JPH0577321B2 - - Google Patents
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- JPH0577321B2 JPH0577321B2 JP63239135A JP23913588A JPH0577321B2 JP H0577321 B2 JPH0577321 B2 JP H0577321B2 JP 63239135 A JP63239135 A JP 63239135A JP 23913588 A JP23913588 A JP 23913588A JP H0577321 B2 JPH0577321 B2 JP H0577321B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance
- thin film
- concentration
- alloy
- aluminum
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば薄膜抵抗器、抵抗ネツトワ
ーク、熱印字素子の発熱体、その他に用いられる
電気抵抗材料に関する。
ーク、熱印字素子の発熱体、その他に用いられる
電気抵抗材料に関する。
薄膜抵抗器に従来から用いられているニツケ
ル・クロム合金やタンタル化合物等の薄膜抵抗材
料の比抵抗は、セラミツク基板上で0.2ｍΩ・cm
程度と小さく、従つてこれを用いたチツプ抵抗器
等のような小型の抵抗器では高い抵抗値を得るの
が困難であつた。例えばこのようなチツプ抵抗器
の抵抗値の上限は数十ＫΩ〜百ＫΩであつた。
ル・クロム合金やタンタル化合物等の薄膜抵抗材
料の比抵抗は、セラミツク基板上で0.2ｍΩ・cm
程度と小さく、従つてこれを用いたチツプ抵抗器
等のような小型の抵抗器では高い抵抗値を得るの
が困難であつた。例えばこのようなチツプ抵抗器
の抵抗値の上限は数十ＫΩ〜百ＫΩであつた。
また、熱印字素子の発熱体のために比抵抗の大
きな薄膜材料が幾つか開発されてはいるが、その
抵抗温度係数は数百ppm／deg以上と著しく大き
く、従つてこれを精密抵抗器に用いることはでき
ない。一例を示せば、Ta−Si−Ｃ系材料では、
比抵抗は4.2ｍΩ・cm程度と比較的大きいものの、
抵抗温度係数が−600ppm／deg程度と著しく大
きい。
きな薄膜材料が幾つか開発されてはいるが、その
抵抗温度係数は数百ppm／deg以上と著しく大き
く、従つてこれを精密抵抗器に用いることはでき
ない。一例を示せば、Ta−Si−Ｃ系材料では、
比抵抗は4.2ｍΩ・cm程度と比較的大きいものの、
抵抗温度係数が−600ppm／deg程度と著しく大
きい。
一方、チツプ抵抗器に従来から多用されている
厚膜抵抗材料は、極めて高い抵抗値が容易に得ら
れるものの、信頼性や長期の安定性に乏しく、ま
た抵抗温度係数も大きいため、高精度・高信頼性
を要求される用途には適用できない。例えば、
TaBa系材料やLaB6系材料では、150℃で1000時
間放置による抵抗値変化率は１％程度と比較的大
きく、また抵抗温度係数も150〜250ppm／deg程
度と比較的大きい。
厚膜抵抗材料は、極めて高い抵抗値が容易に得ら
れるものの、信頼性や長期の安定性に乏しく、ま
た抵抗温度係数も大きいため、高精度・高信頼性
を要求される用途には適用できない。例えば、
TaBa系材料やLaB6系材料では、150℃で1000時
間放置による抵抗値変化率は１％程度と比較的大
きく、また抵抗温度係数も150〜250ppm／deg程
度と比較的大きい。
そこでこの発明は、比抵抗が大きく、しかも抵
抗温度係数が小さく、かつ耐環境性に優れた電気
抵抗材料を提供することを目的とする。
抗温度係数が小さく、かつ耐環境性に優れた電気
抵抗材料を提供することを目的とする。
この発明の電気抵抗材料は、Cr−Al−Ｂ−Ｏ
系のものであり、アルミニウムを10ないし40原子
％含むクロム・アルミニウム合金にホウ素を30な
いし70原子％添加した三元合金に対して、酸素を
10ないし30原子％添加した組成をしている。
系のものであり、アルミニウムを10ないし40原子
％含むクロム・アルミニウム合金にホウ素を30な
いし70原子％添加した三元合金に対して、酸素を
10ないし30原子％添加した組成をしている。
上記三元合金は、換言すれば、その（クロム、
アルミニウム、ホウ素）の組成比（原子％）が、
第１図に示す三成分組成図におけるＡ６３，７，
３０、Ｂ２７，３，７０、Ｃ１８，１２，７０お
よびＤ４２，２８，３０の４点で囲まれる領域内
にあると言うこともできる。
アルミニウム、ホウ素）の組成比（原子％）が、
第１図に示す三成分組成図におけるＡ６３，７，
３０、Ｂ２７，３，７０、Ｃ１８，１２，７０お
よびＤ４２，２８，３０の４点で囲まれる領域内
にあると言うこともできる。
ここで、クロム・アルミニウム合金中のアルミ
ニウム濃度を10〜40at（原子）％の範囲に限定し
たのは、アルミニウム濃度が10at％未満では比抵
抗が小さく、また40at％を越えると抵抗温度係数
が著しく負方向に増大すると共に熱処理による電
気的特性の変化も大きくなるからである。
ニウム濃度を10〜40at（原子）％の範囲に限定し
