JPH0576051B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0576051B2 JPH0576051B2 JP59105794A JP10579484A JPH0576051B2 JP H0576051 B2 JPH0576051 B2 JP H0576051B2 JP 59105794 A JP59105794 A JP 59105794A JP 10579484 A JP10579484 A JP 10579484A JP H0576051 B2 JPH0576051 B2 JP H0576051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- voltage
- resistor
- temperature coefficient
- base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/26—Current mirrors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Control Of Electrical Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基準電圧回路に係り、特に、温度
係数を持たない基準電圧の発生に関する。
係数を持たない基準電圧の発生に関する。
第４図は、この種の基準電圧回路として用いら
れているバンドギヤツプ基本回路を示している。
この回路は、トランジスタ２，４，６、抵抗８，
１０，１２および定電流源１４から構成され、電
源端子１６に電圧Vccの電源を接続し、出力端子
１８から温度係数を持たない基準電圧Vrefを取
出すことができる。
れているバンドギヤツプ基本回路を示している。
この回路は、トランジスタ２，４，６、抵抗８，
１０，１２および定電流源１４から構成され、電
源端子１６に電圧Vccの電源を接続し、出力端子
１８から温度係数を持たない基準電圧Vrefを取
出すことができる。
すなわち、定電流源１４から基準電流Ioを抵抗
８を介してトランジスタ２に流し込み、トランジ
スタ２，４，６に流れる動作電流をI1，I2，I3と
する。トランジスタ２はコレクタ・ベース間を接
続してダイオードとして構成されている。そこ
で、ダイオードの温度係数は−2mV／℃、トラ
ンジスタ４に流れる動作電流I2および抵抗８も正
の温度係数を持つている。
８を介してトランジスタ２に流し込み、トランジ
スタ２，４，６に流れる動作電流をI1，I2，I3と
する。トランジスタ２はコレクタ・ベース間を接
続してダイオードとして構成されている。そこ
で、ダイオードの温度係数は−2mV／℃、トラ
ンジスタ４に流れる動作電流I2および抵抗８も正
の温度係数を持つている。
したがつて、出力端子１８には、これらの温度
係数が加算され、温度係数を相殺して温度係数を
持たない基準電圧Vrefが発生する。すなわち、
基準電圧Vrefの値は、約1.2Vとなる。
係数が加算され、温度係数を相殺して温度係数を
持たない基準電圧Vrefが発生する。すなわち、
基準電圧Vrefの値は、約1.2Vとなる。
第５図はその温度特性を示し、特性Ａはダイオ
ードの温度特性、Ｂは基準電圧である。すなわ
ち、全温度範囲において、バンドギヤツプ電圧
1.2Vが形成されている。
ードの温度特性、Ｂは基準電圧である。すなわ
ち、全温度範囲において、バンドギヤツプ電圧
1.2Vが形成されている。
このような基準電圧回路では、基準電圧Vref
が1.2Vとなり、たとえば、端子電圧1.5Vの電池
１本で駆動する基準電圧発生回路として使用する
ことが困難であり、減電特性が悪い欠点がある。
さらに、電源電圧の変動に対する基準電圧の安定
性を高めるためには、電源電圧に対して安定した
定電流源を持つ必要がある。
が1.2Vとなり、たとえば、端子電圧1.5Vの電池
１本で駆動する基準電圧発生回路として使用する
ことが困難であり、減電特性が悪い欠点がある。
さらに、電源電圧の変動に対する基準電圧の安定
性を高めるためには、電源電圧に対して安定した
定電流源を持つ必要がある。
そこで、この発明は、減電特性を改善するとと
もに、駆動電圧の低圧化を実現した基準電圧回路
を提供することを目的とする。
もに、駆動電圧の低圧化を実現した基準電圧回路
を提供することを目的とする。
この発明の基準電圧回路は、第１図に例示する
ように、ベース・コレクタを共通化した第１のト
ランジスタを第２のトランジスタのベース・エミ
ツタ間に接続してなる第１の電流ミラー回路を設
置し、前記第２のトランジスタにベース・コレク
タを共通化した第３のトランジスタを直列に接続
するとともに、前記第１のトランジスタに直列に
接続された第４のトランジスタのベース・エミツ
タ間に前記第３のトランジスタを接続してなる第
２の電流ミラー回路を備えて正の温度係数を持つ
基準電流を発生する基準定電流源と、前記第１の
トランジスタのベース・コレクタとベースが共通
化された第５のトランジスタを通して前記基準電
流が加えられて正の温度係数を持つ電圧を発生す
る抵抗と、前記第１のトランジスタのベース・コ
レクタとベースが共通化された第６のトランジス
タを通して前記基準電流が加えられて負の温度係
数を持つ電圧を発生するダイオードと、前記抵抗
に発生した電圧と前記ダイオードに発生した電圧
とをバツフア回路を通して取り出し抵抗を通して
剛性することにより温度係数を相殺した電圧を発
生させる電圧合成回路とを備えたことを特徴とす
る。
ように、ベース・コレクタを共通化した第１のト
ランジスタを第２のトランジスタのベース・エミ
ツタ間に接続してなる第１の電流ミラー回路を設
置し、前記第２のトランジスタにベース・コレク
タを共通化した第３のトランジスタを直列に接続
するとともに、前記第１のトランジスタに直列に
接続された第４のトランジスタのベース・エミツ
タ間に前記第３のトランジスタを接続してなる第
２の電流ミラー回路を備えて正の温度係数を持つ
基準電流を発生する基準定電流源と、前記第１の
トランジスタのベース・コレクタとベースが共通
化された第５のトランジスタを通して前記基準電
流が加えられて正の温度係数を持つ電圧を発生す
る抵抗と、前記第１のトランジスタのベース・コ
レクタとベースが共通化された第６のトランジス
タを通して前記基準電流が加えられて負の温度係
数を持つ電圧を発生するダイオードと、前記抵抗
に発生した電圧と前記ダイオードに発生した電圧
とをバツフア回路を通して取り出し抵抗を通して
剛性することにより温度係数を相殺した電圧を発
生させる電圧合成回路とを備えたことを特徴とす
る。
正の温度係数を持つ基準電流を抵抗およびダイ
オードに流し、抵抗およびダイオードに絶対値の
比として電圧を発生させ、抵抗に発生する正の温
度係数を持つ電圧と、ダイオードに発生する負の
温度係数を持つ電圧とを合成して温度係数を相殺
し、温度係数を持たない基準電圧を形成する。
オードに流し、抵抗およびダイオードに絶対値の
比として電圧を発生させ、抵抗に発生する正の温
度係数を持つ電圧と、ダイオードに発生する負の
温度係数を持つ電圧とを合成して温度係数を相殺
し、温度係数を持たない基準電圧を形成する。
以下、この発明を図面に示した実施例を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
第１図はこの発明の基準電圧回路の実施例を示
している。
している。
第１図において、第１のトランジスタ２０、第
２のトランジスタ２２、第３のトランジスタ２
６、第４のトランジスタ２４および抵抗２８は基
準定電流源を構成し、正の温度係数を持つ基準電
流を発生する。すなわち、トランジスタ２０のベ
ース・コレクタには、トランジスタ２２のベース
が接続され、トランジスタ２０，２２は第１のカ
レントミラー回路を構成している。これらトラン
ジスタ２０，２２のコレクタ側に設置されたトラ
ンジスタ２４，２６も、前者のベースに後者のベ
ース・コレクタを共通に接続して第２のカレント
ミラー回路を構成している。基準定電流源は、２
組のカレントミラー回路で構成され、トランジス
タ２４のエミツタ面積を１とするとトランジスタ
２６のそれはｎ倍に設定され、その面積比および
抵抗２８の抵抗値に応じた正の温度係数を持つ基
準電流を発生する。
２のトランジスタ２２、第３のトランジスタ２
６、第４のトランジスタ２４および抵抗２８は基
準定電流源を構成し、正の温度係数を持つ基準電
流を発生する。すなわち、トランジスタ２０のベ
