JPH0573770B2 - - Google Patents
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Landscapes
- Polyamides (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は芳香族ポリエステルアミドに関し、更
に詳しくは、耐熱性及び電気絶縁性、成形性等の
諸特性が優れた芳香族ポリエステルアミドに関す
る。 [従来の技術] 従来、芳香族ポリエステル又は芳香族ポリアミ
ドは、耐熱性電気絶縁材料として優れた性質を有
することが知られており、工業的規模で製造さ
れ、これが市販されている。しかしながら、前者
の芳香族ポリエステル、例えばテレフタル酸、イ
ソフタル酸又はこれらの誘導体と、2,2−ビス
(4′−ヒドロキシフエニル)プロパンより製造さ
れる芳香族ポリエステルは、機械的特性、電気的
特性及び成形性などに優れ、電気絶縁材料として
有用であるが、近年の電気、電子機器の高性能化
に要求される耐熱性を考慮した場合、その耐熱性
は満足すべきものではない。また、後者の芳香族
ポリアミド、例えばテレフタル酸、イソフタル酸
又はこれらの誘導体と1,4−フエニレンジアミ
ン、1,3−フエニレンジアミン、4,4′−ジア
ミノジフエニルエーテルなどの芳香族ジアミノ化
合物より製造される芳香族ポリアミドは、耐熱性
に優れ、耐熱性電気絶縁材料として非常に有用で
あるが、反面、ポリマーの融点が高いため成形性
が劣り高価となるため、工業的に有利な材料とは
言えない。 一方、上記の芳香族ポリエステルあるいは芳香
族ポリアミドの欠点を改良し、かつ両者の優れた
特性を兼ね備えたポリマーとして芳香族ポリエス
テルアミドの開発が進められているが、未だ有用
な耐熱性電気絶縁材料として実用化されるまでに
は至つていない。 [発明が解決しようとする課題] 本発明は、耐熱性、電気絶縁性及び成形性など
に優れた、有用な芳香族ポリエステルアミドを提
供することを目的とする。 [課題を解決するための手段] 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、次式
()、()及び():
に詳しくは、耐熱性及び電気絶縁性、成形性等の
諸特性が優れた芳香族ポリエステルアミドに関す
る。 [従来の技術] 従来、芳香族ポリエステル又は芳香族ポリアミ
ドは、耐熱性電気絶縁材料として優れた性質を有
することが知られており、工業的規模で製造さ
れ、これが市販されている。しかしながら、前者
の芳香族ポリエステル、例えばテレフタル酸、イ
ソフタル酸又はこれらの誘導体と、2,2−ビス
(4′−ヒドロキシフエニル)プロパンより製造さ
れる芳香族ポリエステルは、機械的特性、電気的
特性及び成形性などに優れ、電気絶縁材料として
有用であるが、近年の電気、電子機器の高性能化
に要求される耐熱性を考慮した場合、その耐熱性
は満足すべきものではない。また、後者の芳香族
ポリアミド、例えばテレフタル酸、イソフタル酸
又はこれらの誘導体と1,4−フエニレンジアミ
ン、1,3−フエニレンジアミン、4,4′−ジア
ミノジフエニルエーテルなどの芳香族ジアミノ化
合物より製造される芳香族ポリアミドは、耐熱性
に優れ、耐熱性電気絶縁材料として非常に有用で
あるが、反面、ポリマーの融点が高いため成形性
が劣り高価となるため、工業的に有利な材料とは
言えない。 一方、上記の芳香族ポリエステルあるいは芳香
族ポリアミドの欠点を改良し、かつ両者の優れた
特性を兼ね備えたポリマーとして芳香族ポリエス
テルアミドの開発が進められているが、未だ有用
な耐熱性電気絶縁材料として実用化されるまでに
は至つていない。 [発明が解決しようとする課題] 本発明は、耐熱性、電気絶縁性及び成形性など
に優れた、有用な芳香族ポリエステルアミドを提
供することを目的とする。 [課題を解決するための手段] 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、次式
()、()及び():
【式】
−O−Ar−O− ()
【式】
(式中、R1、R2、R3及びR4は同一でも異なつて
いてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、
炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のア
ルコキシ基を表わし;Arは二価の置換又は非置
換芳香族基を表わし;式における2個のカルボ
ニル基は互いにベンゼン環のメタ位又はパラ位に
結合している) で示される構造単位がエステル結合又はアミド結
合により結合し、式及び式の構造単位の比が
95:5〜10:90の範囲にあり、0.3dl/g(0.5
g/dl m−クレゾール溶液を30℃で測定)以上
の対数粘度を有する芳香族ポリエステルアミドで
