JPH057766B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH057766B2 JPH057766B2 JP58018688A JP1868883A JPH057766B2 JP H057766 B2 JPH057766 B2 JP H057766B2 JP 58018688 A JP58018688 A JP 58018688A JP 1868883 A JP1868883 A JP 1868883A JP H057766 B2 JPH057766 B2 JP H057766B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- angle
- base material
- vapor deposition
- deposited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は磁気記録媒体の製造方法に関するも
のであり、更に詳細には、酸素雰囲気中におい
て、適当な磁性金属または合金などの蒸着物質を
非磁性基材に蒸着させて得られる薄膜型の磁気記
録媒体の製造方法に関するものであつて、特に磁
気記録媒体の保磁力を向上させることを目的とす
るものである。
のであり、更に詳細には、酸素雰囲気中におい
て、適当な磁性金属または合金などの蒸着物質を
非磁性基材に蒸着させて得られる薄膜型の磁気記
録媒体の製造方法に関するものであつて、特に磁
気記録媒体の保磁力を向上させることを目的とす
るものである。
従来、蒸着装置内の酸素分圧を他の気体の分圧
よりも高くした酸素雰囲気中で磁性金属または合
金を非磁性基材を蒸着させることによつて、得ら
れる磁気テープの保磁力を向上させることが可能
であるとの報告がある。しかし、この方法では、
酸素の分圧を大きくすると、蒸着物質の自由行程
が短くなり十分な蒸着効率が得られないかまたは
全く蒸着されないという欠点がある。また蒸着物
質が酸素によつて散乱される方向もランダムにな
り不都合である。更に、この方法では、斜方蒸着
において、蒸着物質の入射角が小さく、したがつ
て蒸着率の大きい領域に優先的に酸素を導入する
ことができず実用的ではない。
よりも高くした酸素雰囲気中で磁性金属または合
金を非磁性基材を蒸着させることによつて、得ら
れる磁気テープの保磁力を向上させることが可能
であるとの報告がある。しかし、この方法では、
酸素の分圧を大きくすると、蒸着物質の自由行程
が短くなり十分な蒸着効率が得られないかまたは
全く蒸着されないという欠点がある。また蒸着物
質が酸素によつて散乱される方向もランダムにな
り不都合である。更に、この方法では、斜方蒸着
において、蒸着物質の入射角が小さく、したがつ
て蒸着率の大きい領域に優先的に酸素を導入する
ことができず実用的ではない。
そこで、この発明は、従来の方法における欠点
を大巾に改善することができる方法であつて、特
に、従来のものに比べて格段に保磁力が向上した
磁気記録媒体を得ることができる方法を提供する
ものである。
を大巾に改善することができる方法であつて、特
に、従来のものに比べて格段に保磁力が向上した
磁気記録媒体を得ることができる方法を提供する
ものである。
この発明によれば、磁気記録媒体の製造方法
は、酸素雰囲気中おいて蒸着物質を一定範囲の入
射角をもつて非磁性基材上に吹き付けて蒸着させ
ることによつて強磁性体薄膜を形成させることか
らなる方法であつて、蒸着物質を非磁性基材に吹
き付けて蒸着させる領域において、前記基材へ蒸
着物質が最低入射角で蒸着される位置における基
材の移動方向に対して0゜〜＋10゜に酸素ガスを導
入するようにして蒸着を行なうことからなつてい
る。
は、酸素雰囲気中おいて蒸着物質を一定範囲の入
射角をもつて非磁性基材上に吹き付けて蒸着させ
ることによつて強磁性体薄膜を形成させることか
らなる方法であつて、蒸着物質を非磁性基材に吹
き付けて蒸着させる領域において、前記基材へ蒸
着物質が最低入射角で蒸着される位置における基
材の移動方向に対して0゜〜＋10゜に酸素ガスを導
入するようにして蒸着を行なうことからなつてい
る。
この発明において使用される蒸着物質とは、磁
気記録媒体の強磁性薄膜を形成しうるものであれ
ば何れでもよく、例えば、Fe，Co，Niなどの金
属あるいはFe−Co合金、Fe−Ni合金、Co−Ni
−Fe−Ｂ合金などの合金からなる強磁性体など
が列挙できる。蒸着物質は、電熱線、電子線など
を用いて加熱し蒸発させて非磁性基材上に蒸着さ
れる。この蒸着物質を非磁性基材上へ蒸着させる
ための入射角（θ）は、斜方蒸着できる入射角で
