JPH0586007A

JPH0586007A - アゾ系化合物およびジアゾニウム塩

Info

Publication number: JPH0586007A
Application number: JP3243859A
Authority: JP
Inventors: Yasushi Mizuta; 泰史水田; Eiichi Miyamoto; 栄一宮本; Mitsuyoshi Hirano; 光芳平野; Yoichiro Watanabe; 洋一郎渡辺
Original assignee: Mita Industrial Co Ltd
Current assignee: Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Priority date: 1991-09-24
Filing date: 1991-09-24
Publication date: 1993-04-06

Abstract

(57)【要約】【目的】高い感度を有し、かつ光安定性にもすぐれた
アゾ系化合物と、このアゾ系化合物の製造に適したジア
ゾニウム塩とを提供する。【構成】アゾ系化合物は、下記一般式(I) で表され
る。また、ジアゾニウム塩は、下記一般式(II)で表され
る。【化１】［一般式(I) 中、Ａはカップラー残基を示し、一般式(I
I)中、Ｘは陰イオンを示す］

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体におけ
る電荷発生材料等の種々の感光材料や、顔料、太陽電池
等として好適なアゾ系化合物と、その製造に適した中間
体としてのジアゾニウム塩に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体における電荷発生材料等
の種々の感光材料や、顔料、太陽電池等に使用される電
荷発生材料としては、従来より、セレンや硫化カドミウ
ム等の無機光導電体が公知ではあるが、これらは毒性が
あり、しかも生産コストが高く望ましくない。

【０００３】そこで、これらの無機物質に代えて、加工
性に優れ、製造コストの面で有利であるとともに、機能
設計の自由度が大きい、種々の有機物質が、電荷発生材
料として提案されている。上記有機の電荷発生材料とし
ては、フタロシアニン系化合物、ペリレン系化合物、キ
ナクリドン系化合物、アンサンスロン系化合物、アゾ系
化合物等多くの化合物が提案されている。例えばアゾ系
化合物としては、特開昭４７−３７５４３号公報や同５
７−１９５７６７号公報に開示のものが知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電荷発生材料は、感光波長領域が狭かったり、感度
が低かったりするという問題があった。また、上記従来
の電荷発生材料は光安定性も充分でなかった。本発明は
上記の問題点を解決するものであり、高い感度を有し、
かつ光安定性にもすぐれた新規なアゾ系化合物と、この
アゾ系化合物の製造に適した中間体としてのジアゾニウ
ム塩とを提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段および作用】上記課題を解
決するため、本発明者らは、アゾ系化合物の分子内に、
消光剤として知られるｐ−ベンジルビフェニルの構造を
導入して、感度ならびに光安定性を向上することを考
え、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明のア
ゾ系化合物は、一般式(I) ：

【０００６】

【化３】

【０００７】［式中、Ａはカップラー残基を示す］で表
されるものである。また、上記一般式(I) で表されるア
ゾ系化合物の製造に適した中間体としての、本発明のジ
アゾニウム塩は、一般式(II)：

【０００８】

【化４】

【０００９】［式中、Ｘは陰イオンを示す］で表され
る。上記一般式(I) で表されるアゾ系化合物は、前述し
たように、分子内に、消光剤として知られるｐ−ベンジ
ルビフェニルの構造を導入したため、高感度で、かつ、
繰返し使用による表面電位の低下を防止できる。さら
に、長時間の露光や高温下での露光に対して、安定的に
高感度を維持することができ、光安定性に優れている。

【００１０】本発明のアゾ系化合物がこのような高い感
度と光安定性を有する理由としては、以下のようなこと
が考えられる。すなわち、本発明のアゾ系化合物は、例
えば、前記した特開昭４７−３７５４３号に例示の、下
記一般式(III) ：

【００１１】

【化５】

【００１２】［式中、Ａは前記と同じカップラー残基を
示し、Ｙは水素原子、メチル基、メトキシ基、エトキシ
基、水酸基、塩素原子または臭素原子を示す］で表され
る従来のビスアゾ系化合物等に比して、上記ｐ−ベンジ
ルビフェニル部分と２つのアゾ基とで形成されるπ電子
共役系が、より大きな拡がりをもっているため、化合物
の分子構造の平面化がより一層促進されて、分子間の重
なり合い等による分子間相互作用が強まるからであると
推定される。

