JPS6044525A - 芳香族ポリエステルアミド - Google Patents
芳香族ポリエステルアミドInfo
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- JPS6044525A JPS6044525A JP15149083A JP15149083A JPS6044525A JP S6044525 A JPS6044525 A JP S6044525A JP 15149083 A JP15149083 A JP 15149083A JP 15149083 A JP15149083 A JP 15149083A JP S6044525 A JPS6044525 A JP S6044525A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は芳香族ポリエステルアミドフィルムに関し、更
に詳しくは、耐熱性及び電気絶縁性等の諸物件が優れた
芳香族ポリエステルアミドフィルムに関する。
に詳しくは、耐熱性及び電気絶縁性等の諸物件が優れた
芳香族ポリエステルアミドフィルムに関する。
従来、芳香族ポリエステル又は芳香族ポリアミドから成
るフィルム、シート、合成紙などは、耐熱性電気絶縁材
料として優れた性質を有することが知られておシ、工業
的規模で製造され、これが市販されている。しかしなが
ら、前者の芳香族ポリエステル、例えばテレフタル酸、
インフタル酸又はこれらの誘導体と、２．２−ビス（４
′−ヒトＵキシフェニル）プロパンよシ製造される芳香
族ポリエステルから成るフィルムは、機械的特性。
るフィルム、シート、合成紙などは、耐熱性電気絶縁材
料として優れた性質を有することが知られておシ、工業
的規模で製造され、これが市販されている。しかしなが
ら、前者の芳香族ポリエステル、例えばテレフタル酸、
インフタル酸又はこれらの誘導体と、２．２−ビス（４
′−ヒトＵキシフェニル）プロパンよシ製造される芳香
族ポリエステルから成るフィルムは、機械的特性。
電気的特性及び成形性などに優れ、・電気絶縁材料とし
て着用であるが一近年の電気、電子機器の高性能化に要
求される耐熱性を考慮した場合、その耐熱性は満足すべ
きものではない。また、後者の芳香族ポリアミド、例え
ばテレフタル酸、インフタル酸又はこれらの誘導体と１
．４−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミ
ン、４ 、４’−ジアミノジフエニルエーテルなどの芳
香族ジアミノ化合物よシ製造される芳香族ポリアミドか
ら成るフィルムあるいは合成紙は、耐熱性に優れ、耐熱
性電気絶縁材料として非常に有用であるが、反面、ポリ
マーの融点が高いため成形性が劣シ高価となるため、工
業的に有利な材料とは言えない。
て着用であるが一近年の電気、電子機器の高性能化に要
求される耐熱性を考慮した場合、その耐熱性は満足すべ
きものではない。また、後者の芳香族ポリアミド、例え
ばテレフタル酸、インフタル酸又はこれらの誘導体と１
．４−フェニレンジアミン、１，３−フェニレンジアミ
ン、４ 、４’−ジアミノジフエニルエーテルなどの芳
香族ジアミノ化合物よシ製造される芳香族ポリアミドか
ら成るフィルムあるいは合成紙は、耐熱性に優れ、耐熱
性電気絶縁材料として非常に有用であるが、反面、ポリ
マーの融点が高いため成形性が劣シ高価となるため、工
業的に有利な材料とは言えない。
−力、上記の芳香族ポリエステルおるいは芳香族ポリア
ミドの欠点を改良し、かつ両者の優れた特性を兼ね備え
たポリマーとして芳香族ポリエステルアミドの開発が進
められているが、未だ有用な耐熱性電気絶縁材料として
実用化されるまでには至っていない。
ミドの欠点を改良し、かつ両者の優れた特性を兼ね備え
たポリマーとして芳香族ポリエステルアミドの開発が進
められているが、未だ有用な耐熱性電気絶縁材料として
実用化されるまでには至っていない。
本発明は、耐熱性、電気絶縁性及び成形性などに優れた
、有用な芳香族ポリエステルアミドフィルムを提供する
ことを目的とする。
、有用な芳香族ポリエステルアミドフィルムを提供する
ことを目的とする。
〔発明の概要〕
本発明の芳香族ポリエステルアミドフィルム社、次式（
１） 、 （Ｉｔ）及ヒａｌＤ＝−〇 −Ａｒ −０−
（ｎ） （式中、Ｒ”、Ｒ２゜几３及びＲ４は同一でも異なって
いてもよく、それぞれ水紫原子、ノーロゲン原子、炭素
数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のアルコキシ基
を表わし；Ａｒ は二価の置換又は非置換芳香族基を表
わし；１式における２個のカルボニル基ハ互いにベンゼ