あればよく、好ましくは約30゜ないし90゜になるよ
うにするのがよい。また蒸着物質はまず入射角の
大きい領域で非磁性基材上に蒸着され、その基材
の移動に従つて入射角が小さくなる領域で蒸着さ
れるようにするのが好ましい。なお、使用できる
非磁性基材としては、磁気記録媒体を製造するの
に従来使用されているものであれば何れも使用で
きる。かかる非磁性基材としては、例えば、ポリ
エチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポ
リプロピレンなどのポリオレフイン、セルロース
トリアセテート、セルロースジアセテートなどの
セルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩化
ビニル、ポリイミドなどの高分子物質などが挙げ
られる。
気記録媒体の強磁性薄膜を形成しうるものであれ
ば何れでもよく、例えば、Fe，Co，Niなどの金
属あるいはFe−Co合金、Fe−Ni合金、Co−Ni
−Fe−Ｂ合金などの合金からなる強磁性体など
が列挙できる。蒸着物質は、電熱線、電子線など
を用いて加熱し蒸発させて非磁性基材上に蒸着さ
れる。この蒸着物質を非磁性基材上へ蒸着させる
ための入射角（θ）は、斜方蒸着できる入射角で
あればよく、好ましくは約30゜ないし90゜になるよ
うにするのがよい。また蒸着物質はまず入射角の
大きい領域で非磁性基材上に蒸着され、その基材
の移動に従つて入射角が小さくなる領域で蒸着さ
れるようにするのが好ましい。なお、使用できる
非磁性基材としては、磁気記録媒体を製造するの
に従来使用されているものであれば何れも使用で
きる。かかる非磁性基材としては、例えば、ポリ
エチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポ
リプロピレンなどのポリオレフイン、セルロース
トリアセテート、セルロースジアセテートなどの
セルロース誘導体、ポリカーボネート、ポリ塩化
ビニル、ポリイミドなどの高分子物質などが挙げ
られる。
この発明において、蒸着物質を非磁性基材上に
蒸着させる領域（以下、「蒸着領域」という）と
は、前述したように、斜方蒸着ができる一定範囲
の入射角θによつてその蒸着物質が非磁性基材上
に蒸着されて強磁性薄膜が形成されうる領域を意
味する。
蒸着させる領域（以下、「蒸着領域」という）と
は、前述したように、斜方蒸着ができる一定範囲
の入射角θによつてその蒸着物質が非磁性基材上
に蒸着されて強磁性薄膜が形成されうる領域を意
味する。
本発明によれば、この領域において、前記基材
へ蒸着物質が最低入射角で蒸着される位置におけ
る基材の移動方向に対して0゜〜＋10゜に酸素ガス
を導入される。酸素ガス導入のための方法として
は、蒸着領域において、基材へ蒸着物質が最低入
射角で蒸着される位置において、蒸着物質が基材
に付着するのを妨げない位置に酸素ガス吹出機構
を設ければよい。この酸素ガス吹出機構は、酸素
ガス流の方向が基材の移動方向に対して0゜〜＋
10゜になるようにガス吹出口を調節できるように
するのがよい。本明細書においては、酸素ガス流
の方向（角度α）は、基材の走行方向と平行（α
＝0゜）もしくは基材向きに＋10゜までの角度であ
る。
へ蒸着物質が最低入射角で蒸着される位置におけ
る基材の移動方向に対して0゜〜＋10゜に酸素ガス
を導入される。酸素ガス導入のための方法として
は、蒸着領域において、基材へ蒸着物質が最低入
射角で蒸着される位置において、蒸着物質が基材
に付着するのを妨げない位置に酸素ガス吹出機構
を設ければよい。この酸素ガス吹出機構は、酸素
ガス流の方向が基材の移動方向に対して0゜〜＋
10゜になるようにガス吹出口を調節できるように
するのがよい。本明細書においては、酸素ガス流
の方向（角度α）は、基材の走行方向と平行（α
＝0゜）もしくは基材向きに＋10゜までの角度であ
る。
この発明に係る方法によれば、非磁性基材上の
蒸着領域において、優先的に酸素分圧を高くしな
がら、蒸着物質の蒸発粒子の自由行程を短かくす
ることなく、蒸着効率を上げることができる。ま
た、斜方蒸着において、蒸着物質の蒸発粒子の少
ない部分から多い部分に移るに従つて酸素の量を
多くして行くことができ、蒸着物質と酸素との反
応率が上昇し、この反応により蒸着物質の結晶の
大きさが小さくなるために結晶異方性により保磁
力が著しく向上するものと思われる。更にまた、
実際の入射角が見掛けの入射角よりも大きな蒸発
粒子が現われることにより保磁力の向上に寄与し
ていることも考えられる。
蒸着領域において、優先的に酸素分圧を高くしな
がら、蒸着物質の蒸発粒子の自由行程を短かくす