【００１３】上記一般式(I) で表される本発明のアゾ系
化合物は、基本的に下記の一般式(Ia)で表されるビスア
ゾ系化合物を含んでいる。

【００１４】

【化６】

【００１５】［式中、Ａは前記と同じカップラー残基を
示す］また、上記ビスアゾ系化合物の製造に適した中間
体としては、下記一般式(IIa) で表されるテトラゾニウ
ム塩（ビスジアゾニウム塩）があげられる。

【００１６】

【化７】

【００１７】［式中、Ｘは前記と同じ陰イオンを示す］
前記一般式(I)(Ia) で表される本発明のアゾ系化合物に
おいて、カップラー残基Ａとしては、下記一般式(a) 〜
(g) で表される基が例示される。

【００１８】

【化８】

【００１９】各式中Ｒ⁴は、ヒドロキシル基、下記一般
式で表される基： −ＮＲ¹⁰Ｒ¹¹ （式中、Ｒ¹⁰およびＲ¹¹は同一または異なって、水素原
子またはアルキル基を示す）、または、下記一般式で表
される基： −ＮＨＳＯ₂Ｒ¹² （式中、Ｒ¹²は水素原子、アルキル基、アルケニル基ま
たはアリール基を示す）を表す。

【００２０】Ｒ⁵は、水素原子、ハロゲン原子、アルキ
ル基、アルコキシ基、カルボキシル基、アルコキシカル
ボニル基、カルバモイル基、アリール基またはスルファ
モイル基を表し、アルキル基またはアルコキシ基は、ハ
ロゲン原子、フェニル基、ナフチル基、ニトロ基、シア
ノ基等の置換基を有してもよい。また、カルバモイル基
またはスルファモイル基は、ハロゲン原子、フェニル
基、ナフチル基、アルキル基、アルケニル基、カルボニ
ル基、カルボキシル基等の置換基を有してもよい。

【００２１】Ｒ⁶は、上記Ｒ⁴およびＲ⁵を有するベン
ゼン環と縮合して芳香族環、脂肪族環または複素環を形
成するのに必要な原子団を示し、これらの環は前記と同
様な置換基を有してもよい。Ｒ⁷は、水素原子、アミノ
基、Ｎ−置換アミノ基、アルキル基、アルケニル基、ヒ
ドロキシル基、カルバモイル基、カルボキシル基または
アルコキシカルボニル基を表し、アルキル基、アルケニ
ル基、カルバモイル基は、前記と同様な置換基を有して
もよい。

【００２２】Ｒ⁸は、水素原子、アルキル基またはアリ
ール基を表し、アルキル基またはアリール基は、前記と
同様な置換基を有してもよい。Ｒ⁹は、フェニレン基ま
たはナフチレン基を表す。これらのフェニレン基または
ナフチレン基も前記と同様な置換基を有してもよい。ア
ルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピ
ル基、イソプロプル基、ブチル基、イソブチル基、tert
−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の、炭素数１〜
６の低級アルキル基があげられる。

【００２３】アリール基としては、例えばフェニル基、
トリル基、キシリル基、ビフェニル基、ナフチル基、ア
ントリル基、フェナントリル基などがあげられる。アル
ケニル基としては、例えばビニル基、アリル基、２−ブ
テニル基、３−ブテニル基、１−メチルアリル基、２−
ペンテニル基、２−ヘキセニル基等の、炭素数２〜６の
低級アルケニル基があげられる。

【００２４】ハロゲン原子としては、塩素原子、臭素原
子、ヨウ素原子、フッ素原子があげられる。アルコキシ
基としては、例えばメトキシ基、エトキシ基、プロポキ
シ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基等の、アルコ
キシ部分の炭素数が１〜６の低級アルコキシ基があげら
れる。

