JPH0574779A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH0574779A JPH0574779A JP3237681A JP23768191A JPH0574779A JP H0574779 A JPH0574779 A JP H0574779A JP 3237681 A JP3237681 A JP 3237681A JP 23768191 A JP23768191 A JP 23768191A JP H0574779 A JPH0574779 A JP H0574779A
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- Japan
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- wire
- ball
- capillary tool
- capillary
- bump
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/011—Apparatus therefor
- H10W72/0112—Apparatus for manufacturing bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
- H10W72/01221—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition
- H10W72/01225—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps using local deposition in solid form, e.g. by using a powder or by stud bumping
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明はバンプ形成方法に関し、ワイヤボン
ディング手段によってバンプ高にばらつきのないバンプ
を形成することを目的とする。 【構成】 本発明はキャピラリツール２から導出された
ワイヤ３の下端部に、トーチ電極６によりボールを形成
する工程と、キャピラリツールを下降させて、上記ボー
ルを半導体の電極に押し付ける工程と、キャピラリツー
ルを上昇させた後、再度下降させることにより、ワイヤ
のボール７からの立ち上り部をキャピラリツール２の下
面によりボールの上面に押し付ける工程と、キャピラリ
２を上昇させて、クランパーによりワイヤをクランプし
て引き上げることにより、ワイヤとボールの接合部から
ワイヤを切断する工程からなる。
ディング手段によってバンプ高にばらつきのないバンプ
を形成することを目的とする。 【構成】 本発明はキャピラリツール２から導出された
ワイヤ３の下端部に、トーチ電極６によりボールを形成
する工程と、キャピラリツールを下降させて、上記ボー
ルを半導体の電極に押し付ける工程と、キャピラリツー
ルを上昇させた後、再度下降させることにより、ワイヤ
のボール７からの立ち上り部をキャピラリツール２の下
面によりボールの上面に押し付ける工程と、キャピラリ
２を上昇させて、クランパーによりワイヤをクランプし
て引き上げることにより、ワイヤとボールの接合部から
ワイヤを切断する工程からなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はバンプ形成方法に関し、
詳しくは、ワイヤボンディング手段により、バンプ高に
ばらつきのないバンプを形成するための手段に関する。
詳しくは、ワイヤボンディング手段により、バンプ高に
ばらつきのないバンプを形成するための手段に関する。
【０００２】
【従来の技術】ワイヤボンディング手段により、半導体
にバンプを形成してフリップチップを製造することが知
られている。ワイヤボンディング手段は、キャピラリツ
ールから導出されたワイヤの下端部にトーチ電極を接近
させてボールを形成し、次いでこのボールをキャピラリ
ツールの下端部により半導体の電極を押し付けてボンデ
ィングし、次いでクランパーによりワイヤをクランプし
て、ワイヤを引き上げることにより、ボールとワイヤの
接合部からワイヤを切断して、バンプを形成するもので
ある。
にバンプを形成してフリップチップを製造することが知
られている。ワイヤボンディング手段は、キャピラリツ
ールから導出されたワイヤの下端部にトーチ電極を接近
させてボールを形成し、次いでこのボールをキャピラリ
ツールの下端部により半導体の電極を押し付けてボンデ
ィングし、次いでクランパーによりワイヤをクランプし
て、ワイヤを引き上げることにより、ボールとワイヤの
接合部からワイヤを切断して、バンプを形成するもので
ある。
【０００３】図５は、従来手段により形成されたバンプ
を示すものであって、７′はバンプ、９は半導体であ
る。
を示すものであって、７′はバンプ、９は半導体であ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが上記従来のワ
イヤボンディング手段は、ワイヤを引き上げて切断する
場合のワイヤの切断箇所が安定せず、ワイヤの切れ残り
７ａが長短様々にバンプ７′から残存突出し、このため
バンプ高Ｈがばらつきやすい問題があった。
イヤボンディング手段は、ワイヤを引き上げて切断する
場合のワイヤの切断箇所が安定せず、ワイヤの切れ残り
７ａが長短様々にバンプ７′から残存突出し、このため
バンプ高Ｈがばらつきやすい問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、（ａ）キャピ
ラリツールから導出されたワイヤの下端部に、トーチ電
極によりボールを形成する工程と、（ｂ）キャピラリツ
ールを下降させて、上記ボールを半導体の電極に押し付
ける工程と、（ｃ）キャピラリツールを上昇させた後、
再度下降させることにより、ワイヤのボールからの立ち
上り部をキャピラリツールの下面によりボールの上面に