ン環のメタ位又はパラ位に結合している） で示される構造単位がエステル結合又はアミド結合によ
多結合し、１式及び１式の構造単位の比が９５：５〜１
０：９０の範囲にある芳香族ポリエステルアミドを主成
分とすることを特徴とする。
１） 、 （Ｉｔ）及ヒａｌＤ＝−〇 −Ａｒ −０−
（ｎ） （式中、Ｒ”、Ｒ２゜几３及びＲ４は同一でも異なって
いてもよく、それぞれ水紫原子、ノーロゲン原子、炭素
数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のアルコキシ基
を表わし；Ａｒ は二価の置換又は非置換芳香族基を表
わし；１式における２個のカルボニル基ハ互いにベンゼ
ン環のメタ位又はパラ位に結合している） で示される構造単位がエステル結合又はアミド結合によ
多結合し、１式及び１式の構造単位の比が９５：５〜１
０：９０の範囲にある芳香族ポリエステルアミドを主成
分とすることを特徴とする。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明で使用する芳香族ポリエステルアミドは、例えば
、テレフタル酸、イン７タル酸又はこれらの誘導体と、
次式（ｒｌｌ）： （式中、Ｒ” 、 Ｒ２，Ｒ３及び几４ は前記と同義
である） で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物及び次式（Ｖ
）： ＨＯ−Ａｒ −ＯＨ（Ｖ） （式中、Ａｒは前記と同義でらる） で示される芳香族ジヒドロキシ化合物とを重合せしめる
ことによシ製造される。
、テレフタル酸、イン７タル酸又はこれらの誘導体と、
次式（ｒｌｌ）： （式中、Ｒ” 、 Ｒ２，Ｒ３及び几４ は前記と同義
である） で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物及び次式（Ｖ
）： ＨＯ−Ａｒ −ＯＨ（Ｖ） （式中、Ａｒは前記と同義でらる） で示される芳香族ジヒドロキシ化合物とを重合せしめる
ことによシ製造される。
テレフタル酸及びイノフタル酸の誘導体として控、例え
ば、次式（Ｖｌｌ ： （式中、２個のカルボニル基は互いにベンゼン環のメタ
位又はパラ位に結合しており 、 Ｘｉ及びＸ２は同一
でも異なっていてもよく、それぞれハロゲン原子、フェ
ノキシ基、炭素数１〜５のアルコキシ基又は場合によシ
炭票数１〜５のアル中ル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基で置換されたフェノキシ基を表わす） で示される化合物が挙げられる。ここで、Ｘ及びＸ３
で表わされるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子
、臭素原子などが挙けられ；炭素数１〜５のアルコキシ
基としては、例えば、メトキシ基。
ば、次式（Ｖｌｌ ： （式中、２個のカルボニル基は互いにベンゼン環のメタ
位又はパラ位に結合しており 、 Ｘｉ及びＸ２は同一
でも異なっていてもよく、それぞれハロゲン原子、フェ
ノキシ基、炭素数１〜５のアルコキシ基又は場合によシ
炭票数１〜５のアル中ル基、炭素数１〜５のアルコキシ
基で置換されたフェノキシ基を表わす） で示される化合物が挙げられる。ここで、Ｘ及びＸ３
で表わされるハロゲン原子としては、例えば、塩素原子
、臭素原子などが挙けられ；炭素数１〜５のアルコキシ
基としては、例えば、メトキシ基。
エトキシ基、ｎ−プ日ポキン基、インプロポキシ基。
ｎ−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒ ｔ−ブ
トキシ基、ｎ−ペントキシ基などが挙けられる。また、
フェノキシ基に置換される炭素数１〜５のアルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、インプロピル基、ｎ−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−プトキ７基、ｎ−ペンチル基などが挙げ
られ；炭素数１〜５０アルコキシ基としては前記と同様
の基が挙げられる。
トキシ基、ｎ−ペントキシ基などが挙けられる。また、
フェノキシ基に置換される炭素数１〜５のアルキル基と
しては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基
、インプロピル基、ｎ−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ
基、ｔｅｒｔ−プトキ７基、ｎ−ペンチル基などが挙げ
られ；炭素数１〜５０アルコキシ基としては前記と同様
の基が挙げられる。
■式で示される化合物の具体例としては、例えば、テレ