ある。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、例え
ば、テレフタル酸、イソフタル酸又はこれらの誘
導体と、次式():
いてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、
炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のア
ルコキシ基を表わし;Arは二価の置換又は非置
換芳香族基を表わし;式における2個のカルボ
ニル基は互いにベンゼン環のメタ位又はパラ位に
結合している) で示される構造単位がエステル結合又はアミド結
合により結合し、式及び式の構造単位の比が
95:5〜10:90の範囲にあり、0.3dl/g(0.5
g/dl m−クレゾール溶液を30℃で測定)以上
の対数粘度を有する芳香族ポリエステルアミドで
ある。 以下に本発明を更に詳細に説明する。 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、例え
ば、テレフタル酸、イソフタル酸又はこれらの誘
導体と、次式():
【式】
(式中、R1、R2、R3及びR4は前記と同義であ
る) で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物及び次
式(): HO−Ar−OH () (式中、Arは前記と同義である) で示される芳香族ジヒドロキシ化合物とを重合さ
せることにより製造される。 テレフタル酸及びイソフタル酸の誘導体として
は、例えば、次式():
る) で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物及び次
式(): HO−Ar−OH () (式中、Arは前記と同義である) で示される芳香族ジヒドロキシ化合物とを重合さ
せることにより製造される。 テレフタル酸及びイソフタル酸の誘導体として
は、例えば、次式():
【式】
(式中、2個のカルボニル基は互いにベンゼン環
のメタ位又はパラ位に結合しており;X1及びX2
は同一でも異なつていてもよく、それぞれハロゲ
ン原子、フエノキシ基、炭素数1〜5のアルコキ
シ基、又は炭素数1〜5のアルキルもしくは炭素
数1〜5のアルコキシで置換されたフエノキシ基
を表わす で示される化合物が挙げられる。ここで、X1及
びX2で表わされるハロゲン原子としては、例え
ば、塩素原子、臭素原子などが挙げられ;炭素数
1〜5のアルコキシ基としては、例えば、メトキ
シ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキ
シ、n−ブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブト
キシ、n−ペントキシなどが挙げられる。また、
フエノキシ基に置換されている炭素数1〜5のア
ルキル基としては、例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブトキシ、sec
−ブトキシ、tert−ブトキシ、n−ペンチルなど
が挙げられ;炭素数1〜5のアルコキシ基として
は、前記と同様の基が挙げられる。式で示され
る化合物の具体例としては、例えば、テレフタル
酸ジクロリド、イソフタル酸ジクロリド、テレフ
タル酸ジブロミド、イソフタル酸ジブロミド、ジ
フエニルテレフタレート、ジフエニルイソフタレ
ート、ジトリルテレフタレート、ジトリルイソフ
タレート、ジメチルテレフタレート、ジメチルイ
ソフタレート、ジエチルテレフタレート、ジエチ
ルイソフタレート、ジプロピルテレフタレート、
ジプロピルイソフタレートなどが挙げられる。テ
レフタル酸、イソフタル酸及びこれらの誘導体は
単独で又は二種以上混合して用いられる。 式で示される化合物の置換基R1〜R4のうち、
ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原
子などが挙げられ;炭素数1〜5のアルキル基と
しては、例えば、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブトキシ、sec−ブトキ
シ、tert−ブトキシ、n−ペンチルなどが挙げら
れ;炭素数1〜5のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソ
プロポキシ、n−ブトキシ、sec−ブトキシ、
tert−ブトキシ、n−ペントキシなどが挙げられ
る。 式で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物
の具体例としては、例えば、2,2−(4′−ヒド
ロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパン、2,
2−(4′−ヒドロキシ−3″−メチル−4″−アミノ
ジフエニル)プロパン、2,2−(4′−ヒドロキ
