JPH0579188B2 - - Google Patents
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- JPH0579188B2 JPH0579188B2 JP11413086A JP11413086A JPH0579188B2 JP H0579188 B2 JPH0579188 B2 JP H0579188B2 JP 11413086 A JP11413086 A JP 11413086A JP 11413086 A JP11413086 A JP 11413086A JP H0579188 B2 JPH0579188 B2 JP H0579188B2
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Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
本発明はシヨツトキ・バリア・ダイオード等の
電極形成方法に関するものである。
電極形成方法に関するものである。
(ロ) 従来の技術
一般にシヨツトキ・バリア・ダイオード等の製
造に於いて、電極材料としてモリブデン（Mo）
を用いる。例えば特開昭59−211285号公報が詳し
く、第２図イに示す如く、半導体基板１の開孔部
にモリブデン膜２を形成し、次に第２図ロに示す
如く、前記モリブデン膜２の上に電極例えばアル
ミニウムを形成する際にニツケル（Ni）膜４を
形成し、モリブデン膜２とニツケル膜４とを熱処
理することで、後工程の熱ストレスにより膜剥れ
等を防止していた。
造に於いて、電極材料としてモリブデン（Mo）
を用いる。例えば特開昭59−211285号公報が詳し
く、第２図イに示す如く、半導体基板１の開孔部
にモリブデン膜２を形成し、次に第２図ロに示す
如く、前記モリブデン膜２の上に電極例えばアル
ミニウムを形成する際にニツケル（Ni）膜４を
形成し、モリブデン膜２とニツケル膜４とを熱処
理することで、後工程の熱ストレスにより膜剥れ
等を防止していた。
しかし前記モリブデン膜２とニツケル膜４とは
接着性が悪く、更に前記モリブデン膜２とニツケ
ル膜４の間にチタン間を形成していた。
接着性が悪く、更に前記モリブデン膜２とニツケ
ル膜４の間にチタン間を形成していた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
一般にモリブデン膜２とニツケル膜４はリン酸
と硝酸の含んだ水溶液をエツチング液として使用
でき、チタン膜は弗酸水溶液をエツチング液とし
て使用できる。
と硝酸の含んだ水溶液をエツチング液として使用
でき、チタン膜は弗酸水溶液をエツチング液とし
て使用できる。
しかし実際はモリブデン膜２とシリコンとのシ
ヨツトキー接合形成用アニール工程において、モ
リブデン膜２とチタン膜との間に合金層が形成さ
れるために前述したモリブデン膜２のエツチング
液が使用できず、別のエツチング液を必要とし
た。
ヨツトキー接合形成用アニール工程において、モ
リブデン膜２とチタン膜との間に合金層が形成さ
れるために前述したモリブデン膜２のエツチング
液が使用できず、別のエツチング液を必要とし
た。
(ニ) 問題点を解決するための手段
本発明は斯る問題点に鑑みてなされ、少なくと
も半導体基板１上にモリブデン膜２を形成する工
程と、該モリブデン膜２を熱処理する工程と、前
記モリブデン膜２上にチタン膜３を形成する工程
と、該チタン膜３上に金属膜４を形成する工程
と、該金属膜４・チタン膜３・モリブデン膜２を
蝕刻する工程とにより解決するものである。
も半導体基板１上にモリブデン膜２を形成する工
程と、該モリブデン膜２を熱処理する工程と、前
記モリブデン膜２上にチタン膜３を形成する工程
と、該チタン膜３上に金属膜４を形成する工程
と、該金属膜４・チタン膜３・モリブデン膜２を
蝕刻する工程とにより解決するものである。
(ホ) 作用
前述した如く、モリブデン膜２を形成し該モリ
ブデン膜２とシリコンとのシヨツトキー合金化ア
ニール工程を行つた後、チタン膜３の形成を行う
ので、熱処理に伴う両者の合金が形成されない。
従つて、従来のエツチング液で食刻することがで
きる。
ブデン膜２とシリコンとのシヨツトキー合金化ア
ニール工程を行つた後、チタン膜３の形成を行う
ので、熱処理に伴う両者の合金が形成されない。
従つて、従来のエツチング液で食刻することがで
きる。
(ヘ) 実施例
一般に高融点金属、例えばモリブデン膜を配線
材料に用いると多結晶シリンコ膜に比べて電気抵
抗が２桁程低い。一方アルミニウムに比べて数倍
高いが、アルミニウムに現われるエレクトロマイ
グレーシヨンが全んど起こらないため、現在色々
な所で使用されつつある。
材料に用いると多結晶シリンコ膜に比べて電気抵
抗が２桁程低い。一方アルミニウムに比べて数倍
高いが、アルミニウムに現われるエレクトロマイ
グレーシヨンが全んど起こらないため、現在色々
な所で使用されつつある。
次に本発明の電極形成法である電極形成法を第
１図を参照しながら説明する。
１図を参照しながら説明する。
先ず第１図イに示す如く半導体基板１上にモリ
ブデン膜２を形成する。
ブデン膜２を形成する。
ここではエレクトロン・ビーム蒸着法により数
百Åの膜厚で形成する。その後、本発明の特徴と
なるように、モリブデン膜２とシリコンとのシヨ
ツトキー合金化のための熱処理を先に行つてお
く。この熱処理は、例えば400℃〜500℃の数十分
の熱処理である。この高温熱処理を先に行つてお
けば、後はアニール温度より処理温度が低い蒸着
またスパツタ法によりチタン、ニツケル膜を付着
することが可能である。つまり、チタン、ニツケ
ルを付着してからパターニングを行うまでに高温
熱処理を配置する必要がないので、モリブデンと
チタンとの合金層形成を防止できる。
百Åの膜厚で形成する。その後、本発明の特徴と
なるように、モリブデン膜２とシリコンとのシヨ
ツトキー合金化のための熱処理を先に行つてお