たのは、アルミニウム濃度が10at％未満では比抵
抗が小さく、また40at％を越えると抵抗温度係数
が著しく負方向に増大すると共に熱処理による電
気的特性の変化も大きくなるからである。
また、三元合金中のホウ素濃度を30〜70at％の
範囲に限定したのは、ホウ素濃度が30at％未満で
は比抵抗が小さく、また70at％を越えると抵抗温
度係数が負方向に大きく増大するからである。
範囲に限定したのは、ホウ素濃度が30at％未満で
は比抵抗が小さく、また70at％を越えると抵抗温
度係数が負方向に大きく増大するからである。
また、当該電気抵抗材料中の酸素濃度を10〜
30at％の範囲に限定したのは、酸素濃度が10at％
未満では比抵抗が小さく、また30at％を越えると
抵抗温度係数が負方向に大きく増大するからであ
る。更に、酸素濃度が10at％未満では耐環境性も
悪化する。
30at％の範囲に限定したのは、酸素濃度が10at％
未満では比抵抗が小さく、また30at％を越えると
抵抗温度係数が負方向に大きく増大するからであ
る。更に、酸素濃度が10at％未満では耐環境性も
悪化する。
20at％のアルミニウムを含んだクロム・アルミ
ニウム二元合金ターゲツトの表面にホウ素の粒を
並べて三元系としたターゲツトを用い、酸素を添
加したアルゴンガスによりスパツタリングを行
い、種々の組成のCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材
料の薄膜をセラミツク基板上に堆積させた。この
薄膜におけるクロム・アルミニウム合金に対する
ホウ素の濃度はクロム・アルミニウム二元合金タ
ーゲツトの表面に並べるホウ素の量を変えること
により、また、クロムとアルミニウムとの組成比
は20at％のアルミニウムを含んだクロム・アルミ
ニウム二元合金ターゲツトの表面にクロムあるい
はアルミニウムを追加することにより、更に、
Cr−Al−Ｂ三元合金に対する酸素濃度はアルゴ
ンガスに添加する酸素の濃度を変化させることに
より調整した。このCr−Al−Ｂ−Ｏ系薄膜電気
抵抗材料の電気的特性と耐環境性を図面に基づい
て説明する。
ニウム二元合金ターゲツトの表面にホウ素の粒を
並べて三元系としたターゲツトを用い、酸素を添
加したアルゴンガスによりスパツタリングを行
い、種々の組成のCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材
料の薄膜をセラミツク基板上に堆積させた。この
薄膜におけるクロム・アルミニウム合金に対する
ホウ素の濃度はクロム・アルミニウム二元合金タ
ーゲツトの表面に並べるホウ素の量を変えること
により、また、クロムとアルミニウムとの組成比
は20at％のアルミニウムを含んだクロム・アルミ
ニウム二元合金ターゲツトの表面にクロムあるい
はアルミニウムを追加することにより、更に、
Cr−Al−Ｂ三元合金に対する酸素濃度はアルゴ
ンガスに添加する酸素の濃度を変化させることに
より調整した。このCr−Al−Ｂ−Ｏ系薄膜電気
抵抗材料の電気的特性と耐環境性を図面に基づい
て説明する。
第２図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性の三元合金中のホウ素濃度依存性の一
例を示す図であり、このときのCr−Al合金中の
アルミニウム濃度は20at％、薄膜中の酸素濃度は
15〜30at％であつた。
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性の三元合金中のホウ素濃度依存性の一
例を示す図であり、このときのCr−Al合金中の
アルミニウム濃度は20at％、薄膜中の酸素濃度は
15〜30at％であつた。
この図から分かるように、当該Cr−Al−Ｂ−
Ｏ系薄膜は、およそ20at％のホウ素が添加される
ことにより、その比抵抗が減少すると共に抵抗温
度係数（TCR）の絶対値が急減する。しかし、
20〜30at％以上のホウ素濃度域では、ホウ素濃度
の増加に伴い比抵抗が著しく（例えば従来のNi
−Cr合金の一桁以上に）増大するものの、70at
％程度までは抵抗温度係数の絶対値にあまり大き
な変化は生じなく電気抵抗材料として実用的な値
を示す。
Ｏ系薄膜は、およそ20at％のホウ素が添加される
ことにより、その比抵抗が減少すると共に抵抗温
度係数（TCR）の絶対値が急減する。しかし、
20〜30at％以上のホウ素濃度域では、ホウ素濃度
の増加に伴い比抵抗が著しく（例えば従来のNi
−Cr合金の一桁以上に）増大するものの、70at
％程度までは抵抗温度係数の絶対値にあまり大き
な変化は生じなく電気抵抗材料として実用的な値
を示す。
更に、これらの薄膜に数百℃での安定化熱処理
（第３図および第４図の熱処理も同様）を施すと、
比抵抗は若干減少するものの、抵抗温度係数の絶
対値は半減し、より高精度の抵抗材料として使用
し得る特性が得られることが分かる。
（第３図および第４図の熱処理も同様）を施すと、
比抵抗は若干減少するものの、抵抗温度係数の絶
対値は半減し、より高精度の抵抗材料として使用
し得る特性が得られることが分かる。
尚、上記の20〜30at％以上のホウ素濃度域にお
ける薄膜の構造は、Ｘ線回折によれば非晶質化し