シ−3″−ブロモ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ン、2,2−(4′−ヒドロキシ−3″−メトキシ−
4″−アミノジフエニル)プロパン、2,2−
(3′−メチル−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパン、2,2−(3′,3″−ジメチル−
4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ン、2,2−(3′,5′−ジメチル−4′−ヒドロキシ
−4″−アミノジフエニル)プロパン、2,2−
(3′−エチル−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパン、2,2−(3′−tert−ブチル−
4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ン、2,2−(3′−クロロ−4′−ヒドロキシ−4″−
アミノジフエニル)プロパン、2,2−(3′,
3″−ジクロロ−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフ
エニル)プロパン、2,2−(3′,3″−ジブロモ
−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロ
パン、2,2−(3′,5′,3″,5″−テトラブロモ−
4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ンなどが挙げられる。 これらの化合物は単独で又は二種以上混合して
用いられる。 式で示される化合物のAr基としては、例え
ば、次式:
のメタ位又はパラ位に結合しており;X1及びX2
は同一でも異なつていてもよく、それぞれハロゲ
ン原子、フエノキシ基、炭素数1〜5のアルコキ
シ基、又は炭素数1〜5のアルキルもしくは炭素
数1〜5のアルコキシで置換されたフエノキシ基
を表わす で示される化合物が挙げられる。ここで、X1及
びX2で表わされるハロゲン原子としては、例え
ば、塩素原子、臭素原子などが挙げられ;炭素数
1〜5のアルコキシ基としては、例えば、メトキ
シ、エトキシ、n−プロポキシ、イソプロポキ
シ、n−ブトキシ、sec−ブトキシ、tert−ブト
キシ、n−ペントキシなどが挙げられる。また、
フエノキシ基に置換されている炭素数1〜5のア
ルキル基としては、例えば、メチル、エチル、n
−プロピル、イソプロピル、n−ブトキシ、sec
−ブトキシ、tert−ブトキシ、n−ペンチルなど
が挙げられ;炭素数1〜5のアルコキシ基として
は、前記と同様の基が挙げられる。式で示され
る化合物の具体例としては、例えば、テレフタル
酸ジクロリド、イソフタル酸ジクロリド、テレフ
タル酸ジブロミド、イソフタル酸ジブロミド、ジ
フエニルテレフタレート、ジフエニルイソフタレ
ート、ジトリルテレフタレート、ジトリルイソフ
タレート、ジメチルテレフタレート、ジメチルイ
ソフタレート、ジエチルテレフタレート、ジエチ
ルイソフタレート、ジプロピルテレフタレート、
ジプロピルイソフタレートなどが挙げられる。テ
レフタル酸、イソフタル酸及びこれらの誘導体は
単独で又は二種以上混合して用いられる。 式で示される化合物の置換基R1〜R4のうち、
ハロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原
子などが挙げられ;炭素数1〜5のアルキル基と
しては、例えば、メチル、エチル、n−プロピ
ル、イソプロピル、n−ブトキシ、sec−ブトキ
シ、tert−ブトキシ、n−ペンチルなどが挙げら
れ;炭素数1〜5のアルコキシ基としては、例え
ば、メトキシ、エトキシ、n−プロポキシ、イソ
プロポキシ、n−ブトキシ、sec−ブトキシ、
tert−ブトキシ、n−ペントキシなどが挙げられ
る。 式で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物
の具体例としては、例えば、2,2−(4′−ヒド
ロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパン、2,
2−(4′−ヒドロキシ−3″−メチル−4″−アミノ
ジフエニル)プロパン、2,2−(4′−ヒドロキ
シ−3″−ブロモ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ン、2,2−(4′−ヒドロキシ−3″−メトキシ−
4″−アミノジフエニル)プロパン、2,2−
(3′−メチル−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパン、2,2−(3′,3″−ジメチル−
4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ン、2,2−(3′,5′−ジメチル−4′−ヒドロキシ
−4″−アミノジフエニル)プロパン、2,2−
