JPH0573965A - 大口径光デイスク原盤の製造方法 - Google Patents
大口径光デイスク原盤の製造方法Info
- Publication number
- JPH0573965A JPH0573965A JP3230009A JP23000991A JPH0573965A JP H0573965 A JPH0573965 A JP H0573965A JP 3230009 A JP3230009 A JP 3230009A JP 23000991 A JP23000991 A JP 23000991A JP H0573965 A JPH0573965 A JP H0573965A
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- Japan
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- resist
- master
- pattern
- diameter optical
- sec
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- Pending
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】レジスト膜厚分布のばらつきの少ない光ディス
ク原盤を製造する。 【構成】ガラス原盤を回転させながら、原盤表面にレジ
スト液を吐出することにより、原盤表面にレジスト液層
を形成させる第１工程と、所定パターンに従ってレーザ
ービームを照射することにより、レジストを露光する第
２工程と、レジストを現像することにより、所定パター
ン又はその反転パターンのレジストパターンを得る第３
工程とからなる大口径光ディスク原盤の製造方法におい
て、第１工程におけるレジスト液の単位時間あたりの吐
出量を６〜１２cm3 ／secにした。
ク原盤を製造する。 【構成】ガラス原盤を回転させながら、原盤表面にレジ
スト液を吐出することにより、原盤表面にレジスト液層
を形成させる第１工程と、所定パターンに従ってレーザ
ービームを照射することにより、レジストを露光する第
２工程と、レジストを現像することにより、所定パター
ン又はその反転パターンのレジストパターンを得る第３
工程とからなる大口径光ディスク原盤の製造方法におい
て、第１工程におけるレジスト液の単位時間あたりの吐
出量を６〜１２cm3 ／secにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク原盤製造法
に係わり、特に大口径光ディスク製造時のフォトレジス
ト塗布に好適な光ディスク原盤の製造法に関する。大口
径の光ディスクとは、８インチ以上のものを指す。しか
し、一般には１４インチよりも大きなサイズはほとんど
需要がない。
に係わり、特に大口径光ディスク製造時のフォトレジス
ト塗布に好適な光ディスク原盤の製造法に関する。大口
径の光ディスクとは、８インチ以上のものを指す。しか
し、一般には１４インチよりも大きなサイズはほとんど
需要がない。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスク原盤を作るには、第１
工程でスピンコーターにセットしたガラス原盤（ガラス
原盤とは、単なる円盤状の表面平滑度の高いガラス板の
こと）の表面上にフォトレジスト液を吐出させて、低速
回転（実際は、回転させながら液を吐出させる：これを
一次回転という）で原盤上にその液を広げる。その後の
高速回転（二次回転）で所望の膜厚まで薄く流展させて
いる。
工程でスピンコーターにセットしたガラス原盤（ガラス
原盤とは、単なる円盤状の表面平滑度の高いガラス板の
こと）の表面上にフォトレジスト液を吐出させて、低速
回転（実際は、回転させながら液を吐出させる：これを
一次回転という）で原盤上にその液を広げる。その後の
高速回転（二次回転）で所望の膜厚まで薄く流展させて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
技術では、大口径の光ディスクを製造する場合には、ガ
ラス原盤上のフォトレジストの内周部と外周部の膜厚差
が大きく生じ、したがって、記録領域内の内周部と外周
部に、溝やピットの深さばらつきが生じていた。このよ
うな光ディスク原盤では、それから製造される光ディス
ク内に溝やピットの深さのばらついた状態のディスクが
できるので、信頼性が問題となる。
技術では、大口径の光ディスクを製造する場合には、ガ
ラス原盤上のフォトレジストの内周部と外周部の膜厚差
が大きく生じ、したがって、記録領域内の内周部と外周
部に、溝やピットの深さばらつきが生じていた。このよ
うな光ディスク原盤では、それから製造される光ディス
