JPH0574937A - 標準セル - Google Patents
標準セルInfo
- Publication number
- JPH0574937A JPH0574937A JP3261267A JP26126791A JPH0574937A JP H0574937 A JPH0574937 A JP H0574937A JP 3261267 A JP3261267 A JP 3261267A JP 26126791 A JP26126791 A JP 26126791A JP H0574937 A JPH0574937 A JP H0574937A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- feed
- cell
- standard cell
- layered metal
- double layered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract 4
- 230000006870 function Effects 0.000 abstract 3
- 230000003915 cell function Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 28
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 標準セル方式による自動配置配線の半導体集
積回路のチップサイズの縮小化を計ることを目的とす
る。 【構成】 標準セルの領域にフィード配線を設け、フィ
ードセルを配置する必要をなくした。
積回路のチップサイズの縮小化を計ることを目的とす
る。 【構成】 標準セルの領域にフィード配線を設け、フィ
ードセルを配置する必要をなくした。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、標準セル方式による自
動配置配線の半導体集積回路に関するもので特に大規模
集積回路の標準セルとして設計の自動化に使用するもの
である。
動配置配線の半導体集積回路に関するもので特に大規模
集積回路の標準セルとして設計の自動化に使用するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、標準セルを使用して半導体集積回
路を自動配置配線する場合、図2に示すような標準セル
の他に図3に示すようなフィードセルを登録しておき、
標準セルアレイに必要に応じてフィードセルを組み込む
方法が採られてきた。図2は従来の標準セルの一例(イ
ンバータ)のパターンを示し、図3はフィードセルのパ
ターンを示す。図において、1は電源用の1層メタル、
2はグランド用の1層メタル、3は配線の1層メタル、
4はポリシリコンゲート、5は入力用の2層メタル、6
は出力用の2層メタル、7はソース用のP形拡散、8は
ドレイン用のP形拡散、9はソース用のN形拡散、10
はドレイン用のN形拡散、11は拡散と1層メタルのコ
ンタクト、12はポリシリコンと1層メタルのコンタク
ト、13は1層メタルと2層メタルのコンタクト、14
はフィードの2層メタルである。
路を自動配置配線する場合、図2に示すような標準セル
の他に図3に示すようなフィードセルを登録しておき、
標準セルアレイに必要に応じてフィードセルを組み込む
方法が採られてきた。図2は従来の標準セルの一例(イ
ンバータ)のパターンを示し、図3はフィードセルのパ
ターンを示す。図において、1は電源用の1層メタル、
2はグランド用の1層メタル、3は配線の1層メタル、
4はポリシリコンゲート、5は入力用の2層メタル、6
は出力用の2層メタル、7はソース用のP形拡散、8は
ドレイン用のP形拡散、9はソース用のN形拡散、10
はドレイン用のN形拡散、11は拡散と1層メタルのコ
ンタクト、12はポリシリコンと1層メタルのコンタク
ト、13は1層メタルと2層メタルのコンタクト、14
はフィードの2層メタルである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の方
法では、回路規模が大きくなるとフィードセルが多く使
用されるようになり、回路の論理に関係のないフィード
セルによってチップサイズが大きくなるという問題があ
った。本発明は上記の問題に鑑みてなされたもので、回
路規模が大きくなって多くのフィード配線が必要になっ
ても、フィード配線のためにチップサイズが大きくなる
ことのない自動配置配線の標準セルを提供することを目
的とする。
法では、回路規模が大きくなるとフィードセルが多く使
用されるようになり、回路の論理に関係のないフィード
セルによってチップサイズが大きくなるという問題があ
った。本発明は上記の問題に鑑みてなされたもので、回
路規模が大きくなって多くのフィード配線が必要になっ
ても、フィード配線のためにチップサイズが大きくなる
ことのない自動配置配線の標準セルを提供することを目
的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体集積回路
は、2層又は2層以上の配線層を備えた標準セル領域に
フィード配線を設けて標準セルにフィード機能を持た
せ、この標準セルを使用して自動配置配線したものであ
る。
は、2層又は2層以上の配線層を備えた標準セル領域に
フィード配線を設けて標準セルにフィード機能を持た
せ、この標準セルを使用して自動配置配線したものであ
る。
【0005】
【作用】上記の方法によると、チップ上にフィードセル
を新たに設けておく必要がなくなり、チップサイズを小
さくすることができる。
を新たに設けておく必要がなくなり、チップサイズを小
さくすることができる。
【0006】
【実施例】図1は本発明の半導体集積回路の自動配置配
線に使用する標準セルの一例のパターンを示す。図にお
いて各符号は図2, 図3の同一符号と同一又は相当する
部分を示す。インバータセルの領域にフィード配線の2
層メタル14を設け標準セルにフィード機能を持たせた
例である。この標準セルを配置し、インバータの入力2
層メタル5と出力2層メタル6に2層メタル配線を接続
するとともに、フィード配線の2層メタル14を使用し
て当該セルの上方の2層メタル配線と下方の2層メタル
配線を接続し、従来使用していたフィードセルの役目を
果たさせる。
線に使用する標準セルの一例のパターンを示す。図にお
いて各符号は図2, 図3の同一符号と同一又は相当する
部分を示す。インバータセルの領域にフィード配線の2
層メタル14を設け標準セルにフィード機能を持たせた
例である。この標準セルを配置し、インバータの入力2
層メタル5と出力2層メタル6に2層メタル配線を接続
するとともに、フィード配線の2層メタル14を使用し
て当該セルの上方の2層メタル配線と下方の2層メタル
配線を接続し、従来使用していたフィードセルの役目を
果たさせる。
【0007】上記のように標準セルに入出力に接続され