ることなく、蒸着効率を上げることができる。ま
た、斜方蒸着において、蒸着物質の蒸発粒子の少
ない部分から多い部分に移るに従つて酸素の量を
多くして行くことができ、蒸着物質と酸素との反
応率が上昇し、この反応により蒸着物質の結晶の
大きさが小さくなるために結晶異方性により保磁
力が著しく向上するものと思われる。更にまた、
実際の入射角が見掛けの入射角よりも大きな蒸発
粒子が現われることにより保磁力の向上に寄与し
ていることも考えられる。
以下、この発明を図面を参照して説明する。
第１図は、この発明を実施するための装置の一
例を示すものである。所定の真空度、例えば約１
×10-3Torr以下にした真空槽１に、蒸着物質を
蒸着させる非磁性基材２が、繰出しローラ３から
案内ローラ４を介して巻取りローラに巻取られる
ように配置されている。真空槽１の下部に設けた
Coなどの蒸着物質６を電熱線、電子線などの加
熱手段７によつて加熱して蒸発させ、非磁性基材
２の表面に所定の入射角θで蒸着させて強磁性薄
膜を形成できるようになつている。真空槽１は排
気系１１によつて所定の真空度に維持される。な
お、所定の入射角を確保するために、遮蔽部８を
設けて、非磁性基材の表面に蒸着物質の蒸発粒子
が不要部分に直接入射しないようにする。また、
ノズル９を有するパイプ１０を真空槽１内に配設
して、付着した蒸発粒子の最も少ない基材上の部
分から多い部分へ行くに従つて酸素量が多くなる
ように、基材へ蒸着物質が最低入射角で蒸着され
る位置における基材の移動方向に対して0゜〜＋
10゜に酸素ガスを導入するように構成されている。
本明細書では、前記の通り酸素ガス流の方向（角
度α）は、基材の走行方向と平行でかつ逆向きの
場合がα＝0゜であり、基材向きの方向が＋の角度
であり、さらに基材と反対側の向きの方向を−の
角度とする。
例を示すものである。所定の真空度、例えば約１
×10-3Torr以下にした真空槽１に、蒸着物質を
蒸着させる非磁性基材２が、繰出しローラ３から
案内ローラ４を介して巻取りローラに巻取られる
ように配置されている。真空槽１の下部に設けた
Coなどの蒸着物質６を電熱線、電子線などの加
熱手段７によつて加熱して蒸発させ、非磁性基材
２の表面に所定の入射角θで蒸着させて強磁性薄
膜を形成できるようになつている。真空槽１は排
気系１１によつて所定の真空度に維持される。な
お、所定の入射角を確保するために、遮蔽部８を
設けて、非磁性基材の表面に蒸着物質の蒸発粒子
が不要部分に直接入射しないようにする。また、
ノズル９を有するパイプ１０を真空槽１内に配設
して、付着した蒸発粒子の最も少ない基材上の部
分から多い部分へ行くに従つて酸素量が多くなる
ように、基材へ蒸着物質が最低入射角で蒸着され
る位置における基材の移動方向に対して0゜〜＋
10゜に酸素ガスを導入するように構成されている。
本明細書では、前記の通り酸素ガス流の方向（角
度α）は、基材の走行方向と平行でかつ逆向きの
場合がα＝0゜であり、基材向きの方向が＋の角度
であり、さらに基材と反対側の向きの方向を−の
角度とする。
以下、この発明を実施例により説明する。
真空槽５×10-5Torrに維持した第１図に示す
ような真空槽を用いて、ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上に、入射角θを50゜ないし90゜にし
て蒸着層厚が800ないし900ÅになるようにCoを
蒸着した。この場合、第１図に示すようなノズル
から酸素ガス流を、100cm3／分と400cm3／分の間の
種々の割合で、Coが最低入射角で蒸着される位
置において基材の走行方向と平行かつ逆向き（α
＝0゜）ないしα＝＋10゜の角度で導入して、磁気
テープを作成した。
ような真空槽を用いて、ポリエチレンテレフタレ
ートフイルム上に、入射角θを50゜ないし90゜にし
て蒸着層厚が800ないし900ÅになるようにCoを
蒸着した。この場合、第１図に示すようなノズル
から酸素ガス流を、100cm3／分と400cm3／分の間の
種々の割合で、Coが最低入射角で蒸着される位
置において基材の走行方向と平行かつ逆向き（α
＝0゜）ないしα＝＋10゜の角度で導入して、磁気
テープを作成した。
また、比較例として、α＝＋30゜、＋60゜、＋90゜ま
たは−30゜とした以外は前記実施例と同様にして
磁気テープを作成した。また、別の比較例とし
て、酸素ガス流を全く導入しない以外は前記実施
例と同様にして磁気テープを作成した。
たは−30゜とした以外は前記実施例と同様にして
磁気テープを作成した。また、別の比較例とし
て、酸素ガス流を全く導入しない以外は前記実施