フタル級ジクロリド、イン７タル酸ジクロリド、テレフ
タル酸ジプロミド、イン７タル酸ジブロξド、ジフェニ
ルテレフタレート、ジエチルテレフタレート、ジトリル
テレフタレート、ジトリルインフタレート、ジメチルテ
レフタレート、ジメチルイン７タレート、ジエチルテレ
フタレート、シエチルインフタレ−１・、ジプロピルテ
レ７タレート、ジエチルテレフタレートなどが挙げられ
る。テレフタル酸、イン７タル酸及びこれらの鰐尋体は
単独で又は二種以上混合して用いられる。
フタル級ジクロリド、イン７タル酸ジクロリド、テレフ
タル酸ジプロミド、イン７タル酸ジブロξド、ジフェニ
ルテレフタレート、ジエチルテレフタレート、ジトリル
テレフタレート、ジトリルインフタレート、ジメチルテ
レフタレート、ジメチルイン７タレート、ジエチルテレ
フタレート、シエチルインフタレ−１・、ジプロピルテ
レ７タレート、ジエチルテレフタレートなどが挙げられ
る。テレフタル酸、イン７タル酸及びこれらの鰐尋体は
単独で又は二種以上混合して用いられる。
■式で示される化合物の置換基Ｒ１〜ｋＬ’のうち、ハ
ロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子などが
挙けられ；炭素数１〜５のアルキル基としては１例えば
、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、インプロピル
基、ｎ−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ｅｒｔ
−ブトキシ基、ｎ−ペンチル基などが挙けられ；炭素数
１〜５のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロボキシ基、インプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキ
シ基、ｎ−ペントキシ基などが挙げられる。
ロゲン原子としては、例えば塩素原子、臭素原子などが
挙けられ；炭素数１〜５のアルキル基としては１例えば
、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、インプロピル
基、ｎ−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ基、ｔ−ｅｒｔ
−ブトキシ基、ｎ−ペンチル基などが挙けられ；炭素数
１〜５のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、
エトキシ基、ｎ−プロボキシ基、インプロポキシ基、ｎ
−ブトキシ基、５ｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキ
シ基、ｎ−ペントキシ基などが挙げられる。
０式で示される芳香族ヒドロキシアミノ化合物の具体例
としては、例えば、２ 、２− （４’−ヒドロキシ−
４〃−アミノジフェニル）プロパン、２．２−（４′−
ヒドロキシ−３１−メチル−４Ｉ−アミノジフェニル）
プロパン、２ 、２− （４’−ヒドロ午シー３１−フ
ロモー４〃−アミノジフェニル）プロパン、２ 、２−
（４’−ヒドロヤシ−３１−メトキシ−４ｇ−アミノ
ジフェニル）プロパン、２．２−（３’−メチル−４′
−ヒドロキシ−４Ｎ−アミノジフェニル）プロパン、２
、２− （３’ 、 ３Ｎ−ジメチル−４′−ヒドロ
キシ−４〃−アミノジフェニル）プロパン、２ 、２−
（３’ 、 ５’−ジメチル−４′−ヒドロキシ−４
１−アミノジフェニル）フロパン、２ 、２− （３’
−エチル−４′−ヒドロキク−４〃−アミノジフエニル
）プロパンｓ ２ ｅ ２− （３’ −ｔｅｒｔ−ブ
チル−４′−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニル）フ
ロパン。
としては、例えば、２ 、２− （４’−ヒドロキシ−
４〃−アミノジフェニル）プロパン、２．２−（４′−
ヒドロキシ−３１−メチル−４Ｉ−アミノジフェニル）
プロパン、２ 、２− （４’−ヒドロ午シー３１−フ
ロモー４〃−アミノジフェニル）プロパン、２ 、２−
（４’−ヒドロヤシ−３１−メトキシ−４ｇ−アミノ
ジフェニル）プロパン、２．２−（３’−メチル−４′
−ヒドロキシ−４Ｎ−アミノジフェニル）プロパン、２
、２− （３’ 、 ３Ｎ−ジメチル−４′−ヒドロ
キシ−４〃−アミノジフェニル）プロパン、２ 、２−
（３’ 、 ５’−ジメチル−４′−ヒドロキシ−４
１−アミノジフェニル）フロパン、２ 、２− （３’
−エチル−４′−ヒドロキク−４〃−アミノジフエニル
）プロパンｓ ２ ｅ ２− （３’ −ｔｅｒｔ−ブ