ース・コレクタには、トランジスタ２２のベース
が接続され、トランジスタ２０，２２は第１のカ
レントミラー回路を構成している。これらトラン
ジスタ２０，２２のコレクタ側に設置されたトラ
ンジスタ２４，２６も、前者のベースに後者のベ
ース・コレクタを共通に接続して第２のカレント
ミラー回路を構成している。基準定電流源は、２
組のカレントミラー回路で構成され、トランジス
タ２４のエミツタ面積を１とするとトランジスタ
２６のそれはｎ倍に設定され、その面積比および
抵抗２８の抵抗値に応じた正の温度係数を持つ基
準電流を発生する。
また、トランジスタ３０および抵抗３２は、前
記基準定電流源の起動回路を構成している。
記基準定電流源の起動回路を構成している。
そして、トランジスタ２０のベース・コレクタ
にベースを共通に接続した第５のトランジスタ３
４及び第６のトランジスタ３６が設置されてい
る。トランジスタ２０，３４，３６はカレントミ
ラー回路を構成し、トランジスタ３４のコレクタ
と接地点（GND）との間には抵抗３８が接続さ
れているとともに、トランジスタ３６のコレクタ
と接地点との間にはダイオード４０が接続されて
いる。すなわち、トランジスタ２０に流れる正の
温度係数を持つ基準定電流が、カレントミラー効
果によつて反転され、抵抗３８およびダイオード
４０に流れ、この結果、抵抗３８に発生した正の
温度係数を持つ基準電圧Vref+およびダイオード
４０に発生した負の温度係数を持つ基準電圧
Vref-は、電圧合成回路としての抵抗４２，４４
の閉回路に加えられる。抵抗４２，４４の中点に
は出力端子４６が形成され、その出力端子４６か
ら正負の温度係数が相殺された基準電圧Vrefが
取出されるようになつている。
にベースを共通に接続した第５のトランジスタ３
４及び第６のトランジスタ３６が設置されてい
る。トランジスタ２０，３４，３６はカレントミ
ラー回路を構成し、トランジスタ３４のコレクタ
と接地点（GND）との間には抵抗３８が接続さ
れているとともに、トランジスタ３６のコレクタ
と接地点との間にはダイオード４０が接続されて
いる。すなわち、トランジスタ２０に流れる正の
温度係数を持つ基準定電流が、カレントミラー効
果によつて反転され、抵抗３８およびダイオード
４０に流れ、この結果、抵抗３８に発生した正の
温度係数を持つ基準電圧Vref+およびダイオード
４０に発生した負の温度係数を持つ基準電圧
Vref-は、電圧合成回路としての抵抗４２，４４
の閉回路に加えられる。抵抗４２，４４の中点に
は出力端子４６が形成され、その出力端子４６か
ら正負の温度係数が相殺された基準電圧Vrefが
取出されるようになつている。
電源端子４８と接地点との間には、図示してい
ない電源が接続され、Vccはその印加電圧を示し
ている。
ない電源が接続され、Vccはその印加電圧を示し
ている。
以上の構成に基づき、その動作を説明する。
PNP形トランジスタ２０，２２で構成された
カレントミラー回路と、NPN形トランジスタ２
４，２６で構成されたカレントミラー回路とから
基準電流源が構成されており、この基準電流源に
よれば、トランジスタ２４，２６のエミツタ面積
比ｎおよび抵抗２８の抵抗値R1を変えて、正の
温度係数を持つ基準電流Ioが形成される。すなわ
ち、この基準電流Ioは、 Io＝VT・1nn／R1 ……(1) で与えられる。ただし、VT＝ｋ・Ｔ／ｑで与え
られ、ｋはボルツマン定数、ｑは電子の電荷、Ｔ
は絶対温度、Isはトランジスタ２６の単位エミツ
タ当りの電流である。
カレントミラー回路と、NPN形トランジスタ２
４，２６で構成されたカレントミラー回路とから
基準電流源が構成されており、この基準電流源に
よれば、トランジスタ２４，２６のエミツタ面積
比ｎおよび抵抗２８の抵抗値R1を変えて、正の
温度係数を持つ基準電流Ioが形成される。すなわ
ち、この基準電流Ioは、 Io＝VT・1nn／R1 ……(1) で与えられる。ただし、VT＝ｋ・Ｔ／ｑで与え
られ、ｋはボルツマン定数、ｑは電子の電荷、Ｔ
は絶対温度、Isはトランジスタ２６の単位エミツ
タ当りの電流である。
この基準電流Ioは、トランジスタ３４，３６か
ら抵抗３８、ダイオード４０に流れ、この結果、
抵抗３８には正の温度係数を持つ基準電圧Vref+
がその電圧降下によつて発生し、ダイオード４０