例と同様にして磁気テープを作成した。
これらの磁気テープについて保磁力を測定して
得られた結果を第３図に示す。この図から明らか
なように、α＝0゜〜＋10゜の方向で酸素ガス流を
導入した場合に高い保磁力を有する磁気テープが
得られ、特にα＝0゜の場合に、各酸素ガスの流量
に対して最も高い保磁力が得られる。α＋30゜、＋
60゜、＋90゜又は−30゜の角度では蒸着物質の蒸発粒
子が酸素によつて著しく散乱されて蒸着効率が低
下するので好ましくない。
得られた結果を第３図に示す。この図から明らか
なように、α＝0゜〜＋10゜の方向で酸素ガス流を
導入した場合に高い保磁力を有する磁気テープが
得られ、特にα＝0゜の場合に、各酸素ガスの流量
に対して最も高い保磁力が得られる。α＋30゜、＋
60゜、＋90゜又は−30゜の角度では蒸着物質の蒸発粒
子が酸素によつて著しく散乱されて蒸着効率が低
下するので好ましくない。
第１図は、この発明に適用できる装置の一例を
示す概略断面図、第２図は酸素ガス流の導入の方
向を示す角度の説明図、第３図は酸素ガス流の導
入角度と酸素ガスの流量を変えた場合に得られる
磁気テープの保磁力を示すグラフである。 なお、図面に用いられている符号において、１
……真空槽、２……非磁性基材、６……蒸着物
質、８……遮蔽部、９……ノズル、θ……入射
角、α……酸素ガス流の方向（角度）である。
示す概略断面図、第２図は酸素ガス流の導入の方
向を示す角度の説明図、第３図は酸素ガス流の導
入角度と酸素ガスの流量を変えた場合に得られる
磁気テープの保磁力を示すグラフである。 なお、図面に用いられている符号において、１
……真空槽、２……非磁性基材、６……蒸着物
質、８……遮蔽部、９……ノズル、θ……入射
角、α……酸素ガス流の方向（角度）である。
Claims (1)
- １ 酸素雰囲気中において蒸着物質を一定範囲の
入射角をもつて非磁性基材上に吹き付けて蒸着さ
せることによつて強磁性体薄膜を形成させること
からなる磁気記録媒体の製造方法であつて、蒸着
物質を非磁性基材に吹き付けて蒸着させる領域に
おいて、前記基材へ蒸着物質が最低入射角で蒸着
される位置における基材の移動方向に対して0゜〜
＋10゜に酸素ガスを導入することを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1868883A JPS59144048A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1868883A JPS59144048A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59144048A JPS59144048A (ja) | 1984-08-17 |
| JPH057766B2 true JPH057766B2 (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=11978549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1868883A Granted JPS59144048A (ja) | 1983-02-07 | 1983-02-07 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59144048A (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155375A (en) * | 1981-03-20 | 1982-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Vacuum evaporation apparatus |
| JPS5837843A (ja) * | 1981-08-31 | 1983-03-05 | Sony Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPS5841439A (ja) * | 1981-09-01 | 1983-03-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-02-07 JP JP1868883A patent/JPS59144048A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59144048A (ja) | 1984-08-17 |
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