チル−４′−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニル）フ
ロパン。
２ 、２− （３’−クロ日−４′−ヒドロキクー４〃
−アミノジフェニル）プロパン、２．２−（３’、３＃
−ジクロロ−４′−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニ
ル）プロパン、２ 、２− （３’ 、 ３〃−ジブロ
モ−４′−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニル）フロ
パン。
−アミノジフェニル）プロパン、２．２−（３’、３＃
−ジクロロ−４′−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニ
ル）プロパン、２ 、２− （３’ 、 ３〃−ジブロ
モ−４′−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニル）フロ
パン。
２．２−（３’、５’、３’、５＃−テトラブロモ−４
′−ヒドロキシ−４Ｉ−アミノジフェニル）プロパンな
どが挙げられる。
′−ヒドロキシ−４Ｉ−アミノジフェニル）プロパンな
どが挙げられる。
これらの化合物は単独で又は二種以上混合して用いられ
る。
る。
７式で示される化合物のＡｒ ｇとしては、例えば、次
式： （式中、２個の置換基は互いにメタ位又社パラ位に結合
している） で示されるフェニレン基、 次式： で示されるナフチレン基、 次式： （式中、２個の置換基は、それぞれＸに対してメタ位又
はパラ位に結合し；Ｘは直接結合、酸素原子、イオウ原
子、スルホニル基、カルボニル基、炭素数１〜５のアル
中しン基又は炭素数２〜６のアルキリデン基を表わす） で示される芳香族基、 又は、 テ示すれるアントラキノンジイル基などが挙けられる。
式： （式中、２個の置換基は互いにメタ位又社パラ位に結合
している） で示されるフェニレン基、 次式： で示されるナフチレン基、 次式： （式中、２個の置換基は、それぞれＸに対してメタ位又
はパラ位に結合し；Ｘは直接結合、酸素原子、イオウ原
子、スルホニル基、カルボニル基、炭素数１〜５のアル
中しン基又は炭素数２〜６のアルキリデン基を表わす） で示される芳香族基、 又は、 テ示すれるアントラキノンジイル基などが挙けられる。
式中、炭素数１〜５のアルキレン基としては、例えば、
メチレン基、エチレン基、プロピレン基。
メチレン基、エチレン基、プロピレン基。
トリメチレン基、テトラメチレン基、１．１−ジメチル
−３−メチレントリメチレン基などが挙げられ、炭素数
２〜６のアルキリデン基としては。
−３−メチレントリメチレン基などが挙げられ、炭素数
２〜６のアルキリデン基としては。
例えば、エチリデン基、グロビリデン基、イングロビリ
デン基、１−メチルグロビリデン基、１−エチルグロビ
リデン基、シクロヘキシリデン基などが挙げられる。な
お、上記Ａｒ 基は、場合にょジハロゲン原子、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基で置
換されているものであってもよい。
デン基、１−メチルグロビリデン基、１−エチルグロビ
リデン基、シクロヘキシリデン基などが挙げられる。な
お、上記Ａｒ 基は、場合にょジハロゲン原子、炭素数
１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキシ基で置
換されているものであってもよい。
７式で示される芳香族ジヒドロキシ化合物の具体例とし
ては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
、１．１−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１．１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、１．１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
４．４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）ケトン、４．４’−ジヒドロキ
シビフェニル、 ２．２’−ジヒドロキシビフェニル、
ヒドロキノン、レゾルシノール、１．４−ジヒドロキシ
ナフタレン、１．５−ジヒドロキシナフタレン、１，７
−ジヒドロキシナフタレン、２、ｅ−ジヒドロキシナフ
タレン、２．７−ジヒドロキシナフタレン、１．５−ジ
ヒドロキシアントラキノン、１．８−ジヒドロキシアン