【００２５】アルコキシカルボニル基としては、例えば
メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポ
キシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブト
キシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ペンチ
ルオキシカルボニル基、ヘキシルオキシカルボニル基等
の、アルコキシ部分の炭素数が１〜６の低級アルコキシ
カルボニル基があげられる。

【００２６】アシル基としては、例えばホルミル基、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル
基、バレリル基、イソバレリル基、ヘキサモイル基等が
あげられる。前記Ｒ⁶において、Ｒ⁴およびＲ⁵を有す
るベンゼン環と縮合して脂肪族環を形成するのに必要な
原子団としては、例えばメチレン基、エチレン基、プロ
ピレン基、ブチレン基等の、炭素数１〜４のアルキレン
基があげられる。

【００２７】また、Ｒ⁶において、Ｒ⁴およびＲ⁵を有
するベンゼン環と縮合して複素環を形成するのに必要な
原子団としては、例えばベンゾフラニル基、ベンゾチオ
フェニル基、インドリル基、１Ｈ−インドリル基、ベゾ
オキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、１Ｈ−インダド
リル基、ベンゾイミダゾリル基、クロメニル基、クロマ
ニル基、イソクロマニル基、キノリニル基、イソキノリ
ニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、キナゾニリ
ル基、キノキサリニル基、ジベンゾフラニル基、カルバ
ゾリル基、キサンテニル基、アクリジニル基、フェナン
トリジニル基、フェナジニル基、フェノキサジニル基、
チアントレニル基等があげられる。

【００２８】上記Ｒ⁴およびＲ⁵を有するベンゼン環と
Ｒ⁶との縮合により形成される芳香族性複素環基として
は、例えばチエニル基、フリル基、ピロリル基、オキサ
ゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチ
アゾリル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾ
リル基、テトラゾリル基、ピリジル基、チアゾリル基が
あげられる。また、芳香族環と縮合した複素環式基（例
えばベンゾフラニル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾ
オキサゾリル基、ベンゾチアゾリル基、キノリル基な
ど）であってもよい。

【００２９】上記一般式(a) 〜(g) で表わされるカップ
ラー残基Ａの具体例としては、以下のような基があげら
れる。

【００３０】

【化９】

【００３１】また、前記一般式(II)(IIa) で表される本
発明のジアゾニウム塩において、陰イオンＸとしては、
塩酸等のハロゲン化水素酸、ホウフッ化水素酸、臭化水
素酸、硫酸、硝酸、過塩素酸その他の酸の陰イオンがあ
げられる。前記一般式(I) で表される本発明のアゾ系化
合物は、一般式(II)で表される本発明のジアゾニウム塩
を中間体として経由する、種々の方法で合成することが
できる。例えば、前記一般式(Ia)で表されるビスアゾ系
化合物を例に取ると、下記反応式に示すように、一般式
(1) で表されるアミン系化合物中の、２つのアミノ基
を、それぞれジアゾ化してテトラゾニウム塩(IIa) と
し、次いで、これを所定のカップラーと有機溶媒中でカ
ップリングさせることにより、容易に製造することがで
きる。

【００３２】

【化１０】

【００３３】［式中、Ａ、Ｘは前記と同じ］ジアゾ化
は、アミン系化合物(1) の酸性水溶液を攪拌しながら、
亜硝酸ナトリウムまたは亜硝酸を低温下（通常、−１０
〜５℃）で滴下し、次いで、前記陰イオンＸの元になる
酸を加えて、結晶化したテトラゾニウム塩(IIa) を得
る。ついで、このテトラゾニウム塩(IIa) に、有機溶媒
中にて所定量のカップラー(2) を加えてカップリング反
応を行わせることにより、ビスアゾ系化合物(Ia)が得ら
れる。

【００３４】上記反応に使用される有機溶媒としては、
例えばジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドが
あげられる。上記本発明のアゾ系化合物は、前述した電
子写真感光体における電荷発生材料の他、種々の感光材
料や顔料、太陽電池等、種々の分野での利用が可能であ
る。