く。この熱処理は、例えば400℃〜500℃の数十分
の熱処理である。この高温熱処理を先に行つてお
けば、後はアニール温度より処理温度が低い蒸着
またスパツタ法によりチタン、ニツケル膜を付着
することが可能である。つまり、チタン、ニツケ
ルを付着してからパターニングを行うまでに高温
熱処理を配置する必要がないので、モリブデンと
チタンとの合金層形成を防止できる。
次に第１図ロに示す如く前記モリブデン膜２上
に順次チタン膜３、ニツケル膜４を形成する。
に順次チタン膜３、ニツケル膜４を形成する。
ここでは前記モリブデン膜２と同様にエレクト
ロン・ビーム蒸着法により夫々数百Åの膜厚で形
成する。
ロン・ビーム蒸着法により夫々数百Åの膜厚で形
成する。
最後に第１図ハに示す如く、前記ニツケル膜
４、チタン膜３、モリブデン膜２を順次所望形状
に蝕刻する。
４、チタン膜３、モリブデン膜２を順次所望形状
に蝕刻する。
ここでは先ず前記ニツケル膜４をリン酸・硝酸
の含んだ水溶液で蝕刻し、次に前記チタン膜３を
弗酸水溶液で蝕刻し、更に前記モリブデン膜２を
ニツケル膜４のエツチング液で蝕刻する。
の含んだ水溶液で蝕刻し、次に前記チタン膜３を
弗酸水溶液で蝕刻し、更に前記モリブデン膜２を
ニツケル膜４のエツチング液で蝕刻する。
本工程は本発明の特徴とする所である。従来で
は前述した如く、モリブデンとチタンの合金層が
形成されるために、前記モリブデン膜２上の合金
属をニツケル膜４のエツチング液でエツチングす
ることが不可能であつたが、前述の熱処理工程で
モリブデンとチタンの合金層が形成されないため
に容易にエツチング可能となる。
は前述した如く、モリブデンとチタンの合金層が
形成されるために、前記モリブデン膜２上の合金
属をニツケル膜４のエツチング液でエツチングす
ることが不可能であつたが、前述の熱処理工程で
モリブデンとチタンの合金層が形成されないため
に容易にエツチング可能となる。
従つて更に電極配線としてアルミニウムを使用
してもアルミニウムによるスパイクがニツケル膜
４で防止でき、また前記ニツケル膜４とモリブデ
ン膜２は前記チタン膜３を中間に形成することで
良好に被覆することが可能となる。
してもアルミニウムによるスパイクがニツケル膜
４で防止でき、また前記ニツケル膜４とモリブデ
ン膜２は前記チタン膜３を中間に形成することで
良好に被覆することが可能となる。
(ト) 発明の効果
以上の説明からも明らかな如く、前記モリブデ
ン膜２を熱処理することで、従来より使用されて
いるエツチング液で良好にエツチングでき、更に
はアルミスパイクを防止でき密着性の良い電極を
形成でき、信頼性を向上させることができる。
ン膜２を熱処理することで、従来より使用されて
いるエツチング液で良好にエツチングでき、更に
はアルミスパイクを防止でき密着性の良い電極を
形成でき、信頼性を向上させることができる。
また工程数も簡略化できるためコストを削減で
きる。
きる。
第１図イ乃至第１図ハは本発明の電極形成法を
説明する断面図、第２図イ乃至第２図ハは従来の
電極形成法を説明する断面図である。 １は半導体基板、２ほモリブデン膜、３はチタ
ン膜、４はニツケル膜である。
説明する断面図、第２図イ乃至第２図ハは従来の
電極形成法を説明する断面図である。 １は半導体基板、２ほモリブデン膜、３はチタ
ン膜、４はニツケル膜である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ シヨツトキー接続用の電極の形成方法であつ
て、 半導体基板上にモリブデン膜を形成する工程
と、 該モリブデン膜を400〜500℃の温度で熱処理す
る工程と、 前記モリブデン膜上にチタン膜を形成する工程
と、 該チタン膜上にニツケル膜を形成する工程と、 前記ニツケル膜をリン酸・硝酸水溶液で食刻
し、次に前記チタン膜を弗酸水溶液で食刻し、さ
らに前記モリブデン膜をリン酸・硝酸水溶液で食
刻する工程と、 前記ニツケル膜の上にアルミ電極を形成する工
程とを具備することを特徴とする電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11413086A JPS62295452A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11413086A JPS62295452A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 電極形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62295452A JPS62295452A (ja) | 1987-12-22 |
| JPH0579188B2 true JPH0579188B2 (ja) | 1993-11-01 |
Family
ID=14629886
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11413086A Granted JPS62295452A (ja) | 1986-05-19 | 1986-05-19 | 電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62295452A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2687017B2 (ja) * | 1989-08-14 | 1997-12-08 | サンケン電気 株式会社 | ショットキバリア半導体装置 |
-
1986
- 1986-05-19 JP JP11413086A patent/JPS62295452A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62295452A (ja) | 1987-12-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |