキシ基としては例えばメトキシ基、エトキシ基、プロ
ポキシ基、ブトキシ基等の低級アルコキシ基が好まし
く、アリールオキシ基としては例えばフェノキシ基等が
好ましい。

【００８２】Ｒ₁₆で表されるアルキル基としては例えば
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル
基等の低級アルキル基が好ましく、アルケニル基として
は例えば2-プロペニル基が好ましく、アリール基として
は例えばフェニル基等が好ましい。

【００８３】Ｒ₁₃〜Ｒ₁₄で表される基が置換基を有する
場合、置換基としては例えばアルキル基、アリール基、
アルコキシ基、ハロゲン原子などが挙げられる。

【００８４】一般式（５）において、Ｒ₁₃及びＲ₁₄はア
ルキル基又はアルコキシ基が好ましく、Ｒ₁₅は水素原子
が好ましく、またＲ₁₆はアリール基が好ましい。

【００８５】上記一般式（５）で示される化合物につい
ては特開昭64-44949号に記載されている。本発明に好ま
しく用いられる上記一般式（５）で示される化合物の代
表的具体例を以下に示す。

【００８６】

【化１８】

【００８７】

【化１９】

【００８８】上記一般式（５）で表される化合物は例え
ば特開昭59-15251号に記載の方法に準じて容易に合成す
ることができる。

【００８９】

【化２０】

【００９０】Ar₄，Ar₅は置換若しくは未置換のアリール
基を表す。

【００９１】Ar₆は置換若しくは未置換のアリーレン基
を表す。

【００９２】Ar₇はp-フェニレン基又はナフチレン基を
表す。

【００９３】Ｒ₁₇，Ｒ₁₈は置換若しくは無置換のアルキ
ル基を表す。

【００９４】上記一般式（６）で示される化合物につい
ては特開平1-18971号に記載されている。

【００９５】以下に本発明に好ましく用いられる上記一
般式（６）で示される化合物の代表的具体例を以下に示
す。

【００９６】

【化２１】

【００９７】上記一般式（６）で表される化合物は、公
知の合成方法により容易に合成することができる。

【００９８】

【化２２】

【００９９】Ｒ₁₈，Ｒ₁₉はジアルキルアミノ基を表す。

【０１００】Ar₈，Ar₉は置換若しくは未置換のフェニル
基を表す。ｍ′，ｎ′は０又は１を表し、ｍ′，ｎ′と
が同時に０になることはない。

【０１０１】上記一般式（７）で示される化合物につい
ては特開平1-18971号に記載されている。

【０１０２】以下に好ましく用いられる上記一般式
（７）で示される化合物の代表的具体例を以下に示す。

【０１０３】

【化２３】

【０１０４】

【化２４】

【０１０５】上記一般式（７）で表される化合物は公知
の方法により容易に合成することができる本発明におい
てはＣＴＬ中に用いられるポリシランとＣＧＬ中に添加
されるＣＴＭとのイオン化ポテンシャルの差は0.6eV以
内であることが好ましく、更に好ましくは0.4eV内、特
に好ましくは0.3eV以内である。

【０１０６】ＣＴＭとポリシランとのイオン化ポテンシ
ャルの差が大きいと感度向上の効果が認められなくなる
からである。

【０１０７】ここでイオン化ポテンシャルIpは理研計器
株式会社製表面分析装置ＡＣ−１にて、メーカ推奨の標
準条件で測定した仕事関数の値を指す。

【０１０８】次に本発明で用いられるバインダとしては
絶縁性を高めるものが好ましく、例えばポリカーボネー
ト、ポリエステル、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポ
リ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポ
リビニルアセテート、ポリイソプレン、ポリブタジエ
ン、ポリアミド樹脂、ポリウレタン樹脂；スチレン-ブ
タジエン共重合体、スチレン-メタクリル酸メチル共重
合体等のスチレン共重合体樹脂；塩化ビニリデン-アク
リロニトリル共重合体等のアクリロニトリル系共重合体
樹脂；塩化ビニル-酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル-酢
酸ビニル-無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、
シリコーン-アルキッド樹脂、フェノール樹脂、スチレ
ン-アルキッド樹脂、ポリ-N-ビニルカルバゾール、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリヒドロ
キシスチレン等が挙げられる。これらのバインダは、単
独で又は２種以上を混合して用いることができる。これ
らバインダの併用割合は、上記構成（１）におけるＣＴ
Ｌ及び上記構成（２）におけるＰＣＬのＣＧＭを除いた
重量の５〜50wt％である。

【０１０９】残留電位の低下を図るための他のｎ型のＣ
ＴＭとしては、テトラシアノエチレン、テトラシアノキ
ノジメタン、ジクロルジシアノパラベンズキノン、トリ
ニトロフルオレノン、テトラニトロフルオレノン、フル
オレニリデンマロノシニトリル、アニール類等を挙げる
ことができる。斯かるＣＴＭは、上記構成（１）におけ
るＣＧＬにも添加して用いることができる。

【０１１０】また本発明においては、電位及びポリマー
特性の安定化を図るための添加剤を用いることができ
る。

【０１１１】光、熱、オゾン等の化学物質などに起因す
る電位及びポリマー特性の劣化防止のために下記のよう
な物質を添加剤することができる。

【０１１２】 ヒンダードフェノール系酸化防止剤
（例えばチバガイギー社製；IRGANOX 1010，同245，同2
59，同1035，同1076，同1081，同1098，同1222，同133
0，同1425WL，同3114，同5057など） 紫外線吸収剤（例えばチバガイギー社製；TINUVIN
P，同234，同320，同326，同327，同328，同213など） 耐光安定剤、紫外線安定剤（例えばチバガイギー社
製；TINUVIN 622LD，CHIMASSORB 944LD，TINUVIN 144，
CHIMASSORB 199など） ＣＧＭとしては、一般に可視光から赤外光に到る範囲の
光を吸収して、自由キャリアを発生するものであれば特
に限定されないが、具体的には、無機顔料及び有機顔料
等から選択することができる。

【０１１３】斯かる無機顔料としては、例えば無定形セ
レン、三方晶系セレン、セレン-砒素合金、セレン-テル
ル合金、硫化カドミウム等を挙げることができる。

【０１１４】又、有機顔料としては、例えば（１）モノ
アゾ顔料、ビスアゾ顔料、トリスアゾ顔料、金属錯塩ア
ゾ顔料等のアゾ系顔料、（２）ペリレン酸無水物、ペリ
レン酸イミド等のペリレン系顔料、（３）アンスラキノ
ン誘導体、アンスアンスロン誘導体、ジベンズピレンキ
ノン誘導体、ピランスロン誘導体、ビオランスロン誘導
体、イソビオランスロン誘導体等の多環キノン系顔料、
（４）インジゴイド誘導体、チオインジゴイド誘導体等
のインジゴイド系顔料、（５）金属フタロシアニン、無
金属フタロシアニン等のフタロシアニン系顔料、等を挙
げることができる。

【０１１５】斯かるＣＧＭは、それ自身では成膜性が乏
しいので、別個独立のＣＧＬを形成する場合には、バイ
ンダを併用することが好ましい。

【０１１６】上記構成（１）におけるＣＧＬに用いられ
るバインダとしては、特に限定されないが、例えば疎水
性でかつ絶縁性の膜の形成が可能な高分子重合体を用い
ることが好ましい。斯かる高分子重合体としては、前記
絶縁性を高めるバインダとして例示した物質と同様のも
のを用いることができる。これらのバインダは、単独で
又は２種以上を混合して用いることができる。斯かるバ
インダは、ＣＧＭの１重量部に対して、５重量部以下の
範囲で使用することが好ましい。

【０１１７】導電性支持体としては、（１） アルミニ
ウム、ステンレス等の金属よりなる板状もしくはドラム
状の導電性支持体、（２） 紙或はプラスチックフィル
ム等の支持体上に、アルミニウム、パラジウム、金等の
金属よりなる薄層をラミネートもしくは蒸着によって設
けた構成の導電性支持体、（３） 紙或はプラスチック
フィルム等の支持体上に、導電性ポリマー、酸化インジ
ウム、酸化スズ等の導電性化合物の層を塗布もしくは蒸
着によって設けた構成の導電性支持体等が挙げられる。

【０１１８】

【実施例】次に実施例によって本発明を説明する。

【０１１９】（実施例Ａ群） 実施例１〜10及び比較例（１） 実施例Ａ１ アルミニウム蒸着したポリエステルベース上に共重合ポ
リアミド（CM-8000；東レ製）よりなる厚さ0.15μmの中
間層を作成した。

【０１２０】次いでＣＧＭとしてチタニルフタロシアニ
ン２部、バインダ樹脂としてシリコーン樹脂（「KR-524
0，15％キシレンブタノール溶液」信越化学社製）15
部、分散媒としてシクロヘキサノン100部をサンドミル
を用いて分散し、これをワイヤバーにて塗布して膜厚0.
2μmのＣＧＬとした。