トラキノンなどが挙げられる。これらの芳香族ジヒドロ
キシ化合物は単独で又は二種以上混合して用、いられる
。
ては、例えば、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン
、１．１−ビス（４′−ヒドロキシフェニル）エタン、
２，２−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１．１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、１．１−ビス（４’−ヒドロキシフェニル）−１
−フェニルエタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、
４．４’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、ビス（４
−ヒドロキシフェニル）ケトン、４．４’−ジヒドロキ
シビフェニル、 ２．２’−ジヒドロキシビフェニル、
ヒドロキノン、レゾルシノール、１．４−ジヒドロキシ
ナフタレン、１．５−ジヒドロキシナフタレン、１，７
−ジヒドロキシナフタレン、２、ｅ−ジヒドロキシナフ
タレン、２．７−ジヒドロキシナフタレン、１．５−ジ
ヒドロキシアントラキノン、１．８−ジヒドロキシアン
トラキノンなどが挙げられる。これらの芳香族ジヒドロ
キシ化合物は単独で又は二種以上混合して用、いられる
。
以上のモノマーを重合して得られる芳香族ポリエステル
アミドには、ポリマーの熱安定性及び溶融粘度を改良す
る目的で、該ポリマーの製造時に。
アミドには、ポリマーの熱安定性及び溶融粘度を改良す
る目的で、該ポリマーの製造時に。
ポリマーの末端処理剤あるいは分子量調節剤として、芳
香族モノヒドロキシ化合物又は芳香族七ノアεノ化合物
を添加することができる。これらの化合物の具体例とし
ては、例えば、フェノール。
香族モノヒドロキシ化合物又は芳香族七ノアεノ化合物
を添加することができる。これらの化合物の具体例とし
ては、例えば、フェノール。
クレゾール、キシレノール、ｐ−フェニルフェノール、
２−フェニル−２−（４−ヒドロキシフェニル）フロパ
ン、アニリン、トルイジン、ジメチルアニリン、アミノ
ビフェニル、２−フェニルー２−（４−アミノフェニル
）プロパンなどが挙ケられる。
２−フェニル−２−（４−ヒドロキシフェニル）フロパ
ン、アニリン、トルイジン、ジメチルアニリン、アミノ
ビフェニル、２−フェニルー２−（４−アミノフェニル
）プロパンなどが挙ケられる。
本発明で使用する芳香族ポリエステルアミドは。
例えば、溶液重合法、界面重合法又は溶融重合法によシ
前記のモノマーから製造される。いずれの方法において
も、常法に従い行われる。但し、１式及び１式の構造単
位の比が９５：５〜１０：９０の範凹となるように各モ
ノマーの混合量を調整することが必俄である。なお、上
記の方法で得られる芳香族ポリエステルアミドは、ウベ
ローデ型粘度計を用いて、濃度０．５Ｐ／（ｊＡ！ の
該ポリマーのｍ−クツゾール溶液を３０℃で測定した際
の対数粘度が１通常帆３ｄｌ１１！以上、好ましくは０
．４ｄｉｌ／！以上を有するものが望ましい。なお、本
発明でいう（式中、ｔはポリマー溶液の流下時間、１ｏ
は溶媒のみの流下時間、Ｃはポリマーの濃度（単位は
Ｆ／ｄ ｌ ）である。） で示される。対数粘紋が０．３ｄｉｌ／！ 米温で（よ
フィルムの機械的強度が劣シ、良好な結果が得られにく
くなシ易い。
前記のモノマーから製造される。いずれの方法において
も、常法に従い行われる。但し、１式及び１式の構造単
位の比が９５：５〜１０：９０の範凹となるように各モ
ノマーの混合量を調整することが必俄である。なお、上
記の方法で得られる芳香族ポリエステルアミドは、ウベ
ローデ型粘度計を用いて、濃度０．５Ｐ／（ｊＡ！ の
該ポリマーのｍ−クツゾール溶液を３０℃で測定した際
の対数粘度が１通常帆３ｄｌ１１！以上、好ましくは０
．４ｄｉｌ／！以上を有するものが望ましい。なお、本
発明でいう（式中、ｔはポリマー溶液の流下時間、１ｏ
は溶媒のみの流下時間、Ｃはポリマーの濃度（単位は
Ｆ／ｄ ｌ ）である。） で示される。対数粘紋が０．３ｄｉｌ／！ 米温で（よ
フィルムの機械的強度が劣シ、良好な結果が得られにく
くなシ易い。
本殆明に用いる芳香族ポリエステルアミドからフィルム
を製造する際、該ポリマー捻単独で又は二種以上混合し
て用いられる。また、他種のポリマーを混合することに
よシその性質を改良することもできる。かかるポリマー
としては、例えけ、ポリスチレン＠’ｒ Ｉｌ！ 、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスルホン樹脂及ヒポリエーテルスルホン樹脂な
どが挙けられる。また、本発明におけるフィルムの耐熱
性、耐光性、耐酸化性、耐候性などを改良するた、めに
。
を製造する際、該ポリマー捻単独で又は二種以上混合し
て用いられる。また、他種のポリマーを混合することに
よシその性質を改良することもできる。かかるポリマー
としては、例えけ、ポリスチレン＠’ｒ Ｉｌ！ 、ポ
リカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリスルホン樹脂及ヒポリエーテルスルホン樹脂な
どが挙けられる。また、本発明におけるフィルムの耐熱
性、耐光性、耐酸化性、耐候性などを改良するた、めに
。
安定剤として紫外線吸収剤、例えはＯ−オキシベンゾフ
ェノン誘導体、サリチル酸エステル、ベンゾトリアゾー
ル誘導体など、又は酸化防止剤、例えばフェノール誘導
体、ホスファイト系化合物などｒ−添加・することもで
きる。またポリマーの成形加工性や機械的特性を改良す
る目的で可塑剤あるいは溶融粘度調節剤、例えばフタル
酸エステル、リン酸エステル、な□どを添加することも
できる。
ェノン誘導体、サリチル酸エステル、ベンゾトリアゾー
ル誘導体など、又は酸化防止剤、例えばフェノール誘導
体、ホスファイト系化合物などｒ−添加・することもで
きる。またポリマーの成形加工性や機械的特性を改良す
る目的で可塑剤あるいは溶融粘度調節剤、例えばフタル
酸エステル、リン酸エステル、な□どを添加することも
できる。
これラノ芳香族ポリエステルアミド以外の成分は、フィ
ルム中５０チ以下の範囲で配合される。
ルム中５０チ以下の範囲で配合される。
本発明の芳香族ポリエステルアミドフィルムは、浴液か
らのキャスティング法、圧縮成形法、票融押出し法など
によシ製造できる。溶液からのキャスティング法で使用
する溶剤としては１例えばポリマーの醍解性に優れるｍ
−クレゾール、シクロヘキサノン、１．４−ジオキサン
、テトラヒドロフランなどが挙げられ、これらは単独で
又はこれらの溶剤の１種以上を成分とする混合浴剤とし
て用いられる。圧縮成形法では、ポリマーの溶融点以下
、ガラス転゛位点以上の温度で成形することが好ましく
、通常、その温度は２００〜３００℃で実施するのが有
利である。溶融押出し法では、ポリマーの溶融点以下の
温度で行い得るが、溶融ボリマニの流れ性と熱分解性を
考慮して、通常、２６０〜３６０℃の温度で実施するの
が有利でおる。
らのキャスティング法、圧縮成形法、票融押出し法など
によシ製造できる。溶液からのキャスティング法で使用
する溶剤としては１例えばポリマーの醍解性に優れるｍ
−クレゾール、シクロヘキサノン、１．４−ジオキサン
、テトラヒドロフランなどが挙げられ、これらは単独で
又はこれらの溶剤の１種以上を成分とする混合浴剤とし
て用いられる。圧縮成形法では、ポリマーの溶融点以下
、ガラス転゛位点以上の温度で成形することが好ましく
、通常、その温度は２００〜３００℃で実施するのが有
利である。溶融押出し法では、ポリマーの溶融点以下の
温度で行い得るが、溶融ボリマニの流れ性と熱分解性を
考慮して、通常、２６０〜３６０℃の温度で実施するの
が有利でおる。
なお、本発明にいうフィルムとは、シート、合成紙など
を含んだ広い意味を有する。
を含んだ広い意味を有する。
本発明の芳香族ポリエステルアミドフィルムは、耐熱性
、機械的強度、電気絶縁性、成形性などに優れておシ、
一般包装用はもちろんのこと、磁気テープ、電気絶縁材
料、スペーサー類など広範囲にわたる種々の用途に利用
することが可能であり、特（耐熱性電気絶縁フィルムと
して、その工業的価値は大でおる。
、機械的強度、電気絶縁性、成形性などに優れておシ、
一般包装用はもちろんのこと、磁気テープ、電気絶縁材
料、スペーサー類など広範囲にわたる種々の用途に利用
することが可能であり、特（耐熱性電気絶縁フィルムと
して、その工業的価値は大でおる。
＼以下の実施例において、部とは重量部を表わす。
実施例１
２ 、２− （４’−ヒドロキシ−４〃−アミノジフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（４′−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、インフタル酸ジクロリドおよびテレフ
タル酸ジクロリドを７０ ： ３０：５０：５０のモル
比で、テトラヒドロフラン中、トリエチルアミンを脱塩
酸剤に用いて反応させ、溶液重合法によシ製造した。次
いで、得られた対数粘度１．０５ ｄｌｌ／’！の芳香
族ポリエステルアミド５０部をシクロヘキサノン４００
部に浴解し、均一な溶液とした。この浴液を平滑な加熱
