JPH01111872A - スパッタリング装置 - Google Patents
スパッタリング装置Info
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- JPH01111872A JPH01111872A JP26889387A JP26889387A JPH01111872A JP H01111872 A JPH01111872 A JP H01111872A JP 26889387 A JP26889387 A JP 26889387A JP 26889387 A JP26889387 A JP 26889387A JP H01111872 A JPH01111872 A JP H01111872A
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 41
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタリング装置に関する。
半導体素子の製造の際、半導体基板上にスパッタ材の薄
膜を付着させる方法として、スパッタリング法が、その
付着薄膜の品質の点から採用されている。このスパッタ
リング法を実施する装置として、例えば第３図に示すよ
うものが知られている。
膜を付着させる方法として、スパッタリング法が、その
付着薄膜の品質の点から採用されている。このスパッタ
リング法を実施する装置として、例えば第３図に示すよ
うものが知られている。
第３図を用いて従来のスパッタリング装置を説明する。
この図に示す装置では、真空チャンバ８内にＡ「ガスを
導入し、半導体基板１とターゲット２間に電圧源３を用
いて電界を発生し、Ａｒガスをイオン化しターゲット２
に衝突させ、ターゲット２から飛び出すターゲットのス
パッタ材粒子、例えばＷ等の金属又は、Ｓ １０２等の
酸化物を半導、 体基板１上に付着させている。
導入し、半導体基板１とターゲット２間に電圧源３を用
いて電界を発生し、Ａｒガスをイオン化しターゲット２
に衝突させ、ターゲット２から飛び出すターゲットのス
パッタ材粒子、例えばＷ等の金属又は、Ｓ １０２等の
酸化物を半導、 体基板１上に付着させている。
上記構成の従来のスパッタリング装置では、ターゲット
２から飛び出したスパッタ材粒子は半導体基板１上ばか
りでなく真空チャンバ８の内壁にも付着する。そして、
内壁に付着したスパッタ材粒子により形成される膜は、
ある程度の厚さになると、膜自身の応力により剥がれ落
ちる。そして、剥がれ落ちた薄膜が半導体基板１上に落
下して再付着することがある。その再付着により半導体
基板上に良質な膜を形成することが出来ない。また、第
３図に示す構造とは逆に半導体基板が上側に設けられ、
ターゲットが下側に設けられているようなスパッタリン
グ装置では、剥離した膜がターゲット上に落下し、その
落下した膜が再度Ａｒイオンのターゲットへの衝突によ
り、半導体基板に向けて飛び出し、再付着する。この場
合にも、半導体基板上に良質な膜を形成できない。
２から飛び出したスパッタ材粒子は半導体基板１上ばか
りでなく真空チャンバ８の内壁にも付着する。そして、
内壁に付着したスパッタ材粒子により形成される膜は、
ある程度の厚さになると、膜自身の応力により剥がれ落
ちる。そして、剥がれ落ちた薄膜が半導体基板１上に落
下して再付着することがある。その再付着により半導体
基板上に良質な膜を形成することが出来ない。また、第
３図に示す構造とは逆に半導体基板が上側に設けられ、
ターゲットが下側に設けられているようなスパッタリン
グ装置では、剥離した膜がターゲット上に落下し、その
落下した膜が再度Ａｒイオンのターゲットへの衝突によ
り、半導体基板に向けて飛び出し、再付着する。この場
合にも、半導体基板上に良質な膜を形成できない。
本発明は上記問題点を解決し、半導体基板上に良質な膜
を付着することができるスパッタリング装置を提供する
ことを目的とする。
を付着することができるスパッタリング装置を提供する
ことを目的とする。
本発明のスパッタリング装置はスパッタリングすべきス
パッタ材よりなるターゲットと、前記ターゲットとスパ
ッタ材が付着されるべき物体との間に電界を発生させる
手段と、その表面が帯電され、ターゲットからのスパッ
タ材粒子を捕獲する電極とを有することを特徴とする。
パッタ材よりなるターゲットと、前記ターゲットとスパ
ッタ材が付着されるべき物体との間に電界を発生させる
手段と、その表面が帯電され、ターゲットからのスパッ
タ材粒子を捕獲する電極とを有することを特徴とする。
更に、本発明に従うスパッタリング装置はスパッタリン
グすべきスパッタ材よりなるターゲットと、このターゲ
ットとその上にスパッタ材が付着されるべき物体との間
に電界を発生させる手段と、その表面が帯電され、ター
ゲットからのスパッタ材粒子を捕獲する電極と、この電
極と電界発生手段及び物体との間に配置され、接地され
ている手段とを有することを特徴とする 〔作用〕 本発明に従うスパッタリング装置は、上記のように構成
しているので、ターゲットから飛び出したスパッタ材粒
子のうち、スパッタ材が付着されるべき物体の表面以外