(3′−エチル−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパン、2,2−(3′−tert−ブチル−
4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ン、2,2−(3′−クロロ−4′−ヒドロキシ−4″−
アミノジフエニル)プロパン、2,2−(3′,
3″−ジクロロ−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフ
エニル)プロパン、2,2−(3′,3″−ジブロモ
−4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロ
パン、2,2−(3′,5′,3″,5″−テトラブロモ−
4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロパ
ンなどが挙げられる。 これらの化合物は単独で又は二種以上混合して
用いられる。 式で示される化合物のAr基としては、例え
ば、次式:
【式】
(式中、2個の結合手は互いにメタ位又はパラ位
に結合している) で示されるフエニレン基; 次式:
に結合している) で示されるフエニレン基; 次式:
【式】
で示されるナフチレン基;
次式:
【式】
(式中、2個の結合手は、それぞれXに対してメ
タ位又はパラ位に結合し;Xは直接結合、酸素原
子、イオウ原子、スルホニル基、カルボニル基、
炭素数1〜5のアルキレン基又は炭素数2〜6の
アルキリデン基を表わす) で示される芳香族基; 又は、 次式:
タ位又はパラ位に結合し;Xは直接結合、酸素原
子、イオウ原子、スルホニル基、カルボニル基、
炭素数1〜5のアルキレン基又は炭素数2〜6の
アルキリデン基を表わす) で示される芳香族基; 又は、 次式:
【式】
で示されるアントラキノンジイル基などが挙げら
れる。 式中、Xの炭素数1〜5のアルキレン基として
は、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、
トリメチレン、テトラメチレン、1,1−ジメチ
ル−3−メチレントリメチレンなどが挙げられ、
炭素数2〜6のアルキリデン基としては、例え
ば、エチリデン、プロピリデン、イソプロピリデ
ン、1−メチルプロピリデン、1−エチルプロピ
リデン、シクロヘキシリデンなどが挙げられる。
なお、上記Ar基は、場合によりハロゲン原子、
炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアル
コキシ基で置換されていてもよい。 式で示される芳香族ジヒドロキシ化合物の具
体例としては、例えば、ビス(4−ヒドロキシフ
エニル)メタン、1,1−ビス(4′−ヒドロキシ
フエニル)エタン、2,2−,ビス(4′−ヒドロ
キシフエニル)プロパン、1,1−ビス(4′−ヒ
ドロキシフエニル)シクロヘキサン、1,1−ビ
ス(4′−ヒドロキシフエニル)−1−フエニルエ
タン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)スルフイ
ド、ビス(4−ヒドロキシフエニル)スルホン、
4,4′−ジヒドロキシジフエニルエーテル、ビス
(4−ヒドロキシフエニル)ケトン、4,4′−ジ
ヒドロキシビフエニル、2,2′−ジヒドロキシビ
フエニル、ヒドロキノン、レゾルシノール、1,
4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロ
キシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレ
ン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,7−
ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシ
アントラキノン、1,8−ジヒドロキシアントラ
キノンなどが挙げられる。これらの芳香族ジヒド
ロキシ化合物は単独で又は二種以上混合して用い
られる。 以上のモノマーを重合して得られる芳香族ポリ
エステルアミドには、ポリマーの熱安定性及び溶
融粘度を改良する目的で、該ポリマーの製造時
に、ポリマーの末端処理剤あるいは分子量調節剤
として、芳香族モノヒドロキシ化合物又は芳香族
モノアミノ化合物を添加することができる。これ
らの化合物の具体例としては、例えば、フエノー
ル、クレゾール、キシレノール、p−フエニルフ
エノール、2−フエニル−2−(4−ヒドロキシ
フエニル)プロパン、アニリン、トルイジン、ジ
メチルアニリン、アミノビフエニル、2−フエニ
ル−2−(4−アミノフエニル)プロパンなどが
挙げられる。 本発明で使用する芳香族ポリエステルアミド
は、例えば、溶液重合法、界面重合法又は溶融重
合法により前記のモノマーから製造される。いず
れの方法においても、常法に従い行われる。但