グレート上に塗布し、５０〜１００℃、窒素気流中で溶
剤を蒸発させフィルムを試作した。このフィルムを引き
続き１００〜１５０℃のオープン中で１００時間乾燥し
、透明な膜厚０．１１瓢のフィルムを得た。フィルＡ
Ｏ引張強度１１ 、０Ｋｇ／ｍｍ” （２３℃）、破断
伸ひ２０％（２３℃）、体積抵抗率３．ＯＸ １０”Ω
、ｃｔＩＬ（２３℃ ５０Ｈｚ）、誘電率３．７ （２
３℃、５０）１Ｋ）、誘電正接０．６％（２３℃、５０
Ｈｚ）であった。隅温時の電気特性も良好で、１８０℃
における体積抵抗率は２．ＯＸ １０１３Ω、ＣＩ＋１
（１８０℃、５０）１り 、誘電正接は０．８％（１８
０’Ｃ，５０）１Ｚ）、誘電率は３．７（１８０℃、５
０Ｈ２）でおった。また、同じポリマーをプレス温度２
７０℃、圧力１００に？／−で圧縮成形し、厚さ１謡の
透明なシートを得た。このシートの緒特性は前記とｔｌ
は同様であった。
ニル）プロパン、２．２−ビス（４′−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、インフタル酸ジクロリドおよびテレフ
タル酸ジクロリドを７０ ： ３０：５０：５０のモル
比で、テトラヒドロフラン中、トリエチルアミンを脱塩
酸剤に用いて反応させ、溶液重合法によシ製造した。次
いで、得られた対数粘度１．０５ ｄｌｌ／’！の芳香
族ポリエステルアミド５０部をシクロヘキサノン４００
部に浴解し、均一な溶液とした。この浴液を平滑な加熱
グレート上に塗布し、５０〜１００℃、窒素気流中で溶
剤を蒸発させフィルムを試作した。このフィルムを引き
続き１００〜１５０℃のオープン中で１００時間乾燥し
、透明な膜厚０．１１瓢のフィルムを得た。フィルＡ
Ｏ引張強度１１ 、０Ｋｇ／ｍｍ” （２３℃）、破断
伸ひ２０％（２３℃）、体積抵抗率３．ＯＸ １０”Ω
、ｃｔＩＬ（２３℃ ５０Ｈｚ）、誘電率３．７ （２
３℃、５０）１Ｋ）、誘電正接０．６％（２３℃、５０
Ｈｚ）であった。隅温時の電気特性も良好で、１８０℃
における体積抵抗率は２．ＯＸ １０１３Ω、ＣＩ＋１
（１８０℃、５０）１り 、誘電正接は０．８％（１８
０’Ｃ，５０）１Ｚ）、誘電率は３．７（１８０℃、５
０Ｈ２）でおった。また、同じポリマーをプレス温度２
７０℃、圧力１００に？／−で圧縮成形し、厚さ１謡の
透明なシートを得た。このシートの緒特性は前記とｔｌ
は同様であった。
実施例２
２ 、２− （４’−ヒドロキシ−４〃−アばノジフェ
ニル）プロパンとレゾルシノールを６０：４０のモル比
で含むアルカリ水浴液とインフタル酸ジクロリドとテレ
フタル酸ジクロリドを３０ ： ７０のモル比で含むシ
クロヘキサノン溶液とから界面重合法によシ製造した。
ニル）プロパンとレゾルシノールを６０：４０のモル比
で含むアルカリ水浴液とインフタル酸ジクロリドとテレ
フタル酸ジクロリドを３０ ： ７０のモル比で含むシ
クロヘキサノン溶液とから界面重合法によシ製造した。
次いで、得られた対数粘度０．８５ ｄｌｌｆの芳香族
ポリエステル丁ば１４０部をシクロヘキサフッ３００部
Ｋｉ解させ、実施例１と同様にしてキャスティング法に
よシフ・ｆルムを試作した。フィルムは透明で、膜厚ｉ
、ｉｏ、ｉｏｐ、引張強度９．８〜／ｍ１（２３℃）、
破断伸び１５％（２３℃）、体積抵抗率２．０Ｘ１０”
Ω、ＣｆｆＬ（２３℃、 ５ ｏＨｚ）。
ポリエステル丁ば１４０部をシクロヘキサフッ３００部
Ｋｉ解させ、実施例１と同様にしてキャスティング法に
よシフ・ｆルムを試作した。フィルムは透明で、膜厚ｉ
、ｉｏ、ｉｏｐ、引張強度９．８〜／ｍ１（２３℃）、
破断伸び１５％（２３℃）、体積抵抗率２．０Ｘ１０”
Ω、ＣｆｆＬ（２３℃、 ５ ｏＨｚ）。
２＠ｌＸｌ０１３Ω、” （１８０℃、５０Ｈ２）、誘
電率３．３（２３℃、５０Ｈｚ）、３．５ （１８０℃
、 ５０Ｈ７，） 、ｅｒｒ翫正接０．７％（２３℃、
５０ Ｈｚ）、 Ｏ’、８％ （１８０℃、５０Ｈｚ
）であった。
電率３．３（２３℃、５０Ｈｚ）、３．５ （１８０℃
、 ５０Ｈ７，） 、ｅｒｒ翫正接０．７％（２３℃、
５０ Ｈｚ）、 Ｏ’、８％ （１８０℃、５０Ｈｚ
）であった。
実施例３〜９
芳香族ヒドロキクアミノ化合物として２．２−（４′−
ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニル）プロパン及び２
、２− （４’−ヒドロキシ−３１−メチル−４〃−
アミノジフェニル）プロパン、芳香族’）ヒドロキシ化
合物としてビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、４ 、４’−ジヒドロ
キシジフェニルエーテル、４ 、４’−ジヒドロキシビ