には負の温度係数を持つ基準電圧Vref-がその順
方向降下電圧によつて形成される。これら正負の
温度係数を持つ基準電圧Vref+、Vref-は、とも
にその温度係数の絶対値を等しく設定する。
ら抵抗３８、ダイオード４０に流れ、この結果、
抵抗３８には正の温度係数を持つ基準電圧Vref+
がその電圧降下によつて発生し、ダイオード４０
には負の温度係数を持つ基準電圧Vref-がその順
方向降下電圧によつて形成される。これら正負の
温度係数を持つ基準電圧Vref+、Vref-は、とも
にその温度係数の絶対値を等しく設定する。
ここで、抵抗３８の抵抗値をR2とすると、基
準電圧Vref+は、 Vref+＝（R2／R1）1nn・VT ……(2) となり、その温度係数は、 dVref+／dT＝ （ｋ／ｑ）・（R2／R1）1nn ……(3) となる。したがつて、R1，R2およびｎを適当に
選ぶことによつて、その温度係数を＋2mV／℃
に設定する。
準電圧Vref+は、 Vref+＝（R2／R1）1nn・VT ……(2) となり、その温度係数は、 dVref+／dT＝ （ｋ／ｑ）・（R2／R1）1nn ……(3) となる。したがつて、R1，R2およびｎを適当に
選ぶことによつて、その温度係数を＋2mV／℃
に設定する。
各基準電圧Vref+、Vref-は、抵抗４２，４４
に加えられて合成され、すなわち、平均化される
ことにより、正負の温度係数が相殺されることに
なる。
に加えられて合成され、すなわち、平均化される
ことにより、正負の温度係数が相殺されることに
なる。
したがつて、出力端子４６には温度係数を持た
ない基準電圧Vrefが発生する。この場合、正負
の温度係数を持つ基準電圧Vref+、Vref-の絶対
値を常温において、約0.6Vとするとき、出力端
子４６に発生する基準電圧Vrefは、その絶対値
である0.6Vで与えられる。
ない基準電圧Vrefが発生する。この場合、正負
の温度係数を持つ基準電圧Vref+、Vref-の絶対
値を常温において、約0.6Vとするとき、出力端
子４６に発生する基準電圧Vrefは、その絶対値
である0.6Vで与えられる。
なお、動作電流の温度変化について見ると、−
25℃から＋75℃の電流変化分はＩ（＋75℃）／Ｉ
（−25℃）＝７／５＝2.9dBとなるが、これに伴う
VFの変化は9mVであり、これに対し、VFの温度
変化は200mVであるから、殆ど無視できる程度
の値である。
25℃から＋75℃の電流変化分はＩ（＋75℃）／Ｉ
（−25℃）＝７／５＝2.9dBとなるが、これに伴う
VFの変化は9mVであり、これに対し、VFの温度
変化は200mVであるから、殆ど無視できる程度
の値である。
第２図は、各基準電圧Vref+、Vref-の温度特
性を示し、特性ＡはVref+、ＢはVref-、Ｃは出
力基準電圧Vrefである。すなわち、正負の温度
特性の相殺効果によつて、安定した基準電圧
Vref（＝0.6V）が形成され、この値は従来のバン
ドギヤツプ電圧の1/2である。
性を示し、特性ＡはVref+、ＢはVref-、Ｃは出
力基準電圧Vrefである。すなわち、正負の温度
特性の相殺効果によつて、安定した基準電圧
Vref（＝0.6V）が形成され、この値は従来のバン
ドギヤツプ電圧の1/2である。
抵抗３８の抵抗値R2を変化させることにより
抵抗３８に発生する電圧およびその温度係数が変
化するが、その割合に応じて抵抗４２，４４の抵
抗比を調整すれば、Vref-と温度特性が相殺する
点を求めることができる。すなわち、抵抗３８，
４２，４４を適当な値に選べば、任意の基準電圧
Vrefを形成することができる。
抵抗３８に発生する電圧およびその温度係数が変
化するが、その割合に応じて抵抗４２，４４の抵
抗比を調整すれば、Vref-と温度特性が相殺する
点を求めることができる。すなわち、抵抗３８，
４２，４４を適当な値に選べば、任意の基準電圧
Vrefを形成することができる。
したがつて、動作電圧の低圧化により、たとえ
ば、電圧1.5Vの電池によつて誤動作がなく、安
定した基準電圧を発生させることができる。すな
わち、減電圧特性が改善され、その動作もトラン
ジスタの飽和を考慮すれば、ダイオード電圧VF
まで動作可能である。
ば、電圧1.5Vの電池によつて誤動作がなく、安