し、式及び式の構造単位の比が95:5〜10:
90の範囲となるように各モノマーの混合量を調整
することが必要である。なお、上記の方法で得ら
れる芳香族ポリエステルアミドは、ウベローデ型
粘度計を用いて、濃度0.5g/dlの該ポリマーの
m−クレゾール溶液を30℃で測定した際の対数粘
度が0.3dl/g以上、好ましくは0.4dl/g以上を
有するものが望ましい。なお、本発明でいう対数
粘度ηinhとは、次式: ηinh=ln〔t/t0〕/C (式中、tはポリマー溶液の流下時間、t0は溶媒
のみの流下時間、Cはポリマーの濃度(単位は
g/dl)である) で示される。対数粘度が0.3dl/g未満ではフイ
ルムの機械的強度が劣り、良好な結果が得られに
くくなり易い。 本発明の芳香族ポリエステルアミドからフイル
ムなどの成形体を製造する際、該ポリマーは単独
で又は二種以上混合して用いられる。また、多類
のポリマーを混合することによりその性質を改良
することもできる。かかるポリマーとしては、例
えば、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリス
ルホン樹脂及びポリエーテルスルホン樹脂などが
挙げられる。また、かかる成形体の耐熱性、耐光
性、耐酸化性、耐候性などを改良するために、安
定剤として紫外線吸収剤、例えばo−オキシベン
ゾフエノン誘導体、サリチル酸エステル、ベンゾ
トリアゾール誘導体など、又は酸化防止剤、例え
ばフエノール誘導体、ホスフアイト系化合物など
を添加することもできる。またポリマーの成形加
工性や機械的特性を改良する目的で可塑剤あるい
は溶融粘度調節剤、例えばフタル酸エステル、リ
ン酸エステルなどを添加することもできる。これ
らの芳香族ポリエステルアミド以外の成分は、成
形体中50%以下の範囲で配合される。 本発明の芳香族ポリエステルアミドをフイルム
などに成形するには、溶液からのキヤステイング
法、圧縮成形法、溶融押出し法、トランスフアー
成形法又は射出成形法などを用いることができ
る。溶液からのキヤステイング法で使用する溶剤
としては、例えばポリマーの溶解性に優れるm−
クレゾール、シクロヘキサノン、1,4−ジオキ
サン、テトラヒドロフランなどが挙げられ、これ
らは単独で又はこれらの溶剤の1種以上を成分と
する混合溶剤として用いられる。圧縮成形法で
は、ポリマーの溶融点以下、ガラス転位点以上の
温度で成形することが好ましく、通常、その温度
は200〜300℃で実施するのが有利である。溶融押
出し法、トランスフアー成形法又は射出成形法な
どでは、ポリマーの溶融点以下の温度で行い得る
が、溶融ポリマーの流れ性と熱分解性を考慮し
て、通常260〜360℃の温度で実施するのが有利で
ある。 [発明の効果] 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、耐熱
性、機械的強度、電気絶縁性、成形性などに優れ
ており、そのフイルムは一般包装用はもちろんの
こと、磁気テープ、電気絶縁フイルム、スペーサ
ー類などのフイルム、構造材料、基板材料、機械
部品及び電気電子部品など広範囲にわたる種々の
用途に利用することが可能であり、特に耐熱性電
気絶縁材料として、その工業的価値は大である。 [実施例] 以下の実施例において、部とは重量部を表わ
す。 実施例 1 2,2−(4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパン、2,2−ビス(4′−ヒドロキシ
フエニル)プロパン、イソフタル酸ジクロリドお
よびテレフタル酸ジクロリドを70:30:50:50の
モル比で、テトラヒドロフラン中、トリエチルア
ミンを脱塩酸剤に用いて反応させ、溶液重合法に
より製造した。次いで、得られた対数粘度1.05
dl/gの芳香族ポリエステルアミド50部をシクロ
ヘキサノン400部に溶解し、均一な溶液とした。
この溶液を平滑な加熱プレート上に塗布し、50〜
100℃、窒素気流中で溶剤を蒸発させフイルムを
試作した。このフイルムを引き続き100〜150℃の
オーブン中で100時間乾燥し、透明な膜厚0.11mm
のフイルムを得た。フイルムの引張強度11.0Kg/
mm2(23℃)、破断伸び20%(23℃)、体積抵抗率
3.0×1016Ω.cm(23℃、50Hz)、誘電率3.7(23℃、
50Hz)、誘電正接0.6%(23℃、50Hz)であつた。
高温時の電気特性も良好で、180℃における体積
抵抗率は2.0×1013Ω.cm(180℃、50Hz)、誘電
正接は0.8%(180℃、50Hz)、誘電率は3.7(180
℃、50Hz)であつた。また、同じポリマーをプレ
ス温度270℃、圧力100Kg/cm2で圧縮成形し、厚さ
1mmの透明なシートを得た。このシートの諸特性
は前記とほぼ同様であつた。 実施例 2 2,2−(4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパンとレゾルシノールを60:40のモル