押し付ける工程と、（ｄ）キャピラリを上昇させて、ク
ランパーによりワイヤをクランプして引き上げることに
より、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断する工
程、とからバンプ形成方法を構成している。
ラリツールから導出されたワイヤの下端部に、トーチ電
極によりボールを形成する工程と、（ｂ）キャピラリツ
ールを下降させて、上記ボールを半導体の電極に押し付
ける工程と、（ｃ）キャピラリツールを上昇させた後、
再度下降させることにより、ワイヤのボールからの立ち
上り部をキャピラリツールの下面によりボールの上面に
押し付ける工程と、（ｄ）キャピラリを上昇させて、ク
ランパーによりワイヤをクランプして引き上げることに
より、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断する工
程、とからバンプ形成方法を構成している。
【０００６】
【作用】上記構成において、ワイヤの下端部に形成され
たボールを、キャピラリツールにより半導体の電極に押
し付けてボンディングし、次いでキャピラリツールを上
昇させた後、再度下降させることにより、キャピラリツ
ールの下面によりワイヤの立ち上り部をボールの上面に
押し付け、ボールの上面をフラットに加圧整形する。次
いでクランパーによりワイヤをクランプして引き上げる
ことにより、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断
する。
たボールを、キャピラリツールにより半導体の電極に押
し付けてボンディングし、次いでキャピラリツールを上
昇させた後、再度下降させることにより、キャピラリツ
ールの下面によりワイヤの立ち上り部をボールの上面に
押し付け、ボールの上面をフラットに加圧整形する。次
いでクランパーによりワイヤをクランプして引き上げる
ことにより、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断
する。
【０００７】
【実施例】次に、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
説明する。
【０００８】図１はバンプ形成装置の斜視図である。１
はホーンであり、その先端部にキャピラリツール２が保
持されている。３はキャピラリツール２に挿通されたワ
イヤ、４，５はワイヤ３をクランプするテンションクラ
ンパーとカットクランパーである。６はトーチ電極であ
って、揺動運動することにより、ワイヤ３の下端部に接
近し、電気的スパークにより、ワイヤ３の下端部にボー
ル７を形成する。８は半導体としてのウェハーであり、
後工程において、破線に沿ってダイシングすることによ
り、多数個の半導体チップ９に分割し、フリップチップ
を得る。１０はチップ９の上面に形成された電極であ
り、この電極１０に、上記ボール７をボンディングす
る。
はホーンであり、その先端部にキャピラリツール２が保
持されている。３はキャピラリツール２に挿通されたワ
イヤ、４，５はワイヤ３をクランプするテンションクラ
ンパーとカットクランパーである。６はトーチ電極であ
って、揺動運動することにより、ワイヤ３の下端部に接
近し、電気的スパークにより、ワイヤ３の下端部にボー
ル７を形成する。８は半導体としてのウェハーであり、
後工程において、破線に沿ってダイシングすることによ
り、多数個の半導体チップ９に分割し、フリップチップ
を得る。１０はチップ９の上面に形成された電極であ
り、この電極１０に、上記ボール７をボンディングす
る。
【０００９】本装置は上記のような構成より成り、次に
図２を参照しながら、動作の説明を行う。
図２を参照しながら、動作の説明を行う。
【００１０】キャピラリツール２から導出されたワイヤ
３の下端部にトーチ電極６を接近させ、電気的スパーク
によりワイヤ３の下端部にボール７を形成する（図２
（ａ））。次いでトーチ電極６を側方へ退去させたうえ
で、キャピラリツール２を下降させ、ボール７をチップ
９の電極１０に押し付けてボンディングする（同図
（ｂ））。次いでキャピラリツール２を上側方へわずか
に上昇させ（同図（ｃ））、次いで再度下降させること
により、キャピラリツール２の下面により、ワイヤ３を
ボール７の上面に押し付ける（同図（ｄ））。
３の下端部にトーチ電極６を接近させ、電気的スパーク
によりワイヤ３の下端部にボール７を形成する（図２
（ａ））。次いでトーチ電極６を側方へ退去させたうえ
で、キャピラリツール２を下降させ、ボール７をチップ
９の電極１０に押し付けてボンディングする（同図
（ｂ））。次いでキャピラリツール２を上側方へわずか
に上昇させ（同図（ｃ））、次いで再度下降させること
により、キャピラリツール２の下面により、ワイヤ３を
ボール７の上面に押し付ける（同図（ｄ））。
【００１１】図３は、この押し付け状態の部分拡大図で
ある。キャピラリツール２の中央には、ワイヤ３を挿通
する孔部１１が穿孔されている。キャピラリツール２は
平坦な下面１２を有しており、この下面１２により、ワ
イヤ３のボール７からの立ち上り部はボール７の上面に
押し付けられ、ボール７に埋り込むようにして合体し、
ボール７の上面は、フラットな面に加圧整形されてい
る。図中、影線部３ａは、ボール７の上面に埋り込んで
ボール７と合体したワイヤ３の立ち上り部である。
ある。キャピラリツール２の中央には、ワイヤ３を挿通
する孔部１１が穿孔されている。キャピラリツール２は
平坦な下面１２を有しており、この下面１２により、ワ
イヤ３のボール７からの立ち上り部はボール７の上面に
押し付けられ、ボール７に埋り込むようにして合体し、
ボール７の上面は、フラットな面に加圧整形されてい
る。図中、影線部３ａは、ボール７の上面に埋り込んで
ボール７と合体したワイヤ３の立ち上り部である。
【００１２】次いでキャピラリツール２は上昇し（図２
（ｅ））、次いでカットクランパー５によりワイヤ３を
クランプして、ワイヤ３を引き上げる。すると、ワイヤ
３はボール７との首細の接合部ａから切断され、バンプ
７′が形成される。
（ｅ））、次いでカットクランパー５によりワイヤ３を