ク内に溝やピットの深さのばらついた状態のディスクが
できるので、信頼性が問題となる。
【０００４】そこで、本発明は、８インチ以上の大口径
光ディスク用光ディスク原盤の製造において、半径方向
のレジスト膜厚分布のばらつきの少ない光ディスク原盤
を製造する方法を目的とする。
光ディスク用光ディスク原盤の製造において、半径方向
のレジスト膜厚分布のばらつきの少ない光ディスク原盤
を製造する方法を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題の解決のために
本発明者は、鋭意研究の結果、意外にもレジスト液の単
位時間あたりの吐出量（４．７cm3／sec ）に原因があ
ることを突き止め、更に研究を進めたところ、単位時間
あたりの吐出量を６〜１２cm3 ／sec （好ましくは６．
７〜１１．２特に好ましくは６．７〜８．７cm3 ／sec
）に設定したところ、膜厚のばらつきの少ないレジス
ト層が形成されることを見い出し、本発明を成すに至っ
た。
本発明者は、鋭意研究の結果、意外にもレジスト液の単
位時間あたりの吐出量（４．７cm3／sec ）に原因があ
ることを突き止め、更に研究を進めたところ、単位時間
あたりの吐出量を６〜１２cm3 ／sec （好ましくは６．
７〜１１．２特に好ましくは６．７〜８．７cm3 ／sec
）に設定したところ、膜厚のばらつきの少ないレジス
ト層が形成されることを見い出し、本発明を成すに至っ
た。
【０００６】よって、本発明は、 「（ａ）ガラス原盤を回転させながら、原盤表面にレジ
スト液を吐出することにより、原盤表面にレジスト液層
を形成させる第１工程と、（ｂ）所定パターンに従っ
て、レーザービームを照射することにより、レジストを
露光する第２工程と、（ｃ）レジストを現像することに
より、所定パターン、又はその反転パターンのレジスト
パターンを得る第３工程とからなる大口径光ディスク原
盤の製造方法において、第１工程におけるレジスト液の
単位時間あたりの吐出量を６〜１２cm3 ／secにしたこ
とを特徴とする方法」を提供する。
スト液を吐出することにより、原盤表面にレジスト液層
を形成させる第１工程と、（ｂ）所定パターンに従っ
て、レーザービームを照射することにより、レジストを
露光する第２工程と、（ｃ）レジストを現像することに
より、所定パターン、又はその反転パターンのレジスト
パターンを得る第３工程とからなる大口径光ディスク原
盤の製造方法において、第１工程におけるレジスト液の
単位時間あたりの吐出量を６〜１２cm3 ／secにしたこ
とを特徴とする方法」を提供する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。 第１工程〔レジスト膜作製の説明〕 ガラス原盤（直径３５５mm、厚さ６mm）は洗浄され、そ
の表面上には、フォトレジスト膜との密着性を高めるカ
ップリング剤が付けられている。次に、その表面上に、
低速回転（一次回転）下、上方に設けたノズルからフォ
トレジスト液を吐出させる。低速回転は、吐出したフォ
トレジスト液をガラス原盤一面に広げるものであるか
ら、回転数は１５０〜３００rpm 、回転時間は２０〜４
０秒程度でよい。図１を参照されたい。
の表面上には、フォトレジスト膜との密着性を高めるカ
ップリング剤が付けられている。次に、その表面上に、
低速回転（一次回転）下、上方に設けたノズルからフォ
トレジスト液を吐出させる。低速回転は、吐出したフォ
トレジスト液をガラス原盤一面に広げるものであるか
ら、回転数は１５０〜３００rpm 、回転時間は２０〜４
０秒程度でよい。図１を参照されたい。
【０００８】単位時間あたりの吐出量は、６cm3 ／sec
未満では塗布されたフォトレジスト層に膜厚むらが著し
く発生し、一方、１２cm3 ／sec を越えると、液の吐出
の勢いが激しいので、 レジスト液のはね返り（この部
分は、現像しても溝ができない）が発生し易くなる。そ
の後、高速回転させると、所望のレジスト層の膜厚が得
られる。
未満では塗布されたフォトレジスト層に膜厚むらが著し
く発生し、一方、１２cm3 ／sec を越えると、液の吐出
の勢いが激しいので、 レジスト液のはね返り（この部
分は、現像しても溝ができない）が発生し易くなる。そ
の後、高速回転させると、所望のレジスト層の膜厚が得
られる。
【０００９】次に、プリベーク（溶剤を揮散させるた
め）を１１０℃で３０分行った後、熱処理（ベーキン
グ）を行ない固いレジスト層を形成させた。レジスト層
の膜厚測定のために半径位置ｒ＝７０〜150 mmの範囲を
エリプリメーターで測定して、そのばらつきを観察し
た。 第２工程〔レーザービームの照射の説明〕 レジスト層表面で直径０．４５μｍに絞ったレーザービ
ームを照射しながら、「ガラス原盤（レジスト液層を塗
布したもの）」を回転させ、ビームの位置を半径方向に
