JPH0575012A - 半導体集積装置 - Google Patents
半導体集積装置Info
- Publication number
- JPH0575012A JPH0575012A JP3238122A JP23812291A JPH0575012A JP H0575012 A JPH0575012 A JP H0575012A JP 3238122 A JP3238122 A JP 3238122A JP 23812291 A JP23812291 A JP 23812291A JP H0575012 A JPH0575012 A JP H0575012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- noise
- bypass capacitor
- high frequency
- impedance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/541—Dispositions of bond wires
- H10W72/5445—Dispositions of bond wires being orthogonal to a side surface of the chip, e.g. parallel arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
Landscapes
- Logic Circuits (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【構成】ＩＣパッケージ内に静電容量を形成し、電源バ
イパスコンデンサとして作用させる半導体集積装置。 【効果】ＩＣの高周波信号に対する電源インピーダンス
を小さくし、電源ラインを伝搬するノイズを除去し、ノ
イズによるＩＣの誤動作を防ぐことができる。また、従
来のＩＣの電源端子７，８間にセラミックコンデンサを
電源バイパスコンデンサとして実装する方法に比較して
高周波信号に対するインピーダンスを小さくできるた
め、電源ノイズ除去の効果、電子基板の実装スペース及
びコストの面で優れ、強いては電子回路のノイズ対策の
簡略化、高密度実装及び電子機器の軽薄短小化に有利と
なる。
イパスコンデンサとして作用させる半導体集積装置。 【効果】ＩＣの高周波信号に対する電源インピーダンス
を小さくし、電源ラインを伝搬するノイズを除去し、ノ
イズによるＩＣの誤動作を防ぐことができる。また、従
来のＩＣの電源端子７，８間にセラミックコンデンサを
電源バイパスコンデンサとして実装する方法に比較して
高周波信号に対するインピーダンスを小さくできるた
め、電源ノイズ除去の効果、電子基板の実装スペース及
びコストの面で優れ、強いては電子回路のノイズ対策の
簡略化、高密度実装及び電子機器の軽薄短小化に有利と
なる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波信号に対する電
源インピーダンスを小さくするために、電源端子間に静
電容量を設置し、これに電源ノイズをバイパスさせる事
によって、電源ノイズによるＩＣの誤動作を防ぐ対策を
施した半導体集積装置（以下、ＩＣとする）に関する。
源インピーダンスを小さくするために、電源端子間に静
電容量を設置し、これに電源ノイズをバイパスさせる事
によって、電源ノイズによるＩＣの誤動作を防ぐ対策を
施した半導体集積装置（以下、ＩＣとする）に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の電子機器は、軽薄短小化が進み、
そのため省電力・低電圧化が押し進められており、それ
に伴ってノイズによる電子回路の誤動作が起こり易くな
っている。
そのため省電力・低電圧化が押し進められており、それ
に伴ってノイズによる電子回路の誤動作が起こり易くな
っている。
【０００３】通常、電子機器のノイズ対策としては、ノ
イズの発生を防ぐ方法と、ノイズの伝搬を防ぐ方法、そ
してノイズに対するマージンを大きく設計する方法等が
考えられるが、電子機器のノイズ対策を完璧に行う事は
大変難しい。
イズの発生を防ぐ方法と、ノイズの伝搬を防ぐ方法、そ
してノイズに対するマージンを大きく設計する方法等が
考えられるが、電子機器のノイズ対策を完璧に行う事は
大変難しい。
【０００４】一般的にアナログ回路とディジタル回路で
は、ディジタル回路の方がノイズの影響は受けにくい
が、ディジタルＩＣの信号は急激な電流変化が起こるた
め、それがノイズとなって電源ラインを伝搬し、電源ラ
インを共有する他の電子デバイスの誤動作を誘発する。
これを防ぐために、ＩＣの電源端子にバイパスコンデン
サ（以下、電源パスコンという）を入れる事によって電
子回路の電源ラインの高周波信号に対するインピーダン
スを小さくし、高周波信号をバイパスさせることによ
り、電源ノイズによるＩＣの誤動作を防ぐ方法が一般的
である。
は、ディジタル回路の方がノイズの影響は受けにくい
が、ディジタルＩＣの信号は急激な電流変化が起こるた
め、それがノイズとなって電源ラインを伝搬し、電源ラ
インを共有する他の電子デバイスの誤動作を誘発する。
これを防ぐために、ＩＣの電源端子にバイパスコンデン
サ（以下、電源パスコンという）を入れる事によって電
子回路の電源ラインの高周波信号に対するインピーダン
スを小さくし、高周波信号をバイパスさせることによ
り、電源ノイズによるＩＣの誤動作を防ぐ方法が一般的
である。
【０００５】この電源パスコンは、電子回路の電源ライ
ン中のＩＣにできるだけ近くに入れる事により、この電
源パスコンとＩＣの電源端子との間の配線抵抗及び、イ