クランプして、ワイヤ３を引き上げる。すると、ワイヤ
３はボール７との首細の接合部ａから切断され、バンプ
７′が形成される。
【００１３】図４は、このようにして形成されたバンプ
７′を示すものである。バンプ７′の上面ｂは、キャピ
ラリツール２の下面１２が押し付けられたことにより、
フラットな面となっている。ｃは、首細の接合部ａの切
断により生じた突起である。この突起ｃはきわめて小さ
いものであり、バンプ高には実質的に影響しない。この
ように本手段によれば、フラットな上面ｂを有し、バン
プ高にばらつきのないバンプ７′を簡単に形成できる。
殊に本手段は、従来のバンプ形成装置をそのまま使っ
て、上記のようなバンプ７′を形成できる利点がある。
７′を示すものである。バンプ７′の上面ｂは、キャピ
ラリツール２の下面１２が押し付けられたことにより、
フラットな面となっている。ｃは、首細の接合部ａの切
断により生じた突起である。この突起ｃはきわめて小さ
いものであり、バンプ高には実質的に影響しない。この
ように本手段によれば、フラットな上面ｂを有し、バン
プ高にばらつきのないバンプ７′を簡単に形成できる。
殊に本手段は、従来のバンプ形成装置をそのまま使っ
て、上記のようなバンプ７′を形成できる利点がある。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、（ａ）キ
ャピラリツールから導出されたワイヤの下端部に、トー
チ電極によりボールを形成する工程と、（ｂ）キャピラ
リツールを下降させて、上記ボールを半導体の電極に押
し付ける工程と、（ｃ）キャピラリツールを上昇させた
後、再度下降させることにより、ワイヤのボールからの
立ち上り部をキャピラリツールの下面によりボールの上
面に押し付ける工程と、（ｄ）キャピラリを上昇させ
て、クランパーによりワイヤをクランプして引き上げる
ことにより、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断
する工程、とからバンプ形成方法を構成しているので、
バンプ高にばらつきのないバンプを簡単に形成すること
ができる。
ャピラリツールから導出されたワイヤの下端部に、トー
チ電極によりボールを形成する工程と、（ｂ）キャピラ
リツールを下降させて、上記ボールを半導体の電極に押
し付ける工程と、（ｃ）キャピラリツールを上昇させた
後、再度下降させることにより、ワイヤのボールからの
立ち上り部をキャピラリツールの下面によりボールの上
面に押し付ける工程と、（ｄ）キャピラリを上昇させ
て、クランパーによりワイヤをクランプして引き上げる
ことにより、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断
する工程、とからバンプ形成方法を構成しているので、
バンプ高にばらつきのないバンプを簡単に形成すること
ができる。
【図１】本発明の一実施例のバンプ形成装置の斜視図
【図２】同装置のバンプ形成順を示す動作図
【図３】同装置の腰部拡大断面図
【図４】同装置のバンプの斜視図
【図５】従来のバンプの側面図
２ キャピラリツール ３ ワイヤ ６ トーチ電極 ７ ボール ７′ バンプ ９ 半導体 １０ 電極
Claims (1)
- 【請求項１】キャピラリツールから導出されたワイヤの
下端部に、トーチ電極によりボールを形成する工程と、
キャピラリツールを下降させて、上記ボールを半導体の
電極に押し付ける工程と、キャピラリツールを上昇させ
た後、再度下降させることにより、ワイヤのボールから
の立ち上り部をキャピラリツールの下面によりボールの
上面に押し付ける工程と、キャピラリを上昇させて、ク
ランパーによりワイヤをクランプして引き上げることに
より、ワイヤとボールの接合部からワイヤを切断する工
程とから成ることを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237681A JP2964724B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3237681A JP2964724B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574779A true JPH0574779A (ja) | 1993-03-26 |
| JP2964724B2 JP2964724B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=17018934
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3237681A Expired - Fee Related JP2964724B2 (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964724B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012523118A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． | 導電性バンプ、ワイヤループ、およびそれらを形成する方法 |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3237681A patent/JP2964724B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012523118A (ja) * | 2009-04-01 | 2012-09-27 | クリック アンド ソッファ インダストリーズ、インク． | 導電性バンプ、ワイヤループ、およびそれらを形成する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2964724B2 (ja) | 1999-10-18 |
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