に向かうスパッタ材粒子と、真空チャンバの内壁に付着
し剥離落下するスバ・ツタ材薄膜を確実に捕獲し、半導
体基板上に再付着させないので、半導体基板上に良質な
膜が形成できる。
グすべきスパッタ材よりなるターゲットと、このターゲ
ットとその上にスパッタ材が付着されるべき物体との間
に電界を発生させる手段と、その表面が帯電され、ター
ゲットからのスパッタ材粒子を捕獲する電極と、この電
極と電界発生手段及び物体との間に配置され、接地され
ている手段とを有することを特徴とする 〔作用〕 本発明に従うスパッタリング装置は、上記のように構成
しているので、ターゲットから飛び出したスパッタ材粒
子のうち、スパッタ材が付着されるべき物体の表面以外
に向かうスパッタ材粒子と、真空チャンバの内壁に付着
し剥離落下するスバ・ツタ材薄膜を確実に捕獲し、半導
体基板上に再付着させないので、半導体基板上に良質な
膜が形成できる。
以下図面を参照しつつ本発明に従う実施例について説明
していく。
していく。
各図において同一の符号を付した要素は同一のものを示
し、その為、重複した説明は省略する。
し、その為、重複した説明は省略する。
第１図は本発明に従うスパッタリング装置の側断面構成
図である。図に示すように、スパッタリング装置は真空
チャンバ８と、半導体基板１上に付着させるべきスパッ
タ材、例えばＷ −Ｓ ｔ Ｏ２よりなるターゲット２
と、このターゲット２と半導体基板１との間に電界を発
生させるための電源３と、ターゲット２から半導体基板
１の方向以外へとび出したスパッタ材粒子を捕獲する捕
獲電極５と、ターゲット２及び半導体基板１と捕獲電極
５との間に配置されたメツシュ構造体４とより構成され
る。ここで、メツシュ構造体４は捕獲電極５より生じる
電界がターゲット２と半導体基板ｌとの間に生じるスパ
ッタリングのための電界に悪影響をおよぼすのを防止し
、かつ、スパッタ材粒子が透過できるように構成される
。
図である。図に示すように、スパッタリング装置は真空
チャンバ８と、半導体基板１上に付着させるべきスパッ
タ材、例えばＷ −Ｓ ｔ Ｏ２よりなるターゲット２
と、このターゲット２と半導体基板１との間に電界を発
生させるための電源３と、ターゲット２から半導体基板
１の方向以外へとび出したスパッタ材粒子を捕獲する捕
獲電極５と、ターゲット２及び半導体基板１と捕獲電極
５との間に配置されたメツシュ構造体４とより構成され
る。ここで、メツシュ構造体４は捕獲電極５より生じる
電界がターゲット２と半導体基板ｌとの間に生じるスパ
ッタリングのための電界に悪影響をおよぼすのを防止し
、かつ、スパッタ材粒子が透過できるように構成される
。
半導体基板１は基板支持体ｌａ上に設置し、この基板支
持体１ａは、接地されている。一方、ターゲット２は電
源３のマイナス側に接続し、半導体基板１とターゲット
２との間に半導体基板ｌからターゲット２に向かう電界
を発生させる。捕獲電極５を、真空チャンバ８の内側面
とターゲット２及び半導体基板１との間に配置し、電源
９のプラス側に接続する。これにより捕獲電極５の表面
はプラスに帯電し、スパッタ材粒子を吸着する。
持体１ａは、接地されている。一方、ターゲット２は電
源３のマイナス側に接続し、半導体基板１とターゲット
２との間に半導体基板ｌからターゲット２に向かう電界
を発生させる。捕獲電極５を、真空チャンバ８の内側面
とターゲット２及び半導体基板１との間に配置し、電源
９のプラス側に接続する。これにより捕獲電極５の表面
はプラスに帯電し、スパッタ材粒子を吸着する。
半導体基板１及びターゲット２と捕獲電極５との間に配
置したメツシュ構造体４は、接地しておく。
置したメツシュ構造体４は、接地しておく。
また、このメツシュ構造体４はスパッタ材のような導電
性を有する材料で形成し、ターゲット２から飛び出した
スパッタ材粒子が透過して、捕獲電極５へ到達できるよ
うに網目状のメツシュ構造にする。
性を有する材料で形成し、ターゲット２から飛び出した
スパッタ材粒子が透過して、捕獲電極５へ到達できるよ
うに網目状のメツシュ構造にする。
第２図にこのメツシュ構造体４と捕獲電極５の種々の変
形構成例を示す。この変形構造例で必要とされる要件は
、捕獲電極５より生じる電界が、半導体基板１とターゲ
ット２との間に発生しているスパッタリングのための電
界を乱さないようにすることである。その為には、捕獲
電極５と半導体基板１及びターゲット２との間にメツシ
ュ構造体４を配置することである。第２（ａ）図ではメ
ツシュ構造体４及び捕獲電極５を半導体基板１及びター
ゲット２を囲むように、同心円状に配置した例を示し、
第２（ｂ）図は捕獲電極５を円筒状に形成し、その捕獲
電極５を半導体基板１及びターゲット２の周囲に均等に
配置し、その捕獲電極５の周囲にメツシュ構造体４で取
り囲むように配置している例を示す。第２（ｃ）図は捕
獲電極５を角柱状に構成し、この捕獲電極５を半導体基
板１及びターゲット２の周囲に均等に配置し、更にメツ
シュ構造体４をこの捕獲電極５と半導体基板１等との間
であって半導体基板１等を囲むように配置した例を示す
。更に第２（ｄ）図は、第２（ａ）図の変形例で、捕獲
電極５を矩形状に形成し配置した例を示す。
形構成例を示す。この変形構造例で必要とされる要件は