比で含むアルカリ水溶液とイソフタル酸ジクロト
リドとテレフタル酸ジクロリドを30:70のモル比
で含むシクロヘキサノン溶液とから界面重合法に
より製造した。次いで、得られた対数粘度0.85
dl/gの芳香族ポリエステルアミド40部をシクロ
ヘキサノン300部に溶解させ、実施例1と同様に
してキヤステイング法によりフイルムを試作し
た。フイルムは透明で、膜厚は0.10mm、引張強度
9.8Kg/mm2(23℃)、破断伸び15%(23℃)、体積
抵抗率2.0×1016Ω.cm(23℃、50Hz)、2.1×1013
Ω.cm(180℃、50Hz)、誘電率3.3(23℃、50Hz)、
3.5(180℃、50Hz)、誘電正接0.7%(23℃、50
Hz)、0.8%(180℃、50Hz)であつた。 実施例 3〜9 芳香族ヒドロキシアミノ化合物として2,2−
(4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロ
パン及び2,2−(4′−ヒドロキシ−3″−メチル
−4″−アミノジフエニル)プロパン、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物としてビス(4−ヒドロキシフエ
ニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)
スルホン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)スル
フイド、4,4′−ジヒドロキシジフエニルエーテ
ル、4,4′−ジヒドロキシビフエニル及びビス
(4−ヒドロキシフエニル)メタン、芳香族酸ジ
ハライドとしてイソフタル酸ジクロリド及びテレ
フタル酸ジクロリドを使用して、溶液重合法又は
界面重合法により製造された芳香族ポリエステル
アミドを、実施例1と同様にしてシクロヘキサノ
ン溶液からキヤステイング法によりフイルムを試
作した。使用した原料の組成、重合法、フイルム
の特性を表に一括して示した。
れる。 式中、Xの炭素数1〜5のアルキレン基として
は、例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、
トリメチレン、テトラメチレン、1,1−ジメチ
ル−3−メチレントリメチレンなどが挙げられ、
炭素数2〜6のアルキリデン基としては、例え
ば、エチリデン、プロピリデン、イソプロピリデ
ン、1−メチルプロピリデン、1−エチルプロピ
リデン、シクロヘキシリデンなどが挙げられる。
なお、上記Ar基は、場合によりハロゲン原子、
炭素数1〜5のアルキル基、炭素数1〜5のアル
コキシ基で置換されていてもよい。 式で示される芳香族ジヒドロキシ化合物の具
体例としては、例えば、ビス(4−ヒドロキシフ
エニル)メタン、1,1−ビス(4′−ヒドロキシ
フエニル)エタン、2,2−,ビス(4′−ヒドロ
キシフエニル)プロパン、1,1−ビス(4′−ヒ
ドロキシフエニル)シクロヘキサン、1,1−ビ
ス(4′−ヒドロキシフエニル)−1−フエニルエ
タン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)スルフイ
ド、ビス(4−ヒドロキシフエニル)スルホン、
4,4′−ジヒドロキシジフエニルエーテル、ビス
(4−ヒドロキシフエニル)ケトン、4,4′−ジ
ヒドロキシビフエニル、2,2′−ジヒドロキシビ
フエニル、ヒドロキノン、レゾルシノール、1,
4−ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロ
キシナフタレン、1,7−ジヒドロキシナフタレ
ン、2,6−ジヒドロキシナフタレン、2,7−
ジヒドロキシナフタレン、1,5−ジヒドロキシ
アントラキノン、1,8−ジヒドロキシアントラ
キノンなどが挙げられる。これらの芳香族ジヒド
ロキシ化合物は単独で又は二種以上混合して用い
られる。 以上のモノマーを重合して得られる芳香族ポリ
エステルアミドには、ポリマーの熱安定性及び溶
融粘度を改良する目的で、該ポリマーの製造時
に、ポリマーの末端処理剤あるいは分子量調節剤
として、芳香族モノヒドロキシ化合物又は芳香族
モノアミノ化合物を添加することができる。これ
らの化合物の具体例としては、例えば、フエノー
ル、クレゾール、キシレノール、p−フエニルフ
エノール、2−フエニル−2−(4−ヒドロキシ
フエニル)プロパン、アニリン、トルイジン、ジ
メチルアニリン、アミノビフエニル、2−フエニ
ル−2−(4−アミノフエニル)プロパンなどが
挙げられる。 本発明で使用する芳香族ポリエステルアミド
は、例えば、溶液重合法、界面重合法又は溶融重
合法により前記のモノマーから製造される。いず
れの方法においても、常法に従い行われる。但
し、式及び式の構造単位の比が95:5〜10:
90の範囲となるように各モノマーの混合量を調整
することが必要である。なお、上記の方法で得ら