定した基準電圧を発生させることができる。すな
わち、減電圧特性が改善され、その動作もトラン
ジスタの飽和を考慮すれば、ダイオード電圧VF
まで動作可能である。
なお、第３図に示すように、抵抗３８に発生す
る基準電圧Vref+、ダイオード４０に発生する基
準電圧Vref-をそれぞれバツフア回路５０，５２
を介して抵抗４２，４４に加えるようにしても同
様の効果が期待できる。
る基準電圧Vref+、ダイオード４０に発生する基
準電圧Vref-をそれぞれバツフア回路５０，５２
を介して抵抗４２，４４に加えるようにしても同
様の効果が期待できる。
以上説明したように、この発明によれば、減電
特性の改善とともに、駆動電圧の低圧化を図るこ
とができ、しかも、従来の基準電圧より低い基準
電圧を発生させることができる。
特性の改善とともに、駆動電圧の低圧化を図るこ
とができ、しかも、従来の基準電圧より低い基準
電圧を発生させることができる。
第１図はこの発明の基準電圧回路の実施例を示
す回路図、第２図はその動作特性を示す説明図、
第３図はこの発明の基準電圧回路の他の実施例を
示す回路図、第４図は従来の基準電圧回路を示す
回路図、第５図はその動作特性を示す説明図であ
る。 ２０……第１のトランジスタ、２２……第２の
トランジスタ、２４……第４のトランジスタ、２
６……第３のトランジスタ、３４……第５のトラ
ンジスタ、３６……第６のトランジスタ、３８…
…抵抗、４２，４４……抵抗（電圧合成回路）、
５０，５２……バツフア回路（電圧合成回路）。
す回路図、第２図はその動作特性を示す説明図、
第３図はこの発明の基準電圧回路の他の実施例を
示す回路図、第４図は従来の基準電圧回路を示す
回路図、第５図はその動作特性を示す説明図であ
る。 ２０……第１のトランジスタ、２２……第２の
トランジスタ、２４……第４のトランジスタ、２
６……第３のトランジスタ、３４……第５のトラ
ンジスタ、３６……第６のトランジスタ、３８…
…抵抗、４２，４４……抵抗（電圧合成回路）、
５０，５２……バツフア回路（電圧合成回路）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ベース・コレクタを共通化した第１のトラン
ジスタを第２のトランジスタのベース・エミツタ
間に接続してなる第１の電流ミラー回路を設置
し、前記第２のトランジスタにベース・コレクタ
を共通化した第３のトランジスタを直列に接続す
るととともに、前記第１のトランジスタに直列に
接続された第４のトランジスタのベース・エミツ
タ間に前記第３のトランジスタを接続してなる第
２の電流ミラー回路を備えて正の温度係数を持つ
基準電流を発生する基準定電流源と、 前記第１のトランジスタのベース・コレクタと
ベースが共通化された第５のトランジスタを通し
て前記基準電流が加えられて正の温度係数を持つ
電圧を発生する抵抗と、 前記第１のトランジスタのベース・コレクタと
ベースが共通化された第６のトランジスタを通し
て前記基準電流が加えられて負の温度係数を持つ
電圧を発生するダイオードと、 前記抵抗に発生した電圧と前記ダイオードに発
生した電圧とをバツフア回路を通して取り出し抵
抗を通して合成することにより温度係数を相殺し
た電圧を発生させる電圧合成回路と、 を備えたことを特徴とする基準電圧回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10579484A JPS60250418A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 基準電圧回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10579484A JPS60250418A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 基準電圧回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60250418A JPS60250418A (ja) | 1985-12-11 |
| JPH0576051B2 true JPH0576051B2 (ja) | 1993-10-21 |
Family