、捕獲電極５より生じる電界が、半導体基板１とターゲ
ット２との間に発生しているスパッタリングのための電
界を乱さないようにすることである。その為には、捕獲
電極５と半導体基板１及びターゲット２との間にメツシ
ュ構造体４を配置することである。第２（ａ）図ではメ
ツシュ構造体４及び捕獲電極５を半導体基板１及びター
ゲット２を囲むように、同心円状に配置した例を示し、
第２（ｂ）図は捕獲電極５を円筒状に形成し、その捕獲
電極５を半導体基板１及びターゲット２の周囲に均等に
配置し、その捕獲電極５の周囲にメツシュ構造体４で取
り囲むように配置している例を示す。第２（ｃ）図は捕
獲電極５を角柱状に構成し、この捕獲電極５を半導体基
板１及びターゲット２の周囲に均等に配置し、更にメツ
シュ構造体４をこの捕獲電極５と半導体基板１等との間
であって半導体基板１等を囲むように配置した例を示す
。更に第２（ｄ）図は、第２（ａ）図の変形例で、捕獲
電極５を矩形状に形成し配置した例を示す。
次にターゲット２から真空チャンバ８の内壁に向かって
飛び出したスパッタ材粒子を捕獲電極４で捕獲できる原
理について説明する。
飛び出したスパッタ材粒子を捕獲電極４で捕獲できる原
理について説明する。
真空チャンバ８内でＡｒイオンが電源３により発生する
電界によりターゲット２に衝突し、ターゲット２からス
パッタ材粒子が飛び出す。このように飛び出したスパッ
タ材粒子は、一部、半導体基板１に向かい半導体基板１
に付着するが、その一方で、真空チャンバの内壁に向か
うスパッタ材粒子７がある。この様なスパッタ材粒子７
はメツシュ構造体４のメツシュ部を通り抜は捕獲電極５
に付着する。
電界によりターゲット２に衝突し、ターゲット２からス
パッタ材粒子が飛び出す。このように飛び出したスパッ
タ材粒子は、一部、半導体基板１に向かい半導体基板１
に付着するが、その一方で、真空チャンバの内壁に向か
うスパッタ材粒子７がある。この様なスパッタ材粒子７
はメツシュ構造体４のメツシュ部を通り抜は捕獲電極５
に付着する。
そして、この捕獲電極５の表面は先に説明したようにプ
ラスに帯電されているので、飛来したスパッタ材粒子は
確実に捕獲電極５に付着し、捕獲電極５から落下して半
導体基板１の上に再付着することはない。また、捕獲電
極５に付着せず真空チャンバ８の内壁に薄膜となって付
着したスパッタ材薄膜が、スパッタリング中に内壁より
剥離しても、この捕獲電極５により再度捕獲され、半導
体基板１上に落下して良質な膜の形成を妨げることはな
い。またメツシュ構造体４のメツシュ部を透過出来ず、
メツシュ構造体４の表面に付着したスパッタ材粒子も捕
獲電極５の吸引力により、捕獲電極側５に引っ張られ半
導体基板上に再付着することは防止される。更に、この
捕獲用電極５はスパッタリング中ばかりでなく真空チャ
ンバ８の真空を破る際にも帯電させておき、真空を破る
際に生じる気流の乱れによるスパッタ材薄膜の再付着を
防止することが好ましい。
ラスに帯電されているので、飛来したスパッタ材粒子は
確実に捕獲電極５に付着し、捕獲電極５から落下して半
導体基板１の上に再付着することはない。また、捕獲電
極５に付着せず真空チャンバ８の内壁に薄膜となって付
着したスパッタ材薄膜が、スパッタリング中に内壁より
剥離しても、この捕獲電極５により再度捕獲され、半導
体基板１上に落下して良質な膜の形成を妨げることはな
い。またメツシュ構造体４のメツシュ部を透過出来ず、
メツシュ構造体４の表面に付着したスパッタ材粒子も捕
獲電極５の吸引力により、捕獲電極側５に引っ張られ半
導体基板上に再付着することは防止される。更に、この
捕獲用電極５はスパッタリング中ばかりでなく真空チャ
ンバ８の真空を破る際にも帯電させておき、真空を破る
際に生じる気流の乱れによるスパッタ材薄膜の再付着を
防止することが好ましい。
ここで、メツシュ構造体４を設けたのは以下の理由によ
る。捕獲電極５はスパッタ材粒子捕獲用電源９によりそ
の表面が帯電しているため、この帯電により、電界が生
じる。そして、この電界が、Ａｒイオンに作用するター
ゲット２と半導体基板１との間の電界に悪影響をおよぼ
す可能性がある。
る。捕獲電極５はスパッタ材粒子捕獲用電源９によりそ
の表面が帯電しているため、この帯電により、電界が生
じる。そして、この電界が、Ａｒイオンに作用するター
ゲット２と半導体基板１との間の電界に悪影響をおよぼ
す可能性がある。
そこで、この接地されているメツシュ構造体４により捕
獲電極５による電界をシールドし、悪影響が及ぶのを防
いでいる。
獲電極５による電界をシールドし、悪影響が及ぶのを防
いでいる。
本発明は上記実施例に限定されるものでなく種々の変形
例が考えられ得る。
例が考えられ得る。
具体的には、上記実施例はターゲットが半導体基板の上
に位置しているスパッタリング装置を示しているが、そ
の逆の場合、すなわち、半導体基板がターゲットの上に
位置しているスパッタリング装置にも本発明は使用でき
る。
に位置しているスパッタリング装置を示しているが、そ
の逆の場合、すなわち、半導体基板がターゲットの上に
位置しているスパッタリング装置にも本発明は使用でき
る。
更に、上記実施例ではメツシュ構造体を設けたスパッタ