れる芳香族ポリエステルアミドは、ウベローデ型
粘度計を用いて、濃度0.5g/dlの該ポリマーの
m−クレゾール溶液を30℃で測定した際の対数粘
度が0.3dl/g以上、好ましくは0.4dl/g以上を
有するものが望ましい。なお、本発明でいう対数
粘度ηinhとは、次式: ηinh=ln〔t/t0〕/C (式中、tはポリマー溶液の流下時間、t0は溶媒
のみの流下時間、Cはポリマーの濃度(単位は
g/dl)である) で示される。対数粘度が0.3dl/g未満ではフイ
ルムの機械的強度が劣り、良好な結果が得られに
くくなり易い。 本発明の芳香族ポリエステルアミドからフイル
ムなどの成形体を製造する際、該ポリマーは単独
で又は二種以上混合して用いられる。また、多類
のポリマーを混合することによりその性質を改良
することもできる。かかるポリマーとしては、例
えば、ポリスチレン樹脂、ポリカーボネート樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリス
ルホン樹脂及びポリエーテルスルホン樹脂などが
挙げられる。また、かかる成形体の耐熱性、耐光
性、耐酸化性、耐候性などを改良するために、安
定剤として紫外線吸収剤、例えばo−オキシベン
ゾフエノン誘導体、サリチル酸エステル、ベンゾ
トリアゾール誘導体など、又は酸化防止剤、例え
ばフエノール誘導体、ホスフアイト系化合物など
を添加することもできる。またポリマーの成形加
工性や機械的特性を改良する目的で可塑剤あるい
は溶融粘度調節剤、例えばフタル酸エステル、リ
ン酸エステルなどを添加することもできる。これ
らの芳香族ポリエステルアミド以外の成分は、成
形体中50%以下の範囲で配合される。 本発明の芳香族ポリエステルアミドをフイルム
などに成形するには、溶液からのキヤステイング
法、圧縮成形法、溶融押出し法、トランスフアー
成形法又は射出成形法などを用いることができ
る。溶液からのキヤステイング法で使用する溶剤
としては、例えばポリマーの溶解性に優れるm−
クレゾール、シクロヘキサノン、1,4−ジオキ
サン、テトラヒドロフランなどが挙げられ、これ
らは単独で又はこれらの溶剤の1種以上を成分と
する混合溶剤として用いられる。圧縮成形法で
は、ポリマーの溶融点以下、ガラス転位点以上の
温度で成形することが好ましく、通常、その温度
は200〜300℃で実施するのが有利である。溶融押
出し法、トランスフアー成形法又は射出成形法な
どでは、ポリマーの溶融点以下の温度で行い得る
が、溶融ポリマーの流れ性と熱分解性を考慮し
て、通常260〜360℃の温度で実施するのが有利で
ある。 [発明の効果] 本発明の芳香族ポリエステルアミドは、耐熱
性、機械的強度、電気絶縁性、成形性などに優れ
ており、そのフイルムは一般包装用はもちろんの
こと、磁気テープ、電気絶縁フイルム、スペーサ
ー類などのフイルム、構造材料、基板材料、機械
部品及び電気電子部品など広範囲にわたる種々の
用途に利用することが可能であり、特に耐熱性電
気絶縁材料として、その工業的価値は大である。 [実施例] 以下の実施例において、部とは重量部を表わ
す。 実施例 1 2,2−(4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパン、2,2−ビス(4′−ヒドロキシ
フエニル)プロパン、イソフタル酸ジクロリドお
よびテレフタル酸ジクロリドを70:30:50:50の
モル比で、テトラヒドロフラン中、トリエチルア
ミンを脱塩酸剤に用いて反応させ、溶液重合法に
より製造した。次いで、得られた対数粘度1.05
dl/gの芳香族ポリエステルアミド50部をシクロ
ヘキサノン400部に溶解し、均一な溶液とした。
この溶液を平滑な加熱プレート上に塗布し、50〜
100℃、窒素気流中で溶剤を蒸発させフイルムを
試作した。このフイルムを引き続き100〜150℃の
オーブン中で100時間乾燥し、透明な膜厚0.11mm
のフイルムを得た。フイルムの引張強度11.0Kg/
mm2(23℃)、破断伸び20%(23℃)、体積抵抗率
3.0×1016Ω.cm(23℃、50Hz)、誘電率3.7(23℃、
50Hz)、誘電正接0.6%(23℃、50Hz)であつた。
高温時の電気特性も良好で、180℃における体積
抵抗率は2.0×1013Ω.cm(180℃、50Hz)、誘電
正接は0.8%(180℃、50Hz)、誘電率は3.7(180
℃、50Hz)であつた。また、同じポリマーをプレ
ス温度270℃、圧力100Kg/cm2で圧縮成形し、厚さ
1mmの透明なシートを得た。このシートの諸特性
は前記とほぼ同様であつた。 実施例 2 2,2−(4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエ
ニル)プロパンとレゾルシノールを60:40のモル
比で含むアルカリ水溶液とイソフタル酸ジクロト
リドとテレフタル酸ジクロリドを30:70のモル比