【００３５】

【実施例】以下、実施例をあげて本発明を詳細に説明す
る。＊ジアゾニウム塩の合成実施例Ａ飽和アンモニア水１００ｍｌに、下記式(3) で表される
２，４−ジブロム−３′−ベンジルビフェニル０．４０
２ｇ（１ミリモル）を加え、液温を氷温に保持して攪拌
しながら、ナトリウムアミド（NaＮＨ₂）０．１９２ｇ
（２ミリモル）を滴下し、さらに滴下終了後、２４時間
攪拌を続けた。

【００３６】

【化１１】

【００３７】２４時間経過後、反応液に酢酸６ｇを加
え、次いで、反応液を１リットルの水中に投入して反応
を停止させた。そして、クロロホルムによって、上記水
中から有機物を抽出し、ベンゼンとシクロヘキサンで再
結晶させて、前記式(1) で表される２，４−ジアミノ−
３′−ベンジルビフェニルの結晶０．１８９ｇ（収率６
９％）を得た。

【００３８】上記２，４−ジアミノ−３′−ベンジルビ
フェニル６．３０ｇ（０．０２３モル）を１０％塩酸１
１５ｍl に加え、氷水浴で冷却しながら攪拌し、液温を
−１℃に保った。次に、この溶液に亜硝酸ナトリウム
４．５８ｇ（０．０６６モル）を水１３ｍｌに溶解した
水溶液を、液温−２〜１℃に保ったまま３０分間かけて
滴下し、さらに滴下終了後、１時間攪拌して冷却放置し
た。次いでこれに４２％ホウフッ化水素酸２６ｍｌを加
え、生成した結晶を濾過し、エタノールで洗浄後乾燥し
て、前記一般式(IIa) 中のＸが−ＢＦ₄であるテトラゾ
ニウムジフルオロボレイト７．９５ｇ（収率７３．２
％）を得た。

【００３９】得られたテトラゾニウムジフルオロボレイ
トの分析結果を以下に記す。元素分析結果Ｃ₁₉Ｈ₁₄Ｎ₄Ｂ₂Ｆ₈として計算値（％）: C:48.35 H:2.99 N:11.87 実測値（％）: C:48.33 H:3.00 N:11.85 質量分析結果ｍ／ｅ＝４７１（計算値４７２．０）＊アゾ系化合物の合成実施例１上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と前記式(A1)で表される
カップラー残基を有するカップラー１．５９ｇ（０．０
０６モル）とをＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍ
ｌ中に溶解し、これに酢酸ソーダ０．５４ｇ（０．００
６６モル）を水７．５ｍｌに溶解した液を１７〜２２℃
に保ったまま５分間かけて滴下した。さらに３時間攪拌
後、生成した沈澱物を濾過し、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド２００ｍｌで５回洗浄した。次に、２回水で洗浄
した後、減圧乾燥して下記式(IV)で表されるビスアゾ系
化合物１．３２ｇ（収率８１．２％）を得た。

【００４０】

【化１２】

【００４１】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₅₃Ｈ₂₈Ｎ₆Ｏ₄として計算値（％）: C:78.32 H:3.47 N:10.34 実測値（％）: C:78.39 H:3.39 N:10.32 質量分析結果ｍ／ｅ＝８１２（計算値８１２．９）ＩＲ１６７５cm^-1（カップラーＣ＝Ｏ）実施例２上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と、前記式(A2)で表され
るカップラー残基を有するカップラー０．８３ｇ（０．
００４モル）とを用いて、実施例１と同様にしてビスア
ゾ系化合物０．８６ｇ（収率７９．３％）を合成した。

【００４２】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₃₃Ｈ₂₈Ｎ₄Ｏ₄として計算値（％）: C:72.78 H:5.18 N:10.29 実測値（％）: C:72.67 H:5.11 N:10.21 質量分析結果ｍ／ｅ＝５４４（計算値５４４．６）ＩＲ３５８０cm^-1（カップラーＯＨ）実施例３上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と、前記式(A3)で表され
るカップラー残基を有するカップラー１．０９ｇ（０．
００４モル）とを用いて、実施例１と同様にしてビスア
ゾ系化合物０．８９ｇ（収率７７．２％）を合成した。