フェニル及びビス（４−ヒドロキクフェニル）メタン、
芳香族１Ｍシバライドとしてイソフタル酸ジクロリド及
びテレフタル酸ジクロリドを使用して、溶液重合法又は
界面重合法によシ製造された芳香族ポリエステルアミド
な、実施例１と同様にしてシクロヘキサン浴液からキャ
スティング法によシフィルムを試作した。使用した原料
の組成、重合法、フィルムの特性を表に一括して示した
。
ヒドロキシ−４〃−アミノジフェニル）プロパン及び２
、２− （４’−ヒドロキシ−３１−メチル−４〃−
アミノジフェニル）プロパン、芳香族’）ヒドロキシ化
合物としてビス（４−ヒドロキシフェニル）ケトン、ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルフィド、４ 、４’−ジヒドロ
キシジフェニルエーテル、４ 、４’−ジヒドロキシビ
フェニル及びビス（４−ヒドロキクフェニル）メタン、
芳香族１Ｍシバライドとしてイソフタル酸ジクロリド及
びテレフタル酸ジクロリドを使用して、溶液重合法又は
界面重合法によシ製造された芳香族ポリエステルアミド
な、実施例１と同様にしてシクロヘキサン浴液からキャ
スティング法によシフィルムを試作した。使用した原料
の組成、重合法、フィルムの特性を表に一括して示した
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 次式（Ｉ〕、ω）及び０ニ ー０−Ａｒ −０−（１） （式中、ｆＬｌ 、 Ｂ２ 、 Ｂ３及びＲ４は同一で
も異なっていてもよく、それぞれ水素原子、ハロゲン原
子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のアル
コキシ基を表わし：Ａｒ は二価の置換又は非置換芳香
族基を表わし；１式における２個のカルボニル基は互い
にベンゼン環のメタ位又はパラ位に結合している） で示される構造単位がエステル結合又はアミド結合によ
シ結合し、１式及び田式の構造単位の比が９５＝５〜１
０：９０の範囲にある芳香族ポリエステルアミドを主成
分とすることを特徴とする芳香族ポリエステルアミドフ
ィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15149083A JPS6044525A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 芳香族ポリエステルアミド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15149083A JPS6044525A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 芳香族ポリエステルアミド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044525A true JPS6044525A (ja) | 1985-03-09 |
| JPH0573770B2 JPH0573770B2 (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=15519632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15149083A Granted JPS6044525A (ja) | 1983-08-22 | 1983-08-22 | 芳香族ポリエステルアミド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044525A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6069138A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 芳香族ポリエステルアミド樹脂 |
-
1983
- 1983-08-22 JP JP15149083A patent/JPS6044525A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6069138A (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-19 | Toshiba Corp | 芳香族ポリエステルアミド樹脂 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0573770B2 (ja) | 1993-10-15 |
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