移動していくと、スパイラル状、あるいは同心円状の溝
やピットパターンの露光を行い、潜像を形成する。
め）を１１０℃で３０分行った後、熱処理（ベーキン
グ）を行ない固いレジスト層を形成させた。レジスト層
の膜厚測定のために半径位置ｒ＝７０〜150 mmの範囲を
エリプリメーターで測定して、そのばらつきを観察し
た。 第２工程〔レーザービームの照射の説明〕 レジスト層表面で直径０．４５μｍに絞ったレーザービ
ームを照射しながら、「ガラス原盤（レジスト液層を塗
布したもの）」を回転させ、ビームの位置を半径方向に
移動していくと、スパイラル状、あるいは同心円状の溝
やピットパターンの露光を行い、潜像を形成する。
【００１０】第３工程〔現像の説明〕 露光したフォトレジスト膜は、希アルカリ水溶液で現像
することにより、上記溝およびピットの凹凸パターンが
形成され、更に熱処理することで光ディスク原盤が得ら
れる。目標膜厚９５０Åの場合の例を以下に示す。 レジスト濃度 ＡＺ１３５０／ＡＺシンナー ： １００／６５０（ｇ） 一次回転数 ： ２００（ｒｐｍ） 一次回転時間 ： ４０（ｓｅｃ） 二次回転数 ： ８００（ｒｐｍ） 二次回転時間 ： １２０（ｓｅｃ）
することにより、上記溝およびピットの凹凸パターンが
形成され、更に熱処理することで光ディスク原盤が得ら
れる。目標膜厚９５０Åの場合の例を以下に示す。 レジスト濃度 ＡＺ１３５０／ＡＺシンナー ： １００／６５０（ｇ） 一次回転数 ： ２００（ｒｐｍ） 一次回転時間 ： ４０（ｓｅｃ） 二次回転数 ： ８００（ｒｐｍ） 二次回転時間 ： １２０（ｓｅｃ）
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、大口径
であっても、フォトレジスト塗布工程（第１工程）にお
けるレジスト液の単位時間あたりの吐出量を６〜１２cm
3 ／sec に制御することで、内周部と外周部の膜厚差を
最小にできる。
であっても、フォトレジスト塗布工程（第１工程）にお
けるレジスト液の単位時間あたりの吐出量を６〜１２cm
3 ／sec に制御することで、内周部と外周部の膜厚差を
最小にできる。
【図１】は、スピンコート法によるフォトレジストの塗
布工程における回転数（回転速度）の時間的変化を示す
チャートである。
布工程における回転数（回転速度）の時間的変化を示す
チャートである。
１・・・一次回転時間 ２・・・二次切替スロープ時間 ３・・・二次回転時間 ４・・・一次回転数 ５・・・二次回転数 ６・・・フォトレジストの吐出 以上
Claims (1)
- 【請求項１】（ａ）ガラス原盤を回転させながら、原盤
表面にレジスト液を吐出することにより、原盤表面にレ
ジスト液層を形成させる第１工程と、 （ｂ）所定パターンに従って、レーザービームを照射す
ることにより、レジストを露光する第２工程と、 （ｃ）レジストを現像することにより、所定パターン、
又はその反転パターンのレジストパターンを得る第３工
程とからなる大口径光ディスク原盤の製造方法におい
て、 第１工程におけるレジスト液の単位時間あたりの吐出量
を６〜１２cm3 ／secにしたことを特徴とする方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230009A JPH0573965A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 大口径光デイスク原盤の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3230009A JPH0573965A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 大口径光デイスク原盤の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0573965A true JPH0573965A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=16901168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3230009A Pending JPH0573965A (ja) | 1991-09-10 | 1991-09-10 | 大口径光デイスク原盤の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0573965A (ja) |
-
1991
- 1991-09-10 JP JP3230009A patent/JPH0573965A/ja active Pending
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