リング装置について説明したが、この様なメツシュ構造
体を設けなくても、捕獲電極の電界がスパッタリングの
電界に悪影響を与えない程度のものであれば、敢えて設
ける必要はない。
リング装置について説明したが、この様なメツシュ構造
体を設けなくても、捕獲電極の電界がスパッタリングの
電界に悪影響を与えない程度のものであれば、敢えて設
ける必要はない。
また更に、捕獲電極とメツシュ構造体の変形例を第２図
に種々示したが、この例に限定されるものでなく、更に
別の変形例をも考えられ得る。
に種々示したが、この例に限定されるものでなく、更に
別の変形例をも考えられ得る。
更に上記実施例では一定の電圧を印加するタイプのスパ
ッタリング装置について説明したが、このタイプ以外の
スパッタリング装置、例えばマグネトロンスパッタリン
グ装置等についても本発明は適用できる。
ッタリング装置について説明したが、このタイプ以外の
スパッタリング装置、例えばマグネトロンスパッタリン
グ装置等についても本発明は適用できる。
更に、上記実施例では捕獲電極を半導体基板及びターゲ
ットの周囲を覆うように配置しであるが、捕獲電極を真
空チャンバ内のある特定の場所に設けてそこに剥離して
落下するスパッタ材薄膜を捕獲するようにしてもよい。
ットの周囲を覆うように配置しであるが、捕獲電極を真
空チャンバ内のある特定の場所に設けてそこに剥離して
落下するスパッタ材薄膜を捕獲するようにしてもよい。
本発明に従うスパッタリング装置は上述のように構成し
ているので、スパッタリングの際、ターゲットから直接
飛来したスパッタ材粒子以外は半導体基板上に付着しな
いので、良質な膜を半導体基板上に形成できる。
ているので、スパッタリングの際、ターゲットから直接
飛来したスパッタ材粒子以外は半導体基板上に付着しな
いので、良質な膜を半導体基板上に形成できる。
通常側壁などから剥がれて落下する薄膜はターゲットよ
り飛来してくるスパッタ材粒子よりも形状が大きいので
それ自身が帯電している電荷量はターゲットより飛来す
る粒子よりはるかに大きい。
り飛来してくるスパッタ材粒子よりも形状が大きいので
それ自身が帯電している電荷量はターゲットより飛来す
る粒子よりはるかに大きい。
そのため捕獲電極に印加する電圧を調整することにより
ある大きさの粒子のみを掴まえることができ半導体基板
には常に正常な大きさを有した粒子のみを半導体基板上
に付着させ、良質な薄膜を形成できる。
ある大きさの粒子のみを掴まえることができ半導体基板
には常に正常な大きさを有した粒子のみを半導体基板上
に付着させ、良質な薄膜を形成できる。
第１図は本発明の実施例の側断面構成図、第２図は捕獲
電極とメツシュ構造体の構成の変形例を示す図、及び第
３図は従来のスパッタリング装置の構成図である。 １・・・半導体基板、２・・・ターゲット、３・・・電
源、４・・・メツシュ構造体、５・・・捕獲電極、８・
・・真空チャンバ、９・・・スパッタ材粒子捕獲用電源
。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
寺 崎 史 朗第１図 （ａ） （ｃ）（１：
＋） （ｄ）第２図
電極とメツシュ構造体の構成の変形例を示す図、及び第
３図は従来のスパッタリング装置の構成図である。 １・・・半導体基板、２・・・ターゲット、３・・・電
源、４・・・メツシュ構造体、５・・・捕獲電極、８・
・・真空チャンバ、９・・・スパッタ材粒子捕獲用電源
。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人弁理士 長谷用 芳 樹間
寺 崎 史 朗第１図 （ａ） （ｃ）（１：
＋） （ｄ）第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、スパッタリング装置において、 スパッタリングすべきスパッタ材よりなるターゲットと
、 前記ターゲットとスパッタ材が付着されるべき物体との
間に電界を発生させる手段と その表面が帯電され、前記ターゲットからのスパッタ材
粒子を捕獲する電極手段とを有することを特徴とするス
パッタリング装置。 ２、スパッタリング装置において、 スパッタリングすべきスパッタ材よりなるターゲットと
、 前記ターゲットとスパッタ材が付着されるべき物体との
間に電界を発生させる手段と その表面が帯電され、前記ターゲットからのスパッタ材
粒子を捕獲する電極と 前記電極と前記電界発生手段及び前記物体との間に配置
され、接地されている手段とを有することを特徴とする
スパッタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26889387A JPH01111872A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | スパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26889387A JPH01111872A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | スパッタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01111872A true JPH01111872A (ja) | 1989-04-28 |