ない信号をパスさせる機能を持たせることでセルアレイ
中に配置するフィードセルを減らし、チップサイズを小
さくすることができる。上記実施例では標準セルのうち
インバータセルを使って説明したが、他の標準セルにフ
ィード機能を持たせてもよい。
ない信号をパスさせる機能を持たせることでセルアレイ
中に配置するフィードセルを減らし、チップサイズを小
さくすることができる。上記実施例では標準セルのうち
インバータセルを使って説明したが、他の標準セルにフ
ィード機能を持たせてもよい。
【0008】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
標準セル上にフィード配線を設けたために新たにフィー
ドセルを配置する必要がなくなり、チップサイズが小さ
くなるという効果がある。
標準セル上にフィード配線を設けたために新たにフィー
ドセルを配置する必要がなくなり、チップサイズが小さ
くなるという効果がある。
【図1】本発明の自動配置配線に使用する標準セルの一
例のパターンを示す平面図である。
例のパターンを示す平面図である。
【図2】従来の標準セルの一例のパターンを示す平面図
である。
である。
【図3】従来使用してきたフィードセルの一例のパター
ンを示す平面図である。
ンを示す平面図である。
1 電源用の1層メタル 2 グランド用の1層メタル 3 配線の1層メタル 4 ポリシリコンゲート 5 入力用の2層メタル 6 出力用の2層メタル 7 ソース用のP形拡散 8 ドレイン用のP形拡散 9 ソース用のN形拡散 10 ドレイン用のN形拡散 11 拡散と1層メタルのコンタクト 12 ポリシリコンと1層メタルのコンタクト 13 1層メタルと2層メタルのコンタクト 14 フィードの2層メタル
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 皆川 真二 東京都豊島区西池袋1丁目17番10号 株式 会社エヌ・ジエイ・アールセミコンダクタ 内
Claims (1)
- 【請求項1】 2層又は2層以上の配線層を備えた標準
セルを使用して自動配置配線する半導体集積回路におい
て、標準セル領域にフィード配線を設け標準セルにフィ
ード機能を持たせて自動配置配線したことを特徴とする
標準セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261267A JPH0574937A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 標準セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3261267A JPH0574937A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 標準セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0574937A true JPH0574937A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17359455
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3261267A Pending JPH0574937A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 標準セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0574937A (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP3261267A patent/JPH0574937A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2580301B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPS63293966A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0434309B2 (ja) | ||
| US5434436A (en) | Master-slice type semiconductor integrated circuit device having multi-power supply voltage | |
| JPH0574937A (ja) | 標準セル | |
| US5206529A (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
| JPH10173055A (ja) | セルベース半導体装置及びスタンダードセル | |
| JPH06283604A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3353397B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2997479B2 (ja) | ゲートアレイ | |
| JPH0448778A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH06232328A (ja) | Loc型半導体装置 | |
| JPS61225845A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2569477B2 (ja) | ゲ−トアレイ | |
| JPH04253370A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP2679034B2 (ja) | 半導体集積装置 | |
| JPS62249467A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3070542B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2901313B2 (ja) | 大規模集積回路装置 | |
| JPS59167036A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPH05166932A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0448779A (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JPH0560666B2 (ja) | ||
| JPS6135536A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH02201958A (ja) | ゲートアレイ方式の半導体集積回路装置 |