【０１２１】次いでＣＴＬとしてＰ−１；20部をトルエ
ン100部に溶解し、ブレード塗布機を用いて膜厚20μmと
した。

【０１２２】またＰ−１の代りにＰ−２〜10を用い同様
に実施例Ａ２〜Ａ10を作成した。

【０１２３】また比較としてＰ−１の代りにポリ（メチ
ルフェニルシラン）を用い同様に試料を作成し、比較例
（ＡI）とした。

【０１２４】特性評価 得られたサンプルは半導体レーザ光源を装着したプリン
タLP-3015（コニカ製）の改造機を用いて評価した。未
露光部電位Ｖ_H、露光部電位Ｖ_Lを求め感度の評価値と
し、表１に示した。膜物性である接着性、膜強度、可撓
性は実用的見地から見て以下の基準で判断した。

【０１２５】 ◎：実用性十分であり、著しく優れる ○：実用性十分 △：実用に耐える ×：実用性なし

【０１２６】

【表１】

【０１２７】（実施例Ｂ群） 実施例Ｂ１ アルミニウム蒸着ポリエステルベースからなる導電性支
持体上に、塩化ビニル-酢酸ビニル-無水マレイン酸共重
合体「エスレックMF-10」（積水化学工業社製）よりな
る厚さ0.1μmの中間層を設けた。

【０１２８】下記の構造式で示されるジブロムアンスア
ンスロン「モノライトレッド２Ｙ」（ICI社製）１重量
部とＣＴＭとして具体例６−３；１重量部、ポリカーボ
ネート樹脂「パンライトL-1250」（帝人化成社製）0.5
重量部とを、1,2-ジクロルエタン100重量部に混合し、
ボールミルで24時間分散して塗布液を調製し、この塗布
液を用いて浸漬法により、前記中間層上に、乾燥後の膜
厚が0.5μmのＣＧＬを形成した。

【０１２９】

【化２５】

【０１３０】更に実施例Ａ郡と同様にＣＴＬを塗布し実
施例Ｂ１〜Ｂ10及び比較例（Ｂ１）を作成した。

【０１３１】特性評価 Ｕ-Bix５１７０改造機で黒紙電位Ｖ_B、白紙電位Ｖ_Wで評
価した。

【０１３２】

【表２】

【０１３３】（実施例Ｃ群） 実施例Ｃ１ ＣＧＭ；χ型無金属フタロシアニン 20重量部 ＣＴＭ；Ｐ−１ 50 〃 ＴＨＦ； 1000 〃 上記組成物をサンドミルにて分散して、塗布液を作成し
た。

【０１３４】この塗布液をデジタル複写機ＤＣ９０２８
（コニカ(株)製）用の感光体Ａｌ基体上に乾燥膜厚15μ
mとなるように浸漬塗布した。

【０１３５】ＣＴＭのＰ−１をＰ２〜10に代え実施例Ｃ
２〜Ｃ10、ポリ（メチルフェニルシラン）に代えて比較
例（Ｃ１）を得た。

【０１３６】特性評価 得られたサンプルはＤＣ９０２８にて、第１現像位置の
未露光部電位Ｖ_H、露光部電位Ｖ_Lを評価値とした。

【０１３７】

【表３】

【０１３８】

【発明の効果】キャリア輸送性特に正孔輸送性が良好
で、可撓性、機械的強度、接着性の良好な感光層が得ら
れ、小型で高速処理可能な電子写真感光体が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ポリ〔（トリメチルシリルメチル）メチルシリ
レン〕のＩＲスペクトル図

【図２】本発明に係るポリ〔（2-トリメチルシリルエチ
ル）メチルシリレン〕のＩＲスペクトル図

【図３】本発明に係るポリ〔（3-トリメチルシリルプロ
ピル）メチルシリレン〕のＩＲスペクトル図

【図４】本発明に係る感光体の態様例の断面図

【符号の説明】

１ 導電性支持体 ２ キャリア発生層（ＣＧＬ） ３ キャリア輸送層（ＣＴＬ） ４ 感光層（ＰＣＬ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１）で表される繰返し単位
   を有する単独重合体もしくは前記単位を含有するポリシ
   ラン系正孔輸送性高分子物質を含有することを特徴とす
   る電子写真感光体。 【化１】 〔式中Ｒ₁，Ｒ₂，Ｒ₃及びＲ₄は夫々水素原子、置換もし
   くは無置換のアルキル基、アルコキシ基、アルケニル
   基、アリール基、アルキルシリル基又はアリールシリル
   基である。ｎは自然数である。〕