ンダクタンスできるだけ小さくし、静電容量を大きくす
る事により電源ラインの高周波信号に対するインピーダ
ンスを小さくでき、電源ノイズを除去する効果を向上さ
せる事ができる。
ン中のＩＣにできるだけ近くに入れる事により、この電
源パスコンとＩＣの電源端子との間の配線抵抗及び、イ
ンダクタンスできるだけ小さくし、静電容量を大きくす
る事により電源ラインの高周波信号に対するインピーダ
ンスを小さくでき、電源ノイズを除去する効果を向上さ
せる事ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ＩＣ
の電源インピーダンスをできるだけ小さくする事によっ
て、ＩＣの電源ノイズ対策を向上させる事にある。
の電源インピーダンスをできるだけ小さくする事によっ
て、ＩＣの電源ノイズ対策を向上させる事にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、静電容量の
大きな電源パスコンをＩＣ電源端子にできるだけ近く、
つまり、ＩＣパッケージ内に形成する事によって達成で
きる。
大きな電源パスコンをＩＣ電源端子にできるだけ近く、
つまり、ＩＣパッケージ内に形成する事によって達成で
きる。
【０００８】
【作用】本発明の上記構成によれば、ＩＣのパッケージ
内に電源パスコンを設置する事によって、ＩＣ内部の電
源ラインの高周波信号に対するインピーダンスを小さく
でき、電源ノイズが電子回路の電源ラインを伝搬するの
を防ぎ、ＩＣのノイズによる誤動作を防ぐ事ができる。
内に電源パスコンを設置する事によって、ＩＣ内部の電
源ラインの高周波信号に対するインピーダンスを小さく
でき、電源ノイズが電子回路の電源ラインを伝搬するの
を防ぎ、ＩＣのノイズによる誤動作を防ぐ事ができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一つの実施例について図面を
参照して詳細に説明する。
参照して詳細に説明する。
【００１０】図１は、ＩＣのチップレイアウトを示す平
面図である。１は電源パスコンとして作用する誘電体層
であり、その誘電体層は平行平板電極２，３に挟まれ
る。電極２は電源端子８、電極３は電源端子７とそれぞ
れがワイヤー１１でボンディングする事によって、電源
パスコンとして機能させるために、図１，図２の様な電
極形状としている。この誘電体は誘電率が大きく、周波
数・温度の変化に対する誘電率の変化が小さい物質が望
ましい。この電源パスコンの静電容量は電極２，３の面
積と誘電体の誘電率に比例し、誘電体の厚さに反比例す
るために、これらのパラメータ変える事によって任意の
静電容量を得る事が可能である。
面図である。１は電源パスコンとして作用する誘電体層
であり、その誘電体層は平行平板電極２，３に挟まれ
る。電極２は電源端子８、電極３は電源端子７とそれぞ
れがワイヤー１１でボンディングする事によって、電源
パスコンとして機能させるために、図１，図２の様な電
極形状としている。この誘電体は誘電率が大きく、周波
数・温度の変化に対する誘電率の変化が小さい物質が望
ましい。この電源パスコンの静電容量は電極２，３の面
積と誘電体の誘電率に比例し、誘電体の厚さに反比例す
るために、これらのパラメータ変える事によって任意の
静電容量を得る事が可能である。
【００１１】図２は図１のＩＣチップの拡大断面図であ
り、ダイパッド１２上に装着したＩＣチップ４上にフィ
ールド１４が形成される。電源パッド５，６がＩＣチッ
プの周辺に配置され、通常チップ表面は保護膜１３で覆
われており、入出力パッド９及び、電源パッド５，６表
面については入出力端子１０や電源端子７，８とワイヤ
ー１１でボンディングするためにこの部分の保護膜は取
り除かれている。
り、ダイパッド１２上に装着したＩＣチップ４上にフィ
ールド１４が形成される。電源パッド５，６がＩＣチッ
プの周辺に配置され、通常チップ表面は保護膜１３で覆
われており、入出力パッド９及び、電源パッド５，６表
面については入出力端子１０や電源端子７，８とワイヤ
ー１１でボンディングするためにこの部分の保護膜は取
り除かれている。
【００１２】この電源パスコンをＩＣパッケージ内でＩ
ＣチップのＶｃｃ−ＧＮＤの電源パッド間に図のように
装着する事により、高周波信号に対する電源ラインのイ
ンピーダンスを小さくし、電源ラインを伝搬する高周波
信号をこの静電容量でバイパスさせる事によって、電源
ノイズによりＩＣが誤動作するのを防ぐ事ができる。ま
た、ＩＣ中で発生した電源ノイズについても同様に遮断
し、電源電圧の変動を電源を共有する他の電子デバイス
に影響を与えない様にする効果も合わせ持つ。以上の説
明は、一般的なモノシリックＩＣについて行ったが、本
発明はこの実施例に限定されるものではなく、基板上に
電子デバイスを実装したモジュールやハイブリッドＩＣ
等を含めたあらゆる種類の半導体集積装置に適用できる
事は言うまでもない。
ＣチップのＶｃｃ−ＧＮＤの電源パッド間に図のように
装着する事により、高周波信号に対する電源ラインのイ
ンピーダンスを小さくし、電源ラインを伝搬する高周波
信号をこの静電容量でバイパスさせる事によって、電源
ノイズによりＩＣが誤動作するのを防ぐ事ができる。ま
た、ＩＣ中で発生した電源ノイズについても同様に遮断
し、電源電圧の変動を電源を共有する他の電子デバイス
に影響を与えない様にする効果も合わせ持つ。以上の説
明は、一般的なモノシリックＩＣについて行ったが、本
発明はこの実施例に限定されるものではなく、基板上に
電子デバイスを実装したモジュールやハイブリッドＩＣ
等を含めたあらゆる種類の半導体集積装置に適用できる
事は言うまでもない。
【００１３】