【００４３】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₃₅Ｈ₄₀Ｎ₆Ｏ₂として計算値（％）: C:72.89 H:6.99 N:14.57 実測値（％）: C:72.88 H:6.81 N:14.57 質量分析結果ｍ／ｅ＝５７６（計算値５７６．８）ＩＲ３５００cm^-1（カップラーＯＨ）実施例４上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と、前記式(A4)で表され
るカップラー残基を有するカップラー０．８５ｇ（０．
００４モル）とを用いて、実施例１と同様にしてビスア
ゾ系化合物０．８９ｇ（収率８３．１％）を合成した。

【００４４】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₃₅Ｈ₃₀Ｎ₆として計算値（％）: C:78.63 H:5.66 N:15.72 実測値（％）: C:78.62 H:5.61 N:15.78 質量分析結果ｍ／ｅ＝５３４（計算値５３４．７）ＩＲ３５８０cm^-1（カップラーＮＨ）実施例５上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と、前記式(A5)で表され
るカップラー残基を有するカップラー０．６８ｇ（０．
００４モル）とを用いて、実施例１と同様にしてビスア
ゾ系化合物０．７６ｇ（収率８２．３％）を合成した。

【００４５】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₂₇Ｈ₂₄Ｎ₆Ｏ₂として計算値（％）: C:69.81 H:5.21 N:18.09 実測値（％）: C:69.77 H:5.17 N:18.07 質量分析結果ｍ／ｅ＝４６４（計算値４６４．５）ＩＲ１４７０cm^-1（カップラーＮＨ）実施例６上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と、前記式(A6)で表され
るカップラー残基を有するカップラー１．６１ｇ（０．
００４モル）とを用いて、実施例１と同様にしてビスア
ゾ系化合物１．２０ｇ（収率８０．０％）を合成した。

【００４６】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₄₅Ｈ₃₀Ｎ₆Ｏ₆として計算値（％）: C:71.99 H:4.03 N:11.19 実測値（％）: C:71.92 H:4.00 N:11.18 質量分析結果ｍ／ｅ＝７５８（計算値７５８．８）ＩＲ１７１０cm^-1（カップラーＣ＝Ｏ）実施例７上記実施例Ａで得たテトラゾニウムジフルオロボレイト
０．９４ｇ（０．００２モル）と、前記式(A7)で表され
るカップラー残基を有するカップラー２．１７ｇ（０．
００４モル）とを用いて、実施例１と同様にしてビスア
ゾ系化合物１．３０ｇ（収率７８．９％）を合成した。

【００４７】得られたビスアゾ系化合物の分析結果を以
下に記す。元素分析結果Ｃ₅₄Ｈ₃₀Ｎ₆Ｏ₄として計算値（％）: C:78.56 H:3.84 N:9.99 実測値（％）: C:78.49 H:3.92 N:9.99 質量分析結果ｍ／ｅ＝８４０（計算値８４０．９）ＩＲ１７００cm^-1（カップラーＣ＝Ｏ）比較例１〜３下記式(i) 〜(iii) で表されるビスアゾ系化合物を、そ
れぞれ比較例１〜３とした。

【００４８】比較例１：

【００４９】

【化１３】

【００５０】比較例２：

【００５１】

【化１４】

【００５２】比較例３：

【００５３】

【化１５】

【００５４】上記各実施例、比較例のビスアゾ系化合物
について、以下の試験を行い、その特性を評価した。電荷発生効率の計測各実施例、比較例のビスアゾ系化合物と、結着樹脂とし
てのポリエステル樹脂とを、ビスアゾ系化合物の量比が
１０重量％になるように、適当な溶媒中に配合し、均一
に分散させて塗布液を作製した。そして、この塗布液
を、図１に示すように、片面にＩＴＯ電極層１０２が形
成された透明シート１０１の、上記ＩＴＯ電極層１０２
が形成された側の表面に塗布して、厚み５μｍの顔料・
樹脂分散層１０３を形成した。そして、この顔料・樹脂
分散層１０３の裏面に金電極層１０４を積層してサンプ
ルを作製した。

