JPH0576102U - サーキュレータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】 非磁性誘電体基板とフェライト基板表面に形
成する導体膜を一体化し、基板への直接接合により形成
する事によって、非磁性誘電体基板とフェライト基板と
の接続を確実にし、かつ、二種類の基板を一体化するこ
とによって作業性を簡略向上させる。 【構成】 フェライト基板１を埋設した非磁性誘電体基
板２からなる複合基板と、複合基板の一方の面の接地導
体５と、他方の面のフェライト基板領域上の共振器パタ
ーン３と非磁性誘電体基板領域上の回路パターン導体４
と、共振器パターン上部に設置された磁石で構成された
サーキュレータにおいて、複合基板のフェライト基板領
域の共振器パターン３と非磁性誘電体基板領域の回路パ
ターン及び、複合基板のフェライト基板領域の接地導体
と非磁性誘電体基板領域の接地導体を一体化し、複合基
板と直接接合したサーキュレータ。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案は、マイクロ波集積回路や発振器の回路等に使用されるマイクロストリ ップライン構造を用いたサーキュレータ及びサーキュレータの一つの端子を終端 したアイソレータに関する。

【０００２】

【従来の技術】

近年、通信量の増大に伴い、各種マイクロ波通信機器の小型化やユニット化が 盛んに行われるようになった。入出力波を分離するサーキュレータや、マイクロ 波増幅器や発振器を安定に動作させるために使用されているアイソレータも、集 積化するために有利な構造を要求されるようになってきた。

【０００３】 サーキュレータやアイソレータの一例の構造を図３（ａ）に斜視図で示し、ま たその構成の各部を図３（ｂ）に斜視図で示す。その構成の要部は、非磁性誘電 体基板の回路にフェライト基板を埋設し、サーキュレータの共振器部分のみをフ ェライト基板、インピーダンス整合部分を非磁性誘電体基板として、サーキュレ ータやアイソレータが形成されている。図において１０１はフェライト基板、１ ０２は非磁性体誘電体基板、１０３はサーキュレータ共振器部分の回路パターン を形成する表面導体、１０４はサーキュレータの整合部分の回路パターンを形成 する表面導体、１０５、１０７は裏面接地導体、１０７は異なる基板間の接続導 体である。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

一般に、マイクロ波集積回路の伝送線路などの導体膜は金属蒸着や金属ペース トの印刷・焼成等によって形成される。ところが、これらの導体膜形成方法では 基板領域外には導体膜を形成する事が出来ないために、図２のように異なる基板 を組み合わせた回路基板上に導体膜を形成する場合には基板境界部分の接続が確 実ではないため、基板間を金属導体の半田付けや溶接などで接続するという作業 が必要となる。また、誘電体基板に磁性体基板を挿入するためには精密な一体研 磨等を行わないと、挿入した磁性体基板は容易に抜け落ちてしまい、作業性が悪 い上に構造が不安定で、表面導体パターンの断線や剥離の原因となる。

【０００５】 本考案は上記従来のサーキュレータの欠点を改良すべくなされたもので、非磁 性誘電体基板とフェライト基板表面に形成する導体膜を一体化し、基板への直接 接合により形成する事によって、非磁性誘電体基板とフェライト基板との接続を 確実にし、かつ、二種類の基板を一体化することによって作業性を簡略向上させ ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

本考案に係るサーキュレータは、フェライト基板を埋設した非磁性誘電体基板 からなる複合基板と、前記複合基板の一方の面の接地導体と、他方の面のフェラ イト基板領域上の共振器パターンと非磁性誘電体基板領域上の回路パターン導体 と、前記共振器パターン上部に設置された磁石で構成されたサーキュレータにお いて、前記複合基板のフェライト基板領域の共振器パターンと非磁性誘電体基板 領域の回路パターン及び、前記複合基板のフェライト基板領域の接地導体と非磁 性誘電体基板領域の接地導体を一体化し、複合基板と直接接合したことを特徴と する。

【０００７】

【作用】

本考案に係るサーキュレータは、二種類以上の基板を組み合わせたマイクロス トリップ線路形回路のサーキュレータまたはアイソレータの共振器部分とインピ ーダンス整合部分の回路パターンが一体に形成されているため、基板境界におけ る確実な導通が得られるという顕著な効果がある。また、回路接続の作業工程が 蓄縮される。さらに、フェライト基板と非磁性誘電体基板が一体加工などの精密 な加工をせずに一体化される強固な構造であり、製造工程における作業性も向上 する。