で含むシクロヘキサノン溶液とから界面重合法に
より製造した。次いで、得られた対数粘度0.85
dl/gの芳香族ポリエステルアミド40部をシクロ
ヘキサノン300部に溶解させ、実施例1と同様に
してキヤステイング法によりフイルムを試作し
た。フイルムは透明で、膜厚は0.10mm、引張強度
9.8Kg/mm2(23℃)、破断伸び15%(23℃)、体積
抵抗率2.0×1016Ω.cm(23℃、50Hz)、2.1×1013
Ω.cm(180℃、50Hz)、誘電率3.3(23℃、50Hz)、
3.5(180℃、50Hz)、誘電正接0.7%(23℃、50
Hz)、0.8%(180℃、50Hz)であつた。 実施例 3〜9 芳香族ヒドロキシアミノ化合物として2,2−
(4′−ヒドロキシ−4″−アミノジフエニル)プロ
パン及び2,2−(4′−ヒドロキシ−3″−メチル
−4″−アミノジフエニル)プロパン、芳香族ジヒ
ドロキシ化合物としてビス(4−ヒドロキシフエ
ニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)
スルホン、ビス(4−ヒドロキシフエニル)スル
フイド、4,4′−ジヒドロキシジフエニルエーテ
ル、4,4′−ジヒドロキシビフエニル及びビス
(4−ヒドロキシフエニル)メタン、芳香族酸ジ
ハライドとしてイソフタル酸ジクロリド及びテレ
フタル酸ジクロリドを使用して、溶液重合法又は
界面重合法により製造された芳香族ポリエステル
アミドを、実施例1と同様にしてシクロヘキサノ
ン溶液からキヤステイング法によりフイルムを試
作した。使用した原料の組成、重合法、フイルム
の特性を表に一括して示した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 次式()、()及び(): 【式】 −O−Ar−O− () 【式】 (式中、R1、R2、R3及びR4は同一でも異なつて
いてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、
炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数1〜5のア
ルコキシ基を表わし;Arは二価の置換又は非置
換芳香族基を表わし;式における2個のカルボ
ニル基は互いにベンゼン環のメタ位又はパラ位に
結合している) で示される構造単位がエステル結合又はアミド結
合により結合し、式及び式の構造単位の比が
95:5〜10:90の範囲にあり、0.3dl/g(0.5
g/dl m−クレゾール溶液を30℃で測定)以上
の対数粘度を有する芳香族ポリエステルアミド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15149083A JPS6044525A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 芳香族ポリエステルアミド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15149083A JPS6044525A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 芳香族ポリエステルアミド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044525A JPS6044525A (ja) | 1985-03-09 |
| JPH0573770B2 true JPH0573770B2 (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=15519632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15149083A Granted JPS6044525A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 芳香族ポリエステルアミド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044525A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6069138A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 芳香族ポリエステルアミド樹脂 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP15149083A patent/JPS6044525A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6044525A (ja) | 1985-03-09 |
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