ているものと認められ、このような非晶質構造を
維持することが、上記のような優れた電気的特性
を維持する上で好ましいと言える。
ける薄膜の構造は、Ｘ線回折によれば非晶質化し
ているものと認められ、このような非晶質構造を
維持することが、上記のような優れた電気的特性
を維持する上で好ましいと言える。
第３図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性のCr−Al合金中のアルミニウム濃度
依存性の一例を示す図であり、このときのCr−
Al合金に対するホウ素濃度は45at％、薄膜中の
酸素濃度は10〜30at％であつた。
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性のCr−Al合金中のアルミニウム濃度
依存性の一例を示す図であり、このときのCr−
Al合金に対するホウ素濃度は45at％、薄膜中の
酸素濃度は10〜30at％であつた。
この図から分かるように、当該Cr−Al−Ｂ−
Ｏ系薄膜は、Cr−Al合金中のアルミニウム濃度
が10at％未満では比抵抗が小さく、また40at％を
越えると抵抗温度係数（TCR）が負方向に増大
し熱処理での電気的特性の変化も大きくなる。従
つて、当該アルミニウム濃度は、10〜40at％の範
囲内にするのが好ましい。
Ｏ系薄膜は、Cr−Al合金中のアルミニウム濃度
が10at％未満では比抵抗が小さく、また40at％を
越えると抵抗温度係数（TCR）が負方向に増大
し熱処理での電気的特性の変化も大きくなる。従
つて、当該アルミニウム濃度は、10〜40at％の範
囲内にするのが好ましい。
第４図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性の酸素濃度依存性の一例を示す図であ
り、このときの20at％Al−Cr合金に対するホウ
素濃度は55at％であつた。
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性の酸素濃度依存性の一例を示す図であ
り、このときの20at％Al−Cr合金に対するホウ
素濃度は55at％であつた。
この図から分かるように、当該Cr−Al−Ｂ−
Ｏ系薄膜は、酸素濃度が10at％未満では比抵抗が
小さく、また30at％越えると抵抗温度係数
（TCR）が負方向に大きく増大して、厚膜抵抗材
料と同様の電気的特性を示す。従つて、当該酸素
濃度は、10〜30at％の範囲内にするのが好まし
い。
Ｏ系薄膜は、酸素濃度が10at％未満では比抵抗が
小さく、また30at％越えると抵抗温度係数
（TCR）が負方向に大きく増大して、厚膜抵抗材
料と同様の電気的特性を示す。従つて、当該酸素
濃度は、10〜30at％の範囲内にするのが好まし
い。
第５図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性の耐環境性の一例を示す図であり、こ
のときの20at％Al−Cr合金に対するホウ素濃度
は55at％、薄膜中の酸素濃度は約20at％であつ
た。
化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における
電気的特性の耐環境性の一例を示す図であり、こ
のときの20at％Al−Cr合金に対するホウ素濃度
は55at％、薄膜中の酸素濃度は約20at％であつ
た。
尚、用いた試片はセラミツク基板上の薄膜表面
が露出したものであり、耐湿性は純水中での煮
沸、また耐酸化性は150℃の空気中での放置によ
る電気抵抗の変化により評価した。ちなみに、こ
の純水煮沸試験は、一般的な抵抗器の評価に適用
される湿中負荷試験（60℃、95％RH、定格負
荷）に比べて４桁以上厳しい試験になる。
が露出したものであり、耐湿性は純水中での煮
沸、また耐酸化性は150℃の空気中での放置によ
る電気抵抗の変化により評価した。ちなみに、こ
の純水煮沸試験は、一般的な抵抗器の評価に適用
される湿中負荷試験（60℃、95％RH、定格負
荷）に比べて４桁以上厳しい試験になる。
この図から分かるように、当該Cr−Al−Ｂ−
Ｏ系薄膜は、耐湿・耐酸化性のどちらも時間の経
過と共に電気抵抗が増大するものの、その変化率
は極めて小さく、従つて高安定の抵抗材料である
ことが分かる。
Ｏ系薄膜は、耐湿・耐酸化性のどちらも時間の経
過と共に電気抵抗が増大するものの、その変化率
は極めて小さく、従つて高安定の抵抗材料である
ことが分かる。
第６図は、第５図と同様に耐酸化性と耐湿性と
を調べ、これらの耐環境性に酸素濃度が及ぼす影
響を示したものであり、このときのCr−Al合金
中のアルミニウム濃度は20at％、Cr−Al−Ｂ合
金中のホウ素濃度は41at％であつた。この図か
ら、酸素濃度が減少すると耐環境性が悪化するこ
とが分かる。なお、耐酸化性の150℃での放置時
間を300時間としたのは、第５図で分かるように
抵抗値変化率がほぼ飽和するからである。また耐
湿性の基準とした１時間の純水煮沸は、一般に行
われている湿中負荷試験の10000時間以上に相当
する。
を調べ、これらの耐環境性に酸素濃度が及ぼす影
響を示したものであり、このときのCr−Al合金
中のアルミニウム濃度は20at％、Cr−Al−Ｂ合