【００５５】つぎに、上記サンプルのＩＴＯ電極層１０
２および金電極層１０４を、同図に示すように測定回路
に接続した。測定回路は、図２に示すように、サンプル
を等価的に１つのコンデンサと見なして、このサンプル
ＣＳと、１つの可変コンデンサＣ１と、２つの固定コン
デンサＣ２，Ｃ３とでブリッジ回路を形成したものであ
る。

【００５６】つぎに、上記ブリッジ回路に、電源装置１
０６から電圧を印加しつつ、サンプルの顔料・樹脂分散
層１０３に、透明シート１０１の側から、励起光として
のレーザーパルス光を照射して、平衡状態（光未照射状
態）からの、サンプルＣＳにおける電圧の変位量（電圧
降下量ΔＶ、単位ｍＶ）を、ブリッジ回路に接続された
ストレージスコープ１０７によって計測した。なお、上
記サンプルＣＳにレーザーパルス光を照射するための光
源としては、電源装置１０６に、スイッチＳＷを介して
接続された窒素ガスレーザーＮＬと、この窒素ガスレー
ザーＮＬからレーザー光が照射されると、サンプルＣＳ
にレーザーパルス光を照射する色素レーザーＤＬと、こ
の色素レーザーＤＬから照射されるレーザーパルス光の
光エネルギーを、当該レーザーパルス光の光路中に設け
たハーフミラーＨＭを介してモニターするモニター装置
１０８とからなるものを用いた。

【００５７】そして、計測されたサンプルＣＳの電圧の
変位量（ΔＶ）から、下記式により、電荷発生効率
（η）を求めた。電荷発生効率η＝（Ｃ・ΔＶ／ｅＮφ）・〔１／ｆｖ・ｆ（ε１，ε２）〕但し、上記式中の各符号は下記のとおり。Ｃ：サンプルの静電容量（＝４．８×１０^-10、サンプ
ルの誘電率＝２．７１から求めた）ｅ：電荷素量Ｎφ：吸収した光子数（＝５×１０^-10、モニター装置
１０８によりモニターしたレーザーパルス光の光エネル
ギーから算出した）ｆｖ：顔料の体積分率（＝７．２５、ビスアゾ系化合物
の量比１０重量％のときの体積分率） ε１：ビスアゾ系化合物の誘電率（構造上の差異が少な
いことから、全て４．４５に設定した） ε２：ポリエステル樹脂の誘電率（＝２．６０）ｆ（ε１，ε２）：補正関数、下記式により計算した。

【００５８】ｆ（ε１，ε２）＝ε２／〔ε１＋２ε２−ｆｖ・（ε１−ε２）〕また、両電極間の電界強度は３×１０⁷Ｖ／ｍであっ
た。各実施例、比較例のビスアゾ系化合物を用いたサン
プルにおける電圧の変位量（ΔＶ）と、上記式により算
出された電荷発生効率（η）とを表１に示す。光安定性試験前記各実施例、比較例のビスアゾ系化合物を電荷発生材
料として使用して、以下の手順で、単層型および積層型
の感光体を作製した。

【００５９】（単層型感光体の作製）電荷発生材料とし
てのビスアゾ系化合物８重量と、電荷輸送材料としての
３，３′−ジメチル−Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス
−４−メチルフェニル−（１，１′−ビフェニル）−
４，４′−ジアミン１００重量部と、結着樹脂としての
ポリエステル樹脂１００重量部とを、所定量のテトラヒ
ドロフランとともに、ボールミルを用いて混合分散し、
単層型感光層用塗布液を調製した。