【０００８】

【実施例】

以下、本考案に係る実施例のサーキュレータにつき図面を参照して説明する。

【０００９】 （実施例１） 図１（ａ）、（ｂ）は本考案の第１実施例の斜視図及び組立例を示す斜視図で あり、図３における図中の同等部分は同一符号を付して示し、説明を省略する。

【００１０】 所望の形状の銅板をフェライト基板１及び非磁性誘電体基板２に密着させ、適 度な温度と酸素濃度雰囲気を有する電気炉に通すと、銅板の表面のみが溶融して フェライト基板及び非磁性誘電体基板表面の凹凸に入り込み、溶融した銅が冷却 すれば銅板と基板は直接接合される。これをDirect Bond Copper（ＤＢＣ）技術 と言われ、近年半導体基板やマイクロ波基板に応用されはじめた。本考案は、フ ェライト基板上に形成されるアイソレータまたはサーキュレータの回路パターン と、非磁性誘電体基板上に形成されるその他のマイクロ波回路パターンが一体と なった導体膜の形成を、従来方法に見られないこの方法によって行うものである 。すなわち、図１（ｂ）に示すように、サーキュレータの共振器部分の回路パタ ーン３の導体膜の整合部分の回路パターン４の導体膜が一体となった形状の銅板 をエッチングで形成する。また、表面の接地導体５についても同様に、フェライ ト基板１領域と非磁性誘電体基板２領域が一体となった形状の銅板を形成する。 そして、フェライト基板１と非磁性誘電体基板２の表面に回路パターン導体膜３ 、４を、裏面に接地導体５を密着させ、適度な条件の電気炉に通すことによって 、回路パターンの表面導体３、４及び裏面接地導体５がフェライト基板と非磁性 誘電体基板の複合基板１、２に接合し、二種類以上の基板が一体化された回路基 板が得られる。この回路基板は、フェライト基板領域と非磁性誘電体基板領域の 回路パターンが一体に形成されているので、フェライト基板領域の回路パターン ３と非磁性誘電体基板領域の回路パターン４を接続する必要がなく、部品数・工 程数共に少なくなり、確実な導通を得ることができる。また、二種類以上の基板 が一体研磨などの精密な加工を施すことなく一体化できるので作業性も向上する 。

【００１１】 なお、アイソレータはサーキュレータの一つの端子を終端した方式が一般的で あるので、アイソレータに本考案が適用可能であることは明白である。

【００１２】 （実施例２） この実施例のサーキュレータは上記第１実施例の図１と同様に図２に示される 。図示のように、サーキュレータの整合部分の回路パターンに限らず、増幅器や 発振器、移相器などの回路パターン６を一体に形成され、第１実施例と同様の効 果が得られる。

【００１３】

【考案の効果】

本考案によれば、二種類以上の基板を組み合わせたマイクロストリップ線路形 回路のサーキュレータまたはアイソレータの共振器部分とインピーダンス整合部 分の回路パターンが一体に形成されているため、基板境界における確実な導通が 得られるという顕著な効果がある。また、回路接続の作業工程が短縮される。さ らに、フェライト基板と非磁性誘電体基板が一体加工などの精密な加工をせずに 一体化される強固な構造であり、製造工程における作業性も向上する。

【００１４】 また、第２実施例に示すように、サーキュレータの整合部分の回路パターンだ けでなく、増幅器や発振器、移相器などの回路パターンを一体に形成することに よっても、同様の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施例のサーキュレータを示す（ａ）は斜
視図、（ｂ）は組立例を示す斜視図、

【図２】第２実施例のサーキュレータを示す（ａ）は斜
視図、（ｂ）は組立例を示す斜視図、

【図３】従来例のサーキュレータを示す（ａ）は斜視
図、（ｂ）は組立例を示す斜視図。

【符号の説明】

１：フェライト基板 ２、１２：非磁性体誘電体基板 ３：表面導体サーキュレータ共振器部分の回路パターン ４、１４：表面導体サーキュレータインピーダンス整合
回路パターン ５、１５：裏面接地導体 ６：表面導体サーキュレータ以外の回路パターン １０７：基板間の接続導体

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 フェライト基板を埋設した非磁性誘電体
   基板からなる複合基板と、前記複合基板の一方の面の接
   地導体と、他方の面のフェライト基板領域上の共振器パ
   ターンと非磁性誘電体基板領域上の回路パターン導体
   と、前記共振器パターン上部に設置された磁石で構成さ
   れたサーキュレータにおいて、前記複合基板のフェライ
   ト基板領域の共振器パターンと非磁性誘電体基板領域の
   回路パターン及び、前記複合基板のフェライト基板領域
   の接地導体と非磁性誘電体基板領域の接地導体を一体化
   し、複合基板と直接接合したことを特徴とするサーキュ
   レータ。