金中のホウ素濃度は41at％であつた。この図か
ら、酸素濃度が減少すると耐環境性が悪化するこ
とが分かる。なお、耐酸化性の150℃での放置時
間を300時間としたのは、第５図で分かるように
抵抗値変化率がほぼ飽和するからである。また耐
湿性の基準とした１時間の純水煮沸は、一般に行
われている湿中負荷試験の10000時間以上に相当
する。
このような結果と、前述した従来の厚膜抵抗材
料の耐環境性（即ち150℃の1000時間放置で抵抗
値変化率が約１％）を考えると、酸素濃度が10at
％に満たない場合には本発明による材料も従来の
厚膜抵抗材料の特性に近づき、高精度・高信頼性
を要求される用途に適用できないことは容易に類
推できる。
料の耐環境性（即ち150℃の1000時間放置で抵抗
値変化率が約１％）を考えると、酸素濃度が10at
％に満たない場合には本発明による材料も従来の
厚膜抵抗材料の特性に近づき、高精度・高信頼性
を要求される用途に適用できないことは容易に類
推できる。
尚、上記実施例では、Cr−Al−Ｂ−Ｏ系電気
抵抗材料を薄膜化して作製するのに、制御の比較
的簡単なスパツタリングを用いたが、真空蒸着等
の他の薄膜形成手段を用いても良い。
抵抗材料を薄膜化して作製するのに、制御の比較
的簡単なスパツタリングを用いたが、真空蒸着等
の他の薄膜形成手段を用いても良い。
また、上記実施例では、薄膜を堆積させる基板
にセラミツク基板を用いたが、ガラス基板や表面
に電気絶縁層を設けた金属板等の他の電気絶縁性
基板を用いても良い。ガラス基板を用いれば、周
知のように、比抵抗はセラミツク基板の場合の約
半分になる。
にセラミツク基板を用いたが、ガラス基板や表面
に電気絶縁層を設けた金属板等の他の電気絶縁性
基板を用いても良い。ガラス基板を用いれば、周
知のように、比抵抗はセラミツク基板の場合の約
半分になる。
また、当該Cr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料は、
上記のように電気絶縁性基板上に薄膜化するよう
にすれば比較的簡単に作製することができるが、
勿論必要に応じて、厚膜化したりバルクとして用
いることも可能である。
上記のように電気絶縁性基板上に薄膜化するよう
にすれば比較的簡単に作製することができるが、
勿論必要に応じて、厚膜化したりバルクとして用
いることも可能である。
以上のようにこの発明によれば、比抵抗が大き
く、しかも抵抗温度係数が小さく、かつ耐環境性
に優れた電気抵抗材料が得られる。その場合、当
該電気抵抗材料の構造が非晶質である方が、上記
のような優れた電気的特性を維持する上で好まし
い。
く、しかも抵抗温度係数が小さく、かつ耐環境性
に優れた電気抵抗材料が得られる。その場合、当
該電気抵抗材料の構造が非晶質である方が、上記
のような優れた電気的特性を維持する上で好まし
い。
従つて当該電気抵抗材料を用いれば、例えば、
抵抗値が高くかつ高精度・高信頼性のチツプ抵抗
器や高集積抵抗ネツトワーク等の実現が可能にな
る。
抵抗値が高くかつ高精度・高信頼性のチツプ抵抗
器や高集積抵抗ネツトワーク等の実現が可能にな
る。
より具体例を示せば、表面実装部品等として用
いられる薄膜チツプ抵抗器の抵抗値の上限が従来
は数十ＫΩ〜百ＫΩ程度であつたものを、当該電
気抵抗材料を用いれば、これを一桁程度増大させ
ることが可能になる。
いられる薄膜チツプ抵抗器の抵抗値の上限が従来
は数十ＫΩ〜百ＫΩ程度であつたものを、当該電
気抵抗材料を用いれば、これを一桁程度増大させ
ることが可能になる。
また、従来は厚膜抵抗材料を用いていたため精
度・信頼性の点で劣つていた百ＫΩ程度以上の抵
抗値のチツプ抵抗器も、当該電気抵抗材料を用い
れば、高精度でかつ信頼性の高いものとすること
ができる。
度・信頼性の点で劣つていた百ＫΩ程度以上の抵
抗値のチツプ抵抗器も、当該電気抵抗材料を用い
れば、高精度でかつ信頼性の高いものとすること
ができる。
第１図は、この発明に係る電気抵抗材料におけ
る三元合金の組成比を示す三成分組成図である。
第２図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化
したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における電
気的特性の三元合金中のホウ素濃度依存性の一例
を示す図である。第３図は、セラミツク基板上に
堆積させて薄膜化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵
抗材料における電気的特性のCr−Al合金中のア
ルミニウム濃度依存性の一例を示す図である。第
４図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化し
たCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における電気
的特性の酸素濃度依存性の一例を示す図である。
第５図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化