【００６０】この塗布液を、直径８０mm×長さ３５０mm
のアルミニウム素管の表面に、浸漬法によって塗布した
後、暗所において、１００℃で３０分間加熱乾燥させ
て、膜厚２４μｍの単層型感光層を有する、ドラム型の
電子写真感光体を作製した。（積層型感光体の作製）結着樹脂としてのポリビニルブ
チラール１００重量部と、電荷発生材料としてのビスア
ゾ系化合物１００重量部と、所定量のテトラヒドロフラ
ンとをボールミルに仕込み、２４時間攪拌混合して、電
荷発生層用塗布液を調製した。

【００６１】この塗布液を、直径８０mm×長さ３５０mm
のアルミニウム素管の表面に、浸漬法によって塗布した
後、暗所において、１１０℃で３０分間熱風乾燥して硬
化させて、膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。つ
ぎに、結着樹脂としてのポリカーボネート１００重量部
と、電荷輸送材料としての３，３′−ジメチル−Ｎ，
Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラキス−４−メチルフェニル−
（１，１′−ビフェニル）−４，４′−ジアミン１００
重量部と、所定量のトルエンとをホモミキサで攪拌混合
して、電荷輸送層用塗布液を調製した。

【００６２】この塗布液を、先に素管の表面に形成した
電荷発生層上に、浸漬法によって塗布し、９０℃で３０
分間熱風乾燥することにより、膜厚約２０μｍの電荷輸
送層を形成し、積層型感光層を有する、ドラム型の電子
写真感光体を作製した。（光安定性の測定）上記のようにして作製した単層型お
よび積層型の感光体を、まず、静電式複写試験装置（ジ
ェンテック社製の商品名ジェンテックシンシア３０Ｍ）
に装填し、その表面を正または負に帯電させたのち、帯
電状態となった電子写真感光体を、静電式複写試験装置
の露光光源であるハロゲンランプを用いて、露光強度１
０lux の条件で露光して、露光開始後、０．１５秒を経
過した時点の表面電位を測定し、残留電位Ｖ１r.p.
（Ｖ）とした。

【００６３】つぎに、上記感光体を、静電式複写機（三
田工業社製の型番ＤＣ−１１１）に装填して１０００枚
の連続複写を行った後、上記と同様にして、繰り返し露
光後の残留電位Ｖ２r.p.（Ｖ）を測定した。そして、上
記残留電位Ｖ１r.p.とＶ２r.p.との差ΔＶr.p.（Ｖ）を
求めた。結果を表１に示す。

【００６４】

【表１】

【００６５】上記表１の結果より、本発明のアゾ系化合
物である、実施例１〜７のビスアゾ系化合物は、いずれ
も、比較例１〜３に比べて電荷発生効率が高く、高感度
であることが判った。また、上記実施例１〜７のビスア
ゾ系化合物を用いた感光体は、比較例１〜３を用いた感
光体に比べて、繰り返し露光による残留電位の変化量が
小さく、このことから、上記実施例１〜７のビスアゾ系
化合物は、光安定性にも優れていることが判った。

【００６６】

【発明の効果】以上のように、本発明のアゾ系化合物
は、高感度であり、かつ光安定性に優れているので、電
子写真感光体における電荷発生材料等の種々の感光材料
や、顔料、太陽電池等に好適に使用することができる。
また、本発明のジアゾニウム塩は、上記アゾ系化合物の
製造に適した中間体である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例において、電荷発生効率の計測に使用し
た装置の概要を示すブロック図である。

【図２】上記装置の、より詳細な内容を示す回路図であ
る。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号庁内整理番号ＦＩ技術表示箇所Ｃ０７Ｃ 311/21 7419−4ＨＣ０７Ｄ 221/06 6701−4Ｃ 231/38 6701−4Ｃ 498/04 １０５ 8415−4ＣＣ０９Ｂ 35/04 7306−4ＨＧ０３Ｇ 5/06 ３４５ 8305−2Ｈ３４７Ｂ 8305−2Ｈ (72)発明者渡辺洋一郎大阪府大阪市中央区玉造１丁目２番28号三田工業株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一般式(I) ：【化１】［式中、Ａはカップラー残基を示す］で表されるアゾ系
化合物。
【請求項２】一般式(II)：【化２】［式中、Ｘは陰イオンを示す］で表されるジアゾニウム
塩。