| JPH0583633B2 JPH0583633B2 (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=17464731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26889387A Granted JPH01111872A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | スパッタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01111872A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08239761A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-17 | Hiroshima Nippon Denki Kk | スパッタリング装置 |
| WO1998053117A1 (en) * | 1997-05-22 | 1998-11-26 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for sputter depositing dielectric films on a substrate |
| US6077403A (en) * | 1997-06-06 | 2000-06-20 | Anelva Corporation | Sputtering device and sputtering method |
| US6361667B1 (en) | 1997-03-18 | 2002-03-26 | Anelva Corporation | Ionization sputtering apparatus |
| CN104008268A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-08-27 | 上海宇航系统工程研究所 | 空间目标可见光散射特性分析模型校验方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916975A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Canon Inc | スパツタリング装置 |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP26889387A patent/JPH01111872A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5916975A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Canon Inc | スパツタリング装置 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08239761A (ja) * | 1995-02-28 | 1996-09-17 | Hiroshima Nippon Denki Kk | スパッタリング装置 |
| US6361667B1 (en) | 1997-03-18 | 2002-03-26 | Anelva Corporation | Ionization sputtering apparatus |
| WO1998053117A1 (en) * | 1997-05-22 | 1998-11-26 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for sputter depositing dielectric films on a substrate |
| US6475353B1 (en) * | 1997-05-22 | 2002-11-05 | Sony Corporation | Apparatus and method for sputter depositing dielectric films on a substrate |
| US6077403A (en) * | 1997-06-06 | 2000-06-20 | Anelva Corporation | Sputtering device and sputtering method |
| CN104008268A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-08-27 | 上海宇航系统工程研究所 | 空间目标可见光散射特性分析模型校验方法 |
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| JPH0583633B2 (ja) | 1993-11-26 |
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