したCr−Bl−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における電
気的特性の耐環境性の一例を示す図である。第６
図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化した
Cr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料において、電気
的特性の耐環境性と酸素濃度との関係の一例を示
す図である。
る三元合金の組成比を示す三成分組成図である。
第２図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化
したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における電
気的特性の三元合金中のホウ素濃度依存性の一例
を示す図である。第３図は、セラミツク基板上に
堆積させて薄膜化したCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵
抗材料における電気的特性のCr−Al合金中のア
ルミニウム濃度依存性の一例を示す図である。第
４図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化し
たCr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における電気
的特性の酸素濃度依存性の一例を示す図である。
第５図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化
したCr−Bl−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料における電
気的特性の耐環境性の一例を示す図である。第６
図は、セラミツク基板上に堆積させて薄膜化した
Cr−Al−Ｂ−Ｏ系電気抵抗材料において、電気
的特性の耐環境性と酸素濃度との関係の一例を示
す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウムを10ないし40原子％含むクロ
ム・アルミニウム合金にホウ素を30ないし70原子
％添加した三元合金に対して、酸素を10ないし30
原子％添加した組成の電気抵抗材料。 ２ 当該材料の構造が非晶質である請求項１記載
の電気抵抗材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239135A JPH0287501A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 電気抵抗材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63239135A JPH0287501A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 電気抵抗材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0287501A JPH0287501A (ja) | 1990-03-28 |
| JPH0577321B2 true JPH0577321B2 (ja) | 1993-10-26 |
Family
ID=17040294
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63239135A Granted JPH0287501A (ja) | 1988-09-24 | 1988-09-24 | 電気抵抗材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0287501A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2782288B2 (ja) * | 1991-06-19 | 1998-07-30 | 進工業株式会社 | 電気抵抗材料 |
| JP6708538B2 (ja) * | 2016-12-02 | 2020-06-10 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 熱安定性に優れた歪センサ用薄膜合金 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109301A (ja) * | 1985-11-08 | 1987-05-20 | 株式会社日立製作所 | 感熱記録ヘツド |
| JPS62165302A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-21 | 進工業株式会社 | 高抵抗材料 |
-
1988
- 1988-09-24 JP JP63239135A patent/JPH0287501A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0287501A (ja) | 1990-03-28 |
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