JPS62165302A - 高抵抗材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば薄膜抵抗器等に用いられる高抵抗材
料に関する。

〔従来の技術とその問題点〕

薄膜抵抗器の抵抗材料として従来からニッケル・クロム
膜が用いられているけれども、これの比抵抗は、セラミ
ック基板上で約２００μΩ・ｃｍ程度が限度である。

〔発明の目的〕

しかしながら、電子部品の小型化、高集積化の要求から
、抵抗材料においては、比抵抗がより高く、耐熱性も大
きく、更に抵抗温度係数も小さいものが要望されており
、この発明はこれに応えんとするものである。

〔目的達成のための手段〕

この発明の高抵抗材料は、クロム中のアルミニウム含有
量が２〜５０重量％の組成域の合金に、ホウ素を１〜３
０重量％添加して成ることを特徴とする。

〔作用〕

この発明の高抵抗材料においては、上記のような組成域
において、従来のニッケル・クロム合金の十倍近い比抵
抗が得られる。しかも耐熱性が大きく、更に抵抗温度係
数も小さい。それゆえ、」二記のような高抵抗材料によ
れば、電子部品の小型化、高集積化の要求に応えること
が可能となる。

〔実施例〕

スパツタリング、電子ヒーム蒸着あるいはフラッシュ蒸
着等によって、ガラス、セラミックス等の電気的絶縁基
板上に、クロム（Ｃｒ）・アルミニウム（Ａ１）・ホウ
素（Ｂ）の三元合金膜を形成した。その場合、クロム中
のアルミニウム含有量が２〜５０重量％の組成域の合金
に、ホウ素を１〜３０重量％加えて成る三元合金膜の特
徴は以下の■〜■のとおりである。

尚、その内の代表例として図面に、２０重量％アルミニ
ウム・クロムへのホウ素の添加量に対する比抵抗（ρ）
、抵抗温度係数（ＴＣＲ）および抵抗値変化率（ΔＲ）
を示す。この場合、基板は９６％アルミナであり、抵抗
値変化率（ΔＲ）は、窒素中における熱処理（５００℃
、１時間）による比抵抗の変化率を示す。ちなみに、ク
ロム中のアルミニウムの含有量が２０重量％以外であっ
ても２〜５０重量％の範囲内であれば、上記三特性は図
示とは若干の違い（上下等）があるもののほぼ同様の傾
向を示し、十分に特性の良い高抵抗材料が得られる。

■　比抵抗（ρ）は、はぼ、ホウ素の添加量の増加と共
に増大し、従来のニッケル・クロムの比抵抗の十倍以上
の値が容易に得られる。

■　抵抗温度係数（ＴＣＲ）は、−５００〜＋２００Ｐ
ＰＭ／”ｃ程度の実用的な値を持っている。

また、それをほぼ零にすることも可能である。

■　ホウ素の添加効果は耐熱性の改善にも見られる。例
えば、１０〜２０重量％のホウ素を上記のような組成域
のアルミニウム・クロム合金膜に加えることにより、５
６０℃窒素中における抵抗値変化率（ΔＲ）をほぼ零と
することも可能である。

尚、上記のような高抵抗材料（三元合金材料）の用途は
種々考えられる。例えば、当該高抵抗材料を薄膜として
基板等の上に形成することによって、薄膜抵抗器、薄膜
発熱素子等の薄膜素子として用いることができる。

〔発明の効果〕

以上のようにこの発明によれば、比抵抗が高く、耐熱性
も大きく、更に抵抗温度係数も小さい高抵抗材料が得ら
れる。それゆえ、電子部品の小型化、高集積化の要求に
応えることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

図面は、この発明の一実施例に係る高抵抗材料の特性図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）クロム中のアルミニウム含有量が２〜５０重量％
   の組成域の合金に、ホウ素を１〜３０重量％添加して成
   ることを特徴とする高抵抗材料。