【発明の効果】以上に説明したように本発明は、ＩＣの
パッケージ内に電源パスコンを設置する事により、高周
波信号に対する電源インピーダンスを小さくし、電源ノ
イズによるＩＣの誤動作を防ぐ効果を有する。また、従
来の電子回路基板上でＩＣの電源端子間に電源パスコン
を実装する方法に比較して、電源ノイズ除去の効果、電
子基板の実装スペース及びコストの面でメリットを有
し、強いては電子回路のノイズ対策の簡略化、高密度実
装及び、電子機器の軽薄短小化に有利となると考えられ
る。
パッケージ内に電源パスコンを設置する事により、高周
波信号に対する電源インピーダンスを小さくし、電源ノ
イズによるＩＣの誤動作を防ぐ効果を有する。また、従
来の電子回路基板上でＩＣの電源端子間に電源パスコン
を実装する方法に比較して、電源ノイズ除去の効果、電
子基板の実装スペース及びコストの面でメリットを有
し、強いては電子回路のノイズ対策の簡略化、高密度実
装及び、電子機器の軽薄短小化に有利となると考えられ
る。
【図１】本発明の一実施例のＩＣのチップレイアウト図
である。
である。
【図２】ＩＣチップ及び、誘電体層部分の断面図であ
る。
る。
１ 誘電体層 ２ 電極 ３ 電極 ４ ＩＣチップ ５ 電源パッド（ＶＤＤ） ６ 電源パッド（ＶＳＳ） ７ 電源端子（ＶＤＤ） ８ 電源端子（ＶＳＳ） ９ 入出力パッド １０ 入出力端子 １１ ボンディングワイヤー １２ ダイパッド １３ 保護膜 １４ フィールド
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体集積装置において、パッケージ内
部に静電容量を設置し、これを電源間のバイパスコンデ
ンサとして作用させ、高周波信号に対する電源インピー
ダンスを小さくする事によって、電源ノイズによる誤動
作を防ぐ対策を施した事を特徴とする半導体集積装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238122A JPH0575012A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体集積装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3238122A JPH0575012A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体集積装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0575012A true JPH0575012A (ja) | 1993-03-26 |
Family
ID=17025510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3238122A Pending JPH0575012A (ja) | 1991-09-18 | 1991-09-18 | 半導体集積装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0575012A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007072963A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation detection system |
| JP2012198246A (ja) * | 2000-06-27 | 2012-10-18 | Canon Inc | 放射線画像撮影装置 |
| US9716496B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-07-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Non-contact switch device |
-
1991
- 1991-09-18 JP JP3238122A patent/JPH0575012A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012198246A (ja) * | 2000-06-27 | 2012-10-18 | Canon Inc | 放射線画像撮影装置 |
| JP2014062908A (ja) * | 2000-06-27 | 2014-04-10 | Canon Inc | 放射線画像撮影装置 |
| WO2007072963A1 (en) * | 2005-12-20 | 2007-06-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation detection system |
| US7952058B2 (en) | 2005-12-20 | 2011-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Radiation detection apparatus and radiation detection system having a light source located to reduce dark current |
| US9716496B2 (en) | 2012-11-21 | 2017-07-25 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Non-contact switch device |
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