ID=14417032
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10579484A Granted JPS60250418A (ja) | 1984-05-25 | 1984-05-25 | 基準電圧回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60250418A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63217970A (ja) * | 1987-03-03 | 1988-09-12 | Nec Corp | 半導体集積回路 |
| JPH0833787B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1996-03-29 | 横河電機株式会社 | 電圧基準回路 |
| KR100439024B1 (ko) * | 2001-03-08 | 2004-07-03 | 삼성전자주식회사 | 기준전압 발생회로 |
| CN103412611B (zh) * | 2013-07-18 | 2015-05-20 | 电子科技大学 | 一种高精度基准电压源 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3137504A1 (de) * | 1981-09-21 | 1983-04-07 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltungsanordnung zur erzeugung einer temperaturunabhaengigen referenzspannung |
-
1984
- 1984-05-25 JP JP10579484A patent/JPS60250418A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60250418A (ja) | 1985-12-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3638530B2 (ja) | 基準電流回路及び基準電圧回路 | |
| JP3322685B2 (ja) | 定電圧回路および定電流回路 | |
| US6407622B1 (en) | Low-voltage bandgap reference circuit | |
| JPH08321732A (ja) | カレントミラー回路および基準電流回路 | |
| JPH08272468A (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JP2734964B2 (ja) | 基準電流回路および基準電圧回路 | |
| JPH0123802B2 (ja) | ||
| US20240255975A1 (en) | Reference current source | |
| JPH02121012A (ja) | 相補性ｍｏｓ技術による回路装置 | |
| JPS6148168B2 (ja) | ||
| JPH0576051B2 (ja) | ||
| JPS6346444B2 (ja) | ||
| JPS62191907A (ja) | 半導体回路 | |
| JPH08339232A (ja) | 基準電圧回路 | |
| JPH0225561B2 (ja) | ||
| JPH0789304B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
| JPH0527139B2 (ja) | ||
| JP3529601B2 (ja) | 定電圧発生回路 | |
| JPH08139531A (ja) | 差動アンプ | |
| JPH0449703Y2 (ja) | ||
| JPH0642252Y2 (ja) | 定電圧回路 | |
| JPH0820915B2 (ja) | 定電流回路 | |
| JP3437274B2 (ja) | 基準電圧回路 | |
| JPH0543131B2 (ja) | ||
| JP2772069B2 (ja) | 定電流回路 |